专利名称：窄阻抗变换装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及阻抗变换装置，特别涉及可以插入叠层对线中的阻抗变换装置。
背景技术：
日本专利申请公开JP10-224123提供了可以插入传输线路中的传统阻抗变换装置的实例。所公开的装置被设计用来插入微带线(amicrostrip line)，然而，它在垂直于插入叠层对线的线路的方向上太宽。
发明内容
本发明的目的是提供一种窄得足以插入叠层对线的阻抗转换装置。
本发明的阻抗转换装置包括第一、第二、第三和第四导体，其每个导体具有第一端和第二端。这些导体被安排成，第一和第二导体构成具有第一特性阻抗的第一传输线，第一和第三导体构成具有不同于第一特性阻抗的第二特性阻抗的第二传输线，第二和第四导体构成具有第二特性阻抗的第三传输线，以及第三和第四导体构成具有第一特性阻抗的第四传输线。
具有等于第一特性阻抗的电阻的第一电阻器连接在第二与第四导体的相互邻近的第二端之间。具有等于第二特性阻抗的电阻的第二电阻器连接在第三与第四导体的相互邻近的第一端之间。
四个导体发射在第一和第二导体的第一端输入以及在第一和第三导体的第二端输出的信号。第四导体最好具有不超过已发射信号的基本波长的四分之一的长度。
已发射信号的阻抗被有效变换，并且阻抗变换装置在垂直于诸导体纵向的方向上尺寸比较小，这允许阻抗变换装置在有限空间中形成，特别是允许插入叠层对线中。该阻抗变换装置的使用有助于减小微电子部件的尺寸。
图1是实施本发明的阻抗转换装置的透视图；图2是图1的阻抗转换装置的俯视图；图3是图1中阻抗变换装置的仰视图；图4是图1中阻抗变换装置的侧视图；图5是经过图2-4中沿线V-V的剖视图；图6是经过图2-4沿线VI-VI的剖视图；图7是经过图2-4沿线VII-VII的剖视图；图8是在时域反射计中使用的结构的俯视图；图9是图8中结构的仰视图；图10描绘了时域反射计以及同轴电缆和与其连接的探针；图11显示了由使用图8和图9的结构的时域反射计获得的示范波形；图12示意地描绘了图1中的阻抗变换装置，它具有连接在其输入侧的直流电源和连接在其输出侧的负载电阻器；图13示意地描绘了图1中的阻抗变换装置，它具有连接在其输入侧的脉冲生成器和连接在其输出侧的负载电阻器，以及为测量输出侧的电压而连接的示波器；图14是时域反射计中使用的阻抗变换装置的俯视图；图15是时域反射计中使用的阻抗变换装置的仰视图；图16显示了用图13所示的测量设置获得的示范波形；图17显示了用图13所示的测量设置获得的示范波形，该测量设置具有保持电开路的输出侧；图18显示了用图13所示的测量设置获得的示范波形，该测量设置具有延长导体的中间部分；图19是时域反射计中使用的另一结构的俯视图；图20是图19中的结构的仰视图；图21显示了由使用图19和20的结构的时域反射计获得的示范波形；图22是图示相互邻近的导体之间的串扰的透视图；图23是图示相互邻近的导体之间的串扰的剖视图；
图24是图示本发明的另一实施侧的剖视图。
具体实施例方式
下面参考附图描述实施本发明的阻抗变换装置，其中类似部件由类似的参考字符指示。
如图1-7所示，阻抗变换装置包括第一、第二、第三和第四带状导体11、12、13、14，第一和第二电阻器15、16，以及电介质层17。第一至第四导体11、12、13、14沿相互平行的直线延伸。
电介质层17具有第一表面或上表面17a(图1和图4-图7的最上面)和第二表面或者下表面17b。第一和第三导体11、13并排设置在电介质层17的上表面17a上，在垂直于它们长度的方向上彼此隔开，并平行于电介质层17的上表面17a和下表面17b。第二和第四导体12、14类似地并排设置在电介质层17的下表面17b上。
第一导体11和第二导体12被设置在电介质层17的相对侧上，这两个导体在垂直于电介质层17的上表面17a和下表面17b的方向上彼此面对。第三导体13和第四导体14类似地设置在电介质层17的相对侧上，并彼此面对。
如图2-4所示，阻抗变换装置1具有输入部分或区域1a，中间部分或区域1b，和输出部分或区域1c。输入区域1a是在阻抗变换装置1的输入端1d附近的区域；输出区域1c是在阻抗变换装置1的输出端1e附近的区域。中间区域1b是输入区域1a与输出区域1c之间的区域。输入区域1a、中间区域1b和输出区域1c相互邻接。
第一导体11跨过阻抗变换装置1的输入区域1a、中间区域1b和输出区域1c延伸；第一导体11具有分别设置在输入区域1a、中间区域1b和输出区域1c中的输入部分11a、中间部分11b和输出部分11c。
第二导体12跨过阻抗变换装置1的输入区域1a和中间区域1b延伸，并且具有分别设置在输入区域1a和中间区域1b中的输入部分12a和中间部分12b。
第三导体13跨过阻抗变换装置1的中间区域1b和输出区域1c延伸，并且具有分别设置在中间区域1b和输出区域1c中的中间部分13b和输出部分13c。
第四导体14仅仅跨过中间区域1b延伸，并且具有设置在中间区域1b中的中间部分14b。
第一导体11和第二导体12构成具有第一特性阻抗z1的传输线。
第二导体12和第四导体14构成具有不同于第一特性阻抗z1的第二特性阻抗z2的传输线。
第一导体11和第三导体13构成具有第二特性阻抗z2的传输线。
第三导体13和第四导体14构成具有第一特性阻抗z1的传输线。
第一导体11被设置成，一端(输入端)11d位于阻抗变换装置1的输入端1d上，另一端(输出端)11e位于阻抗变换装置1的输出端上。
第二导体12被设置成，一端(输入端)12d位于阻抗变换装置1的输入端1d上，另一端(输出端)12e位于阻抗变换装置1的中间区域1b与输出区域1c之间的边界1g上。
第三导体13被设置成，一端(输入端)13d位于阻抗变换装置1的输入区域1a与中间区域1b之间的边界1f上，另一端(输出端)13e位于阻抗变换装置1的输出端1e上。
第四导体14被设置成，一端(输入端)14d位于阻抗变换装置1的输入区域1a与中间区域1b之间的边界1f上，另一端(输出端)位于阻抗变换装置1的中间区域1b与输出区域1c之间的边界1g上。
第二导体12的输出端12e和第四导体14的输出端14e设置在电介质层17的下表面17b上，并且相互邻近。第三导体13的输入端13d和第四导体14的输入端14d被分别设置在电介质层17的下表面17b和上表面17a上，并且相互邻近。
第一电阻器15安装在电介质层17的下表面17b上。第一电阻器15互连第二导体12的输出端12e和第四导体14的输出端14e，并且具有等于第一特性阻抗z1的电阻R1。
第二电阻器16被构成为，在电介质层17上延伸。第二电阻器16互连第三导体13的输入端13d和第四导体14的输入端14d，并且具有等于第二特性阻抗z2的电阻R2。
第一特性阻抗z1的值(绝对值)是例如五十欧姆(50Ω)，并且第二特性阻抗z2的值(绝对值)是例如82Ω。
第一至第四导体11至14具有相同的截面结构，例如厚度(图5-图7中的垂直尺寸)为40微米，宽度(图5-图7中的水平尺寸)为0.8微米。(图中的尺寸未与实际尺寸成比例)电介质层17具有170微米的厚度；第一导体11与第二导体12之间的距离以及第三导体13与第四导体14之间的距离等于电介质层17的厚度。
第一导体11与第三导体13之间的距离以及第二导体12与第四导体14之间的距离都为100微米(0.1毫米)。
第一至第四导体在中间区域1b彼此平行，因此该区域在下文中被称为“四平行”部分。相反，输入区域1a和输出区域1c可以被称之为“二平行”部分，因为只有第一和第二导体11和12在输入区域1a中是平行的，并且只有第一和第三导体11和13在输出区域1c中是平行的。
阻抗变换器的中间区域1b的长度，即导体14的长度(导体11至14延伸的纵向的长度)最好不超过发射的信号的基本波长的四分之一，并且该长度最好至少10倍于第一导体11相距第二导体12以及第一导体11相距第三导体13的两个距离。特别是，该长度最好大于已发射信号的基础波长的1/64。
当按上述方式配置阻抗变换装置1时，它的输入阻抗Zin等于第一特性阻抗z1(50Ω)，并且其输出阻抗Zout等于第二特性阻抗z2(82Ω)。阻抗变换因而发生。这通过使用TDR(时域反射计)测量传输线阻抗来确认。
通过发射脉冲信号并观察测试中来自电路的脉冲的反射，实现TDR；TDR沿着信号的传输路径检测阻抗变化。
图8和图9是分别相应于图2和图3的用于时域反射计的结构的俯视图和仰视图。该结构类似于图1-7所示的阻抗变换装置1；电介质层117(相应于图1中的电介质层17)具有安装在其上表面117a上的第一导体111和第三导体113，以及安装在其下表面117b上的第二导体112和第四导体114。第一至第四导体111至114对应于图1-7中的第一至第四导体11至14，具有与第一至第四导体相同的厚度和宽度。第一导体111和第二导体112夹着电介质层117上彼此面对；第三导体113和第四导体114夹着电介质层117上彼此面对。电阻器15和16不连接；第一至第四导体111至114长度相等(LT＝80毫米)。
由和导体相同材料构成的条状导线121至124被安装在第一至第四导体111至114的端部111h至114h(图8和图9的左端)；连接片131至134被安装在导线121至124的端部。导线121至124的长度LL为12毫米。
测量由导体111和导体112、导体112和导体114、导体113和导体114以及导体111和导体113构成的每条传输线的阻抗。如图10所示，TDR设备51具有同轴电缆52，该同轴电缆端接探针53a和53b，用于发射信号脉冲并接收反射波；探针53a和53b接触导体构成传输线，所以可以输入信号和接收它们的反射。
特别是，为了测量由导体111和导体112构成的传输线的阻抗，导体111和导体112的连接片131和132被探针53a和53b接触；为了测量由导体113和导体114构成的传输线的阻抗，导体113和导体114的连接片133和134被探针53a和53b接触；为了测量由导体111和导体113构成的传输线的阻抗，导体111和导体113的其它端111i和113i被探针53a和53b接触；以及为了测量由导体112和导体114构成的传输线的阻抗，导体112和导体114的其它端112i和114i被探针53a和53b接触。
图11显示了显现在TDR设备51的显示器上的示范波形。在图11中，曲线B5a和B5b、B5c及B5d指示当导体111和导体112、导体113和导体114、导体111和导体113以及导体112和114分别被探针53a和53b接触时获得的波形；不同波形的零电平相互明显偏移地表示。
这些曲线的最左区域RXa至RXd指示同轴电缆52的阻抗(50Ω)；邻近右边的区域RXa至RXd的区域对应于探针53a和54b接触连接片131至134或者导体111至114的端部111i至114i；中间区域RPa至RPd指示导体111至114的阻抗(包括导体111和112的传输线的阻抗；包括导体113和114的传输线的阻抗；包括导体111和113的传输线的阻抗；以及包括导体112和114的传输线的阻抗)；以及最右区域ROa至ROd指示电开路端的阻抗。曲线B5a和B5b的区域RLa和RLb位于对应于探针53a和53b的接触部的中间区域RPa和RPb与区域RCa至RCd之间，该区域PLa和RLb指示导线121至124的阻抗；曲线B5c和B5d的区域RLc和RLd位于对应于电开路端的中间区域RPc和RPd与区域ROc和ROd之间，该区域RLc和RLd指示导线121至124的阻抗。
表1所示值可以作为每对导体的阻抗从所测量波形中读出。
表1
下面研究各种条件下的新阻抗变换装置1的阻抗变换效率和波形失真。
在第一情况研究中，具有等于第二特性阻抗z2(82Ω)的值的负载电阻器18被连接在阻抗变换装置1的输出端之间，即导体11和13的输出端11e与13e之间，如图12所示。在图12中，导体11至14被显示为共面的，以简化它们的电连接关系的描绘，并且还简化了电阻器15和16的描绘。
当直流电压Vin从直流电源60供应给图1-7中的阻抗变换装置1的输入端时，即供应给如图12所示的导体11和12的输入端11d和12d时，(在此情况下，可以忽略导体11至14中的电磁耦合)，经由输出端11e和13e出现的电压Vout由下式给出Vout＝Vin×{R2/(2×R2+R1+Rin)}其中Rin是直流电源60的内阻。
内阻Rin通常被做成等于输入阻抗R1；当Rin＝R1时，上式变成Vout＝Vin×{R2/(2×R2+2×R1}}...(1)如果R1＝50Ω和R2＝82Ω，则Vout＝Vin×{82/(2×50+2×82)}＝Vin×(82/264) ...(2)
如果Vin的值为500毫伏(500mV)，则Vout＝500×82/264＝155mV...(3)如图13所示，利用示波器65现看，从脉冲生成器61向图1-7的阻抗变换装置1的输入端施加电压脉冲串时出现在输出端的电压。在图13中，导体11至14被显示为共面的，并且以图12的相同简化方式描绘电阻器15和16。
在该测量中使用图14和15所示的实验阻抗变换装置1。图14和15所示的实验装置1基本上与图1-7所示的阻抗变换装置1相同，但是具有设置在导体11和12的输入端11d和12d上的导线121和122，以及设置在导线121和122端部的连接片131和132，类似于图8和图9所示的结构。电介质层17比图1-图7扩展得更远。
通过连接图13所示的电阻器15和16，以参考图1-图7描述的相同方式进行测量；具有等于第二特性阻抗z2(82Ω)的电阻(RL)的负载电阻器18连接在导体11和13的输出端(负载端)11e和13e上。导体11、12、13、14的中间部分11b、12b、13b、14b具有2毫米(2mm)的长度。
脉冲生成器61具有等于第一阻抗z1(50Ω)的内阻Rin并且被使用。脉冲生成器61的探针63a和63b与输入侧的连接片131和132接触。具有高阻抗差动探针66a和66b的示波器65被使用。所测量的波形被显示在图16中。
在图16中，曲线B6a、B6b、B6c、B6d和B6e指示当提供的脉冲的振幅为500mV并且脉冲串的频率分别为100MHz、500MHz、1GHz、2GHz和3GHz时获得的波形。
从已测量波形确定的波高值和上升时间(电压电平从波高的20％增加到80％所需的时间)被显示在表2中。
表2
实验获得的波高值与从式(3)获得的值之差(当施加直流时输出电压的值)归因于传输线中的电磁耦合。
例如，当频率为500MHz时，测量的波高为255.1mV。该值与从公式(3)获得的值之差(255.1mV-155mV＝100.1mV)代表电磁耦合所感应的电压分量，并且指示已经有效执行阻抗变换。
然后，利用阻抗变换装置1的输出端，特别是利用保持电开路的导体11和13的输出端11e和13e进行类似测量。除了保持输出端11e和13e电开路，负载电阻器18被省略之外，测量条件与上述的相同。所测量的波形被显示在图17中。从测量波形确定的波高值被显示在表3中。
如图17和表3所示，在输出端11e和13e保持电开路时，电压电平变高。即使当输出端保持电开路，使电路没有直流连接时，也向导体11和13的输出端发送足够的能量。当没有直流连接时，尽管仅仅通过电磁耦合发送能量，全反射也会发生在负载端11e和13e上，所以获得两倍的电压，并且阻抗变换造成的能量损失实际上可视地为零。
当抗变换装置1的输出端11e和13e连接到CMOS电路栅极时，它们几乎处于与保持电开路时相同的状态，所以结果估计将几乎与图17和表3所示的相同。
尽管在导体13和14之间连接的电阻器16(R2＝50Ω)造成失配反射，并且该反射具有频率依赖，但是如果没有失配，则波形将是平滑的。下面将参照图21解释失配的原因。
在上述实例(图16和图17)中，中间部分具有2毫米长度；图18显示了另一实验装置的已测量波形，其中中间部分具有20毫米的长度。在图18中，分别获得具有100MHz、500MHz、12GHz、2GHz和3GHz脉冲串频率的波形B8a、B8b、B8c和B8e。表4显示了从已测量波形确定的波高值。
表4
图18和表4显示了电压的降低和波形失真的增加。其原因被认为是边界1f与1g之间的长距离，这造成从一个边界反射到另一边界反射的比较长的时间消逝，导致扭曲波形的多反射。
如上所述，二平行部分1a和1c的特性阻抗和四平行部分1b的特性阻抗略微不同。因此发生多反射。为了避免多反射谐振，四平行部分应当具有不超过发射的信号的基本波长四分之一的长度。如果传输线的相对介电常数为4，则电磁波速度为1.5×108m/s，并且如果从脉冲生成器61提供的脉冲串的频率为3GHz，则必然是，波长为50毫米，波长的四分之一为12.5毫米。
四平行部分1b的长度只需满足再整形平行导体之间的电磁空间的电磁波。电磁波在垂直于它们传播方向的方向上的传播造成导体之间的干扰，并且传播速度与电磁波沿传输线传播的速度相同。如果电磁波可以在导体之间来回传播约五次，则电磁空间的再整形是可能的；对应于延迟时间的长度为隔开导体的两个距离(第一导体11与第二导体12之间的距离(170微米)和第一导体11与第三导体13之间的距离(100微米或0.1毫米)中较大的)中较大一个的10倍的长度。因此，如果导体之间的两个距离较大的一个为170微米，则该长度的十倍为1.7毫米；如果长度等于或者大于该值，则四平行结构是有效的。
利用时域反射计，四平行部分1b的特性阻抗和二平行部分1a和1c的特性阻抗被确定为不同。图19和20显示在时域反射计试验中使用的结构。通过删除第三导体113和第四导体114的端部113i和114i附近的部分，进一步修改图8和图9所示的结构。已删除部分的长度LS为25毫米；具有已删除部分的段构成二平行部分。剩余段(没有删除部分的段)具有55毫米的长度LD，它构成四平行部分。该结构的第一导体111和第二导体112的连接片131和132通过TDR设备51的探针53a和53b接触。图21中显示了已测量的波形。较之图11，图21中的纵轴被放大。
在图21中，区域RXa对应于同轴电缆52的段，区域RCa对应于导线121和122，区域RPa1对应于四平行部分(长度LD)，区域RPa2对应于二平行部分(长度LS)，以及区域ROa对应于电开路端。
图21所示的四平行部分(长度LD)的阻抗为48Ω，二平行部分(长度LS)的右侧区域RPa22(不包括邻近对应于四平行部分的区域RPa1的区域RPa21)为51.2Ω；反射出现归因于该差异。设置上述的四平行部分1b长度的上限，以便避免反射重复出现导致的多反射。
在对应于二平行部分的区域RPa2中，特性阻抗在邻近对应于四平行部分的区域RPa1的区域RPa21逐渐改变。该部分对应于125微微秒时间，它是TDR设备51的阶跃波形的上升时间造成的跌落(35微微秒，与接触段RCa和电开路端ROa上的跌落相同)和检测变化所用时间之和；这些因素不能精确分离，但是在监测期间操作的物理现象类似于上述的电磁空间的再整形。
下面将参考图22和23描述导体之间的电磁耦合，即串扰。
如图22所示，输入给平行导体11至14之一的脉冲能量造成邻近导体干扰的不同组合；最佳状态最终是通过如图23所示在最近的导体中感应反转能量的电磁干扰的状态，串扰能量对应于电磁散布能量。这位于正向波中。尽管还可能感应反向波，但在此予以省略。输入感应垂直耦合(图1中的垂直相邻导体11与12之间的耦合)，所以左上导体变成相邻垂直耦合的输出。然而由于水平耦合(图1中的水平相邻导体之间的耦合)，能量变成一侧的原始能量和远端合成波(右上)能量之和；通过试验获得，大于155mV的分直流电压的250mV电压。差异代表阻抗变换效率的改进。如果对应于图22和23所示的关系甚至瞬间(在干扰以光速发生期间的时间)被形成，则实现平行导体之间的能量状态，最小长度因而是上述的长度。
尽管在图1-7中，导体被设置在电介质层的上表面和下表面上，但是如图24所示的在电介质材料21中嵌入导体11至14的结构(剖视图类似于图6)也是可能的。可以以形成两对叠层对导体的相同方式形成第一至第四导体11至14。
在上述实施方式中，第一至第三导体11至13具有输入部分11a和12a和输出部分11c和13c，以及中间部分11b、12b和13b，但是阻抗变换装置可以仅仅包括中间部分；输入部分11a和12a以及输出部分11c和13c可以被省略。
尽管在上述实施例中，第一至第四导体11至14在直线上延伸，但是它们可以是弯曲的。第一至第四导体11至14的截面形状和尺寸不需要都是相同的；某些可以不同于其它。
本领域普通技术人员可知在所附权利要求定义的本发明的范围之内进一步的变形是可能的。
权利要求
1.一种阻抗变换装置，包括第一导体，具有第一端和第二端；第二导体，具有第一端和第二端，该第二导体相对于第一导体设置，使第一导体和第二导体构成具有第一特性阻抗的第一传输线；第三导体，具有第一端和第二端，该第三导体相对于第一导体设置，使第一导体和第三导体构成具有不同于第一特性阻抗的第二特性阻抗的第二传输线；第四导体，具有第一端和第二端，该第四导体相对于第二导体设置，使第二导体和第四导体构成具有第二特性阻抗的第三传输线，并且第四导体相对于第三导体设置，使第三导体和第四导体构成具有第一特性阻抗的第四传输线；第一电阻器，具有等于第一特性阻抗的电阻，具有连接第二导体的第二端的第一端和连接第四导体的第二端的第二端；以及第二电阻器，具有等于第二特性阻抗的电阻，具有连接第三导体的第一端的第一端和连接第四导体的第一端的第二端；其中第二和第四导体的第二端相互接近；和第三和第四导体的第一端相互接近。
2.根据权利要求1所述的阻抗变换装置，其中第一导体具有输入部分、中间部分和输出部分；第二导体与第一导体的输入部分和中间部分构成所述的第一传输线；第三导体与第一导体的中间部分和输出部分构成所述第二传输线；以及第四导体与面对第一导体的中间部分的第二导体的一部分构成所述第三传输线，并且与面对第一导体的中间部分的第三导体的一部分构成所述第四传输线。
3.根据权利要求2所述的阻抗变换装置，其中第一、第二、第三和第四导体相互平行。
4.根据权利要求2所述的阻抗变换装置，其中第一导体的输入部分、中间部分和输出部分相互邻接。
5.根据权利要求1所述的阻抗变换装置，其中第一导体和第二导体在第一方向相互隔开；第三导体和第二导体在第一方向相互隔开；第一导体和第三导体在垂直于第一方向的第二方向相互隔开；以及第二导体和第四导体在第二方向相互隔开。
6.根据权利要求5所述的阻抗变换装置，其中第一、第二、第三和第四导体的每一个都具有矩形横截面，该横截面具有沿第一方向延伸的第一侧和沿第二方向延伸的第二侧。
7.根据权利要求1所述的阻抗变换装置，其中第一和第二导体相互隔开第一距离，第一和第三导体相互隔开第二距离，第四导体的长度至少是第一距离的十倍并且至少也是第二距离的十倍。
8.根据权利要求7所述的阻抗变换装置，其中第一、第二、第三和第四导体发射具有基本波长的信号，并且第四导体具有不超过所述基本波长的四分之一的长度。
9.根据权利要求1所述的阻抗变换装置，其中第一、第二、第三和第四导体发射具有基本波长的信号，并且第四导体具有不超过所述基本波长的四分之一的长度。
10.根据权利要求1所述的阻抗变换装置，还包括具有两个主表面的电介质部件，第一和第三导体被设置在所述主表面的一个主表面上，第二和第四导体被设置在所述主表面的另一主表面上。
11.根据权利要求1所述的阻抗变换装置，还包括嵌入第一、第二、第三和第四导体的电介质部件。
全文摘要
本发明的阻抗变换装置具有四个导体，这些导体被安排成，第一和第二导体构成具有第一特性阻抗的传输线，第三和第四导体构成具有第一特性阻抗的传输线，第一和第三导体构成具有第二特性阻抗的传输线，以及第二和第四导体构成具有第二特性阻抗的第三传输线。第二和第四导体经由等于第一特性阻抗的电阻在接近端互连。第三和第四导体经由等于第二特性阻抗的电阻在接近端互连。阻抗变换装置的侧边尺寸小得足以允许插入叠层对线。
文档编号H01P3/08GK101013767SQ20071000791
公开日2007年8月8日 申请日期2007年1月30日 优先权日2006年1月30日
发明者大塚宽治, 宇佐美保, 秋山丰 申请人:大塚宽治, 宇佐美保, 秋山丰, 冲电气工业株式会社, 株式会社东芝, 富士通株式会社, 株式会社瑞萨科技, 京瓷株式会社, 富士施乐株式会社