专利名称：包括工件和工件之间的导电构件的电子装置的制作方法
包括工件和工件之间的导电构件的电子装置 相关申请的交叉引用
本申请根据35 U.S.C. § 119(e)要求2005年6月6日提交的第60/687,350号
美国临时专利申请的优先权，其内容通过引用整体结合于此。
背景信息 公开内容的领域
本公开涉及电子装置，尤其涉及包括工件和工件之间的导电构件的电子装置。 相关技术的描述
包括有机电子装置的电子装置在日常生活中继续更加广泛地使用。有机电子 装置的例子包括有机发光二极管("OLED")。常规的OLED显示器一般由单一衬 底形成。不管是无源矩阵还是有源矩阵，用于驱动OLED的电子电路在OLED本 身之前形成。原本良好的电子电路可在OLED的制造期间变得在实际上无价值。 例如，在形成OLED时的制造缺陷或差错可导致可工作的驱动器电路电连接到无 功能或功能差的OLED。在另一个例子中，OLED的制造可由于处理条件致使驱动 器电路无功能或功能变差。这种无功能或功能差的驱动器电路可由温度循环、等离 子体损伤等产生。此外，用于OLED的另外的处理增加衬底掉落、破裂、错放或 与错误的一批衬底混合的可能性。
在解决该问题的尝试中， 一衬底包括电子电路，而另一衬底包括OLED。为 了将OLED面板和驱动面板组装在一起，建议了很多方法。可采用各向异性导体， 例如，各向异性导电膏(例如，具有低密度导体的膏)或各向异性导电层(例如，具有 z轴导体的弹性材料层)。图案化金属凸起是形成两面板之间的电连接的另一种方 法。在所有这些尝试中，电连接是通过物理压力实现的，其中OLED像素易受损 坏。因此，这些工艺实际上可降低成品率并增加制造成本。为了降低这些缺点的影 响，可引入钝化层以保护OLED像素，或者OLED像素可在OLED衬底的另一侧 上形成。在这两种方法中，需要制造穿过钝化层或衬底的微通孔的另外的过程。制 造用于数百万的像素的微通孔是很难的过程。
概要
在第一方面中， 一种电子装置可包括含有第一电子组件的第一工件，该 第一电子组件包括第一电极和第一有机层；含有第一导体的第二工件；以及将第一 电极与第一导体电连接的第一导电构件，其中第一导电构件允许电子装置被可逆地 拆卸、可逆地再组装或其任意组合。
在第二方面中， 一种电子装置可包括含有第一电子组件的第一工件，该 第一电子组件包括第一电极和第一有机活性层；以及含有用于控制电连接到第一导
体的电子组件的控制电路的第二工件。电子装置还包括将第一电极与第一导体电连 接的第一导电构件，其中第一导电构件允许电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装 或其任意组合。
上述的一般描述和以下的详细描述是示例性和说明性而不是对如所附权利要 求书所限定的本发明的限制。
附图简述
附图中以例子说明了本发明而不作为限制。
图l包括利用本文所述的工艺制造的AMOLED显示器的一部分的电路图的图
图2包括在形成共用电极后的工件的一部分的横截面图的图示。
图3包括在共用电极上形成导电构件后图2的工件的横截面图的图示。
图4包括在形成阱结构后图3的工件的横截面图的图示。
图5包括在阱结构内的开口之间形成有机层后图4的工件的横截面图的图示。
图6包括在形成其它电极后图5的工件的横截面图的图示。
图7是包括控制电路和暴露的导体的另一个工件的一部分的横截面图的图示
图8包括图6和图7的工件的俯视图的图示，包括密封材料和对准标记。
图9包括在进行回流操作前图6和图7的工件的横截面图的图示。
图10包括在进行回流操作后图9的工件的横截面图的图示。
图11包括在进行回流操作并形成封装层后图6和图7的工件的横截面图的图
图12包括在保护层形成后图5的工件的横截面图的图示。 图13包括在进行蚀刻操作后图12的工件的横截面图的图示。
图14包括在形成电极和其它导电构件后图13的工件的横截面图的图示。
图15包括在形成另外的导电构件后图14的工件的横截面图的图示。
图16包括在形成深蚀(etch-back)层后图15的工件的横截面图的图示。
图17包括在暴露位于衬底结构上的导电构件后图16的工件的横截面图的图示。
图18包括在去除暴露的导电构件后图17的工件的横截面图的图示。 图19包括在去除深蚀层剩余部分后图18的工件的横截面图的图示。 图20包括在进行回流操作前示例性工件的横截面图的图示。 图21包括在进行回流操作后图20的示例性工件的横截面图的图示。 图22包括在切穿经回流的电连接后图21的工件的一部分的俯视图的图示。 图23包括具有接合的衬底的电子装置的俯视图的图示。 图24包括在去除其它衬底后工件中的一个的俯视图的图示。 图25包括示出像素阵列不同部分之间位置关系的AMOLED显示器布局的俯 视图的图示。
本领域的技术人员意识到为了简化和清楚起见示出附图中的元件，并且不一 定是按比例绘制的。例如，附图中某些元件的尺寸相对于其它元件被放大，以有助 于改进对本发明的实施例的理解。
详细描述
在第一方面中， 一种电子装置可包括含有第一电子组件的第一工件，该 第一电子组件包括第一电极和第一有机层；含有第一导体的第二工件；以及将第一 电极与第一导体电连接的第一导电构件，其中第一导电构件允许电子装置被可逆地 拆卸、可逆地再组装或其任意组合。
在第一方面的一个实施例中，第一工件还包括与第一电子组件相邻的衬底 结构。在另一个实施例中，第一导电构件的熔点不高于30(TC。在另一个实施 例中，第一导电构件的熔点不高于255°C。在另一个实施例中，第一导电构件 的熔点不高于24(TC。在又一个实施例中，第一导电构件在第一电极和第一导体 之间的中间附近的点处的宽度比第一导电构件在接近第一电极或第一导体的点处 的宽度宽。在再一个实施例中，第一导电构件的高度至少是3.5微米。
在第一方面的又一个实施例中，电子装置还包括至少4000个其它的导电 构件。第一工件包括至少4000个其它电子组件，其中至少4000个其它电子组件
中的每一个都包括第一电极。第二工件包括基本类似于第一导体的至少4000个其
它导体。第一导电构件和至少4000个其它导电构件中的每一个都基本上直接接合 到第一电极中的至少一个和第一导体或至少4000个其它导体中的任一个。
在又一个实施例中，第一导电构件和至少4000个其它导电构件在工件的 阵列部分中的密度至少是每平方厘米15. 5个导电构件。在再一个实施例中，第 一电子组件包括辐射发射组件、辐射响应组件或其组合，而第二工件包括用于控制 第一电子组件的第一控制电路，其中第一控制电路电连接到第一导体。
在第一方面的具体的实施例中，电子装置还包括第二导电构件和第三导电构 件。第一电子组件是红色发光组件，而第一有机层包括红色发光有机层。第一工件 还包括含有第一电极和绿色发光有机层的绿色发光组件和含有第一电极和蓝色发 光有机层的蓝色发光组件。第一工件还包括位于红色发光组件、绿色发光组件以及 蓝色发光组件之间的衬底结构。第二工件包括用于控制绿色发光组件的第二控制电 路，其中第二控制电路电连接到第二导体；以及用于控制蓝色发光组件的第三控制 电路，其中第三控制电路电连接到第三导体。第二导电构件基本上直接接合到绿色 发光组件的第一电极和第二导体上，而第三导电构件基本上直接接合到蓝色发光组 件的第一电极和第三导体上。在一个更具体的实施例中，红色发光组件、绿色发光 组件和蓝色发光组件共用一个共用电极，并且辐射穿过红色发光组件、绿色发光组 件和蓝色发光组件的共用电极传输。
在第一方面的又一个实施例中，第一组件至少是背光、静态图像显示器、无 源矩阵显示器、传感器阵列或光电池的一部分。在另一个实施例中，第一工件还 包括衬底结构。衬底结构接触第二工件，或者覆盖在衬底结构上的层接触第二工 件，其中该层的成分与第一电极基本相同。在又一个实施例中，电子装置还包括第 二导电构件，其中第一导电构件和第二导电构件中的每一个接触第一电极和第一导 体。在再一个实施例中，第一导电构件包括具有至少一个孔的含有金属的材料。
在第二方面中， 一种电子装置可包括含有第一电子组件的第一工件，该 第一电子组件包括第一电极和第一有机活性层;含有用于控制电连接到第一导体的 电子组件的控制电路的第二工件。电子装置还包括将第一电极与第一导体电连接的 第一导电构件，其中第一导电构件允许电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或其 任意组合。
在第二方面的一个实施例中，第一导电构件在第一电极和第一导体之间的中 间附近的点处的宽度比第一导电构件在接近第一电极或第一导体的点处的宽度宽。
在另一个实施例中，第一工件还包括衬底，其中可用于回流导电构件的辐射可 穿过衬底传输。在又一个实施例中，第一导电构件包括含铟的材料。
以上描述了很多方面和实施例，并且它们仅仅是示例性的而不是限制性的。 在阅读本说明书后，本领域的技术人员将意识到在不背离本发明的范围的情况下其 它的方面和实施例是可能的。
从以下的详细描述以及权利要求书中将清楚本发明的其它特征和优点。详细 的描述首先着眼于术语的定义和解释，然后是示例性电路设计、第一工件(有机面 板)制造、第二工件(背板)制造、对准第一工件和第二工件以及回流、电子装置及其 工作、替换实施例、优点以及最后的例子。
1.术语的定义和解释
在着眼于以下描述的各实施例的细节前，定义或解释某些术语。
术语"阵列"、"外围电路"和"远程电路"旨在表示电子装置的不同区域 或组件。例如，阵列可包括有序排列(一般由列和行指定)内的像素、单元或其它结 构。阵列内的像素、单元或其它结构可由位于与阵列相同的衬底中但在阵列自身以 外的外围电路控制。远程电路一般远离外围电路并可将信号发送到阵列或从阵列接 收信号(一般经由外围电路)。远程电路也可执行与阵列无关的功能。远程电路可位 于或不位于具有阵列的衬底上。
术语"附连"及其变体旨在表示在有或没有粘合材料的情况下将两个或更多 个构件、两个或更多结构、或者一个或多个构件和一个或多个结构互相物理连接。
当涉及值时，术语"平均"旨在表示高值和低值之间的中间值。例如，平均 值可以是平均值、几何平均值或中位数。
术语"背光"旨在表示设计成在未图案化的大面积上发射辐射的电子装置的 一部分。在一个实施例中，将背光定向，使得辐射主要指向显示器的一部分，如与 用户相对，其中背光照明由电子装置的用户观看的内容。
术语"蓝色发光组件"旨在表示能够以约400至500nm范围中的波长发射具 有发射最大值的辐射的电子组件。
术语"蓝色发光有机层"旨在表示能够以约400至500nm范围中的波长发射 具有发射最大值的辐射的有机层。
术语"共用电极"旨在表示构造成将载流子输运至多个电子组件或从其输运 载流子的构件、结构或其组合。例如，共用阳极包括用作多个电子组件的阳极的阳
极部分。
关于电子组件、电路或其部分的术语"电连接"或其变体旨在表示两个或多 个电子组件、电路或至少一个电子组件和至少一个电路的任何组合，不具有任何位 于其间的插入电子组件。对该定义而言，寄生电阻、寄生电容或两者不被视为电子 组件。在一个实施例中，当电子组件彼此电短路并处于基本相同的电压时，它们是 电连接的。注意，电连接包括允许光信号传输的一种或多种连接。例如，电子组件 可利用光纤线电连接在一起以允许光学信号在这种电子组件之间传输。
术语"控制电路"旨在表示控制用于不超过一个像素的信号的像素或子像素 阵列内的电路。在一个实施例中，每一个像素具有一个控制电路，而在另一个实施 例中，每一个子像素具有一个控制电路。
术语"电耦合"或其任何变体旨在表示两个或更多个电子组件、电路、系统 或(l)至少一个电子组件、(2)至少一个电路或(3)至少一个系统的任意组合以信号(例 如，电流、电压或光信号)可从一个传输到另一个的方式的电连接、链接或关联。
"电耦合"的非限制的例子可包括电子组件、电路或具有电连接于其间的开关(例 如，晶体管)的电子组件或电路之间的直接电连接。
术语"定向辐射源"旨在表示能够生成可指向特定点、面或区域的辐射的设 备。定向辐射源可包括激光器。
术语"直接接合"或其任何变体旨在表示两个或多个构件、两个或多个结构 或者一个或多个构件和一个或多个结构的附连，其中在没有粘合材料的情况下仍保 持这种附连。例如，仅通过粘合材料(例如，环氧树脂)附连到导体的导电构件不是 直接接合到该导体，因为如果去除粘合材料则不能附连该导电构件。导体之间的焊 料连接可通过直接接合来形成。
术语"电极"旨在表示构造成在电子组件内传输载流子的构件、结构或其组 合。例如，电极可以是阳极、阴极、电容器电极、栅电极等。电极可包括晶体管、 电容器、电阻器、电感器、二极管、电子组件、电源或其任何组合的一部分。
术语"电子组件"旨在表示执行电或电辐射(例如，电光)功能的电路的最低级 单元。电子组件可包括晶体管、二极管、电阻器、电容器、电感器、半导体激光器、 光开关等。电子组件不包括寄生电阻(例如，引线的电阻)或寄生电容(例如，电连接 到不同电子组件的两个导体之间的电容性耦合，其中导体之间的电容器是不想要的 或是附带的)。
术语"电子装置"旨在表示电路、电子组件或其组合的集合，当它们被正确
电连接并被提供适当的电位时可共同执行一种功能。电子装置可包括系统或作为其 一部分。电子装置的例子包括显示器、传感器阵列、计算系统、航空电子系统、汽 车、蜂窝电话或其它消费或工业电子产品或其任意组合。
术语"封装层"旨在表示用于帮助阻止电子装置的外部环境显著扩散或另外 迁移到由该层保护的电子装置内的一个或多个电子组件的层。
当涉及金属合金的成分时，术语"共晶"旨在表示这种成分具有比金属合金 内的每一种金属的熔点低的熔点。在一个实施例中， 一种金属合金可具有可以是或 不是对于该金属合金内的各金属组合可实现的最低可能的熔化温度的成分。
术语"制造"旨在表示形成电子装置的过程，在成功时可获得功能电子装置。
术语"绿色发光组件"旨在表示能够以约500至600nm范围中的波长发射具 有发射最大值的辐射的电子组件。
术语"绿色发光有机层"旨在表示能够以约500至600nm范围中的波长发射 具有发射最大值的辐射的有机层。
术语"有机活性层"旨在表示一种或多种有机层，其中有机层中的至少一层 本身或在与不同的材料接触时能够形成整流结。
术语"有机层"旨在表示一层或多层，其中这些层中的至少一层包括含有碳 和诸如氢、氧、氮、氟等至少一种其它元素的材料。
术语"主表面"旨在表示随后形成电子组件的衬底的表面。
术语"辐射发射组件"旨在表示当被正确偏压时以目标波长或波长谱发射辐 射的电子组件。辐射可在可见光谱内或在可见光谱外(UV或IR)。发光二极管是辐 射发射组件的一个示例。
术语"辐射响应组件"旨在表示当被正确偏压时可响应于目标波长或波长谱 的辐射的电子组件。辐射可在可见光谱内或在可见光谱外(UV或IR)。 IR传感器和 光电池是辐射感应组件的例子。
术语"整流结"旨在表示半导体层内的结或由半导体层和不同材料之间的界 面形成的结，其中一种类型的电荷载流子沿一个方向比沿相反方向更容易流过该 结。pn结是可用作二极管的整流结的一个例子。
术语"红色发光组件"旨在表示能够以约600至700nm范围中的波长发射具 有发射最大值的辐射的电子组件。
术语"红色发光有机层"旨在表示能够以约600至700nm的范围中的波长发 射具有发射最大值的辐射的有机层。
术语"回流"及其变体旨在表示将能量施加到层、构件、结构或其组合，并 足以导致这些层、构件、结构或其组合的形状显著改变。在一个实施例中，回流可 包括在导电构件内熔化材料。在另一个实施例中，回流可包括达到或超过流动温度
(例如，对于Si02为960°C)。
术语"修复"及其变体旨在表示修理电子装置的至少一部分，而不(l)拆卸电 子装置和(2)再制造电子装置、再组装电子装置或再制造和再组装电子装置的组合。 在一个实施例中，可在进行测试以确定电子装置的哪个或哪些部分是无功能的(例 如，电短路、电开路等)或在规定限度外(例如，发射强度过低)工作后进行修复。
关于电子装置的术语"可逆拆卸"旨在表示这种电子装置或其部分可在不显 著不利地影响电子装置中的电子组件或其部分的情况下拆卸。
关于电子装置的术语"可逆再组装"旨在表示这种电子装置或其部分可在不 显著不利地影响电子装置内的电子组件或其部分的情况下再组装。
术语"密封材料"旨在表示电子装置内使用的材料，以帮助防止电子装置内 的环境与电子装置外的环境任何显著程度的混合。
术语"静态图像显示器"旨在表示具有不显著改变的图像的显示器。即使由 于显示器内的电子组件(例如，辐射发射组件、晶体管等)的劣化、老化或劣化和老 化，显示器经历在亮度、色调或亮度和色调上的变化，仍认为显示器是静态图像显不器。
术语"基本类似"旨在表示在两个或多个构件、两个或多个结构或者一个 或多个构件和一个或多个结构由相关领域的普通技术人员进行相互比较时，这样的 两个或多个构件、两个或多个结构或者一个或多个构件和一个或多个结构没有显著 的不同。
术语"衬底"旨在表示坚硬或柔软的基底材料并可包括一种或多种材料的一 层或多层，这些材料可包括但不限于玻璃、聚合物、金属或陶瓷材料或其组合。衬 底的基准点是工艺顺序的开始点。衬底可包括或不包括电子组件、电路或导电构件。
术语"用户表面"旨在表示主要在电子装置正常工作期间使用的电子装置的 表面。在显示器的情况下，用户看见的电子装置的表面可以是用户表面。在传感器 或光电池的情况下，用户表面是主要传输被感测或被转换成电能的辐射的表面。注 意，电子装置可具有一个以上的用户表面。
当涉及构件、结构或其任何组合时，术语"空洞"旨在表示该构件、结构或 其任何组合内没有固体材料的区域。
术语"工件"旨在表示在工艺顺序的任何特定点处的衬底和覆盖在衬底上的 一层或多层(如果存在的话)。注意，在工艺顺序期间衬底可以不显著改变，然而在 工艺顺序期间工件会显著改变。例如，在工艺顺序的开始，衬底和工件相同。在衬 底上形成一层后，衬底不改变，但工件包括衬底和该层。
如本文中所使用的，术语"包括"、"包含"、"含有"、"具有"或其任 意其它变体旨在覆盖非排他性的包括。例如，包括一系列特征的工艺、方法、制品 或设备未必仅限于这些特征，而是可包括这些工艺、方法、制品或设备未明确列出 或固有的其它特征。另外，除非有相反的明确说明，否则"或者"指的是包括性的 或而非排他性的或。例如，以下的任意一项均可满足条件A或B: A为真(或存在)
而B为假(或不存在)，A为假(或不存在)而B为真(或存在)，以及A、B均为真(或 存在)。
同样，使用"一个"来描述本发明的元件或组件。这仅仅是为了方便起见并 给出本发明的一般意义。该描述应被理解为包括一个或至少一个，且除非明显相反 有另外的含义，否则单数形式也包括复数含义。
对应于元素周期表内的列的族编号采用"新标记"约定，见第81版的CRC Handbook ofChemistry and Physics (《CRC化学和物理手册》)(2000-2001)。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有技术和科学术语与本发明所属领域 的普通技术人员之一通常理解的意思相同。尽管与本文描述的方法和材料类似或等 价的方法和材料可在实际中使用或用于测试本发明，但以下描述了适当的方法和材 料。本文所提及的所有的出版物、专利申请、专利和其它参考文献通过引用整体结 合于此。在产生矛盾的情况下，以本说明书一包括定义一为准。另外，这些材料、 方法和实例仅是为了说明，而非用于限制。
就本文未描述的内容而言，关于具体材料、处理动作和电路的很多细节是常 规的，并且可以在有机发光二极管显示器、光检测器、光电学和半导体构件领域内 的教科书或其它来源中找到。
2.示例性电路设计
图1是用于电子装置的很多可能的电路设计中的一种的图示。图1包括电子 装置100的一部分的电路图。电子装置100包括第一像素120、第二像素140以及 第三像素160。像素120、 140和160中的每一个包括如图1所示的像素电路。每 一个像素电路包括控制电路和电子组件128、 148或168。
第一像素120包括选择晶体管122、电容式电子组件124、驱动晶体管126以 及电子组件128。电子组件128几乎可以是任何由电流驱动的电子组件。在一个装 置中，电子组件128是诸如OLED之类的辐射发射组件。在像素120内，控制电 路包括选择晶体管122、电容式电子组件124和驱动晶体管126。
选择晶体管122包括电连接到选择线("SL" )134的栅电极、电连接到数据线 ("DL" )132的第一源/漏区("S/D")以及电连接到电容式电子组件124的第一电 极和功率晶体管126的栅电极的第二 S/D区。SL 134提供用于选择晶体管122的 控制信号，而DL 132提供在选择晶体管122被激活时被传送到电容式电子组件124 和功率晶体管126的栅电极的数据信号。
电容式电子组件124包括第一电极和第二电极。电容式电子组件124的第一 电极电连接到选择晶体管122的第二 S/D区和功率晶体管126的栅电极。电容式 电子组件124的第二电极电连接到电源线，在一种电路设计中该电源线是V^线 138。在替换电路设计中(未示出)，可选的抗劣化单元可电连接到电容式电子组件 124以及电连接到像素120的电源线(例如，V^线138、 Vdd浅136或两者)中的至 少一个。
功率晶体管126包括栅电极、第一 S/D区和第二 S/D 区。功率晶体管126 的第一 S/D区电连接到电子组件128的电极，而功率晶体管126的第二 S/D区电 耦合到Vw线138。在一种电路设计中，功率晶体管126的第二 S/D区电连接到 V^线138。在另一种电路设计中，可选的抗劣化单元可电连接到功率晶体管126 的第二S/D区和Vs^线138。
电子组件128包括在一种构造中作为阳极的电极和在同一构造中作为阴极的 另一个电极。作为阳极的电极电连接到共用的VDD线136。在另一种构造中，电子 组件128是诸如OLED之类有机、辐射发射电子组件。在一种构造中作为控制电 路的余下的像素电路适用于提供可变的电流源以驱动电子组件128。因此，可代替 电子组件128或与电子组件128结合使用电流驱动的一个或多个电子组件。注意， 一个或多个电子组件可包括或不包括二极管。
在其它的电子装置中，电子组件128和功率晶体管126可以是颠倒的。更具 体地，(l)作为电子组件128的阳极的电极电连接到功率晶体管126的S/D区中的 一个，(2)作为电子组件128的阴极的电极电连接到V則线138，以及(3)功率晶体 管126的另一个S/D区电连接到VoD线136。
除在第二像素140内，数据线152电连接到选择晶体管122的第一 S/D区、Vss2线158电连接到功率晶体管126的第二 S/D区以及电子组件148电连接在功率 晶体管126的第一 S/D区和Vdd浅136之间外，第二像素140类似于第一像素120。 除在第三像素160内，数据线172电连接到选择晶体管122的第一 S/D区、VSS3 线178电连接到功率晶体管126的第二 S/D区以及电子组件168电连接在功率晶 体管126的第一 S/D区和Vdd浅136之间外，第三像素160类似于第一像素120 和第二像素140。
在某些电路设计中，电子组件128、 148和168可彼此基本相同。在其它的电 路设计中，电子组件128、 148和168互不相同。例如，电子组件128是红色发光 组件，电子组件148是绿色发光组件，而电子组件168是蓝色发光组件。V^线 138、 Vw线158和Vw线178可互相比较处于相同或不同的电压。在另一种电路 设计中(未示出)，作为电子组件128、 148和168中的一个电子装置中的阴极的电 极可电连接到在基本相同或显著不同的电压下工作的不同的电源线(而不是全部都 电连接到共用的Vdd浅136)。在阅读本说明书后，本领域的技术人员将能够设计 满足特定应用的需要或期望的电子装置100。
选择晶体管122、功率晶体管126或其任意组合可包括场效应晶体管，并且在 特定的电路设计中可以是薄膜晶体管("TFT")。在用于如图1所示的像素的电路 中，所有的晶体管都是n沟道晶体管。任何一个或多个n沟道晶体管可由任何一个 或多个p沟道晶体管来替换。在其它的电路设计中，其它的晶体管(包括一个或多 个结场效应晶体管("JFET")、 一个或多个双极晶体管或其任意组合)可在选择晶 体管122中使用。 3.第一工件制造
图2至6包括在如图1所示的电子组件128、 148和168的形成期间电子装置 的部分的横截面图的图示。这些附图(图2至6)仅仅示出了电子组件128、 148和 168的一种布图的一个例子以及形成电子组件128、 148和168及其在电路内的互 连的制造步骤。在该说明中，电子组件128、 148和168包括一种有机电子装置的 有机层。在阅读本说明书后，技术人员将意识到可不同地安排电子组件并经由替换 顺序来制造以实现如图1所示的电路。
图2包括在形成共用电极22后衬底20的一部分的横截面图，在一个实施例 中共用电极22是用于AMOLED显示器的像素阵列的共用电极。在具体的实施例 中，共用电极是共用阳极。衬底20可以是有机电子装置领域中使用的常规的衬底。 衬底20可以是柔软的或坚硬的、有机或无机的。 一般而言，玻璃或柔性有机膜用
作支承。衬底20可包括陶瓷、玻璃、金属或有机材料或其组合并可具有约12至
2500微米范围内的厚度。
在一个实施例中，共用电极22是透明的并允许至少70%的辐射到达共用电极 22以穿过共用电极22发射。共用电极22可基本覆盖所有的阵列，并且几乎不或 不覆盖阵列外的衬底20的区域。示例性材料包括氧化铟锡("ITO")、氧化锌锡 ("ZTO")、元素金属、金属合金或其任意组合。ITO和ZTO在用作共用电极22 时可较厚并仍允许辐射的充分传输。例如，当ITO和ZTO用作共用电极22时， 共用电极22可具有约20至200nm范围的厚度。在具体的实施例中，当ITO用于 共用电极22时，ITO层的厚度可以在约50至150nm的范围中。共用电极22利用
常规的技术来形成，诸如利用模板掩模的选择沉积或均厚沉积和常规的光刻技术来 去除位于阵列外的共用电极层的部分。
如图3所示，在衬底20和共用电极22上形成一个或多个导电构件32。导电 构件32可用作功率传输线并在阵列上至少部分地延伸，在一个实施例中，基本在 阵列的所有维度(行或列)上延伸。参考图3，导电构件32可在阵列的基本所有的列 上延伸。在一个具体的实施例中，导电构件32是无机、含金属的功率传输线。在 一个实施例中，导电构件32可以是列(如图3所示)或行的形式。在另一个实施例 中，单个导电构件32可以是网格形式，并在形成辐射发射或辐射响应组件的位置 处具有开口。
因为导电构件32不需要发射辐射，它们可比共用电极22厚很多并且导电性 更好。导电构件32可具有约500nm至500微米范围内的厚度。在一个实施例中， 导电构件32可比2000nm厚，且其厚度可由与辐射无关的其它问题限制(例如，膜 应力、导电构件32上的随后的层的阶梯覆盖等)。
导电构件32可包括一种或多种高导电率材料，包括金属、混合金属、合金、 金属氧化物、金属氮化物、混合金属氧化物、混合金属氮化物或其组合。在导电构 件32中使用的示例性金属元素可包括Ni、 Cu、 Al、 Au、 Ag、 W、 Ta、这些金属 的任意合金或其任意组合。在替换实施例中，除高导电率材料外或代替该材料，可 使用诸如导电聚合物之类的另一种导电材料。导电构件32的长度和宽度可由电子 装置的布局来确定。可在不显著影响布局的情况下改变电阻率(即，材料的选择)和 厚度。如果采用具有较高电阻率的材料，则导电构件32可较厚以将线路电阻保持 在可接受的极限内。导电构件32利用常规的技术来形成，诸如利用模板掩模的选 择沉积或均厚沉积和常规的光刻技术来去除部分导电层以形成导电构件32。
尽管在图3中未示出，可选的黑色层可位于导电构件32或共用电极22之下
以提高对比度，尤其用于减小本底发光。几乎无限数量的材料可用于黑色层。如果
可选的黑色层位于导电构件32和共用电极22之间，则可选的黑色层可具有从导电 改变至有电阻至绝缘的电特性。如果可选的黑色层位于导电构件32和共用电极22 之间，则如果穿过可选的黑色层的至少某些开口允许导电构件32和共用电极22 互相接触或者如果在导电构件32和共用电极22之间形成另一个电连接(例如，与 导电构件32的侧面相邻形成并接触导电构件32和共用电极22的导电侧壁隔片) 则可选的黑色层可以是绝缘的。可选择的黑色层可利用常规的技术来形成，诸如利 用模板掩模的选择沉积或均厚沉积和常规的光刻技术来去除不由导电构件32覆盖 的部分。
如图4所示，可形成一个或多个衬底结构42。衬底结构42的例子可包括阱结 构、阴极隔板等。衬底结构42可以行或列定向或从俯视图呈现为网格。衬底结构 42限定辐射发射组件将在何处形成。在一个实施例中，衬底结构42限定将形成有 机层部分的区域。衬底结构42内的每一个开口可对应于辐射发射组件。衬底结构 42可有助于保持不同材料的有机层彼此远离。在另一个实施例中，阱结构可有助 于防止红色和绿色发光材料进入用于蓝色发光组件的区域。阱结构还可有助于电绝 缘随后形成的电极以免互相电连接。
衬底结构42包括对于后续处理相对惰性、对辐射非不透明并电绝缘的一层或 多层材料。某些非限制性示例性材料包括可辐射成像的材料(例如，抗蚀剂，包括 正作用(酚醛清漆)的和负作用的聚酰亚胺等)、氮化硅、氧化硅(包括二氧化硅、硅 氧烷、旋涂玻璃等)、未掺杂或轻掺杂的硅、金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮 化物及其组合。
衬底结构42可通过沉积材料层然后将这些层图案化或者通过在用于衬底结构 42的层沉积时形成图案来形成。为了说明的目的，将沉积广义地解释为包括在微 电子技术(例如，OLED、平板、半导体和其它类似的技术)中使用的液相或气相沉 积技术。在形成衬底结构42后，如图4所示，衬底结构42的侧面可具有负的斜坡 (由衬底结构42的侧面和衬底20的主表面限定的角度)、正斜坡或形成基本垂直的 壁。
衬底结构42的高度可在1至10微米的范围内。在其它实施例中可采用较短 或较高的高度。在一个实施例中，衬底结构42可用作"支柱(stand-off)"的至少一 部分，以降低随后形成的电极和本说明书中稍后描述的附连到第二工件的导电构件 之间的接触的可能性。在替换实施例部分中描述的另一个实施例中，衬底结构42
可降低随后形成的附连到第一工件的导电构件和在衬底20上最初形成导电构件时
第二工件上的导体之间的接触的可能性。
可进行衬底结构42的可选处理以改变衬底结构42的表面能。在一个具体的 实施例中，衬底结构42可受到氟处理(例如，暴露于氟等离子体)以使衬底结构42 的暴露表面憎水。本领域的技术人员意识到可代替氟处理或与氟处理结合进行一种 或多种其它可选处理。
如图5所示，在共用电极22上形成有机层50。有机层50可包括一层或多层。 有机层50包括一层或多层有机活性层54、 56和58，并且可选择地包含一层或多 层缓冲层、电荷注入层、电荷输运层、电荷阻断层或其任意结合。可选的缓冲层、 电荷注入层、电荷输运层、电荷阻断层或其组合可位于有机活性层54、 56和58 与共用电极22之间、有机活性层54、 56和58与随后形成的电极层之间或其组合。 在一个实施例中，空穴输运层52位于共用电极22和有机活性层54、56和58之间。
利用在形成OLED中的有机层中使用的任何一种或多种常规的沉积技术来迸 行有机层50的形成。在一个实施例中，空穴输运层52可包括诸如聚苯胺("PANI")、 聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)("PEDOT")之类的有机聚合物或诸如四硫富瓦烯四氰基喹 啉并二甲烷(tetrathiafulvalene tetracyanoquinodimethane)(TTF-TCQN)等有机电荷转 移化合物。空穴输运层一般具有约50至250nm范围内的厚度。
有机活性层54、 56和58中的每一层可包括一种或多种小分子材料、 一种或 多种聚合物材料或其组合。小分子材料可包括例如在美国专利第4,356,429号和美 国专利第4,539,507号中描述的材料。或者聚合物材料可包括在美国专利第 5,247,190号、美国专利第5,408,109号和美国专利第5,317,169号中描述的材料。 示例性材料是半导体特性的共轭聚合物。这一聚合物的例子是称为PPV的聚(对亚 苯基亚乙烯基)。发光材料可分散在另一材料的基质中，具有或不具有添加剂，但 一般单独形成一层。在一个实施例中，有机活性层54、 56和58中的每一层的厚度 一般在约40至100nm范围内。
当有机活性层54、 56和58结合到辐射接收电子装置中时，有机活性层54、 56和58的材料可包括一种或多种共轭聚合物、一种或多种电致发光材料或其组合。 这些材料包括例如，许多共轭聚合物和电致与光致发光材料。具体例子包括聚(2-甲氧基，5-(2-乙基-己氧基)-l，4-亚苯基亚乙烯基)("MEH-PPV")或MEH-PPV与CN-PPV的复合物。有机活性层54、 56和58的厚度一般在约50至500nm范围内。
在一个实施例中，有机活性层54、 56和58对应于阵列中使用的不同的颜色。 例如，对于全色显示器，可将不同的材料用于有机活性层54、 56和58以获得红色、 绿色和蓝色发光组件。在具体的实施例中，有机活性层54在红色发光组件中使用， 有机活性层56在绿色发光组件中使用，而有机活性层58在蓝色发光组件中使用。 在另一个实施例中，除对应的有机活性层外，或代替有机活性层，辐射可从电荷阻 断层、电荷注入层、电荷输运层或其组合发射。因此，对于红色发光有机层，红光 可从有机活性层54、与有机活性层54相邻的对应的一层或多层或其组合发射。对 于绿色发光有机层，绿光可从有机活性层56、与有机活性层56相邻的对应的一层 或多层或其组合发射。对于蓝色发光有机层，蓝光可从有机活性层58、与有机活 性层58相邻的对应的一层或多层或其组合发射。
如图6所示，可形成电极62和导电构件64。电极62可在衬底结构42的开口 内和共用电极22和有机层50上形成。电极62用作电子装置的阴极。导电构件64 形成于衬底结构42的部分上，并且在一个实施例中，由于衬底结构42的负斜坡而 不与其直接邻接的电极62电连接。在一个实施例中，电极62和导电构件64可包 括具有低逸出功的含金属的层，该逸出功低于具有高逸出功的电极22。用于电极 62和导电构件64的材料可包括一种或多种第1族金属(例如，Li、 Cs)、 一种或多 种第2族(碱土)金属、包括镧系元素和锕系元素的一种或多种稀土金属、金属氟化 物(例如，LiF、 CaF等)或其组合。电极62和导电构件64可包括与电极62和导电 构件64内更接近有机层50的其它层相比与水和湿气反应较小的导电覆盖层。这种 覆盖层可包括诸如A1、 Cu、 Ag、 Au、 Pt、 Pd、其它适当的金属、这些金属的任意 合金或其组合等金属或金属合金。电极62和导电构件64的厚度在约300至600nm 的范围内。在一个特定非限制性实施例中，可沉积由约100nm的ITO层覆盖的约 500nm的Al层覆盖的小于约10nm的Ba层。可与诸如蒸镀、溅射等常规的沉积工 艺一起使用对应于电极62的图案的模板掩模。
在过程的这一点处，形成了电子组件128、 148和168。在一个实施例中，电 子组件128是红色发光组件，电子组件148是绿色发光组件，而电子组件168是蓝 色发光组件。为了简化起见，将衬底20及其电子组件称为第一工件，在一个实施 例中第一工件是有机面板。
4.第二工件制造
可在第一工件之前或之后制造用于电子装置的第二工件。图7示出包括用于
电子装置的一个或多个控制电路的作为背板的第二工件。参考图7，衬底700包括
如前面参考第一工件的衬底20所描述的一种或多种材料。在一个实施例中，衬底 20和700包括诸如玻璃之类的相同的材料。在另一个实施例中，可将不同的材料 用于衬底20和700。可利用常规的技术在衬底700内或其上形成控制电路722和 其它电路(未示出)。阵列外的其它电路(未示出)可包括用于控制阵列内的像素的外 围或远程电路。制造的焦点在于阵列而不是外围或远程电路。在一个具体的实施例 中，控制电路722的位置可以是在稍后接合第一工件和第二工件时，控制电路 722的至少一部分位于第一工件的衬底结构42之下或之上。如此，不减小孔径比。
然后利用任意数量的常规技术中的一种或多种来形成包含导电塞744的绝缘 层742，使得每一个导电塞744电连接到控制电路722。在一个实施例中，利用模 板掩模将绝缘层742沉积为图案化的一层或多层。在另一个实施例中，绝缘层742 是均厚沉积的，并利用常规的光刻技术图案化以对控制电路722形成开口。在一个 实施例中，导电塞744利用选择沉积或均厚沉积一层或多层并抛光、蚀刻或另外去 除位于绝缘层742内的开口外的层部分来形成。
然后利用任意数量的常规技术中的一种或多种来形成导体762和导电构件 764。在某些实施例中，导电构件764的密度至少是每平方厘米15.5个导电构件(每 平方英寸100个导电构件)，而在其它的实施例中，导电构件的密度至少是每平方 厘米31.0个导电构件(每平方英寸200个导电构件)，而在其它的实施例中，导电构 件的密度至少是每平方厘米46.5个导电构件(每平方英寸300个导电构件)。
每一个导体762接触导电塞744中的一个，而导电构件764位于其对应的导 体762上。在一个实施例中，利用模板掩模将导体762和导电构件764中的每一个 沉积为图案化的一层或多层。在另一个实施例中，导体762和导电构件764通过均 厚沉积一层或多层并利用常规的光刻技术图案化这些层来形成。
在随后将衬底700接合到不同的衬底时，将导体762暴露于处理条件。在一 个实施例中，正如本说明书中稍后详细描述的，导体762与导电材料、可选的粘合 剂、衬底结构以及另一个衬底暴露的导体相容(即，没有不利的相互作用)。导体762 可包括选自元素周期表的族4至6、8及10至14中的至少一种元素或其任意组合。 在一个实施例中，导体762可包括Cu、 Al、 Ag、 Au、 Mo、这些金属的任意合金 或其任意组合。在另一个实施例中，其中导体762包括一层，这些层中的一层可包 括Cu、 Al、 Ag、 Au、 Mo、这些金属的任意合金或其任意组合，而另一层可包括 Mo、 Cr、 Ti、 Ru、 Ta、 W、 Si、这些金属的任意合金或其任意组合。注意可使用
导电金属氧化物、导电金属氮化物或其组合来代替其任一元素金属或合金或与之结
合。在一个实施例中，导体762的厚度在约0.1至5微米的范围内。在一个具体的 实施例中，导体762可在接触导电构件764的表面处包括ITO。
导电构件764包括熔点不高于24(TC的材料。在一个实施例中，导电构件764 可包括低熔点金属或合金。在一个实施例中，金属或金属合金可包括In、 Sn、 Bi、 Pb、 Hg、 Ga、 Cd、这些金属的任意合金或其任意组合。在一个具体的实施例中， 可使用铟锡合金，它可包括或不包括Pb、 Hg、 Ga、 Cd或其任意组合。在一个更 具体的实施例中，金属合金可包括约40%重量的In、 40%重量的Sn以及20%重量 的Pb。在一个实施例中，金属或金属合金的熔点可高于85"C。在另一个实施例中， 金属或金属合金的熔点低于24(TC。在又一个实施例中，材料具有选择的熔点以便 降低对电子装置内的有机层损坏的可能性。在一个实施例中，可采用在13(TC至200 'C范围内的熔点。例如，铟的熔点是约156°C。在另一个实施例中，包括In、 Sn 或Pb的一种或多种组合的合金可形成熔点在130至20(TC范围内的共晶成分。在 一个实施例中，导体762的厚度在约O. 1至5微米的范围内。
在一个具体的实施例中，导体762接触导电构件764的部分是ITO，而导电 构件764是铟。对于该实施例，导体762和导电构件764的厚度在约1至2微米的 范围内。在一个更具体的实施例中，正如从俯视图看到的，导体762中的每一个都 具有约200微米x50微米的面积。当导电构件764厚度约是1微米时，在回流期间， 导电构件764能够形成厚度约是8微米的焊球。对于衬底结构42形成支柱的至少 一部分的实施例，该高度的重要性将变得更加明显。
在一个实例中，导体762和导电构件764可在如U.S. 6,174,425所述的物理 气相沉积工具(例如，蒸镀器、溅射室等)或电镀工具内在相同的抽空周期期间形成。 在另一个实施例中，与用于导体762的相比，导电构件764可在不同的抽空周期期 间利用不同的工具或利用不同的图案化顺序来形成。在一个实施例中，导体762 和导电构件764的侧面是相连的，而在另一个实施例中，从俯视图看，导体762 与其对应的导电构件764相比可具有不同的形状。例如，导电构件764与其对应的 导体762相比可较窄、较短或既窄又短。
在又一个实施例中，导体762和导电构件764可在不同的时间形成。例如， 可形成导体762，并可形成对导体762开口的图案化绝缘层。当形成导电构件764 时，可形成在回流操作期间不熔化的一层或多层金属或金属合金层并将其用作阻挡 层或粘附层。可将这样的一层或多层称为凸起下的金属("UBM")， UBM在无机
半导体导电凸起技术中是常规的。可在一层或多层金属或金属合金层上形成具有如
上所述熔点的另外的一层或多层。因此，导电构件764可包括用于UBM的一层或 多层以及包括在一个实施例中熔点不高于240°C、在另一个实施例中熔点不高于 20(TC或在特定的实施例中熔点不高于160。C的材料或材料的组合的一层或多层。
在又一个实施例中，导体762、导电构件764或其任意组合可利用常规的抗蚀 剂剥离工艺来形成。在该具体的实施例中，可形成抗蚀剂层(未示出)并且仅在保留 导体762、导电构件764或其任意组合的部分具有开口。用于导体762、导电构件 764或其任意组合的一层或多层在抗蚀剂层上和抗蚀剂层中的开口内形成。然后去 除抗蚀剂层，这也去除了覆盖在抗蚀剂层上的导体762、导电构件764或其任意组 合的层，因此留下了位于抗蚀剂层开口内的导体762、导电构件764或其任意组合 的部分。
在阅读本说明书后，技术人员将意识到相对于电子装置、导电构件764的其 它部分，存在关于成分、形状(包括厚度)以及构造很多选择。技术人员可使导电构 件764的成分、形状和构造适合其具体的需要或期望。
5.对准第一工件和第二工件以及回流
如图8中的俯视图所示，将密封材料822涂到第一工件、第二工件或两者上。 密封材料822位于第一工件、第二工件或两者的阵列824和边缘826之间。密封材 料822可包括电子工业中几乎任何粘合剂或用于接合衬底的其它材料。密封材料的 一个例子包括环氧树脂、玻璃料等。在一个实施例中，衬底20和700以及密封材 料822具有相对接近的热膨胀系数。例如，三者最低的热膨胀系数至少是三者最高
的热膨胀系数的90%。在一个特定的实施例中，衬底20和700以及密封材料822 包括玻璃。
第一工件和第二工件可包括互补的对准标记842。例如，第一工件可包括实心 的十字，而第二工件可包括大的空心十字，其中在第一工件和第二工件正确对准时， 实心十字位于空心十字中。可与对准标记842结合或代替对准标记842使用很多其 它类型的对准标记。对准过程是常规的。
在对准后，可将第一工件和第二工件压在一起并由密封材料822密封。密封 可在真空、大气压或高压下利用相对的惰性气体(一种或多种稀有气体、N2或其任 意组合)或压力和气体的任意组合条件下进行。图9包括其中衬底结构42是部分支 柱的实施例的图示。第一工件的导电构件32、阱结构42和导电构件64的组合用
作支柱并可有助于维持电极62和导体762之间更一致的间隔。在如图9所示的实 施例中，第一工件的导电构件64接触第二工件。在另一个实施例中，其中不存在 导电构件64(即，在不形成导电构件64的情况下形成电极62)，衬底结构42可接 触第二工件。在又一个实施例中，导电构件64、衬底结构42或其任意组合不必接 触第二工件。正如本说明书中稍后描述的，不需要导电构件64、衬底结构42或其 任意组合并可在衬底20上不存在。
可利用常规的技术将密封材料S22(在图8中，但在图9中未示出)固化、加热 或另外暴露于化学试剂、辐射或经化学试剂、辐射处理或其任意组合。在一个实施 例中，密封材料可包括暴露于紫外("UV")辐射固化的环氧树脂。在另一个实施 例中，密封材料822可包括可被局部加热以形成玻璃烧结密封的玻璃。在阅读本说 明书后，技术人员将意识到可采用其它的密封材料和密封技术。密封材料822降低 了电子装置内的环境和电子装置外的环境以任何显著的程度混合的可能性。如果采 用密封材料822，则不需要分离的封装层。
在过程的该点上，附连到衬底700的导电构件764与其最接近的电极62彼此 间隔开一定的间隙。间隙的大小可基于多种因素而改变，这些因素包括导电构件 764内的材料(例如，形态结构)、导电构件764和它现在接触或将接触的表面(导体 762的表面和电极62的表面)之间相对的表面张力差、回流条件、回流期间衬底的 方向(第二工件在底部、第一工件在底部)、其它潜在的条件或其任意组合。在一个 实施例中，间隙可达到8微米。在一个更具体的实施例中，间隙可达到l微米。在 另一个实施例中，导电构件764中的一个或多个可接触电极62中的一个或多个。 应小心以将对第一工件的电子组件的损坏保持得合理地低。
如图9所示，进行回流操作以回流导电构件764。在回流期间，导电构件764 向第一工件的电极62流动。如果导电构件764附连到第一工件，则在回流期间导 电构件764向第二工件的导体762流动。成功的回流操作导致导电构件764将其对 应的导体762与电极62相互电连接。正如在本说明书中稍后描述的，回流操作可 能不完全成功，但可对无功能的组件进行修复操作以完成电连接。
回流至少在导电构件764开始改变形状的温度下进行。在一个实施例中，回 流至少在熔点的温度下进行。在达到近似期望的温度后，可相对迅速地发生回流， 例如，小于1分钟。在另一个实施例中，如果需要或期望的话，回流可进行较长的 时间。只要电子装置或其任意组件的功能和寿命不受到显著不利的影响，回流可在 几乎任何温度或温度与时间的组合下进行。例如，如果第一工件的有机层50暴露
于过高的温度或过高的温度和时间的组合，则有机层50可劣化、遭受降低的寿命、 分解或另外的反应或其任意组合。
可利用一种或多种不同的加热或辐射源来进行回流。例如，可通过将第一和 第二工件放置在热板上或炉内进行回流。在另一个实施例中，可采用诸如激光器之 类的定向辐射源。
在一个具体的实施例中，可将热板设置成比导电构件764内的材料的熔点或 共晶点高的温度，诸如在采用铟导电构件时为16(TC。可将第二工件和第一工件放 置在热板上。在一个更具体的实施例中，第二工件可位于加热元件上或热板的加热 表面上。在第二工件达到髙于约156'C的温度后，导电构件764内的铟可熔化并使 导电构件764回流。回流可占用少于1分钟的时间，而在一个更具体的实施例中， 可在约5至20秒中进行。在一个实施例中，利用热板可比利用炉好，因为在炉内 第一工件可被暴露于与第二工件相同的热，而利用热板，第一工件，尤其是第一工 件的有机层可比第二工件凉。因此，在回流期间，热板可允许阵列内有机层的平均 温度低于阵列内导电构件764的平均温度。然而，热板和炉可具有相对高的生产率， 因为所有的导电构件764可在同一个加热周期内回流。
在另一个具体的实施例中，可采用诸如脉冲激光器之类的定向辐射源。脉冲 激光器可用于提供将导电构件764的回流所需的足够的能量，同时潜在的更少地加 热第一工件。在一个实施例中，脉冲激光器可对准导体762、导电构件764或两者 并使用基本由导体762、导电构件764或两者吸收的辐射。如果辐射由导体762吸 收，则对应的导电构件764可由热传导加热。无论由辐射加热还是由热传导加热， 在导电构件764达到高于约156'C的温度后，导电构件764内的铟可熔化并使导电 构件764回流。回流可占用少于1分钟的时间，而在一个更具体的实施例中，可在 约5至20秒中进行。实际时间取决于辐射量、辐射源是否是脉冲的，而如果是脉 冲的，还取决于脉冲频率(脉冲高通和断的长度)。在对阵列的回流操作期间，脉冲 激光器可使阵列内有机层的平均温度比进行回流位置的周围温度增加不高于约10 'C。在一个更具体的实施例中，在阵列的回流操作期间，阵列内有机层的平均温度 增加不超过10°C。
在过程的该点处，导电构件764基本上直接接合到导体762和电极62。直接 接合可使导电构件764电连接导体762和电极62。在一个实施例中，粒子、很薄 的膜(例如，来自与一个或多个人接触的油)或其它污染物可位于导电构件764之一 的一部分和导体762之一和电极62之一中的任一个或两者之间。在具体的实施例
中，基本上直接接合可提供除密封材料822外或代替密封材料822的机械接合。
可采用其它能量源和技术。在阅读本说明书后，技术人员能选择满足其需要 或要求的能量源和技术。
第二工件和第一工件的方向可颠倒。在本实施例中，第二工件可位于第一工 件之上。在具体的实施例中，导体762相对于导电构件764具有与不润湿的表面相 对的润湿表面。重力可辅助回流导电构件764。
图10包括在回流导电构件764之后图9中电子装置一部分的横截面图的图示。 在一个特定的实施例中，导体762和电极62的表面包括ITO，而导电构件764是 铟。在回流期间，导电构件764开始"形成球(ballup)"，因为ITO(导体762和电 极62)的表面能低于铟(导电构件764)。形成球由导电构件764的圆形侧面1022示 出并导致导电构件764流向电极62。最后，导电构件764接触电极62以形成导体 762和电极62之间的电连接。
在一个实施例中，圆形侧面1022是连续的(即，没有锐角)。导电构件764在 电极62和导体762之间的中间附近的点处的宽度比第一导电构件764在邻接电极 62或导体762的点处的宽度宽。在具体的实施例中，导电构件764的宽度在电极 62和导体762之间的中间附近的点处最宽。
第一导电构件764可达到的高度取决于第一导电构件764、导体762和电极 62的表面能；第一导电构件764的形态；回流期间的条件或其任意组合。在具体 的实施例中，当电极62和导体762的表面包括基本上由ITO组成的表面而第一导 电构件764基本上由铟组成时，第一导电构件764可达到约8微米的高度。对于该 具体的实施例，电极62和导体762之间的距离可不大于8微米。随着距离减小， 成功回流第一导电构件764以形成电极62和导体762之间的电连接的可能性会增 加。对于表面能和材料的特定的组合，可进行一种或多种经验测试以确定导电构件 764可实现的最大可再现高度，该高度进而可用于指定对于该特定组合的电极62 和导体762之间的最大可允许距离。最大可允许距离一般小于最大可再现高度。在 回流后，在一个实施例中，导电构件764的高度至少是3.5微米。
回流后，导电构件764中的一个或多个可包括受影响的导电构件内或沿其侧 面的一个或多个空洞。只要导体762和电极62之间形成电连接， 一个或多个孔是 不成问题的。如果将导电构件764在导体762和电极62之间的中间切开并从俯视 图检查，则导电构件764类似于互连的网络。在一个实施例中，大多数导电构件 764可包括一个或多个空洞。在一个特定的实施例中，单个导电构件764可分成电
连接电极62和导体762的多个导电构件。
利用回流工艺形成的电子装置内的电连接或者仅仅是电子装置内的阵列是为
数众多的。在一个实施例中，至少4000个导体和至少4000个电极可与至少4000 个导电构件电连接。在另一个实施例中，至少11000个导体和至少11000个电极可 与至少11000个导电构件电连接，在又一个实施例中，至少110000个导体和至少 110000个电极可与至少110000个导电构件电连接，在再一个实施例中，至少百万 个导体和至少百万个电极可与至少百万个导电构件电连接。在一个实施例中，导电 构件764与导体762与电极62的比是1:1:1。在另一个实施例中，比中的数字的任 意一个或多个可大于l。在具体的实施例中，比是X:1:1，其中X是大于1的数(分 数或整数)。例如，X可以是2、 3、 4、 5或更大。
在一个实施例中，回流本身足以将导体762成功地电连接至其对应的电极62。 然而，由于将形成大量的电连接，回流操作可能不是完全成功。例如，在回流操作 期间，可形成大部分但不是全部的电连接。例如，导电构件764中的一个或多个可 能没有流向或仅部分流向其对应的电极62。可进行测试以确定哪些位置不具有电 连接(例如，电断开)或是不可接受的高电阻(例如，导电构件764刚刚接触电极62)。 在制造显示器的另一个实施例中，可进行测试以确定哪些像素或子像素不具有最小 的发射强度。来自测试的数据可用于确定将修复电子装置的哪些部分。
对于修复存在很多选择。在一个实施例中，修复可重复回流操作。如果热板 用于回流，则它也可用于修复。如果电子装置的一个区域具有更多的电断开或高电 阻，则可将该区域放置在更接近热板中心的位置。在另一个实施例中，可利用不同 的技术进行回流和修复。例如，可利用热板来进行回流(由于相对高的产量)，而利 用诸如脉冲激光之类的定向辐射源来进行修复。
在一个具体的实施例中，进行了回流和测试。基于测试信息，可确定待修复
的电子装置的一个或多个部分。在修复期间，可对这样的一个或多个部分或对这样 的一个或多个部分及邻近位置处的导电构件进行修复操作。例如，测试可査找出称 为"死点"的无功能区。测试可指出刚好在死点外的导电构件764在规格内，尽管 接近上限或下限。在该具体的实施例中，修复了死点内的导电构件，还修复了与死 点相邻的导电构件764，使得与死点相邻的导电构件764可达到规格内的测试结果 而且更远离上限或下限。在该具体的实施例中并非全部导电构件764都作为修复的 目标。可反复测试和修复直到形成对应的导体762和电极62之间的所有电连接或 经历了一组设定数量的次数。在阅读本说明书后，本领域的技术人员将能确定满足
其需要或期望的用于修复的技术。
与回流相似，在修复期间，第二工件和第一工件的方向可颠倒。在该实施例 中，重力可有助于修复电子装置。
在一个实施例中，形成了基本完成的电子装置。在该实施例中，密封材料822 将电子装置的敏感部分与电子装置的外部环境密封。在该实施例中，气体横向围绕 导电构件764。即使被抽真空，至少某些气体仍保持在电极62和导体762之间的 间隙中。
在过程的该点上，电子装置可包括通过第一导电构件764彼此物理连接的第 一和第二工件。如果需要的话，可通过将导电构件764至少加热到其熔点并将第一 工件和第二工件彼此分离来拆卸电子装置。电子装置可通过对准或另外相对于彼此 定位第一和第二工件并将导电构件764至少再加热到其熔点来再组装电子装置。本 文所述的拆卸和再组装过程允许在没有显著不利地影响电子装置、包括第一工件、 第二工件、第一工件或第二工件内的任何组件、导电构件764或其任意组合的电子 装置的任意部分的情况下，再对准或另外再加工电子装置。因此，在一个实施例中， 导电构件764可允许电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或其组合。
如果采用膏体、环氧树脂或其它粘合材料，拆卸可导致粘接到膏体、环氧树 脂或其它粘合材料的一个或多个导体762、 一个或多个电极62或其它一层或多层 的层离或其它明显的损伤。此外，其中固化的膏体、环氧树脂或其它粘合材料将在 工件分离期间断裂或另外破碎，可生成碎粒并干扰或阻碍随后再组装期间形成的电 连接。此外，已经在第一工件(包括电极62)、第二工件(包括导体762)或其任意组 合上的相同的膏体、环氧树脂或其它粘合材料在固化后不能再次使用。因此，需要 使用新的膏体、环氧树脂或其它粘合材料。
如图10和ll所示，电子装置可包括AMOLED显示器，其中辐射可穿过共用 电极22和第一工件发射。在具体的实施例中，孔径比可超过70%、 80%、卯％或 更高。在一个实施例中，辐射还可穿过衬底700发射。可实现相对高的孔径比，因 为第二工件的控制电路不在电子装置的用户侧与电子组件128、 148和168之间。
6.电子装置及其工作
电子装置可以独立使用或合并到系统中。例如，电子装置可以是可合并到计 算机监视器的显示器、电视机或移动通信装置中的显示器等。
电子装置可通过将适当的信号和数据提供给如图1所示的端子来工作。当激
活SL 134时，可将数据信号放置在DL 132、 152和172上，它进而允许电流流过 电子组件128、 148和168。经回流的导电构件764提供电子组件128、 148和168 至其各自的功率晶体管126之间的电连接。
当形成其它类型的电子装置(例如，传感器阵列)时，电路和电压或其它信号可 相应地改变。
7.替换实施例
在替换实施例中，电子装置可包括诸如无源矩阵显示器、静态图像显示器或 其任意组合等其它类型的显示器装置。在另一个实施例中，电子组件可包括与辐射 发射组件结合或代替辐射发射组件的辐射响应组件。这种辐射响应组件可包括辐射 传感器、光电池或响应于由有机活性层接收的辐射的其它类似的电子组件。
在又一个实施例中，导电构件764可形成于第一工件上而不是第二工件上。 参考图12至19描述并示出了一个示例的非限制性过程。在一个具体的实施例中， 衬底结构42包括有机材料。过程的开始点是如图5所示的第一工件。
如图12所示，在包括阱结构42和有机层50的衬底20上形成保护层121。保 护层121将在随后的抗蚀剂去除过程中用于保护阱结构的侧壁。保护层121可包括 诸如氮化物、氧化物、或氧氮化物之类的无机材料。在一个实施例中，可利用常规 的等离子体沉积技术来共形沉积保护层121。在另一个实施例中，保护层121不是 共形的，但仍沉积以在阱结构42和有机层50的暴露表面上形成连续的层。保护层 121具有5至30nm范围的厚度，正如在基本平坦的表面上所测量的。
可进行各向异性蚀刻以去除可从第一工件的俯视图中看到的保护层121的部 分。在一个实施例中，可利用干法蚀刻利用一步或多步进行各向异性蚀刻。干法蚀 刻过程的条件不必在干法蚀刻的操作中保持一致。相反，气体混合物、气压、电压、 功率密度以及温度可在干法蚀刻期间随时间改变。干法蚀刻过程可包括具有适当限
定的开始和停止点的分立的步骤，或可包括在干法蚀刻的任务完成后仅具有一个开 始点和一个停止点的一个连续操作内的各步骤。使用"步骤"表示包括具有分立的 开始和停止和其中在一个连续操作期间条件至少改变一次的单个干法蚀刻过程。
在本文所述的一个具体的实施例中，由于其相对薄的厚度，干法蚀刻作为单 一步骤来进行。可使用至少一种含卤素的气体。含卤素的气体可包括含氟气体、含 氯气体、含溴气体或含碘气体中的一种或多种及其混合物。
当采用含氟气体时，它可包括任意一种或多种氟碳化合物气体，它可以饱和
或不饱和，可包括或不包括其它卤原子、F2、 HF、 SF6、 NF3、含氟卤间化合物(C1F、 C1F3、 C1F5、 BrF3、 BrF5和IFs)及其混合物。含氯气体可选自以下的组，该组由可 以饱和或不饱和并可包括或不包括其它卤原子(例如，F、 Br和I)、 Cl2、 HCl、 BC13、 含氯卤间化合物(C1F、 Cl&和C1F5)及其混合物的氯碳化合物组成。含溴气体可选 自以下的组，该组由可以饱和或不饱和并可包括或不包括其它卤原子(例如，F、 Cl和I)、 Br2、 HBr、 BBr3、含溴卤间化合物(BrF3和BrF5)及其混合物的溴碳化合物 组成。含碘气体可选自以下的组，该组由可以饱和或不饱和并可包括或不包括其它 卤原子(例如，F、 Cl禾n Br)、 12、 HI、金属碘化物、含碘卤间化合物(IF5)及其混合 物的碘碳化合物组成。
在一个实施例中，含卤素气体可以是含氟气体。在另一个实施例中，含氟气 体可包括可以饱和或不饱和并可包括或不包括其它卤原子的氟碳化合物。在又一个 实施例中，氟碳化合物可具有分子式CaFbHe，其中a是l或2， b至少是l，而如 果a是l，贝Ub+c是4，如果a是2，贝ljb+c是4或6。等离子体中存在氢可帮助钝 化侧壁表面并改进蚀刻的各向异性特性。在一个具体的实施例中，CHF3是示例性 氟碳化合物气体。
在一个实施例中，不使用含氧气体。含氧气体可蚀刻有机材料。在一个具体 的实施例中，衬底结构42和有机层50不被蚀刻或仅仅被最低限度地蚀刻。可采用 惰性或还原气体。惰性气体可包括稀有气体中的任一种或多种、N2及其混合，而 还原气体可包括H2、 NH3、 N2H4、 N2H2及其混合物中的任一种或多种。惰性气体 可用于在物理上去除非挥发性蚀刻产物或其它材料。在一个具体的实施例中，不使 用惰性气体以提高保护层121和有机层50之间的蚀刻选择性。可添加氢气以帮助 钝化沿衬底结构42的侧面展开的保护层121。
可在约10至5000 mW/cn^范围的功率密度和约0.01至5000 mTorr范围的压 力下进行干法蚀刻。温度可改变，这取决于性能敏感元件和待去除的有机材料。干 法蚀刻一般在不高于约8(TC的温度下进行。干法蚀刻作为定时蚀刻或者利用端点 检测(当利用定时过蚀刻到达衬底结构42、有机层50或两者时)来执行。在过程的 该点处，如图13所示，与衬底结构42的侧面和有机层50的部分相邻形成保护结 构131。
如图14所示，形成电极62和导电结构64。电极62和导电构件64的材料和 构成可利用前面如图6所示在形成电极62和导电构件64时描述的任何一个或多个 实施例来进行。
如图15所示，在电极62和导电构件64上形成导电构件764和766。导电构 件764和766的材料和构成可利用前面如图7所示在形成导电构件764时描述的任 何一个或多个实施例来进行。导电构件764的顶部可接触或不接触导电构件64或 导电构件766。正如稍后解释的，这种接触是不成问题的。
深蚀层161在衬底20上形成，如图16所示。深蚀层161是沉积形成的并包 括有机或无机材料。在一个实施例中，深蚀层161包括基本平坦的表面163，它可 基本平行或不平行衬底20的主表面。在一个具体的实施例中，可将有机抗蚀剂材 料旋涂在衬底20上。
如图17所示，蚀刻深蚀层161以暴露覆盖在衬底结构42上的导电构件766。 可各向同性或各向异性地进行蚀刻。在一个实施例中，蚀刻可利用一步或多步的干 法蚀刻来进行。干法蚀刻过程的条件不必在干法蚀刻的操作中保持一致。相反，气 体混合物、气压、电压、功率密度以及温度可在干法蚀刻期间随时间改变。干法蚀 刻过程可包括具有适当限定的开始点和停止点的分立步骤或可包括在干法蚀刻的 任务完成后仅具有一个开始点和一个停止点的一个连续操作内的各步骤。使用"步 骤"表示包括具有分立的开始和停止和其中在一个连续的操作期间条件至少改变一 次的单个干法蚀刻过程。
在本文描述的一个具体的实施例中，干法蚀刻作为两个步骤进行。第一步骤 可用于去除大部分深蚀层161而不考虑位于深蚀层下的其它层的选择性。第一步可 使用含氧气体。含氧气体的例子包括02、 COF2、 CO、 03、 NO、 N20或其任意混 合物。除含氧气体外，可使用如前面所述的一种或多种含卤素气体、 一种或多种惰 性气体、 一种或多种还原气体或其混合物。蚀刻可在前面描述的蚀刻条件(例如， 功率密度、压力、温度等)中的任何条件下进行。第一步骤可作为定时蚀刻或利用 端点检测(例如，在达到导电构件766时)来进行。
在第二步期间，可改变诸如尤其是气体和功率密度之类的蚀刻参数以提高深 蚀层161和导电构件766之间的选择性。在一个实施例中，可减少或关闭含卤素气 体(如果有的话)和惰性气体(如果有的话)或其组合以提高选择性。同样，可降低功 率密度以减小蚀刻的物理部分。
如图18所示，去除导电构件766。去除可作为湿法蚀刻或干法蚀刻过程来进 行。用于蚀刻的化学试剂可取决于导电构件766的材料。在一个实施例中，导电构 件766基本由铟组成。
湿法蚀刻可利用醇(例如，甲醇、乙醇、丙醇或其任意组合)、王水(约3:1
HC1:HN03)或H3P04来进行。蚀刻溶液约处于室温(在约20至25"C的范围内)或室 温以上或以下的其它温度。在一个具体的实施例中，湿法蚀刻在约30至4(TC范围 内的温度下利用H3P04来进行。湿法蚀刻可作为定时蚀刻来进行。
在另一个实施例中，湿法蚀刻可利用三步来进行。第一步是用于蚀刻穿过形 成于导电构件766的表面上的任何氧化物或污染物的"穿透"蚀刻，第二步可用于 导电构件766的大部分蚀刻，而第三步对于导电构件64内的一层或多层可具有提 高的选择性。前面已描述了蚀刻参数(气体和条件)。
第一步可包括含卤素气体和惰性气体。因为导电构件766包括至少一种金属， 所以含卤素气体可包括含氯气体、含溴气体、含碘气体及其混合。所选的实际的含 卤素气体允许在蚀刻期间形成一种或多种挥发产物。惰性气体可帮助物理上去除导 电构件766表面上的氧化物或其它非挥发性污染物。第二步进行的条件可与第一步 相同或不同。在一个实施例中，可减小或去除惰性气体以提高深蚀层161的蚀刻速 率和选择性。可将第二步执行为定时蚀刻或直到检测到端点(达到导电构件64)。第 三步可包括的蚀刻化学试剂与用于第二步的蚀刻化学试剂相同或不同。与第一步、 第二步或这两者相比，第三步可在较低的功率密度下进行。第三步可作为定时蚀刻 或利用端点检测和定时过蚀刻来进行。
可选的第四步骤可包括将导电构件64暴露于含氟等离子体以钝化或保护导电 构件64的暴露表面免受周围湿气、其它污染物或其组合的影响，改变导电构件64 的表面能或其组合。
在去除导电构件766后，在本实施例中基本不去除或仅去除某些导电构件64。 如果导电构件766和64包括铟，则可与导电构件766 —起去除某些铟(例如，ITO)。 如果导电构件64包括除铟外的一层铝、银或其它元素，则用于去除导电构件766 的蚀刻可在导电构件64的这些层上或层内停止。如此，导电构件64的剩余部分可 在去除深蚀层161后保护衬底结构42。
在过程的该点处，如图19所示，去除深蚀层161的剩余部分。在一个实施例 中，深蚀层161包括利用常规的湿法或干法抗蚀剂蚀刻工艺去除的有机层。在具体 的实施例中，可用有机溶剂去除深蚀层161而不显著蚀刻位于电极62上的导电构 件64、保护结构131或导电构件764。在另一个实施例中，可进行如无机半导体技 术中使用的常规的灰化技术。在去除深蚀层161时并且在深蚀层161包括有机材料 时，位于电极62上的导电构件64、保护结构131和导电构件764有助于保护衬底 结构42和有机层50。
在另一个实施例中(未示出)，如果深蚀层161与其它的暴露层相比具有不同的 成分，则不需要保护结构131。例如，如果深蚀层161包括一层或多层硅的氧化物、 氮化物、氧氮化物或其组合，则深蚀层161可至少利用含氟气体来蚀刻。很多含氟 气体允许硅的氧化物、氮化物、氧氮化物或其组合的层对于很多金属和有机材料被 选择性蚀刻。
如前所述制造了包括衬底700和导体762的其它工件。导体762上可存在或 不存在导电构件764。在一个具体的实施例中，导体762是暴露的。在工件互相接 近并对准后，可利用前述的回流参数中的任意一个或多个进行回流操作。在一个实 施例中，在回流期间，导电构件764流向具有导体762的工件。导电构件764中的 至少某些基本上直接接合到电极62和导体762上，如果需要或期望的话，可如前 所述地进行测试和修复操作。
如前所述，回流前，电极62上的导电构件764与阱结构上的导电构件64和 导电构件766中的任一个或两者之间的某些偶然的接触是没有问题的。在去除导电 构件766后，可基本消除导电构件764和766之间的接触。由于表面能，导电构件 764可如前所述地形成球。形成球可有助于在回流期间使导电构件764远离导电构 件64。因此，可在回流操作结束时基本消除导电构件764和导电的构件64之间的 任何横向接触。如此，相邻的电极62不会电短路并且不具有漏电路径(对于电流)。
如果需要或期望消除导电构件764和导电构件64之间的任何偶然的接触，则 在去除深蚀层161后进行蚀刻。在一个具体的实施例中，各向同性蚀刻可用于去除 接触导电构件64的导电构件764的细丝或其它残余部分。
在如图12至19所示的实施例的替换实施例中，可进行电极62、导电构件764 或其任意组合的选择性沉积。例如，模板掩模可具有对应于形成电极62、导电构 件764或其任意组合的位置的开口。可利用模板掩模进行一次或多次沉积以形成电 极62、导电构件764或其任意组合。在该具体的实施例中，不会形成导电构件64 和766。因此，不需要保护层131和深蚀层161，从而提供了较少处理操作的工艺 流程。
在又一个实施例中，不需要衬底结构42。在又一个具体的实施例中，有机层 50可包括可利用模板掩模沉积的一种或多种小分子有机材料。在另一个具体的实 施例中，还可利用模板掩模沉积电极62。因此，衬底结构42的使用是可选的。
在另一个实施例中，可不存在密封材料822，同时进行回流操作。夹具或其它 装置可将第二工件和第一工件保持对准，同时进行回流操作。在回流以及可能的修
复后，如图11所示，可在导电构件764、导体762和电极62附近的间隙或其它开 口中形成封装层1122。
在又一个实施例中，如果需要或期望的话，可将环氧树脂或其它适当的封装 材料注入到第二工件和第一工件之间并固化。例如，可注入可UV固化的环氧树脂 并利用UV辐射固化。如果期望的话，可在封装层1122的外部形成密封材料822 以潜在地增加电子装置对污染物的抵抗力。
可采用其它的物理构造。共用电极可由诸如阳极(例如，阳极的行或列，用于 每一个像素或子像素的一个电极等)之类的多个电极取代。电子装置内的电极的方 向可以颠倒。与作为共用阴极的共用电极或作为阴极的电极相比，作为阳极的电极
可更接近导体762或与导体762电连接。可将由导电构件764形成的电连接制造成 一种类型的电极(例如，阳极)，它比其它类型的电极(例如，阴极)更远离导体762。 可使用一层或多层另外的绝缘层、一种或多种图案化顺序或其组合，以允许电连接， 而不会无意识地对位于中间的电极形成电短路或漏电路径。
可对电极62、导体762或其任意组合作可选的表面处理以实现期望的润湿特 性。例如，在形成或回流导电构件764前，氟等离子体可用于减小表面能。在另一 个实施例中，可期望电极62、导体762或其任意组合的表面处相对高的表面张力。 可改变电极62、导体762、导电构件764或其任意组合的成分。或者，可使用表面 处理。在该实施例中，导电构件764可展开以覆盖电极62、导体762或其任意组 合的表面。在该实施例中，在回流、修复或回流和修复期间，第二工件可位于第一 工件上。圆形侧面1022可具有相反的方向；侧面可以是连续的，并且导电构件764 可在电极62和导体762之间某一点最窄。
可采用具有另外的电子组件的更复杂的控制电路(与图1所示的控制电路相 比)。这种另外的电子组件可用于校正功率晶体管126可能发生的阈值电压偏移。 由于可将另外的电子组件放置在衬底结构之上或之下，所以可不损失辐射传输区。 因此，可增加寿命，且显示质量可随时间更加稳定。 8.优点
不同的实施例具有各种优点，注意，每一个优点出于一个或多个实施例而不 是所有的实施例。因此，不应将任一个优点解释为是本发明必需的或关键的。
在一个实施例中，在进行回流操作前，导电构件和电极或导体之间可存在间 隙。间隙可有助于减小对电子装置各部分的损伤。例如，在一个实施例中，导电构 件764和电极62之间的间隙可有助于在将第二工件和第一工件互相对准或接触时
减小对电子组件128、 148和168的损伤。在一个具体的实施例中，可在接触第二 工件前，通过调节衬底结构42或衬底结构42与衬底结构42之下或之上的任何层 的组合的高度来控制间隙的尺寸。
在另一个实施例中，可在不导致电子装置内有机层的显著不利损伤的情况下， 利用热传导或辐射来回流导电构件764。很多材料可用于实现导电构件的熔点，使 得它们不会在太低的温度(在利用或测试电子装置期间可发生)或在太高的温度下 流动。这种灵活性还可延伸到避免被认为相对更危险的一种或多种材料(例如，铅)。 在一个具体的实施例中，导电构件764可包括具有共晶成分的金属合金，其熔点低 于这种金属合金内任何金属元素的熔点。
在又一个实施例中，可在应用回流操作前将第二工件和第一工件机械地接合 在一起。在该实施例中，回流后形成的电连接(通过导电构件)不会受到与回流的电 连接主要是机械连接的实施例相比那样多的外应力。在一个具体的实施例中，第二 工件和第一工件的机械接合用密封材料822来形成。接合面板上的外应力可至少部 分地由密封材料822来吸收或抵抗。与仅用导电构件764将面板固定起来相比，回 流后导电构件764上的应力显著降低。
在又一个实施例中，可在不拆卸和不再组装或不再制造电子装置的至少一部 分的情况下进行修复。修复操作允许大量的经回流的电连接被使用，而不必由于回 流操作没有回流一个或多个导电构件而丢弃整个电子装置。可进行修复操作，以有 助于使没有或几乎没有形成的电连接形成电连接。在一个具体的实施例中，可进行 测试以确定具有电开路或过高的电阻的电子装置的部分(通称为"无功能的"部分 或电路)。来自测试的信息可用于确定修复操作应在何处进行。
9.例子
在以下的例子中将进一步描述本发明，这些例子不限制权利要求书中描述的 本发明的范围。 例子1
例子1说明衬底之间的电连接可利用回流工艺形成。在该例子中形成了两衬 底背光。
参考图20，第一衬底200是具有约110nm厚度的ITO层202的玻璃。在约 lxl(r6Torr的真空中，在ITO的表面上热沉积(例如，蒸镀)铟层204。铟层的厚度 约是650nm。在沉积铟层后，通过热固化环氧树脂209将第一衬底200和具有发光
有机层(未示出)和ITO层208(与第一衬底200相似)但没有铟层的另一衬底206接 合在一起。接合的衬底的横截面图的图示在图20中示出。在过程的该点处两层202 和208之间的电阻由于铟层204(附连到第一衬底200)与第二衬底206的ITO层208 之间的间隙而极高。因此，在衬底的ITO层202和208之间没有形成电连接。将 接合的衬底在设置成16(TC的温度的热板上加热到约16(TC的温度。当衬底的温度 达到约16(TC时，铟熔化。在约16(TC下完成金属回流过程花的时间少于5秒。回 流过程后，两衬底的两IT0层202和208之间的电阻约是15Q，表明如图21所示 形成了电连接214。图22包括在图21的分割线22-22处的电连接214的回流的铟 的俯视图的图示。在电连接214内形成了空洞222。回流后，电连接214变为空洞 222之间的铟的互连网络224。 例子2
例子2说明可形成在回流过程中远离ITO层边缘的铟的导电构件。 在该例子中使用两个标称为10cmxl0cm的衬底。每一个衬底是具有10个ITO 带的玻璃，每个带的厚度约是110nm而宽度约350微米。每一个衬底上相邻的带 之间的距离约是150微米。在一个衬底上，在约lxl0竹orr的真空中，在ITO带 的表面上通过阴罩热沉积铟层。铟层的厚度约是650nm。在沉积铟层后，通过热固 化环氧树脂将两衬底接合在一起，其中一个衬底具有铟层，另一衬底没有铟层。将 每一个衬底上的ITO带排列成互相垂直。由此，正如从俯视图所看到的，分离的 衬底上两个带之间的重叠面积约是350微米x350微米。由接合的衬底230形成的 像素的总数是100(10x10)。图23包括接合的衬底230的图示。在金属回流前，由 于铟层(附连到衬底中的一个)与另一衬底的ITO层之间的间隙，分离的衬底上的每 一带之间的电阻极高。将接合的衬底230在设置成16(TC的温度的热板上加热到约 160'C的温度。当衬底的温度达到约16(TC时，铟熔化。在约16(TC下完成金属回流 过程的时间少于5秒。回流过程后，分离的衬底上每一对带之间的电阻约是400Q， 表明形成电连接。同一衬底上每一对带之间的电阻仍极高，表示经回流的铟没有在 横向方向上将带电短路。图24包括在去除另一衬底后衬底246中的一个上的ITO 带244上的经回流的铟242的俯视图的图示。图24示出表面张力有助于在铟242 回流时使其远离ITO带244的边缘，这显著减小了相邻的ITO带244之间无意识 的电连接或漏电路径的可能性。 例子3
例子3说明可利用回流过程形成无源矩阵显示器和背光。
在例子3中，工件包括作为背光面板的驱动面板。在小于约lxl(T6Torr的真 空中，在ITO的顶部热沉积约1.5微米厚的包括约40%重量的In、 40%重量的Sn 以及20。/。重量的Pb的金属合金层。其它的工件包括OLED面板，它是具有以ITO 作为共用电极(例如，阴极)的无源矩阵像素区的背光面板。像素区通过形成负抗蚀 剂斜坡(bank)来形成。因为抗蚀剂斜坡的高度约3微米，在面板接合期间铟层和 OLED装置的阴极之间存在约1微米的间隙。总的像素数是约100x50，且节距尺 寸约是100微米x300微米。用于每一个像素的抗蚀剂斜坡的开口约是75微米x200 微米，转换成约48%的孔径比。可利用常规的技术来制造OLED面板上的OLED 装置。对于该例子可旋涂缓冲层，然后旋涂包括MEH-PPV的发光聚合物层。将阴 极热沉积在发光聚合物层上。
沿OLED面板的边缘沉积热固化环氧树脂。将驱动面板和OLED面板互相对 准，然后将面板压在一起。在将两面板压在一起后，在约6(TC的温度下固化环氧 树脂约30分钟。通过将接合的面板在设置成16(TC温度的热板上加热到约16(TC的 温度来进行金属回流过程。当面板的温度达到约16(TC时，铟熔化。在约16(TC下 完成金属回流过程的时间少于5秒。像素区和背光区中的每一个OLED像素的阴极 通过经回流的铟电连接至驱动面板。当将DC电压施加在驱动面板和OLED面板之间 时，所有的无源像素和背光部分导通并发光。注意，没有显著的电流流过抗蚀剂斜 坡。
例子4
例子4说明利用本文所述的回流过程形成的AMOLED显示器与常规的 AMOLED显示器相比可具有非常大的孔径比。例子4还说明电极可在形成衬底结 构后形成，其中在电极之间没有形成电短路或漏电路径。对于例子4，可将至少部 分利用回流过程形成的AMOLED显示器称为"经回流的AMOLED显示器"，将 常规的AMOLED显示器称为"常规的AMOLED显示器"。
对于每一个AMOLED显示器，发光面积约是9.4cm(3.78英寸)(对角测量)， 为320xRGBx240的QVGA格式。。如图25中的椭圆形所示，形成了衬底结构256 并定义了开口(阱)254。像素分辨率约是每厘米40个像素(约每英寸IOO个像素)， 且间距尺寸约是240微米x240微米。
对于经回流的AMOLED显示器，使用两个工件。工件中的一个包括顺序地形 成于衬底上的共用电极(例如，共用阳极)和衬底结构256。正如从横截面图(未示出) 所得知的，衬底结构具有约3微米的高度和具有负斜坡的壁。将红、绿和蓝发光有
机材料沉积在各自的开口 254中。在一个实施例中将作为阴极的电极热沉积在红、
绿和蓝发光有机材料上。每一个电极及其对应的发光有机材料的组合厚度是约0.5 微米。由于其高度和负斜坡，衬底结构256有助于减小在电极之间形成电短路和漏 电路径的可能性。
第二工件是包括电连接到有源矩阵TFT面板内的控制电路的导体的有源矩阵 TFT面板。设计控制电路的布图，使得在接合两工件后，控制电路的至少一部分可 位于衬底结构256之上或之下。该设计有助于增加孔径比。在真空中将约1.5微米 厚的铟层热沉积在导体上。金属蚀刻过程可用于图案化铟层以完成导电构件的形 成。金属蚀刻后，每一个导体具有约1.5微米高度的对应的导电构件。
因为衬底结构256的高度约是3微米，在对准期间导电构件(有源矩阵TFT面 板的)和电极(OLED面板的)之间存在约1微米的间隙。在对准后，有源矩阵TFT 面板和OLED面板由在显示区域周围沉积的环氧树脂物理接合在一起。通过将接 合的面板在设置成16(TC温度的热板上加热到约160'C的温度来进行金属回流过 程。当导电构件的温度超过约156'C时，铟熔化。在约16(TC下完成金属回流过程 花的时间少于5秒。每一个OLED像素或子像素的电极由经回流的铟电连接至其各 自的控制电路。对于经回流的AMOLED显示器，孔径比约是65%。
对于常规的AMOLED显示器，在衬底上形成控制电路和外围电子装置(即， 行/列驱动器、行/列解码器等)。用于常规的AMOLED显示器的辐射发射组件利用 常规的技术在具有控制电路的同一衬底上形成。常规的AMOLED显示器包括透明 的阳极和反射的共用阴极。因为控制电路阻断发射的某些辐射，图25中的长方形 252表示对用户仍可见的辐射发射区。常规的AMOLED显示器具有约16%的孔径 比，这显著小于经回流的AMOLED显示器。
例子5
例子5说明电子装置的无功能的部分可利用金属回流过程来修复。 例子4中制造的OLED显示器可具有某些无功能的部分，因为某些构件(例如， 铟凸起)可能未被适当回流。可进行测试以确定哪些像素或子像素在功率晶体管126 和其对应的电子组件128、 148或168之间具有电开路或很高的电阻。对于具有电 开路的每一个像素或子像素，可用约260nm发光的脉冲UV准分子激光器修复无 功能像素或子像素。激光器光线的脉冲宽度在毫秒范围内。通过将具有约lmW的 功率输出的准分子激光束聚焦到无功能像素或子像素上，输入功率可达到约
30W/cm2。以此功率密度，导电构件可再次熔化，得到无功能像素或子像素的阴极 和对应的功率晶体管126之间的电连接。因此，修复了无功能像素或子像素，使得 其具有功能。在激光修复过程后像素或子像素可导通。
注意，并非以上在一般的描述或例子中描述所有的活动都是必需的，可能不 需要一部分特定的活动，除那些描述的以外可进行一种或多种其它的活动。另外， 列出的活动的顺序不一定是它们进行的顺序。
在以上说明书中己参考具体实施例描述了本发明。然而，本领域的普通技术 人员意识到可在不背离所附权利要求书所列的本发明范围的基础上进行多种修改 和改变。因此，应将说明书和附图看作说明性而非限制性的，且所有这样的修改都 应包括在本发明范围内。
以上已经参照具体实施例描述了益处、其它优点以及问题解决方案。然而， 这些益处、优点、问题解决方案以及能够带来任何益处、优点或解决方案或使任何 益处、优点或解决方案更加显著的任何特征不应被理解为任一或全部权利要求的关 键的、必需的或本质的特征。
权利要求
1.一种电子装置，包括第一工件，包括第一电子组件，所述第一电子组件包括第一电极和第一有机层；第二工件，包括第一导体；以及第一导电构件，电连接到所述第一电极和所述第一导体，其中所述第一导电构件允许所述电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或进行上述操作的任意组合。
2. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一工件还包括与 所述第--电子组件相邻放置的衬底结构。
3. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件的熔 点不高于30(TC。
4. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件的熔 点不高于255"C。
5. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件的熔 点不高于240'C。
6. 如权利要求l所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件在所述 第一电极和所述第一导体之间的中间附近的点处的宽度比所述第一导电构件在接 近所述第一电极或所述第一导体的点处的宽度宽。
7. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件的高 度至少是3.5微米。
8. 如权利要求l所述的电子装置，其特征在于，还包括至少4000个其它 的导电构件，其中-所述第一工件包括至少4000个其它电子组件，其中所述至少4000个其它电子组件中的每一个都包括第一电极；所述第二工件包括大致类似于所述第一导体的至少4000个其它导体；以及 所述第一导电构件和所述至少4000个其它导电构件中的每一个都大致直接接合到所述第一电极中的至少一个，并大致直接接合到所述第一导体或所述至少4000个其它导体中的任一 个。
9. 如权利要求8所述的工件，其特征在于，所述第一导电构件和所述至少4000个其它导电构件在所述工件的阵列部分中的密度至少是每平方厘米 15. 5个导电构件。
10. 如权利要求l所述的电子装置，其特征在于-所述第一电子组件包括辐射发射组件、辐射响应组4牛或它们的组合；以及 所述第二工件包括用于控制所述第一电子组件的第一控制电路，其中所述第 一控制电路电连接到所述第一导体。
11. 如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，还包括第二导电构件和 第三导电构件，其中所述第一电子组件是红色发光组件； 第一有机层包括红色发光有机层； 所述第一工件还包括包括第一电极和绿色发光有机层的绿色发光组fh 包括第一电极和蓝色发光有机层的蓝色发光组fh以及位于所述红色发光组件、所述绿色发光组件以及所述蓝色发光组件之间 的衬底结构所述第二工件包括-用于控制所述绿色发光组件的第二控制电路，其中所述第二控制电路电 连接到第二导体；以及用于控制所述蓝色发光组件的第三控制电路，其中所述第三控制电路电 连接到第三导体；所述第二导电构件大致直接接合到所述绿色发光组件的第一电极和所述第二 导体以及所述第三导电构件大致直接接合到所述蓝色发光组件的第一电极和所述第三 导体。
12. 如权利要求ll所述的电子装置，其特征在于-所述红色发光组件、所述绿色发光组件和所述蓝色发光组件共用一个共用电 极；以及辐射穿过所述红色发光组件、所述绿色发光组件和所述蓝色发光组件的共用 电极传输。
13. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一组件至少是背 光、静态图像显示器、无源矩阵显示器、传感器阵列或光电池的一部分。
14. 如权利要求l所述的电子装置，其特征在于，所述第一工件还包括衬 底结构，其中所述衬底结构接触所述第二工件或者覆盖在所述衬底结构上的层接触所述第二工件，其中所述层的成分与所述第 一电极大致相同。
15. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括第二导电构件， 其中所述第一导电构件和所述第二导电构件中的每一个接触所述第一电极和所述 第一导体。
16. 如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件包括 具有至少一个空洞的含有金属的材料。
17. —种电子装置，包括第一工件，包括第一电子组件，所述第一电子组件包括第一电极和第一有机 活性层；第二工件，包括用于控制电连接到第一导体的电子组件的控制电路；以及 第一导电构件，电连接到所述第一电极和所述第一导体，其中所述第一导电 构件允许所述电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或进行以上操作的任意组合。
18. 如权利要求17所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件在所述第一电极和所述第一导体之间的中间附近的点处的宽度比所述第—导电构件在 接近所述第一电极或所述第一导体的点处的宽度宽。
19. 如权利要求17所述的电子装置，其特征在于，第一工件还包括衬底, 其中可用于回流所述第一导电构件的辐射可穿过所述衬底传输。
20. 如权利要求17所述的电子装置，其特征在于，所述第一导电构件包括含铟的材料。
全文摘要
一种电子装置包括含有电子组件的第一工件以及含有导体(762)的第二工件，该电子组件包括电极(62)和有机层(54)。电子装置还可包括将电极(62)和导体(762)电连接的导电构件(1022)，其中导电构件(1022)允许电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或其结合。
文档编号H01L27/32GK101189725SQ200680019671
公开日2008年5月28日 申请日期2006年5月31日 优先权日2005年6月3日
发明者G·俞, J·王 申请人:E.I.内穆尔杜邦公司