专利名称：晶圆表面焊接突起的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件的制造工艺，具体地说，涉及一种晶圆表面焊接突 起的制作方法。
背景技术：
在半导体器件制造的后段工艺中，为了实现多个晶圆的封装或者晶圆与电路板连接，需要在晶圓表面制作焊接突起(bump)。请参阅图l，现有的焊接突 起的制作方法是首先在晶圆1的表面涂干膜(dry film) 13,干膜13是一种固体 的感光性光阻剂；然后进行曝光、显影步骤，在干膜13上形成若干开口；接着 向开口内电镀金属，在晶圆表面形成坪接突起；最后，将晶圓表面剩余的干膜 去掉。现有的去掉剩余干膜的步骤是将晶圆放入剥离液中，干膜吸收剥离液后膨 胀，在晶圆的反复运动下分解，进而被剥离。由于干膜是固体的，不容易剥离， 所以一般需要将剥离液的温度加热到60-80°C。整个剥离过程大致需要90-150 分钟，但是实际应用中发现，采用上述处理方法不能将干膜剥离干净，尤其是 存在大片干膜的区域，造成晶圆表面污染。而且，结合图1,在剥离剩余干膜的 过程中，由于剥离液的高温作用以及干膜对剥离液的吸收，干膜高度膨胀对焊 接突起产生了较大挤压力。分布密集且均匀的焊接突起11受到挤压力相互抵消， 一般不会出现移位现象。但是对于边缘处的焊接突起12来说，其一侧是均匀分 布的焊接突起11, 一侧是大片的干膜，挤压力无法均衡，造成边缘处的焊接突 起12向一侧偏移，严重时相邻焊接突起连通，发生短路，影响晶圆的成品率。发明内容有鉴于此，本发明解决的技术问题是提供一种晶圆表面焊接突起的制作方 法，其容易将干膜移除干净，且避免或减小焊接突起的偏移。为解决上述技术问题，本发明提供了一种新的晶圆表面焊接突起的制作方
法，其包括如下步骤a.在晶圆的表面涂干膜；b.进行曝光以及显影步骤， 在干膜上形成深度与干膜厚度相等的主开口以及深度小于干膜厚度的若干个辅 助开口，所述辅助开口将显影后剩余的干膜分成若干区域；c.向主开口内电镀 金属以在晶圆表面形成焊接突起；d.移除剩余的干膜。与现有技术相比，本发明提供的制作方法通过在干膜上设置若干个深度小 于干膜厚度的辅助开口，在金属电镀完成后，不仅可以轻易将干膜移除干净， 而且在移除过程中，辅助开口緩冲了干膜剥离过程中因膨胀产生的挤压力，避 免或者至少减小了边缘的焊接突起偏移，从而起到了提高产品成品率的有益效 果。
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的 目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图l是现有完成焊接突起制作后晶圆表面的示意图。图2是本发明制作方法的显影步骤后晶圓表面的示意图。图3是图2的纵截面示意图。图4是电镀金属后晶圓纵截面的示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明晶圓表面焊接突起的制作方法的较佳实施例进行描 述。请参阅图2，本发明提供焊接突起的制作方法首先在晶圆2表面涂一层干膜 23,该干膜可以是正光阻也可以是负光阻，本实施例中的干膜23是负光阻。继续参阅图2且结合图3,然后在干膜23上形成深度与干膜厚度相等的主 开口 21以及深度小于干膜厚度的数个辅助开口 24。所述辅助开口 24位于主开 口21的周围，本实施例中，辅助开口的横截面为狭长的长方形，且窄边的长度 是8-30微米(um)。该主开口 21和辅助开口 24形成步骤可以釆用下面两种方 式进行-(1)提供一掩^f莫版，其具有制作主开口 21的主图形以及制作辅助开口 24 的辅助图形，开启曝光设备，利用该掩模版对干膜23进行曝光步骤，然后进行 显影步骤，将未曝光区的干膜去掉，形成主开口 21和辅助开口 24;由于干膜分
辩率的限制和辅助开口 24的狭长行结构限制，相同的曝光能量和显影时间，形 成的辅助开口 24不会穿透干膜23;,(2)首先提供第一掩^^莫版，其具有制作主开口 21的主图形，开启曝光设 备，利用第一掩模版对干膜23进行第一次曝光步骤，然后进行第一次显影步骤， 干膜23的未曝光区被显影液去除掉，形成上述主开口21;然后提供第二个掩模 版，其具有制作辅助开口 24的辅助图形，开启曝光设备，利用第二掩^^莫版对干 膜23进行第二次曝光步骤，然后进行第二次显影步骤，且第二次显影步骤的显 影时间比第一显影时间短，干膜23的未曝光区被显影液去除掉，形成上述辅助 开口 24;由于第二次显影的时间短，所以无论辅助开口 24的形状是否是狭长形， 其都不会穿透干膜23。进行电镀金属步骤，在主开口 21形成焊接突起22,如图4所示。 ,最后，将晶圓放入剥离液中，在晶圆的反复运动下，移除剩余的干膜。参 阅图4并结合图2，由于在焊接突起22周围的干膜上设有若干个辅助开口 24, 将干膜分成若干小区域，使得剩余干膜很容易被剥离掉，不会造成晶圆的表面 污染。而且在剥离过程中，辅助开口 24对干膜膨胀提供了緩冲力，避免了边缘 的焊接突起受到不平衡的挤压力作用产生偏移。采用本发明提供的制作方法，不仅提高了剩余干膜的剥离速度和质量，而 且避免了在剥离过程中对焊接突起的影响，提高了产品的成品率。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的 限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，利 用上述揭示的方法内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，均属于 权利要求书保护的范围。
权利要求
1. 一种晶圆表面焊接突起的制作方法，其特征在于，该制作方法包括如下步骤a. 在晶圆的表面涂干膜；b.进行曝光以及显影步骤，在干膜上形成深度与干膜厚度相等的主开口以及深度小于干膜厚度的若干个辅助开口，所述辅助开口将显影后剩余的干膜分成若干区域；c.向主开口内电镀金属以在晶圆表面形成焊接突起；d.移除剩余的干膜。
2. 如权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述辅助开口横截面呈狭长状。
3. 如权利要求2所述的制作方法，其特征在于所述辅助开口横截面为狭长的 长方形。
4. 如权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于所述辅助开口横截面的窄 边长度为8-30um。
5. 如权利要求2所述的制作方法，其特征在于步骤b所述主开口和辅助开口 是在同 一曝光和显影步骤中进行的。6:如权利要求1所述的制作方法，其特征在于步骤b所述曝光和显影步骤分 别包括两次第一次曝光和显影步骤形成主开口，第二次曝光和显影步骤形成 辅助开口 ，其中第 一显影步骤的时间比第二次显影步骤的时间长。
全文摘要
本发明公开了一种晶圆表面焊接突起的制作方法，涉及半导体后段制造工艺。该制作方法包括如下步骤在晶圆的表面涂干膜；进行曝光以及显影步骤，在干膜上形成深度与干膜厚度相等的主开口以及深度小于干膜厚度的若干个辅助开口，所述辅助开口将显影后剩余的干膜分成若干区域；向主开口内电镀金属以在晶圆表面形成焊接突起；移除剩余的干膜。相较现有技术，本发明提供的制作方法通过在干膜上设置若干个深度小于干膜厚度的辅助开口，在金属电镀完成后，不仅可以轻易将干膜移除干净，而且在移除过程中，辅助开口缓冲了干膜剥离过程中因膨胀产生的不平衡挤压力，避免了边缘的焊接突起偏移。
文档编号H01L21/02GK101399215SQ200710046688
公开日2009年4月1日 申请日期2007年9月29日 优先权日2007年9月29日
发明者李德君 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司