专利名称：半导体反应室元件固定装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种固定装置，且特别是涉及一种配置于反应室中，用以固定圆形顶板(Shower head)的固定装置。
背景技术：
集成电路在我们的日常生活中，几乎已达到无所不在的境界，其主要的应用除了我们耳熟能详的计算机工业外，现已广泛地应用在各种的消费性电子产品上。而集成电路的生产主要分为三个阶段，从硅芯片的制造，到集成电路的制作，最后在封装之后，才能算是完成一个成品。
上述的三个生产阶段中，又以集成电路制作的流程最为复杂，包括了晶片清洗、氧化、光刻、离子注入、蚀刻、光致抗蚀剂剥除、化学气相沉积、物理气相沉积、化学机械抛光、快速热回火等数百种不同的工艺，需耗时一、两个月才能完成，且由于这些工艺多半是在一个反应室中完成，反应室的结构设计将直接影响到工艺的成品率，因此，如何设计一个同时符合各阶段工艺要求，以及维护产品成品率的反应室也成为半导体厂商的重要课题。
图1所绘示为传统反应室的俯视图。请参照图1，半导体反应室100包括了四个支撑架110、120、130、140、圆形顶板(Shower head)170(为四个支撑架所支撑，主要作用为提供反应气体来源，利用似莲蓬头喷洒方式将反应气体均匀、等量通入反应室内，进而完成反应气体的供应)以及一个闸式阀(GateValve)150，其中闸式阀150为提供半导体元件160进出反应室100的一个出入口。
然而，由于支撑架110、120、130、140的设计位于反应室之内，因此在半导体元件160实施薄膜工艺时，很容易使薄膜附着其上，随着长时间反复的累积之后，这些附着的薄膜将开始掉落，且由于其中支撑架110的位置又是位于半导体元件160进出反应室100的路径上，因此会在半导体元件160上形成一道由微尘(Particle)形成的带状缺陷。图2所绘示为晶片上微尘的分布图，如图2所示，由支撑架掉落在晶片200上的微尘集中分布于晶片200中央的带状区域，其长度及宽度分别为300.0mm(晶片200的直径)及47.2mm，如此将有可能使半导体元件160因遭受污染而损坏，造成不小的损失。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型的目的就是在提供一种半导体反应室元件固定装置，通过将用来固定反应室内圆形顶板的支撑架从半导体元件进出反应室的闸式阀的路径上移除，而避免附着在支撑架上的微尘掉落，而造成半导体元件的缺陷。
本实用新型提出一种半导体反应室元件固定装置，适于固定反应室中的圆形顶板及三个支撑架。其中，圆形顶板提供反应气体来源，而三个支撑架则分别配置于圆形顶板旁的三个支撑点，适于在反应室中固定圆形顶板，且任何一个支撑架皆不配置于半导体元件进出反应室的闸式阀的路径上。
依照本实用新型的优选实施例所述半导体反应室元件固定装置，上述的支撑点以形成一个正三角形的三个顶点的方式配置于圆形顶板的外围，以均衡固定圆形顶板。
依照本实用新型的优选实施例所述半导体反应室元件固定装置，上述的支撑点其中之一配置于圆形顶板外围相对闸式阀的位置上。
依照本实用新型的优选实施例所述半导体反应室固定装置，上述的支撑架具有用以嵌住圆形顶板的宽度，从而固定圆形顶板。
依照本实用新型的优选实施例所述半导体反应室元件固定装置，上述的宽度介于50至60毫米(mm)之间。
依照本实用新型的优选实施例所述半导体反应室元件固定装置，上述的半导体元件的直径约为300毫米。
本实用新型因采用以三个支撑架固定圆形顶板，从而避免在晶片进出反应室时，附着在支撑架上的微尘掉落在所述晶片上，且以正三角形的方式配置此三个支撑架，而达到均衡固定圆形顶板的功效。
为让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，以下配合附图以及优选实施例，以更详细地说明本实用新型。
图1所绘示为传统反应室的俯视图。
图2所绘示为晶片上微尘的分布图。
图3是依照本实用新型优选实施例所绘示的半导体反应室元件固定装置的配置图。
图4是依照本实用新型优选实施例所绘示的改良后晶片上微尘的分布图。
简单符号说明100、300反应室110、120、130、140、310、320、330支撑架150、340闸式阀160、360半导体元件170、350圆形顶板200、400晶片具体实施方式
图3是依照本实用新型优选实施例所绘示的半导体反应室元件固定装置的配置图。请参照图3，本实施例通过重新配置反应室300中的支撑架位置及数量，而将支撑架从半导体元件进出反应室300的路径中移除，以避免支撑架上的微尘掉落半导体元件造成污染。
如图3所示，反应室300包括了三个支撑架310、320、330，以及一个闸式阀340，其中，此三个支撑架310、320、330分别配置于圆形顶板350外围的三个支撑点，用以固定圆形顶板350，且支撑架310、320、330之中的任一个皆不配置于半导体元件360进出反应室300的闸式阀340的路径上。
此外，上述支撑架310、320、330以形成正三角形的三个顶点的方式配置于圆形顶板350的外围，因此可以均衡固定圆形顶板350。而支撑架310、320、330的其中之一例如是配置于圆形顶板350外围相对于闸式阀340的位置上，并不限制其范围。
值得一提的是，本实施例的半导体元件例如是一个晶片，而其直径例如是约300毫米(mm)，且支撑架310、320、330亦可具有一个介于50至60毫米之间宽度，以适于嵌住圆形顶板350，从而固定圆形顶板350。
图4是依照本实用新型优选实施例所绘示的改良后晶片上微尘的分布图，如图4所示，由支撑架掉落在晶片400上的微尘数量已大幅减少，且仅零星分散于晶片400的表面上，与采用传统固定装置所造成的带状缺陷(如图2所示)相比，本实用新型的半导体反应室元件固定装置，可有效避免支撑架上的微尘掉落在晶片之上。
综上所述，在本实用新型的半导体反应室元件固定装置中，通过将固定圆形顶板的支撑架自晶片进出反应室的路径中移除，因此可以避免附着于支撑架上的微尘掉落，且由于支撑架以正三角形的三个顶点的方式配置，而能够平均支撑圆形顶板，达到有效改善晶片上带状缺陷的目的。
虽然本实用新型以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本实用新型，本领域的技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所界定者为准。
权利要求1.一种半导体反应室元件固定装置，包括圆形顶板，适于通入反应气体至反应室内的半导体元件；三个支撑架，分别配置于所述圆形顶板外围的三个支撑点，以固定所述圆形顶板；以及闸式阀，提供所述半导体元件进出所述反应室的出入口，其特征在于所述些支撑架的任一皆不配置于所述半导体元件进出于所述反应室的所述闸式阀的路径上。
2.如权利要求1所述的半导体反应室元件固定装置，其特征在于所述些支撑点以形成正三角形的三个顶点的方式配置于所述圆形顶板的外围，以均衡固定所述圆形顶板。
3.如权利要求2所述的半导体反应室元件固定装置，其特征在于所述些支撑点其中之一配置于所述圆形顶板外围相对所述闸式阀的位置上。
4.如权利要求1所述的半导体反应室元件固定装置，其特征在于所述些支撑架具有适于嵌住所述圆形顶板的宽度。
5.如权利要求4所述的半导体反应室元件固定装置，其特征在于所述宽度介于50至60毫米之间。
6.如权利要求1所述的半导体反应室元件固定装置，其特征在于所述半导体元件的直径约为300毫米。
7.如权利要求1所述的半导体反应室元件固定装置，其中所述半导体元件为晶片。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体反应室元件固定装置包括圆形顶板，适于通入反应气体至反应室内的半导体元件；三个支撑架，分别配置于所述圆形顶板外围的三个支撑点，以固定所述圆形顶板；以及闸式阀，提供所述半导体元件进出所述反应室的出入口，其中所述支撑架的任一皆不配置于所述半导体元件进出于所述反应室的所述闸式阀的路径上。该半导体反应室元件固定装置通过将固定圆形顶板(Shower head)的支撑架从晶片进出反应室的路径中移除，因此可以避免附着于支撑架上的微尘掉落，且由于支撑架以正三角形的三个顶点的方式配置，因此能够平均地支撑圆形顶板，达到有效改善晶片上带状缺陷的目的。
文档编号H01L21/205GK2924787SQ20062011258
公开日2007年7月18日 申请日期2006年4月26日 优先权日2006年4月26日
发明者郑意中, 吕思汉, 吴元胜, 王进明, 洪华骏 申请人:力晶半导体股份有限公司