用于引燃低压等离子体的方法和装置的制作方法

专利名称：用于引燃低压等离子体的方法和装置的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及基片制造冲支术，尤其涉及用于引燃(igniting ) 低压等离子体的方法和装置。
背景技术：
在基片(例如，半导体晶片，MEMS器件或如在平板显示器制 造中使用的玻璃平板)的处理过程中，通常使用等离子体。作为基 片处理(化学气相沉积，等离子体增强化学气相沉积，物理气相沉 积，蚀刻等)的一部分，例如，该基片被分为多个模片，或者矩形 区域，其中每个将变为一个集成电路。然后该基片在一系列步骤中 被处理，其中有选择地去除(蚀刻)和沉积(沉积)材料以在其上 形成电气元件。
随着器件尺寸缩减以及使用更先进的材料，为保持均一的蚀刻 率，减小基片污染等，对充分稳定的处理条件的要求变得更加迫切。 这将被对基片上高电路密度的逐步上升的要求进一步加重，使用现 有的等离子体处理技术会很难满足，在该技术中亚微米过孔接触和 沟槽具有高纵一黄比。
通常，有三种蚀刻方法纯〗匕学蚀刻，纯物理蚀刻，以及反应 性离子蚀刻。纯化学蚀刻通常不包括物理轰击，而是与基片上的材 料发生化学反应。纯离子蚀刻，经常称为溅射，通常使用等离子体 离子化的惰性气体，如氩，以从该基片移走材料。结合化学和离子
两种方法的蚀刻^皮经常称为反应性离子蚀刻(RIE)，或离子辅助蚀刻。
在这些和其他类型的等离子体方法中，在许多等离子体处理方 法中经常要求的压力范围内很难引燃等离子体。通常，当RF功率 施加在一组电才及上时，在它们之间建立变化的电场。如果该RF功 率足够高，自由电子可由该变化的电场加速，直到其获得足够的能 量以^5並撞该室内的原子或分子，以产生离子或另一个自由电子。因 为该离子化石並撞的级:眹作用，整个等离子体室迅速充满电子和离子 (如，等离子体)。在等离子体中， 一些电子由与电极、等离子体 室壁的石並冲童所持续损失和消一毛，并且还由电子和离子之间的石並冲童重 新组合、以及一皮中性物质附着所持续损失和消筹毛。因此，等离子体 室的电离速率主要由电子能量确定，而该电子能量又由所施加的功 率控制。
耳又决于许多额外的因素，包括等离子体气体化学性质、电极材 料、等离子体室尺寸、RF传送方法(例如，电感耦合，电容耦合 等)、电激发频率等，引燃和维持等离子体会有困难，如果该气体 压力相对低(如，电容放电中〈100mT等)。即，低于临界激发压力， 等离子体不能一皮自维持(self-sustained) i也引燃，因为由离子4匕石並 撞导致的电子的生成率会低于电子的损失率。甚至这样的情形下也 是如此，即预先建立的等离子体可转变为低于该临界激发压力的压 力，而没有等离子体熄灭。
一种解决方案可以通过临时增加气体压力来维持等离子体，这 从而也增加等离子体气体密度以及由此的与原子或分子的碰撞次 数。即，将电子的生成率增加到高于电子的损失率。 一旦该等离子 体被引燃并稳定在较高压力，该等离子体室被转变到较低的目标压 力，以处理该基片。目标是指在该等离子体处理方法中的可接受的 数值范围(例如，目标压力、目标功率、目标气体流量等)。然而，
将基片暴露于更高压等离子体(非稳定状态条件)，即使是瞬时的， 也可能在特定的基片上引入不需要的结果，或者引入基片之间不能 接受的质量波动。
另一个解决方案可在较高频率下^t喿作该等离子体室。通常，与
由4交4氐频率的信号以类似的功率水平激发(excite)相比，由于更有 效的电子加热机制，较高频率易于更有效地产生等离子体密度。然 而，增加等离子体处理频率也是有问题的。例如，由于电^兹驻波和 趋月夫-文应，4交高的频率可导致l交差的均一性(M.A. Lieberman等人， Standing wave and skin effects in large-area, high frequency capacitive discharges,尸/ow;a 5bwrc^ rec/z"o/. 11(2002) 283—293 )。其4也的问 题可能包括导致因为调整的电子温度而发生的等离子体化学性质 和离子/自由基比率的改变，以及由于增加的灵敏度而4艮难匹配工具 对工具的性能以偏离在该RF传送和^妻地返回系统中的电容和电 感。
另一解决方案可在短激发步骤中将更高的压力与被优化用于 引燃等离子体的不同的气体流率结合，之后，该等离子体室转变为 较低的运行目标压力和合适的目标气体流率以处理该基片。然而， 如前所述，大体上从该工艺方法的偏离会引入在特定的基片上的不 需要的结果，或基片之间不能接受的质量波动。
又一个熟知的减小窄隙电容放电系统中临界激发压力的方法 是增加电才及间隙。通常，平均自由程(mean free path )定义为一个 粒子在与另一个粒子碰撞之前行进的平均距离。随后，增加该电极 间隙也可增加该平均自由程，通过增加该等离子体室的电离速率而 稳定低压等离子体(例如，〈100mT等)。然而，增加该间隙尺寸也 会有问题。例如，较大的间隙会由于较低的功率密度而降低蚀刻率， 会由于较长的气体停留时间而增加室条件记忆效应，以及当使用分 区的气体引入时降^氐处理均 一性。
例如，介电蚀刻反应器经常使用电容耦合RF激发源和相对窄 的电极至电极间隙间距的组合。例如，与20至30cm基片尺寸相比， Lam Research ExelanTM力芙通常4吏用1.3至2.5cm间隙。这个电容辜禺 合与窄隙的组合易于导致相当高的临界激发压力，其往往超过所需 的处理压力。
现在参考图1，显示出电感耦合等离子体处理系统的简化图。 通常，在特定的压力下，并以特定的方法'混合的适合的气体组可,人 气体分配系统122流入具有等离子体室壁117的等离子体室102。 这些等离子体处理气体可随后以特定RF功率设置组在靠近喷射器 109的区域上或之内被离子化，以形成等离子体110，以便处理(例 如，蚀刻或沉积)该基片114 (如半导体基片或玻璃平板)的暴露 区域，基片114利用边缘环115安置在静电卡盘116上。
第一RF发生器134生成该等离子体，并且控制该等离子体密 度，而第二RF发生器138生成偏置RF,通常用于控制该DC偏置 和离子轰击能量。进一步连接到源RF发生器134的是匹配网络 136a，并连接到偏置RF发生器138的是匹配网络136b，其试图将 该RF功率源的阻-抗与等离子体110的阻:坑匹配。jt匕外，真空系统 113,包括阀门112和一组泵111，通常用来从等离子体室102排出 周围空气，以实现维持等离子体110和/或去除处理副产物所需要的 压力。
现在参考图2,显示出电容耦合等离子体处理系统的简化图。 通常电容耦合等离子体处理系统可配置为具有单一的或多个独立 的RF功率源。由源RF发生器234产生的源RF通常用于通过电 容耦合生成该等离子体，以及控制该等离子体密度。由偏置RF发 生器238生成的偏置RF,通常用以控制DC偏置和离子轰击能量。 进一步连4妄到该源RF发生器234和偏置RF发生器238的是匹配 网络236，其试图将该RF功率源的阻抗与等离子体220的阻抗进
行匹配。其他形式的电容反应器具有连接到顶部电极204的RF功 率源和匹配网络。另外，还有遵循类似的RF和电极布置的多阳极 系统，如三才及管。
通常，在4争定的压力和以特定的方式混合的适合的气体组穿过 顶部电才及204中的入口 乂人气体分配系统222流入具有等离子体室壁 217的等离子体室202。这些等离子体处理气体可随后以特定的RF 功率"i殳置组^皮离子化以形成等离子体220，以Y更处理(例如，蚀刻 或沉积)基片214 (如半导体晶片或玻璃平板)暴露的区域，基片 214利用边纟彖环215安置在也作为电才及的,争电卡盘216上。此外， 真空系统213,包4舌阀门212和一组泵211,通常用于乂人等离子体 室202排出周围空气，以便实现保持等离子体220所要求的压力。
考虑到前述的，需要用于引燃低压等离子体的方法和装置。

发明内容
在一个实施例中，本发明涉及在等离子体处理系统中用于引燃 等离子体的方法，该系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电 才及和一个引燃电才及。该方法包括在该等离子体处理室内引入基片。 该方法还包括将气体混合物流入该等离子体处理室；以激发(strike ) 频率激励(energize )该引燃电极；以及使用该引燃电极从该气体混 合物激发等离子体。该方法进一步包括使用目标频率激励该至少一 个通电的电才及，其中该激发频率大于该目标频率；并且当在该等离 子体处理室中处理该基片时去激厉力该引燃电才及。
在另一个实施例中，本发明涉及等离子体引燃装置，该装置配 置为在等离子体处理室中激发等离子体。该装置包括引燃电极，该 引燃电极配置为以激发频率从气体混合物激发等离子体。该装置也 包4舌至少一个通电的电4及，该通电的电极配置为以目标频率维持该
等离子体，其中该激发频率比目标频率高，该引燃电极的第一表面 积大体上低于该至少 一个通电电极的第二表面积，并且当在该等离 子体处理室中处理基片时去激励该引燃电极。
在另 一个实施例中，本发明涉及一种等离子体处理系统中用于 引燃等离子体的装置，该系统具有等离子体处理室、至少一个通电 的电极和一个引燃电极。该装置包括用于将基片引入该等离子体处 理室的装置。该装置还包括用于将气体混合物流入该等离子体处理
室的装置；用于以激发频率激励该引燃电才及的装置；以及用于4吏用 该引燃电极从该气体混合物激发等离子体的装置。该装置进一步包 括用于4吏用目标频率激励该至少一个通电电极的装置，其中该激发
频率高于该目标频率；以及用于当在该等离子体处理室中处理该基
片时去激励该引燃电极的装置。
本发明这些和其它特4正将在下面的详细描述中结合附图详细 描述。


在附图中，通过实例而不是限定示出本发明，并且其中相同的 标号代表相同的元件，并且其中
图1示出了电感耦合的等离子体处理系统的简化图2示出了电容耦合的等离子体处理系统的简化图3A-C说示出了根据本发明一个实施例，带有引燃电极的电 容耦合的等离子体处理系统的简化图组；
图4示出才艮据本发明一个实施例，图3A-C所示的引燃电极的 简化图5示出根据本发明的一个实施例，对于不同的RF频率对比 电子温度与电子随才几加热功率的简化图6示出根据本发明一个实施例的用于在RF等离子体中氩和 氦》文电的击穿的帕邢(Paschen)曲线组的简化图表；
图7示出根据本发明的一个实施例，击穿RF功率对固定间隙 的压力的依赖的简化图8示出根据本发明一个实施例， 一组简化的用于引燃等离子 体的步-骤。
具体实施例方式
现在将关于附图中所说明的 一些优选实施例详细描述本发明。 在下面描述中，说明许多具体的细节以便提供对本发明的彻底理 解。然而，对于本领域的技术人员来说，显然，本发明可以不使用 这些具体细节中的一些或全部而实现。在其他的例子中，7>知的处 理步骤和/或结构并没有详细描述，以避免不必要地混淆本发明。
尽管不希望受到理论的束缚，但此处，发明人相信，低压等离 子体可由以一定频率(激发频率)传送引燃RF电压来引燃，该频 率可高于运行频率(目标频率)组，其通常用于在处理过程中维持 该<氐压等离子体压力。在一个实施例中，该引燃RF电压通过至少 一个专门的电极(引燃电极)传送。在一个实施例中，该引燃电极 与激发RF发生器相连接。在一个实施例中，与RF发生器组分开 的RF发生器用来生成该目标频率。在一个实施例中， 一旦引燃等 离子体，其由等离子体室电极以低于或不同于该激发频率的目标频
率组保持。在一个实施例中， 一旦引燃等离子体，该引燃电极就去 激励(de-energized )。在一个实施例中，该等离子体在目标压力下 引燃以使稳定时间最小。在一个实施例中，利用目标气体流混合物
引燃该等离子体以使稳定时间最小。在一个实施例中，该等离子体 在目标功率下引燃以^f吏稳定时间最小。
与现有技术不同，本发明不需要增加电极间隙，因为通常不要 求改变间隙。一4t而言，增加顶部和底部电才及之间的间隙也会增加 等离子体容积，其会进而消极影响该等离子体处理结果。例如，消
极影响可包括由于较低的功率密度而减小的蚀刻率，由于较长气体 停留时间而增加的等离子体室条件记忆效应，以及当使用分区的气 体引入时对处理均一性不够有效的控制。
通常，在等离子体处理室中，当在电极之间间隙中的电子获得
离子化气体分子所需的能量时，RF放电会引燃等离子体。随后， 为了引燃;改电，每个电子应当在损失于电才及或室壁之前冲丸行3-10 次与气体分子的离子^b石並撞(V.A. Lisovsky和V.D. Yegorenkov， Rf breakdown of low-pressure gas and a novel method for determination of electron-drift velocities in gases, J.Phys. D: Appl. Phys.31 (19998) 3349-3357)。在RF》文电中，电子4展动通常表现为在RF场中电子4立
有效RF击穿的电极间距相当或者较小。因此，对于给定的等离子 体室条件组(固定的气体压力电极间距，电极材料，RF电压等)， 对于气体击穿，较高的RF频率通常比较低的RF频率更有效。
在一个实施例中，具有比顶部和底部电才及表面积小的表面积的 电极可用作引燃电极，以使在该基片上的有害影响最小，这些有害 影响可包4舌在引燃电压去除之前，对稳、定一犬态处理条4牛的初始部分 的扰动。在实施例中，该引燃电极还可包括等离子体电探针。
例如，在Lam Research Exelan 上^吏用施加在该基片电才及上的 RF的测量已经表明该临界激发压力的频率依从关系。对于02灰化 等离子体，该临界〗敫发压力在28MHz为55mT,而在63MHz为
3-5mT。对于典型的聚合过孔或沟槽条件，该临界激发压力在28MHz 为23mT,而在63MHz为10mT。
在一个实施例中，引燃电才及可独立于该等离子体处理系统的主 RF系统，从而简化实施。也就是说，将引燃电极集成在该底部或 顶部电才及会有问题，因为该主RF系统的高功率要求和准确的再现 性标准通常会使集成昂贵、复杂。另外，集成的引燃电极的存在会 对该等离子体处理产生不利影响，该处理可能会对杂散阻抗(stray impedance)的微小变化敏感。随后，为了引燃的目的而增加到这个 主RF系统的引燃子系统会4吏随着时间以及在等离子体处理系统之 间一致性地精确控制RF的任务复杂化，而该任务已经非常困难并 且非常昂贵。
参考图3A-C，示出简化的图组，其示出了4艮据本发明一个实 施例的简化的带有引燃电极的电容耦合的等离子体处理系统。图3 A 示出在等离子体引燃前的等离子体室。底部电极316通常地连接低 频RF发生器338,而顶部电才及304孑妻地。另外，引燃电极305安 装在该顶部电极304上，并且可由高频RF发生器334供电。
图3B示出已经引燃等离子体的图3A的等离子体室。在一个 实施例中，当引燃等离子体时，低频RF发生器338在底部电极316 和顶部电极304之间施加电压VLF。图3C示出图3B中的等离子体 室，其中，引燃电极305已经被去激励(de-energized)并且等离子 体310已经在等离子体室内基本稳定。
在一个实施例中，该引燃电极可与V/I探针相结合。通常，V/I 可测量电压(V)、电流(1)、等离子体电压(V)和电流(I)之间 的相位角(6 )、阻抗(Z)、输出功率、正向功率、反射功率、无 功功率、反射系数等。即， 一旦引燃等离子体并且该引燃电极被去 激励(de-energized),其仍可用来测量等离子体处理条件。
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参考图4,示出根据本发明的一个实施例的如图3A-C所示的 引燃电4及305的简4匕图。如前所述，引燃电才及305可安装在该顶部 电极304中，并可由高频RF发生器334供电。另外，引燃电极305 也可通过绝缘体404 (如，陶资、石英等)与顶部电极304电绝缘。
现在参考图5，才艮据本发明的一个实施例，对比不同RF频率 下的电子;显度与电子随机加热功率(electro stochastic heating power ) 的简化图表。电子温度502在水平轴上示出，而每单位面积的电子 随才几加热功率(W/M2 ) 504在垂直轴上示出。通常，在RF方丈电中， 施加的RF功率大部分通过电子与移动等离子体鞘(例如，随即加 热)相互作用而4争移到电子。用于单一的石並冲童鞘的电子随才几加热可 建立为
<formula>formula see original document page 15</formula>
方程1]
其中，m是电子质量，e是元电荷，e。是真空介电常数，co是 RF驱动频率，Te是电子温度，以及V,是穿过一个鞘的RF驱动电 压(Lieberman M.A.和Lichtenberg A.J. 1994 Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, New York: Wiley )。 图5大体上 示出4吏用方禾呈1估算的电子随才几加热对驱动频率依赖关系，其中固 定电压V产500伏特。通常，由于4交高的频率在电子加热处理中更 有效，激发和维持等离子体要求较小的电压VltJ例如，在100MHz, 随着该电子温度乂人1增力口到10Te,产生的相应的随才几力口热功率从大 约2.5 x 10(3)W/MZ增加至大约8 x 103W/M2。相反，较低的频率通常 在电子加热处理中是低效的。因此，激发和维持等离子体要求较大 的电压Vi。例如，在lMHz,随着电子温度从1增加到10Te，产生 的相应的随才几加热功率从大约0.0W/M(2)至大约0.6 x 103W/M2。
现在参考图6,示出用于氩和氦在RF等离子体中》文电的击穿 的帕邢曲线(Paschen curve )组的简4匕图表。Moravej等人，Phisics of High-pressure helium and argon radio-frequency plasmas, Journal of Applied Physics,巻96， N12, pp.7011-7017。在水平轴上示出中性 气体压力和电才及间隙的乘积，/ d ( Torr-cm ) 602 ，而在该垂直轴上 示出击穿电压(V) 604。 一般而言，击穿该放电所要求的电压是该 中性气体压力和电才及间隙的乘积pd的强函数 ( strong function )。
氩等离子体曲线606和氦等离子体曲线608通过将压力在1至 760 Torr变化并4吏用三个不同间隙间距0.4、 1.6和2.4mm而获得。 氦等离子体606通常在大约4Torr-cm的表现出最小的击穿电压， 而氩的最小值通常是不确定的。比4交起来，在通过^f吏用铝电极的直 流(dc)放电产生的等离子体中，氦等离子体和氩等离子体的最小 击穿电压通常分别为1.3Torr-cm和0.3Torr-cm。 一4殳而言，为了以 小电极间距在很低的压力下击穿放电要求较高的电压。相反，对于 在较高频率的等离子体激发通常需要较低的电压。
现在参考图7，示出才艮据本发明的一个实施例，对于固定间隙， 击穿RF功率对压力的依赖关系。压力702在水平轴示出。RF功率 704在垂直轴示出。另外，示出不同频率的RF压力曲线组1MHz 706, 50MHz708,详口 100MHz 710。通常，只于于纟会定的压力，4交高 频率的激发需要较4氐的功率。
参考图8，才艮据本发明一个实施例， 一组简化的用于引燃等离 子体的步骤。开始，在步骤802，在该等离子体处理室中引入基片。 接着，在步-骤804，气体混合物流入该等离子体处理室。在步骤806， 以激发频率激励(energize)引燃电才及。在步骤808, 4吏用该引燃电 才及/人该气体混合物激发等离子体。在步骤810,以目标频率激励至 少一个该通电的电4及，其中该激发频率高于该目标频率。最后，在
步艰《812，当在该等离子体处理室中处理该基片时，该引燃电招j皮 去激励。
尽管根据多个优选的实施例描述了本发明，还是存在改变，置 换和等同物，其落入本发明的范围之内。例如，尽管本发明结合Lam Research等离子体处理系统来描述(例如，ExelanTM， ExelanTMHP, ExelanTMHPT, 2300TM, VersysTMStar等)，但也可使用其它的等离 子体处理系统。本发明也可与各种尺寸(例如，200mm， 300mm等) 的基片一起使用。并且，可使用包括除氧气之外气体的光刻胶等离 子体蚀刻剂。另外，其它类型基片材料的蚀刻可使用本发明来优化。 还应当注意的是，有许多实现本发明的可选的方法。此外，这里使 用的术i吾组包4舌一个或多个该组中指定的元素。例如， 一组"X" 表示一个或多个"X"。
本发明的优点包括用于引燃低压等离子体的方法和装置。额外 的优点包括避免与集成的引燃电极的有关的费用、复杂性和质量问 题，制造产率问题的最小化，以及等离子体处理产量的最优化。
已经公开了示范性实施例和最佳才莫式，可对公开的实施例进行 修改和变化，而仍在由权利要求所限定的本发明的主旨和精神内。
权利要求
1.一种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的方法，所述等离子体处理系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电极和引燃电极，所述方法包括将基片引入所述等离子体处理室中；以一定压力将气体混合物流入所述等离子体处理室；以激发频率激励所述引燃电极；使用所述引燃电极，从所述气体混合物激发等离子体；利用目标频率激励所述至少一个通电电极，其中，所述激发频率大于所述目标频率；以及当在所述等离子体处理室中处理所述基片时，去激励所述引燃电极。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述引燃电极的第一表面 面积大体上小于所述至少 一 个通电电 一及的第二表面面积。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，仅使用所述激发频率足够 长时间以形成所述等离子体。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是 电感耦合等离子体处理系统和电容耦合等离子体处理系统之
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基片代表用于制造集 成电路的半导体晶片和平板基片之一。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述引燃电极由激发RF 发生器供电。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，以低于100mT的压力维 持所述等离子体。
8. 才艮据^L利要求1所述的方法，其中，所述压力为目标压力。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个通电电极的 功率为目标功率。
10. 才艮据权利要求1所述的方法，其中，所述气体混合物为目标气 体混合物。
11. 一种等离子体引燃装置，其配置为在等离子体处理室中激发等 离子体，所述装置包括引燃电极，其配置为以激发频率从气体混合物激发等离 子体；至少一个通电电才及，其配置为以目标频率维持所述等离 子体，其中，所述激发频率大于所述目标频率，所述引燃电极 的第一表面面积大体上小于所述至少一个通电电一及的第二表 面面积，以及当在所述等离子体处理室中处理基片时所述引燃 电极被去激励。
12. 根据权利要求11所述的装置，其中，仅使用所述激发频率足 够长时间以形成所述等离子体。
13. 根据权利要求11所述的装置，其中，所述等离子体处理系统 代表电感耦合等离子体处理系统和电容耦合等离子体处理系 统之——。
14. 根据权利要求11所述的装置，其中，所述基片代表用于制造 集成电路的半导体晶片和平板基片之一。
15. 根据权利要求11所述的装置，其中，所述引燃电极由激发RF 发生器供电。
16. —种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的装置，所述等 离子体处理系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电才及和 引燃电极，所述装置包括用于将基片引入所述等离子体处理室的装置；用于在一定压力下将气体混合物流入所述等离子体处理 室的装置；用于以激发频率激励所述？ 1燃电极的装置；用于利用所述引燃电才及从所述气体混合物激发等离子体 的装置；用于利用目标频率激励所述至少一个通电电^^的装置， 其中，所述激发频率大于所述目标频率；用于当在所述等离子体处理室中处理所述基片时去激励 所述引燃电才及的装置。
17. 根据权利要求16所述的装置，其中，所述引燃电极的第一表 面积大体上小于所述至少一个通电电才及的第二表面积。
18. 根据权利要求16所述的装置，其中，仅使用所述激发频率足 够长时间以形成所述等离子体。
19. 才艮据冲又利要求16所述的装置，其中，所述等离子体处理系统 是电感耦合等离子体处理系统和电容耦合等离子体处理系统 之一。
20. 根据权利要求16所述的装置，其中，所述基片代表用于制造 集成电路的半导体晶片和平板基片之一。
21. 根据权利要求16所述的装置，其中，所述引燃电极由激发RF 发生器供电。
22. 根据权利要求16所述的装置，其中，以低于100mT的压力维 持所述等离子体。
23. 根据权利要求16所述的装置，其中，所述压力是目标压力。
24. 根据权利要求16所述的装置，其中，所述至少一个通电电极 的功率为目标功率。
25. ^f艮据权利要求16所述的装置，其中，所述气体混合物是目标 气体混合物。
全文摘要
公开了一种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的方法，该系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电极和引燃电极。该方法包括将基片引入该等离子体处理室。该方法还包括将气体混合物流入该等离子体处理室；在激发频率激励该引燃电极；并且使用该引燃电极从该气体混合物激发等离子体。该方法进一步包括使用目标频率激励该至少一个通电电极，其中该激发频率高于该目标频率；并且当在该等离子体处理室中处理该基片时去激励该引燃电极。
文档编号H01L21/3065GK101366101SQ200680023828
公开日2009年2月11日 申请日期2006年6月13日 优先权日2005年6月28日
发明者埃里克·赫德森, 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 申请人:朗姆研究公司