专利名称：晶圆缺陷的改善方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域的研磨工艺，具体地说，涉及一种在研磨工艺 中减少晶圆缺陷的改善方法。
背景技术：
随着IC元件逐渐采用小尺寸、高聚集化的多层立体布线后，光刻工艺中对
解析度和焦点深度的限制越来越高，因此对晶圆的表面平整度有较高的要求， 特别当需要三层或四层以上的金属层时，对平坦化技术的需求更显得重要。化
学机械研磨(Chemical Mechanical Polish,以下简称"CMP")是实现晶圆平坦 化的主要技术。
在晶圆制造过程CMP步骤中，金属导线CMP步骤是一道重要工序。形成 晶圓电路图形的金属导线可以是铜、铝或者是铜铝合金。金属导线的缺陷越小， 晶圆电路导通性能就越好，所以金属导线CMP工艺需要严格控制。
然而，采用现有技术和设备，在晶圆进行铜CMP步骤后检测发现，铜的表 面有很多凹形缺陷。这是因为铜产生了氧化反应腐蚀造成的。如果在进行铜CMP 步骤之前在铜的表面滴一滴去离子水，去离子水在蒸发的过程中，空气中的氧 气会在这滴去离子水周围与铜发生了氧化反应。这说明，如果在进行铜CMP之 前，清洗晶圓的过程中，有少量去离子水滴在铜的表面，就会出现上述的凹形 缺陷，从而影响晶圆的成品率。
因此，需要提供一种改善方法以克服或者至少减少晶圆缺陷。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种可减少晶圆在金属导线CMP步骤后产 生缺陷的改善方法。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种新的晶圆缺陷的改善方法。该改 善方法是在晶圓进行金属导线化学机械研磨步骤之前，将金属导线整个表面保
持湿润，使金属导线和空气隔离。
与现有技术相比，本发明通过在进行金属线CMP之前保持晶圆的金属导线 的整个保持湿润，使金属导线和空气隔离，避免产生凹形缺陷，起到了提高晶 圓成品率的有益效果。
具体实施例方式
以下对本发明一实施例进行详细描述，以期进一步理解本发明的目的、具 体结构特征和优点。
本发明提供了一种晶圓缺陷的改善方法，用于改善在晶圆的金属导线CMP 制程中产生凹陷缺陷的状况。其中本实施例中的金属导线是指铜。
本发明的改善方法是在进行铜CMP之前，将晶圆的被研磨表面，尤其是铜 的表面要完全保持湿润，将铜与空气隔离。其中保持晶圆被研磨表面保持湿润 的方法有很多种，如可以在进行铜CMP之前，将晶圆浸在去离子水中，也可以 定时在晶圆的被研磨表面喷洒去离子水，来保证铜与空气隔离。
采用本发明的改善方法，可以杜绝金属导线与空气中的氧气接触，'避免了 发生氧化反应，从而大大减少了金属导线表面的凹形缺陷，提高晶圆成品率。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据上述揭示内容 进行简单的修改、变换，如采用保持晶圓被研磨表面湿润的其他方法，但均属 于权利要求书的保护范围。
权利要求
1. 一种晶圆缺陷的改善方法，其特征在于，在晶圆进行金属导线化学机械研磨步骤之前，使金属导线整个表面保持湿润，将金属导线和空气隔离。
2. 如权利要求1所述的改善方法，其特征在于所述保持湿润的方法是将晶圆 浸没在去离子水中。
3. 如权利要求1所述的改善方法，其特征在于所述保持湿润的方法是定时向 晶圆喷洒去离子水。
4. 如权利要求1所述的改善方法，其特征在于所述金属导线是铜。
全文摘要
本发明公开了一种晶圆缺陷的改善方法，涉及半导体制造领域的研磨工艺。该改善方法是在晶圆进行金属导线化学机械研磨步骤之前，使金属导线整个表面保持湿润，将金属导线和空气隔离。与现有技术相比，本发明通过将金属导线和空气隔离，避免产生凹形缺陷，提高了晶圆成品率。
文档编号H01L21/70GK101378020SQ200710045480
公开日2009年3月4日 申请日期2007年8月31日 优先权日2007年8月31日
发明者彭凌剑, 闫大鹏 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司