专利名称：半导体器件中凹陷通道的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种制造半导体器件的方法，更具体地，是一种制造凹陷栅极的方法。
背景技术：
近年来DRAM的半导体器件的图案大小逐渐减小，引入凹陷栅极工艺以克服在单元区域中栅极形成期间由减少的通道长度所产生的短通道效应并改善刷新特征，也就是，可将通道区域凹入某一特定深度以形成具有较长的通道长度的凹陷栅极。典型地，该凹陷栅极工艺包括通过蚀刻衬底的凹陷通道区域形成凹陷通道，并在凹陷通道上形成栅极，该凹陷通道的底部一般可形成球状。
图1A显示典型凹陷栅极工艺的横截面图示意图。在衬底11中形成器件隔离结构12，通过蚀刻衬底11的某些部分而在衬底11中形成凹陷通道13。各凹陷通道13包括颈图案13A和球图案13B。凹陷通道13可被称为凹陷栅极图案。
根据该典型方法，包括四氟化碳(CF4)与氧(O2)的混合等离子体一般可用来形成凹陷通道13的球图案13B。然而，当根据该典型方法形成球图案13B时，在腔室表面上形成的聚合物会导致在形成圆形的球图案13B中失败。该失败可以由蚀刻器件和等离子体化学性质的不一致而产生。因此，所得产物的特征会产生缺陷并且会降低再现性。
图1B表示根据该典型方法的表现出缺陷的显微图。当比较正常地形成的球图案(参照“正常”)时，不正常地形成的球图案(参照“不正常”)并不具有所需尺寸。
发明内容
本发明的实施方案提供一种在半导体器件中形成凹陷通道的方法，其具有高再现性的球图案。
根据本发明的一方面，提供半导体器件中凹陷通道制造方法，包括在衬底上形成硬掩模图案；使用硬掩模图案蚀刻衬底以形成第一凹陷；在硬掩模图案和第一凹陷上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以在第一凹陷的侧壁上和硬掩模图案的侧壁上形成间隔；在第一凹陷下面使用含有氟化硫的气体混合物蚀刻衬底以形成第二凹陷；以及去除硬掩模图案与间隔。
根据本发明的另一个方面，提供半导体器件中凹陷通道的制造方法，包括在衬底上形成包括非晶碳层的硬掩模图案；利用该硬掩模图案蚀刻衬底以形成颈图案；在该硬掩模图案和颈图案上形成基于氧化物的层；蚀刻该基于氧化物的层以在颈图案侧壁上和硬掩模图案的侧壁上形成间隔；利用包括氯(Cl2)、溴化氢(HBr)、六氟化硫(SF6)、氧(O2)的气体混合物蚀刻颈图案下的衬底以形成球图案；以及去除该硬掩模图案与间隔。
图1A显示典型凹陷栅极工艺的横截面示意图；图1B表示根据典型方法的表现出缺陷的显微图；图2A～2F为根据本发明的特定实施方案制造凹陷通道的方法的横截面示意图；图3A～3C为比较根据形成间隔的蚀刻工艺和第二凹陷栅极蚀刻工艺的不同条件的球图案的临界尺寸(CD)的显微图；以及图4A和4B图示说明在特定条件下实施形成间隔的蚀刻工艺和第二凹陷栅极蚀刻工艺的之后的球图案的显微图。
具体实施例方式
本发明涉及一种在半导体器件中制造具有高再现性的球图案的凹陷通道的方法。当形成包括颈图案和球图案的凹陷通道时，球图案的形状可通过控制形成球图案的蚀刻工艺条件来精确地形成。
图2A～2F为根据本发明的特定实施方案中制造凹陷通道的方法的横截面示意图。
参照图2A，可利用浅沟槽隔离(STI)工艺在衬底21上形成器件隔离结构22。该器件隔离结构22填入沟槽中。该沟槽具有约3000～约4000的深度。
众所周知，STI工艺包括利用化学气相沉积(CVD)方法在衬底21上形成衬垫氧化物层。该衬垫氧化物层具有约100～约300的厚度。可在该衬垫氧化物层上形成衬垫氮化物层。该衬垫氮化物层具有约1000～约2000的厚度。蚀刻衬垫氮化物层、衬垫氧化物层以及衬底21形成沟槽。衬底结构之上可形成绝缘层并填入沟槽中。利用图案化的衬垫氮化物层作为研磨停止层来实施化学机械研磨(CMP)工艺。利用磷酸(H3PO4)去除图案化的衬垫氮化物层。而图案化的衬垫氧化物层也可被去除，使得介于器件隔离结构22与由器件隔离结构22限定的有源区(没有显示)之间的高度差异约为300～约500。
在衬底结构上形成第一硬掩模23、第二硬掩模24和凹陷栅极掩模25。更详细地，在衬底21上形成第一硬掩模层。第一硬掩模层可包括氧化物层。上述STI处理期间使用的图案化的衬垫氧化物层可用作第一硬掩模层。此外，在去除图案化的衬垫氧化物层之后附加氧化物层可形成作为第一硬掩模层。由于在凹陷栅极蚀刻处理期间使用氧化物层，因此用作第一硬掩模层的氧化物层可被称为凹陷栅极(RG)氧化物层。
在第一硬掩模层上形成用作第二硬掩模层的非晶碳层。形成第二硬掩模层以克服与后续凹陷栅极蚀刻工艺仅使用第一硬掩模层的情况相关的潜在困难。该第二硬掩模层可包括选自非晶碳层、多硅层、氧氮化硅(SiON)层以及等离子体增强氮化物层中的一种。
在第二硬掩模层上形成光刻胶层。该光刻胶层通过应用曝光与显影工艺而图案化以形成凹陷栅极掩模25。利用凹陷栅极掩模25蚀刻第二硬掩模层作为蚀刻阻挡层以形成第二硬掩模24。
第二硬掩模层可用三个步骤来蚀刻。这三个步骤包括突破蚀刻(breakthrough etching)、主蚀刻以及过蚀刻。突破蚀刻指部分地蚀刻第二硬掩模层的表面。主蚀刻基本蚀刻第二硬掩模层的目标部分。过蚀刻在主要蚀刻实施之后，把第二硬掩模层剩余的残余物蚀刻掉。在过蚀刻期间，在第二硬掩模层下的部分第一硬掩模层被蚀刻，以形成第一硬掩模23，暴露部分衬底21。
参照图2B，利用光刻胶去除和清洗工艺除去凹陷栅极掩模25(图2A)。实施该清洗工艺以去除蚀刻的残余物，利用第二硬掩模24作为蚀刻阻挡层来部分蚀刻衬底21的暴露部分，也就是凹陷栅极图案区域到特定深度，该部分地蚀刻可被称为第一凹陷栅极蚀刻工艺。
实施第一凹陷栅极蚀刻工艺形成预期凹陷通道的第一凹陷图案26。此后，第一凹陷图案26被称为颈图案26。该颈图案26的深度大约为预期凹陷通道总深度的2/3。在第一凹陷栅极蚀刻工艺期间使用的蚀刻气体包括单独选自氯(Cl2)、溴化氢(HBr)、六氟化硫(SF6)及其组合中的一种气体，或者是包括所述一种气体与氧(O2)的组合。换句话说，选自Cl2、HBr、SF6及其组合中的一种气体可单独使用，或者可将O2加入所选气体中，用于第一凹陷栅极蚀刻工艺。Cl2、HBr、SF6以及O2的组合气体也可使用。
在第一凹陷栅极蚀刻工艺期间，使用如上所述的此种蚀刻化学品允许以垂直形状形成颈图案26的侧壁。具体地，使用Cl2和HBr可更容易地得到垂直形状。同时，可在第一凹陷栅极工艺期间去除包括非晶碳层的部分第二硬掩模24，并因此可减少第二硬掩模24的厚度。
参照图2C，在衬底结构上形成基于氧化物的层27以绝缘。该基于氧化物的层27之后称为间隔氧化物层27。该间隔氧化物层27在约700℃～约1000℃的温度下形成，以防止作为第二硬掩模层24的非晶碳层变形。可使用热炉方法(furnace method)或者CVD方法中的一种方法来形成间隔氧化物层27。当形成间隔氧化物层27以在衬底结构的大部分表面上得到厚度均匀的间隔氧化物层27时，可控制间隔氧化物层27以具有约70％～约100％的阶梯覆盖。也就是，在第二硬掩模24的顶表面和侧壁上以及在颈图案26的底表面与侧壁上形成均匀厚度的间隔氧化物层27。如上所述，形成间隔氧化物层27可基本地防止包括非晶碳层的第二硬掩模24或用作第二硬掩模24的任何其它材料层的变形。
参照图2D，在间隔氧化物层27上实施蚀刻工艺以在颈图案26的侧壁上形成间隔27A。此后，此种蚀刻工艺称为间隔蚀刻工艺。该间隔蚀刻工艺可使用选自四氟甲烷(CF4)、O2、氦(He)、氩(Ar)、三氟甲烷(CHF3)及其组合中的一种气体。
在间隔蚀刻工艺实施之后，暴露颈图案26的底表面和第二硬掩模24的顶表面。也就是，形成间隔27A，接触第一硬掩模23以及第二硬掩模24的侧壁。可在间隔蚀刻工艺期间实施一定水平的过蚀刻。
参照图2E，可利用间隔27A和第二硬掩模24作为蚀刻阻挡层来实施球硅(Si)蚀刻工艺以形成第二凹陷图案28。第二凹陷图案28在此之后称为球图案28。球硅蚀刻工艺称为第二凹陷栅极蚀刻工艺。
第二凹陷栅极蚀刻工艺使用包括Cl2、HBr、SF6以及O2的气体。使用此种蚀刻化学品导致各向同性蚀刻特性。第二凹陷栅极蚀刻工艺蚀刻深度约为预期凹陷通道总深度的1/3。
具体地，第二凹陷栅极蚀刻工艺可在间隔蚀刻工艺所使用的相同设备中原位(in-situ)实施。也就是第二凹陷栅极蚀刻工艺与间隔蚀刻工艺可在相同的蚀刻设备中实施。
可在下列情况下实施第二凹陷栅极蚀刻工艺以形成球图案28。使用约20mT～约50mT的压力和约30℃～约70℃的腔室温度。供应顶部功率并且不供应底部功率。该顶部功率可为约100W～约400W。使用包括包含Cl2/HBr/SF6/O2气体的等离子体蚀刻气体。Cl2气体和HBr气体的比率约为3∶1，使得蚀刻气体中Cl2气体的量大于HBr气体的量。O2气体的流速为约1sccm～约20sccm，并且SF6气体的流量为约3sccm～约20sccm。通过蚀刻时间来控制球图案28的尺寸。
蚀刻气体中的Cl2气体与HBr气体用作硅的蚀刻气体以及控制球图案28的尺寸。例如，若Cl2气体的量大，则球图案28的尺寸可减少，并且当HBr气体的量大时，则球图案28的尺寸可增加。因此，利用Cl2气体和HBr气体约为3∶1的比率可保证充分尺寸的球图案28，同时可防止邻近球图案28互相接触。Cl2气体的流量可为90sccm～120sccm，并且HBr气体的流量可为30sccm～40sccm。
SF6气体为基于氟化硫的气体，其主要蚀刻侧壁，很大程度上有助于控制球图案28的尺寸，O2气体的作用为去除蚀刻期间所产生的聚合物。
同时，可在第二凹陷栅极蚀刻工艺之后实施用于去除受损部分的后处理。该后处理可进一步包括在衬底21中以各向同性方式蚀刻球图案28，其蚀刻厚度为约50～约100，该后处理使用包括CF4/O2/三氟化氮(NF3)/He/Ar的气体。
在实施第二凹陷栅极蚀刻工艺之后形成包括颈图案26和球图案28的凹陷通道200。凹陷通道200指的是上述预期凹陷通道。可以垂直形状蚀刻颈图案26，并且由于各向同性蚀刻特性而以圆形形状蚀刻球图案28。
参照图2E和2F，去除间隔27A、第一硬掩模23以及第二硬掩模24。使用缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)溶液或氟化氢(HF)溶液由湿蚀刻工艺来去除间隔27A和第一硬掩模23。由于间隔27A和第一硬掩模23包括氧化物层，因此使用BOE溶液或HF溶液。因为第二硬掩模24包括非晶碳层，所以使用氧气去除第二硬掩模24。
在包含颈图案26和球图案28的凹陷通道200的表面上形成栅极氧化物层29。在栅极氧化物层29上形成凹陷栅极300。凹陷栅极300的底部可填入凹陷通道200中，并且凹陷栅极的剩余部分在衬底结构上突出。每个凹陷栅极300可包括顺序形成的多硅层30、硅化钨层31以及氮化物基硬掩模层32。
图3A～3C为比较根据间隔蚀刻工艺与第二凹陷栅极蚀刻工艺的不同条件的球图案的临界尺寸(CD)的显微图。最左侧的显微图为顶视图。最右侧的显微图为沿短轴方向的横截面图，并且中间的显微图为沿长轴方向的横截面图。
参照图3A，在20mT/500Ws/200V/80CF4/50℃/6″[42％过蚀刻]的条件下实施间隔蚀刻工艺。而且，在40mT/400Ws/OWb/90Cl2/30HBr/12SF6/9O2/50℃/12″的条件下实施第二凹陷栅极蚀刻工艺，即球图案蚀刻。
参照图3B，在20mT/500Ws/200V/80CF4/50℃/6″[42％过蚀刻]的条件下实施间隔蚀刻工艺。而且，在40mT/400Ws/OWb/90Cl2/30HBr/12SF6/9O2/50℃/15″的条件下实施第二凹陷栅极蚀刻工艺，即球图案蚀刻。
参照图3C，在20mT/500Ws/200V/80CF4/50℃/6″[42％过蚀刻的条件下实施间隔蚀刻工艺。而且，在40mT/400Ws/OWb/90Cl2/30HBr/12SF6/9O2/50℃/18″的条件下实施第二凹陷栅极蚀刻工艺，即球图案蚀刻。
如上所述，图3A～3C中所示的球图案的临界尺寸(CD)中的差异是由于第二凹陷栅极蚀刻工艺的蚀刻时间(12″、15″和18″)不同所致，表1～表3详细显示了图3A～3C中所示的球图案的临界尺寸(CD)。
参考表1～3，“顶部CD”指颈图案的CD，而“颈深度”指颈图案的深度，“深度”指凹陷通道的总深度，“球CD”指球图案的CD，“球到球CD”指邻近球图案之间的距离。而“B”指在晶圆的底部区域上的测量结果，“C”指在晶圆的中心区域上的测量结果，而“T”指在晶圆的顶部区域上的测量结果。可以用埃()计来测量颈图案的深度和凹陷通道的总深度并且可用纳米(nm)计来测量其它参数。
此后，一组与显示在表1中的6″+12″等同的数据称为第一实施例，一组与显示在表2中的6″+15″等同的数据称为第二实施例，一组与显示在表3中的6″+18″等同的数据称为第三实施例。
参照三个实施例中所示的“顶部CD”，第一实施例中的“顶部CD”平均约为65nm，第二实施例中“顶部CD”平均约为63nm，第三实施例中“顶部CD”平均约为67nm。参照三个实施例中所示的“颈深度’”，第一实施例中的“颈深度”平均约为1322，而第二实施例中的“颈深度”平均约为1291，并且第三实施例中的“颈深度”平均约为1302。参照三个实施例中所示的“深度”，第一实施例中的“深度”平均约为1867，第二实施例中的“深度”平均约为1912，并且第三实施例中的“深度”平均约为2037。
上述“顶部CD”和“颈深度”为颈图案的数据。在实施例1～3中的数据之间只有轻微的差异。“深度”为凹陷通道的总深度，并随着蚀刻时间增加而增加。也就是，第二实施例中的“深度”比第一实施例中的深度大，并且第三实施例中的“深度”比第二实施例中的深度大。
检测球图案的CD即“球CD”以及邻近球图案之间的距离即“球到球CD”。参照三个实施例中所示的“球CDs”，在第一实施例中的“球CD”平均约为86nm，第二实施例中平均约为93nm，第三实施例中平均约为103nm。
如上所述，邻近球图案之间的距离即“球到球CD”随着第二凹陷栅极蚀刻工艺的蚀刻时间增加而减少，即，“球到球CD”在第一实施例中从约121nm减少到第二实施例中约113nm，以及减少到第三实施例中约108nm。
参照图3A～3C以及表1～3，在40mT/400Ws/OWb/90Cl2/30HBr/12SF6/9O2/50℃条件下实施第二凹陷栅极蚀刻工艺时，以改善的精度形成在此实施方案中球图案。
图4A和4B为在特定条件下实施间隔蚀刻工艺和第二凹陷栅极蚀刻工艺之后的球图案的显微图。所述特定条件包括使用大约68％过蚀刻实施间隔蚀刻工艺，以及使用约15″和18″的蚀刻时间实施第二凹陷栅极蚀刻工艺。此外，在附加实施后处理之后可得到结果。包括50Ar/F O2/20”的后处理的条件。表4和表5详细显示了图4A和图4B中所示的球图案的CDs。
参考表4和表5，球图案的CDs随着第二凹陷栅极蚀刻工艺的蚀刻时间长度而增加。
表2和表4以及表3和表5之间的比较显示，由于在间隔蚀刻工艺间期过蚀刻的增加与后处理的附加实施，球图案的CD与凹陷栅极图案的总深度都增加。
参考4A和图4B，实施后处理可导致更精确形成球图案(参照虚线圈)。并且，当应用蚀刻时间18″时球图案的CD(73nm)比当应用蚀刻时间15″(71nm)大。
为了参照，典型方法的第二凹陷栅极蚀刻工艺一般使用包括CF4与O2的气体。当根据该典型方法形成球图案时，在腔室表面上形成的聚合物可以导致在形成圆形形状的球图案中部分失败。因此，可减少再现性。
在第二凹陷栅极蚀刻工艺期间，此实施方案与典型方法使用不同的气体混合物，也就是，典型方法使用包括CF4和O2的气体，此实施方案使用包括Cl2/HBr/SF6/O2的气体。当实施各向同性蚀刻时，使用包括Cl2/HBr/SF6/O2的气体允许容易地形成具有改善再现性的球图案。
与此实施方案一样，第二凹陷栅极蚀刻工艺包括使用为约20mT～约50mT的压力以及约30℃到约70℃的腔室温度。只施加顶部功率(底部功率则不施加)以允许实施较容易的各向同性蚀刻并形成具有改善精确性的球图案。在该实施方案中，施加顶部功率，即源功率，不施加底部功率，即偏压功率。在第二凹陷栅极蚀刻工艺期间，使用约300W～约500W的顶部功率。
虽然已用多个实施方案来说明本发明，可以在不偏离由所附权利要求所限定的本发明精神和范围内做出各种变化和修改，这对本领域技术人员而言是显而易见的。
权利要求
1.一种制造半导体器件中凹陷通道的方法，包括在衬底上形成硬掩模图案；利用所述硬掩模图案蚀刻衬底以形成第一凹陷；在所述硬掩模图案和所述第一凹陷上形成绝缘层；蚀刻所述绝缘层以在所述第一凹陷的侧壁上和所述硬掩模图案的侧壁上形成间隔；利用含氟化硫的气体混合物蚀刻所述第一凹陷下的衬底以形成第二凹陷；和去除所述硬掩模图案和所述间隔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底还包括利用含氟化硫的气体混合物来蚀刻，所述气体混合物包含六氟化硫(SF6)、氯(Cl2)、溴化氢(HBr)以及氧(O2)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底还包括利用含氟化硫的气体混合物来蚀刻，所述气体混合物具有比率约为3∶1的Cl2和HBr。
4.根据权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底还包括利用在含氟化硫的气体混合物中流量为约3sccm～约20sccm的SF6以及利用于在含氟化硫气体的混合物中流量为约1sccm～约20sccm的O2来蚀刻。
5.根据权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底还包括在用于蚀刻绝缘层以形成间隔的相同设备中原位蚀刻；和其中蚀刻还包括利用约20mT～约50mT的压力、利用约30℃～约70℃的腔室温度以及施加顶部功率。
6.根据权利要求5所述的方法，其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底还包括利用约100W～约400W的顶部功率来蚀刻。
7.根据权利要求6所述的方法，其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底还包括实施包括各向同性蚀刻的后处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底还包括利用含有四氟甲烷(CF4)/O2/三氟化氮(NF3)/氦(He)/氩(Ar)的混合气体来实施后处理各向同性蚀刻。
9.根据权利要求8所述的方法，其中实施所述后处理各向同性蚀刻包括在衬底上实施各向同性蚀刻，以蚀刻约50～约100的厚度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硬掩模图案和所述第一凹陷上形成绝缘层还包括在约700℃～约1000℃的温度下形成绝缘层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述硬掩模图案和所述第一凹陷上形成绝缘层还包括使用热炉法和化学气相沉积(CVD)法的中一种方法形成包含基于氧化物的层的绝缘层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述绝缘层还包括控制所述绝缘层以具有约70％～约100％的阶梯覆盖。
13.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一凹陷还包括使用包含选自Cl2、HBr或SF6中至少一种气体的气体来形成，或使用包含O2和选自Cl2、HBr与SF6中至少一种气体的气体来形成。
14.根据权利要求13所述的方法，其中蚀刻所述衬底以形成第一凹陷还包括蚀刻所述第一凹陷至二倍于第二凹陷的深度的深度。
15.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述硬掩模图案还包括形成堆叠结构，所述堆叠结构包括基于氧化物的层与非晶碳层。
16.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述衬底以形成第一凹陷还包括蚀刻所述第一凹陷以具有基本垂直的外形，和其中蚀刻所述第一凹陷下的衬底以形成第二凹陷还包括蚀刻所述第二凹陷以具有基本弯曲外形。
17.一种制造半导体器件中凹陷通道的方法，包括在衬底上形成包括非晶碳层的硬掩模图案；利用所述硬掩模图案蚀刻所述衬底以形成颈图案；在所述硬掩模图案和所述颈图案上形成基于氧化物的层；蚀刻所述基于氧化物的层以在所述颈图案的侧壁上和所述硬掩模图案的侧壁上形成间隔；利用包含氯(Cl2)、溴化氢(HBr)、六氟化硫(SF6)以及氧(O2)的气体混合物蚀刻所述颈图案下的衬底以形成球图案；和去除所述硬掩模图案和所述间隔。
18.根据权利要求17所述的方法，其中蚀刻所述颈图案下的衬底还包括使用气体混合物来蚀刻，所述气体混合物具有比率约为3∶1的Cl2气体和HBr气体。
19.根据权利要求18所述的方法，其中蚀刻所述颈图案下的衬底还包括利用在含氟化硫的气体混合物中流量为约3sccm～约20sccm的SF6以及利用在含氟化硫气体的混合物中流量为约1sccm～约20sccm的O2。
20.根据权利要求19所述的方法，其中蚀刻所述颈图案下的衬底还包括在用于蚀刻基于氧化物的层以在所述颈图案的侧壁上和所述硬掩模图案的侧壁上形成间隔的相同设备中原位蚀刻；和其中蚀刻还包括利用约20mT～约50mT的压力、利用约30℃～约70℃的腔室温度以及施加顶部功率。
21.根据权利要求20所述的方法，其中蚀刻所述颈图案下的衬底还包括施加约100W～约400W的顶部功率。
22.根据权利要求20所述的方法，其中蚀刻所述颈图案下的衬底还包括实施包扩各向同性蚀刻的后处理。
23.根据权利要求22所述的方法，其中蚀刻所述颈图案下的衬底还包括使用包含四氟甲烷(CF4)/O2/三氟化氮(NF3)/氦(He)/氩(Ar)的混合气体以实施所述后处理。
24.根据权利要求23所述的方法，其中蚀刻还包括在衬底上实施后处理蚀刻，以蚀刻约50～约100的厚度。
25.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述基于氧化物的层还包括在不会导致所述硬掩模图案变形的温度下形成所述基于氧化物的层，所述温度为约700℃～约1000℃。
26.根据权利要求25所述的方法，其中形成所述基于氧化物的层还包括控制基于氧化物的层以具有约70％～约100％的阶梯覆盖。
27.根据权利要求20所述的方法，其中蚀刻所述衬底以形成颈图案还包括使用包含选自Cl2、HBr或SF6中至少一种气体的气体，或使用包含O2和选自Cl2、HBr与SF6中至少一种气体的气体。
28.根据权利要求27所述的方法，其中蚀刻还包括蚀刻所述颈图案至二倍于所述球图案的深度的深度。
全文摘要
一种制造半导体器件中凹陷通道的方法，包括在衬底上形成硬掩模图案，利用硬掩模图案蚀刻衬底以形成第一凹陷，在硬掩模图案和第一凹陷上形成绝缘层，蚀刻绝缘层以在第一凹陷的侧壁上和硬掩模图案的侧壁上形成间隔，利用包含氟化硫的气体混合物蚀刻第一凹陷下的衬底以形成第二凹陷，以及去除硬掩模图案和间隔。
文档编号H01L21/822GK101064250SQ200710087349
公开日2007年10月31日 申请日期2007年3月14日 优先权日2006年4月28日
发明者郑台愚 申请人:海力士半导体有限公司