专利名称:基板检查及修正装置、以及基板评估系统的制作方法
技术领域:
本发明涉及一种用于液晶、有机EL ( Electroluminescence,电致 发光)等中的TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板的 制造步骤及检查步骤,而且涉及对基板进行缺陷检查、并对由缺陷检查 检测出的缺陷进行修正的装置,以及,根据对基板进行缺陷检查及修正 所得的缺陷数据或检查数据来对基板进行评估,进而根据这些缺陷数据 或检查数据而反馈给基板的制造步骤的基板评估系统。
背景技术:
TFT阵列例如用作对液晶显示装置或有机EL显示装置的像素电极进 行选择的开关元件(switching element )。
在液晶基板或有机EL基板等的形成着TFT阵列的半导体基板的制造 过程中,如图4所示,制造过程中包括对基板的TFT阵列等进行检查 的检查步骤(S100),对检查步骤中发现的基板缺陷进行修正的步骤 (S200 ),以及对已修正的缺陷进行重新检查的步骤(S300 )。
作为TFT阵列基板的检查,除了设在TFT阵列基板的制造步骤之后 而单独作为TFT阵列基板检查步骤以外,也有时在制造步骤中进行。该 TFT阵列基板检查过程中,对TFT阵列基板上所产生的TFT阵列中的例 如短路、断线或附着物等缺陷的有无、位置、缺陷类型等进行判定并进 行分类。
可以通过观察液晶或有机EL的显示状态而对TFT阵列进行缺陷检 测,当通过观察显示状态来对TFT阵列进行;险查时,例如对于液晶面板 而言,必须在TFT阵列基板与相对电极之间夹着液晶层的液晶显示装置 的状态下进行检查。
另外,在未形成液晶显示装置的半成品的状态下进行检查时,必须 将具有液晶层和相对电极的检查工具安装在TFT阵列基板上,对TFT阵 列输入用于缺陷检测的驱动信号,利用将此时的电压状态与正常状态的 信号进行比较等的数据处理,来求出表示缺陷的位置坐标或缺陷状态的 缺陷数据。
该TFT阵列中,因扫描线(栅极线)或信号线(源极线)的断线、 扫描线(栅极线)与信号线(源极线)的短路、用来驱动像素的TFT的 特性不良而引起的像素缺陷等的缺陷检查,可例如通过以下方式来进行将相对电极接地,对4册极线的全部或者 一 部分以预定间隔施加例如_ 1 5 V-+15 V的直流电压,对源极线的全部或者一部分施加检查信号。(例 如,专利文献1所揭示的背景技术。)
由缺陷检测所获得的缺陷数据除了用于对各基板进行缺陷检测以 外,还可通过对缺陷数据进行解析,查明所述缺陷的原因,反馈给基板 的制造过程。
众所周知,可使用电子线来对TFT阵列进行缺陷检测。在使用该电 子线进行TFT阵列检查的过程中,利用检查图案, 一边驱动TFT阵列一 边对像素(ITO ( Indium-tin-oxide,氧化铟锡)电极)照射电子线,对 由该电子线照射所放射出的二次电子进行检测,由此,将施加在像素(IT0 电极)上的电压波形转换成二次电子波形,且根据信号使其形成为图像, 由此对TFT阵列进行电性检查。
这些步骤通过缺陷检查装置、缺陷修正装置等独立的装置来进行, 当在基板的生产线上进行所述各个步骤时,按照步骤依次配置这些装置, 以沿着生产线来运送基板。'''
图5是用以对现有的基板检查中的装置结构进行说明的概略结构图。
图5中,从基板生产线的上游向下游配置着阵列检查装置20和修正 装置30,各个装置与主机服务器(host server) 50之间进行数据的发送 接收。
首先,将前段步骤中形成了阵列的基板100,投入到阵列检查装置 20中。阵列检查装置20使用从主机服务器50所获得的关于基板的位置 数据来进行对准,之后进行阵列检查。阵列检查例如使用电子光束等的 输入探针来对基板面进行扫描,并根据所得的检测信号来进行缺陷检查, 将缺陷检查的结果以数据的形式发送到主机服务器5 0 ,并运出基板100。
其次,将从阵列检查装置20运出的基板IOO投入到修正装置30中。 修正装置30从主机服务器50获得缺陷检查的结果,并根据所述检查数 据来对缺陷部位进行修正,将修正结果以数据的形式发送到主机服务器 50,然后运出基板100。
将从修正装置30运出的基板IOO再次投入到阵列检查装置20中, 对缺陷部分的修正状态进行确认。
专利文献l:日本专利特开平5-307192号公报
以前,阵列检查装置以及修正装置分别由独立的装置而构成,因此 在基板相对于各装置的运出送入、装置内的基板的对准等的与基板移动 相关的方面、以及在各装置与设在中央的系统服务器之间进行发送接收 数据的相关方面存在问题。在基板移动的相关方面,例如,阵列检查装置以及修正装置是分别 独立的装置,因此,必须针对各个装置送入和运出基板,在各个装置需 要使腔室内为真空的操作时,分别需要时间来进行真空排气以及还原为 大气,因此存在处理时间变长的问题。
另外,除了所述基板的运出送入的相关问题以外,还存在如下对准 的相关问题,即,各装置必须对已送入的基板进行对准,例如,修正装 置中,必须使阵列检查装置的基板上的位置坐标与修正装置上的位置坐 标一致。
另外,在数据的发送接收的相关方面存在如下问题,即,利用由各 装置所获得的数据时,必须对独立于各装置而设置的用于进行数据管理 的每个装置,进行数据的上载以及下载,且必须对各装置设置用于发送 接收数据的电路。
例如,阵列检查装置必须将缺陷结果预先上载到主机服务器,修正 装置从中央系统服务器(主机服务器)下载该已上载的缺陷结果的数据, 且根据由该缺陷结果的数据所获得的基板的缺陷位置或缺陷类型来进行 修正。
另外,除了所述问题点以外,还存在如下问题关于对基板进行的 检查、缺陷分类、光学观察、修正、以及重新检查的这些基板所需要的 一系列处理;在现有的结构中,必须进行此三种处理由检查装置来进 行检查、缺陷分类、以及光学观察的处理,由修正装置来进行之后的修 正,由重新检查装置进行重新检查,而且,即使关于像素坐标或TFT驱 动状态这样的在各处理中可以共同处理的数据,也必须在针对各装置而 固有地设定的数据形态间进行数据的转换。
如上所述,在现有的结构中,存在基板移动的相关问题、各装置与 设置在中央的系统服务器之间所进行的数据发送接收的相关问题等由于 分别独立的装置进行一 系列处理而产生问题。这些问题会导致作业量的 增大、工作时间(tact time)的超时、占用量(footprint,运行时的 存储器使用量)的增大、以及成本增加。
尤其是,液晶面板或有机EL面板所使用的TFT阵列的基板,随着显 示装置的大型化而大型化,另外,开发出在基板上搭载作为驱动器用的 IC (Integrated CircuitT集成电路)等的新的装置,假设由缺陷检查 或缺陷修正所得的信息的类型变得复杂、数据量也增大,那么可推断所 述问题点的重要性也增大。
发明内容
因此,本发明的目的在于解决所述问题,使基板的移动的相关步骤简化,另外,使装置与中央的系统服务器之间所进行的数据的发送接收的步骤简化。
本发明的基板检查及修正装置,包括检查部,对形成着TFT阵列的基板进行缺陷检查;以及修正部,对缺陷阵列进行修正;且,利用检查部与修正部而在同 一腔室内对基板进行缺陷4企查和缺陷修正,由此,可使基板的移动的相关步骤简化,另外,可使装置与中央的系统服务器之间所进行的数据的发送接收的步骤简化。
更详细而言,本发明的检查部包括第一检查部,对基板的预定区域内的缺陷部位进行检测,并输出缺陷部位的像素坐标数据,对该缺陷部位的缺陷类型进行分类,并输出缺陷类型数据;以及第二检查部,对基板的像素单位的TFT阵列的驱动状态进行检查,并输出TFT阵列的驱动状态数据。
本发明的第一检查部包括缺陷检测部,检测基板的缺陷部位,并输出缺陷部位的像素坐标数据;以及缺陷类型确认部,通过对由缺陷賴r测部检测出的缺陷部位进行光学性观察来确认缺陷部位的缺陷类型的分类,并输出缺陷类型数据;对已导入的未修正的基板进行检查,获得所述基板上所存在的缺陷部位的像素坐标数据和缺陷类型数据。
另外,该第一检查部对泰板所进行的缺陷部位的检测,可使用以下各种检测形态对通过向基板的预定区域照射电子光束而从基板放射出的二次电子进行;f企测的形态;或对基板照射飞(femto)秒(l(T"秒)激光或者半导体可变波长激光等的激发光而激发基板,对由该激发所得的基板
状态的变化进行检测的形态等。
本发明的修正部具有激光光源,利用该激光光源所照射的激光且根据第 一 检查部检测出的缺陷部位的像素坐标数据、以及已确认的缺陷类型数据,在所述缺陷部位进行切割或者局部成膜、或者进行这两者。
此外,本发明的第二检查部用于对经过修正部修正之后的基板的修正部分进行重新检查,且该第二检查部具有与基板的像素接触、对所述像素的电位进行检测的接触型探针,根据经过所述修正部修正的部位的像素坐标数据来使接触型探针与基板的像素接触,由此对已修正的像素的电位进行检测,以判定修正是否合格。
另外,本发明的基板评估系统具有所述的基板检查及修正装置,针对多个基板,对由第 一检查部所得的缺陷部位的像素坐标数据以及缺陷类型数据、修正部的修正像素的像素坐标数据以及修正内容数据、以及由第二检查部所得的修正结果数据进行统计处理,而获得基板的生产线的评估数据,将该评估数据反馈给生产线。
根据本发明的基板检查及修正装置的形态,当对经过修正之后的TFT驱动状态进行重新检查时,不需要从修正装置取出已修正的基板且再次导入到检查装置中这样的基板的移动操作、或也不需要将基板再次导入到检查装置内之后进行的对准或检查部位的位置对准这样的操作,而能够在同一个腔室内,统一进行检查、修正、重新检查的一系列处理,而无须进行将基板运出送入的移动操作。
另外,根据本发明的基板检查及修正装置的形态,关于由检查装置所得的评估结果,无须与中央的系统服务器之间进行上载以及下载,可以直接参照评估结果,因此,应该能够减少作业量、缩短工作时间。
另外,将对修正前的基板进行检查的第一检查部、基板的修正部、以及对修正后的基板进行重新检查的第二检查部设置在一个腔室内,能够缩短基板的导入以及运出时开闭闸门所需要的时间、以及腔室的吸气排气所需要的时间从而缩短工作时间,此外,在各部中共用数据,因此可以缩小占用量。另外,也可以削减操作人员。
当利用现有的结构来进行基板评估时,利用各装置分別实施检查步骤、修正步骤、重新检查步骤,因此,必须与各装置的固有数据形态或操作处理对应,但是,根据本发明的基板评估系统,能够对各步骤中的像素坐标数据或TFT驱动状态统一进行统计评估,因此,可以缩短对于检查步骤之前的步骤的反馈所需要的时间。通过缩短该反馈的时间,能够缩短将基板评估反映给前段步骤而进行改善所需要的时间,并且可以提高基板的良率。
根据本发明,能够使基板的移动的相关步骤简化,另外,能够使装置与中央的系统服务器之间所进行的数据的发送接收的步骤简化。
图1是用于对本发明的基板检查及修正装置、以及本发明的基板评估系统的结构进行说明的概略图。
图2是用于对本发明的基板检查及修正装置1的处理动作进行说明的流程图。
图3 (a)、图3 (b)是用于将本发明的基板检查及修正装置与现有结构的工作时间等的处理进行比较的图。
图4是用于对半导体基板的制造过程进行说明的流程图。
图5是用于对现有的基板检查中的装置结构进行说明的概略结构图。
1: 基板检查及修正装置 2: 检查部2A第一检查部2A1:缺陷一企测部
2A2:缺陷类型确认部2B:第二检查部
2a电子光束源2b:飞秒激光
2c半导体可变波长激光2d:检测器
2e显微CCD照相机2f:接触型微探针
2g电压施力口部3:》务正部
3A切割、局部成膜部3a:激光光源
4:腔室5:主机服务器
6:前段步骤10:基板评估系统
20阵列检查装置30:修正装置
50主机服务器100:基板
Sl~S13、 S100 S300:步骤
具体实施例方式
以下,参照图式对本发明的实施形态进行详细说明。图1是用于对本发明的基板检查及修正装置、以及本发明的基板评估系统的结构进行说明的概略图。图1中,本发明的基板检查及修正装
置1的腔室4内具有检查部2和修正部3,本发明的基板评估系统10具有将由该基板检查及修正装置1所得的数据反馈给前段步骤的结构。
在液晶显示面板所使用的液晶基板、或有机EL显示面板所使用的有机EL基板等的半导体基板中,在这些基板上,设置着液晶显示或有机EL显示所需要的构成要素、或用来驱动这些要素的TFT阵列。TFT阵列中设置着以各像素的像素为单位而设的TFT、和用来驱动该TFT的各种线(例如,栅极线、源极线、共用线等)。
本发明中,当通过生产线来制造基板时,在图中的前段步骤6中在基板上形成上述这些的各要素或TFT阵列,利用基板检查及修正装置1来对形成在基板上的TFT阵列等进行缺陷检查,并且对所检测出的缺陷部位进行修正,进而,对所述修正部分进行重新4佥查并确认该^修正之后,进行下一步骤的处理。 .,
可推断,该基板检查及修正装置l检测出的缺陷起因于前段步骤6。因此,本发明的基板评估系统10,根据多个基板的各检查结果而统计性地求出由基板检查及修正装置1检测出的表示基板上的缺陷的坐标位置的位置数据、表示缺陷类型的缺陷类型数据等的缺陷数据,并根据该缺陷数据来对前段步骤6内的缺陷的主要原因进行评估,并反馈至前段步骤6。
以下,对本发明的基板检查及修正装置1的腔室4内所具有的检查
8部2以及^奮正部3进4亍i兌明。
本发明的检查部2具有第一检查部2A和第二4全查部2B。第一检查部2A用来对在前段步骤6 t投入到腔室4内的基板100中所存在的缺陷进行检查、并对该缺陷部位的位置和缺陷类型进行检测,且具有对缺陷部位的位置进行检测的缺陷检测部2A1、和对缺陷的类型进行确认的缺陷类型确认部2A2。
缺陷检测部2A1可使用各种形态。这里,作为缺陷检测部2A1检测的缺陷类型,包括例如线缺陷或点缺陷。其中,作为线缺陷,例如包括源极线断路(open)的状态(断开)、4册极线断路的状态(断开)、源极线与栅极线短路的状态(短路)等。另外,作为点缺陷,例如,存在漏极线断路的状态(断开)、源极线与共用线短路的状态(短路)、漏极线与共用线短路的状态(短路)等。另外,这些断路状态或短路状态,未必限于完全断开的状态或完全短路的状态,也包括含有断开与连接的中间状态的情形。
通常不能明确知道基板100上的哪个位置存在缺陷,即便可预先推断缺陷的存在位置,也仅可推断出所述位置在某范围内。因此,第一检查部2A必须对基板上的所有区域或者具有某范围内的区域进行扫描而检测出缺陷部位。因此,缺陷检测部2A1对基板100上的区域内所存在的缺陷的缺陷位置和缺陷类型进行检观'J 。
作为通过非接触而对基板的缺陷进行检测的缺陷检测部2A1的一形态,有如下结构作为基板相对应的输入探针,从电子光束源h照射电子光束,由检测器2d来对通过照射该电子光束而从基板所放射出的二次电子进行检测。
通过照射电子光束而放射出的二次电子是由基板的TFT的电位而决定,因此,通过将所检测到的二次电子量与正常状态下的二次电子量进行比较,能够对有无缺陷进行判定,且可以根据电子光束的照射位置来求出基板的缺陷部位的位置,另外,通过选择施加在TFT阵列上的信号图案,可以求出缺陷的类型。
另外,作为通过非接触来对基板的缺陷进行检测的缺陷检测部2A1的其他形态,有如下结构.:…利用激发源来激发基板,由检测器M对基板的激发状态进行检测。另外,图1中表示出相同的检测器2d以作为检测器,但是对二次电子进行检测的检测器和对激发状态进行检测的检测器未必是相同的检测器,可具有与各检测形态相对应的检测器。作为激发该基板100的激发源,例如,可以使用飞秒激光2b或半导体可变波长激光2c。
基板100上的缺陷部位与正常部位成为不同的激发状态。通过对该不同的激发状态进行检测而求出缺陷部位的位置和缺陷的类型。另外,在基板上,作为表示激发状态的物理特性,有温度、折射率等各种特性,可以根据需要而适当选择。
缺陷类型确认部2A2对由缺陷检测部2A1检测并分类的缺陷类型来确认所述缺陷的类型。缺陷检测部2A1对缺陷类型进行分类时,是例如根据检测信号的强度或施加在TFT阵列上的信号图案来判断的,因此,有时存在误差,有时判定为错误的缺陷类型。因此,在由修正部3对缺陷部位进行修正之前,利用缺陷类型确认部2A2来进行确认。该缺陷类型的确认,是例如通过对由显微CCD (Charge Coupled Device,电荷耦合器件)照相机2e等的光学观察系统所拍摄到的图像来进行光学性观察而确认的。该光学性观察可以通过目视摄像图像而实现。
修正部3根据由第一检查部2A检测出的缺陷部位的位置数据来指定缺陷部位,同样,根据由第一检查部2A检测出的缺陷部位的缺陷类型数据来基于缺陷类型而进行修正。作为修正部3,例如,可以使用切割、局部成膜部3A。切割、局部成膜部3A,例如,在属于断路状态的缺陷时,对相关部位进行成膜,在属于短路状态的缺陷时,对相关部位进行切割,由此对缺陷进行修正。作为该切割、局部成膜部3A,例如,可以使用激光光源3a。
其次,第一检查部2B对经过修正部3修正的缺陷部位进行重新检查,并对缺陷的修正状态进行验证。该第一检查部2B的目的在于对所述缺陷部位的修正进行验证,因此,具有以像素为单位来进行检查的重新检查部2B1。该重新检查部2B1,可以使用例如接触型微探针2f。接触型微探针2f以检查对象的1个像素为单位,直接对所述像素的电位信号进行检测,由此对TFT的驱动状态进行检查。
另外,当缺陷冲企测部2A1和重新;险查部2B1对TFT的驱动状态进4亍检查时,必须对TFT阵列施加预定的检查图案的信号。因此,该检查部2具有电压施加部2g,由此,对TFT阵列施加预定的检查图案的信号。
在所述结构中,送入到腔室4内的基板100,能够在例如载置在平台(未图示)上的状态下,由第一检查部2A对缺陷部位进行检测、由修正部3对已检测出的缺陷部位进行修正、以及由第二检查部对修正部分进行验证,因此,可不需要从腔室4运出基板100或再向腔室4送入基板100。
另外,缺陷类型确认部2A2中,作为对缺陷部位的缺陷类型进行光学观察时的缺陷部位的位置坐标,可直接使用由缺陷检测部2A1检测出的缺陷部位的坐标数据,因此,可不需要在该阶段内向外部的主机服务器5传送数据。另外,修正部3中,作为对缺陷部位的缺陷进行修正时的缺陷部位
的位置坐标、和缺陷的类型,可直接使用由第一检查部2A检测出的缺陷
部位的坐标数据与缺陷类型数据,因此,可不需要在该阶段内向外部的
主机服务器5传送数据。
向主机服务器5传送数据这一处理,可在第一检查部2A、修正部3、 以及第二检查部2B的各处理结束之后仅进行一次。
图2是用于对本发明的基板检查及修正装置1的处理动作进行说明 的流程图。
首先,将前段步骤6中形成了阵列的基板100,投入到基板检查及 修正装置1的腔室4内(Sl )。通过对准操作来与腔室4内的基准位置进 行位置对准。该对准包括以下操作从主机服务器5获得基板的尺寸或 形成在基板上的像素的位置或尺寸等的基板数据(S2 ),根据已获得的基 板数据来对基板100与检查扫描系统的基准位置进行位置对准(S3)。
对准之后,对基板面进行扫描且获得检测信号。该扫描可以通过对 TFT阵列施加检查的信号图案时的电位状态进行的检测来进行。电位状 态的检测,在使用例如电子光束作为输入探针时,可通过该电子光束的 扫描、和支撑该基板的平台(未图示)的移动,来改变照射在基板上的 电子光束的位置而进行。该基板扫描除了可使用所述的非接触型电子光 束2a以外,还可以使用飞秒激光2b或半导体可变波长激光2c等的激发 源(S4)。
对通过基板扫描而获得的检测信号进行解析且对基板的缺陷进行评 估(S5),当基板上存在缺陷时,对所述缺陷类型进行分类(S6),利用 显微CCD照相机2e等的光学观察系统来对所述缺陷类型进行确认(S7 )。
对缺陷类型进行确认(S8),且判断为所述缺陷可修正时,使用激光 光源3a等来进行缺陷修正,如果是短路状态则进行切割处理,如果是断 路状态则进行成膜处理等(S9)。
对缺陷进行修正之后,对TFT阵列施加检查的信号图案,使修正部 分与接触型微探针2f接触,对相关部位的电位进行检测,由此进行重新 检查(SIO)。
当S8中判断为无法修正时、以及SIO的重新检查结束之后,对这些 与修正有关的数据、缺陷部位的坐标位置数据、或缺陷类型数据等进行 统计处理的数据处理(Sll),将数据传送到主机服务器5之后(S12), 从腔室4运出基板100 (S13)。根据本发明的结构,由第二;^查部2B完 成了重新检查,因此,无须像以前一样为了进行再次检查而送入基板, 便可进入下一步骤。
图3 (a)、图3 (b)是用于将本发明的基板检查及修正装置与现有
ii结构中的工作时间等的处理进行比较的图。图3 (a)表示现有结构中的 处理的流程,图3(b)表示本发明的基板检查及修正装置的处理的流程。
图3 (a)所示的现有结构中,需要3个投入步骤来将基板投入到阵 列装置、修正装置、以及重新检查装置中,另外,需要3个运出步骤来 从各装置中运出基板。另外,向各装置投入基板之后,为了对各装置的 基准位置进行位置对准,需要对准3次。
对此,图3 (b)所示的本发明的基板检查及修正装置1中,基板仅 投入到一个腔室中,因此,投入步骤以及运出步骤均仅有1次即可。另 外,将基板投入到各装置之^,用于对各装置的基准位置进行位置对准 的对准也仅有1次即可,因此可以缩短工作时间。
另外,在现有结构中,必须在各装置与主机服务器之间获取基板的 相关数据、及传送由装置所获得的数据,因此共计为3次,相反,本发 明的基板检查及修正装置可以分别仅进行1次,所以,能够减小数据处 理所需要的占用量(运行时的存储器使用量)。
另外,所述示例中,基板检查时使用的是非接触型电子光束、飞秒 激光或半导体可变波长激光等的激发源,但是并不限定于这些示例,也 可以使用其他检查机构。另外,关于修正,也并不限定于使用激光光源, 也可以使用其他修正机构。
另外,在重新检查过程中,并不限于使用接触型微探针,也可以使 用利用电磁波的检测机构。
本发明不仅可以适用于液晶基板或有机EL基板,还可以适用于半导 体基板。
权利要求
1、一种基板检查及修正装置,其特征在于包括检查部,对形成着TFT阵列的基板进行缺陷检查,以及修正部,对缺陷阵列进行修正;且所述检查部和所述修正部,在同一腔室内对基板进行缺陷检查和缺陷修正。
2、 根据权利要求1所述的基板检查及修正装置,其特征在于,所述才企查部包括第一检查部,对基板的预定区域内的缺陷部位进行检测,并输出缺陷部位的像素坐标数据,对该缺陷部位的缺陷类型进行分类并输出缺陷类型数据;以及第二检查部,对基板的像素单位的TFT阵列的驱动状态进行检查,并输出TFT阵列的驱动状态,数据。
3、 根据权利要求2所述的基板检查及修正装置,其特征在于,所述第一检查部包括缺陷检测部,通过对基板的预定区域照射电子光束或者照射激发光来检测基板的缺陷部位,并输出缺陷部位的像素坐标数据;以及缺陷类型确认部,通过对所述缺陷检观'J部检测出的缺陷部位进行光学性观察来确认缺陷部位的缺陷类型的分类,并输出缺陷类型数据。
4、 根据权利要求3所述的基板检查及修正装置,其特征在于所述第一检查部的激发光是飞秒激光或者半导体可变波长激光。
5、 根据权利要求2所述的基板检查及修正装置,其特征在于所述第二检查部具有与基板的像素接触且对该像素的电位进行检测的接触型探针,根据经过所述修正部修正的部位的像素坐标数据来使接触型探针与基板的像素接触。
6、 根据权利要求2所述的基板检查及修正装置,其特征在于所述修正部具有激光光源,利用该激光光源所照射的激光并根据所述第 一检查部检测出的像素坐标数据以及已确认的缺陷类型数据,在缺陷部位进行切割或者局部成膜、或者进行这两者。
7、 一种基板评估系统,其特征在于具有权利要求1至权利要求6所述的任一个基板检查及修正装置,针对多个基板,对所述第 一检查部所得的缺陷部位的像素坐标数据和缺陷类型数据、所述修正部的修正像素的像素坐标数据和修正内容数据、以及第二检查部所得的修正结果数据进行统计处理,而获得基板的生产线的评估数据,且将该评估数据反馈给生产线。
全文摘要
一种基板检查及修正装置,包括检查部,对形成着TFT阵列的基板进行缺陷检查;以及修正部,对缺陷阵列进行修正;且,利用检查部和修正部在同一腔室内对基板进行缺陷检查与缺陷修正。由此,使基板的移动的相关步骤简化,另外,使装置与中央系统服务器之间所进行的数据的发送接收步骤简化。更详细而言,由第一检查部来输出缺陷部位的像素坐标数据、和缺陷部位的缺陷类型的缺陷类型数据,由修正部根据第一检查部检测出的缺陷部位的像素坐标数据、和已确认的缺陷类型的缺陷类型数据,来对所述缺陷部位进行修正。第二检查部对基板的像素单位的TFT阵列的驱动状态进行检查,并输出TFT阵列的驱动状态数据,且对修正后的状态进行重新检查。
文档编号H01L27/12GK101461063SQ20068005482
公开日2009年6月17日 申请日期2006年8月1日 优先权日2006年8月1日
发明者中谷敦夫, 今井大辅, 筱原真, 黑田晋一 申请人:株式会社岛津制作所