专利名称：焊垫刻蚀的方法
技术领域：
本发明涉及半导体刻蚀制程，尤其涉及一种焊垫刻蚀的方法。
背景技术：
焊垫刻蚀的制程通常包括刻蚀，去除光刻胶以及清洗三个步骤。焊垫刻蚀包括如下步骤首先，充入氩气及氧气，清洗焊垫表面，去除残留在焊垫表面上的光阻剂及其他在之前制程中残留的聚合物；然后再充入氩气，氧气，四氟化碳以及三氟化碳的混合气体，从而刻蚀焊垫上的氮化物层；之后充入氩气，氧气，以及八氟化四碳的混合气体，以去除焊垫上的氧化物层；最后充入氩气，氧气及四氟化碳的混合气体，去除氮化钛以及部分的铝层，使铝暴露出来。
在去除氧化物层的步骤中，充入的八氟化四碳很容易产生大量的聚合物粘贴在焊垫的侧壁。焊垫在刻蚀过程中或者刻蚀后，聚合物容易从侧壁脱落。在后续的清洗制程需要彻底清洗侧壁的聚合物，然而，通常由于焊垫刻蚀时产生的聚合物不容易被清洗干净，从而降低焊垫的良率。
现有技术有两种方法解决上述缺陷，一种是增加去除光刻胶的时间或者在去除光刻胶的过程中添加一些气体，这种方法需要改进去除光刻胶的设备，会较大提高生产成本。另外一种方法是在制程中增设一个湿法清洗制程以彻底清洗焊垫的侧壁，然而，由于增设了一个制程，延长了生产的周期，降低了焊垫的产量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种焊垫刻蚀方法，该方法产生的聚合物更容易清洗。
为实现上述目的，本发明提供一种焊垫刻蚀的方法，其包括如下步骤清洗焊垫表面，依次刻蚀氮化物层，氧化物层以及氮化钛以使铝暴露出来；其中，该方法在刻蚀氧化物层时同时充入产生聚合物较少的气体。
所述产生聚合物较少的气体为四氟化碳。
刻蚀氧化物层时需要充入氩气，氧气，四氟化碳以及八氟化四碳的混合气体，以去除焊垫上的氧化物层。
刻蚀氧化物层降低八氟化四碳的浓度以便四氟化碳充入。
与现有技术相比，本发明有效解决了由于八氟化四碳产生的聚合物较多而造成焊垫侧壁的聚合物不易被清洗的缺点，在不影响刻蚀效果的前提下适量降低八氟化四碳的浓度，而对应加入四氟化碳，有效减少在焊垫侧壁生成的聚合物，该聚合物更容易在后续清洗制程中清洗干净。
具体实施例方式 焊垫刻蚀的方法包括如下步骤首先，充入氩气及氧气，清洗焊垫表面，去除残留在焊垫表面上的光阻剂及其他在之前制程中残留的聚合物；然后再充入氩气，氧气，四氟化碳以及三氟化碳的混合气体，从而刻蚀焊垫上的氮化物层；之后充入氩气，氧气，四氟化碳以及八氟化四碳的混合气体，以去除焊垫上的氧化物层；最后充入氩气，氧气及四氟化碳的混合气体，去除氮化钛以及部分的铝层，使铝暴露出来。
本发明的特点在于去除氧化物层的过程中降低了八氟化四碳的浓度，并加入了四氟化碳气体。由于八氟化四碳产生的聚合物较多，而四氟化碳产生的聚合物较少，所以在不影响刻蚀效果的前提下适量降低八氟化四碳的浓度，而对应加入四氟化碳，会有效减少在焊垫侧壁生成的聚合物，该聚合物更容易在后续清洗制程中清洗干净。
权利要求
1. 一种焊垫刻蚀的方法，其包括如下步骤清洗焊垫表面，依次刻蚀氮化物层，氧化物层以及氮化钛以使铝暴露出来；其特征在于该方法在刻蚀氧化物层时同时充入产生聚合物较少的气体。
2. 如权利要求1所述的一种焊垫刻蚀的方法，其特征在于所述产生聚合物较少的气体为四氟化碳。
3. 如权利要求2所述的一种焊垫刻蚀的方法，其特征在于刻蚀氧化物层时需要充入氩气，氧气，四氟化碳以及八氟化四碳的混合气体，以去除焊垫上的氧化物层。
4. 如权利要求3所述的一种焊垫刻蚀的方法，其特征在于刻蚀氧化物层时降低八氟化四碳的浓度以便四氟化碳充入。
全文摘要
本发明提供一种焊垫刻蚀的方法，其包括如下步骤清洗焊垫表面，依次刻蚀氮化物层，氧化物层以及氮化钛以使铝暴露出来；其中，该方法在刻蚀氧化物层时同时充入产生聚合物较少的气体。所述产生聚合物较少的气体为四氟化碳。与现有技术相比，本发明有效解决了由于八氟化四碳产生的聚合物较多而造成焊垫侧壁的聚合物不易被清洗的缺点，在不影响刻蚀效果的前提下适量降低八氟化四碳的浓度，而对应加入四氟化碳，有效减少在焊垫侧壁生成的聚合物，该聚合物更容易在后续清洗制程中清洗干净。
文档编号H01L21/3213GK101281868SQ20071003919
公开日2008年10月8日 申请日期2007年4月6日 优先权日2007年4月6日
发明者巍 蒋, 王宏玲, 石小兵 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司