专利名称：一种晶圆缺陷的修复方法
技术领域：
本发明涉及半导体工艺，尤其涉及一种晶圆缺陷的修复方法。
技术背景在半导体工艺中，苯并环丁烯(Benzo-cyclo-bu;ene， BCB )应用^艮广泛， 其具有低的介电常数、低的吸湿率、高的热稳定性和化学稳定性，以及高的薄 膜平整度(一般〉95%),尤其适用于高性能介电薄膜材料和微电子器件的生产 应用。然而，苯并环丁烯单体有硅原子(silicon atomic),其4艮容易被氧化成氧化 硅，这些氧化硅会很容易引起苯并环丁烯断裂。在半导体生产工艺中，当苯并 环丁烯在固化过程中，由于混入氧气浓度异常等原因，很容易造成苯并环丁烯 断裂，现有技术对这种现象无法进行修复，只能报废该晶圆，从而降低了晶圓 的良率。显然，现需要一种修复此类缺陷的方法。 发明内容本发明的目的在于提供一种晶圓缺陷的修复方法，其可以修复由于苯并环 丁烯造成的晶圆缺陷。为实现上述目的，本发明提供一种晶圆缺陷的修复方法，修复由于苯并环 丁烯氧化形成的氧化硅附着在晶圆表面产生的晶圆缺陷，首先将晶圓置入一个 封闭的真空腔体，充入氩气，氩气在压力作用下产生电浆形态的蚀刻物种，并 在强电场加速作用下轰击晶圓表面的氧化硅，从而去除晶圆表面的氧化硅。氩气在压力作用下分解为氩离子。氩离子受强电场加速，形成高能量的离子流轰击晶圆表面的氧化硅，使氩 离子与氧化硅发生物理碰撞，从而去除晶圆表面的氧化硅。与现有技术相比， 一旦发现苯并环丁烯受到氧化时就采用本发明的修复方 法，避免由于苯并环丁烯断裂造成晶圆报废，有效提高晶圓的良率。
具体实施方式
本发明的方法是针对已经出现缺陷的晶圓进行补救，产生这种缺陷的根源 是由于苯并环丁烯受到氧化时形成的氧化硅附着在晶圆表面。本发明采用了賊射刻蚀(sputter etch)的方法进行4务复。首先，将出现缺陷的晶圓置入一个封闭的真空腔体，打开等离子光源发生 器，调整真空腔体的压力，将氩气作为反应气体充入反应腔体，氩气分解为电 浆形态的蚀刻物种，如离子及自由基(Radicals)。在本发明较佳实施例中，氩气在压力作用下产生的氩离子，氩离子受强电 场加速，形成高能量的离子流轰击晶圆表面的氧化硅，使氩离子与氧化硅发生 物理碰撞，从而去除晶圓表面的氧化硅。被氩离子轰击的氧化硅脱离晶圆表面， 并扩散至气体中并排出。本发明通过氩离子撞击的作用有二 一是将氧化硅的原子键结破坏；二是 将再沉积于晶圆的产物或聚合物(Polymer)打掉。在本发明较佳实施例中，真空腔体内的反应参数分别为氩气的速率为4sccm (每分钟一个标准立方厘米)，等离子光源的功率为800w (瓦)，反应腔体压力 为9 x 10—4mbar (毫巴)，反应时间为60s (秒)。
权利要求
1、一种晶圆缺陷的修复方法，修复由于苯并环丁烯氧化形成的氧化硅附着在晶圆表面产生的晶圆缺陷，其特征在于将晶圆置入一个封闭的真空腔体，充入氩气，氩气在压力作用下产生电浆形态的蚀刻物种，并在强电场加速作用下轰击晶圆表面的氧化硅，从而去除晶圆表面的氧化硅。
2、 如权利要求1所述的一种晶圆缺陷的修复方法，其特征在于氩气在压力作 用下分解为氩离子。
3、 如权利要求2所述的一种晶圆缺陷的修复方法，其特征在于氩离子受强电 场加速，形成高能量的离子流轰击晶圆表面的氧化硅，使氩离子与氧化硅发生 物理碰撞，从而去除晶圆表面的氧化硅。
全文摘要
本发明提供一种晶圆缺陷的修复方法，修复由于苯并环丁烯氧化形成的氧化硅附着在晶圆表面产生的晶圆缺陷，首先将晶圆置入一个封闭的真空腔体，充入氩气，氩气在压力作用下产生电浆形态的蚀刻物种，并在强电场加速作用下轰击晶圆表面的氧化硅，从而去除晶圆表面的氧化硅。其中，氩气在压力作用下分解为氩离子。氩离子受强电场加速，形成高能量的离子流轰击晶圆表面的氧化硅，使氩离子与氧化硅发生物理碰撞，从而去除晶圆表面的氧化硅。与现有技术相比，一旦发现苯并环丁烯受到氧化时就采用本发明的修复方法，避免由于苯并环丁烯断裂造成晶圆报废，有效提高晶圆的良率。
文档编号H01L21/02GK101330020SQ200710042410
公开日2008年12月24日 申请日期2007年6月22日 优先权日2007年6月22日
发明者王孝远, 靳永刚 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司