专利名称：发光二极管晶片封装体及其封装方法
发光二极管晶片封装体及其封装方法发明领域概括地说，本发明涉及一种发光二极管晶片封装体及其封装方 法，具体地说，本发明涉及一种亮度提升的发光二极管晶片封装体及 其封装方法。技术背景近年来，以发光二极管取代现有发光源作为电子装置、照明设备 等等的发光源已越来越普及。然而，要完全以发光二极管取代现有发 光源，则必须进一步提升现有发光二极管的亮度。发明内容本发明的目的是提供一种亮度提升的发光二极管晶片封装体及 其封装方法。根据本发明的一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体的封装 方法，该方法的特征在于包括如下步骤提供一个发光二极管晶圆， 该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶片具 有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体 层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在该第一半导 体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体 层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移 去以曝露这些半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的 曝露表面部份上布设数个荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上 形成一个第二绝缘层，从而使这些第一半导体层和这些第二半导体层 的先前被曝露的表面被覆盖；把该第二绝缘层研磨直到第一绝缘层的 未被移去的部份被曝露为止，该第二绝缘层被定以图案，从而使该第 二绝缘层的若干部份被移去以曝露每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面和每个第一和第二半导体层的导电触点；在这些第一半 导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖， 研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使 位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份 可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及于每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点是经 由对应的金属层部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。 根据本发明的另一特征，提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法提供，该方法的特征在于包括如下步骤提供一个发光二极管晶 圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶 片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半 导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在每个第 二半导体层的表面上布设数个荧光粉单元；于这些第一半导体层的形 成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘 层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露 这些半导体层的导电触点及这些荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖，研磨该金 属层直到该绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第 二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一 个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部 份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部 份上形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点是经由对应的金 属层部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。根据本发明的又另一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体的 封装方法，该方法的特征在于包括如下步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶 片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在这些第 一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部 份被移去以曝露每个半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的曝露表面部份上布设一个荧光粉层；在这些第一半导体层的表面上形成一个第二绝缘层，从而使这些半导体层的先前被曝露的表面和这些荧光粉层3'被覆盖，该第二绝缘层被研磨直到该第一绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，而且被定以图案以移去该绝缘层的若干部份，从而使每个荧光粉层和每个半导体层的导电触点被曝露；在这 些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层 被覆盖，研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被曝露为 止，从而使位于每个荧光粉层上的金属层部份可以作为一个反射层， 而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作 为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成 导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点经由对应的金属层部份和 对应的导电凸块来与外部电路电气连接。根据本发明的再另一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体的 封装方法，该方法的特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管 晶片具有一个第一半导体层和一个设置在该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在每个 第二半导体层的表面上布设一个荧光粉层；在这些第一半导体层的形 成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘 层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露 这些半导体层的导电触点及这些荧光粉层；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖，研磨该金属 层直到该绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二 半导体层的布设有荧光粉层的表面上的金属层部份可以作为一个反 射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可 以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上 形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点是经由对应的金属层 部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。根据本发明的又再一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体， 该封装体的特征在于包括 一个发光二极管晶片，该发光二极管晶片 具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导 体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点，该第二半导 体层在其不包括形成有导电触点的表面上具有数个荧光粉单元； 一个 在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成的绝缘层， 该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露这些 半导体层的导电触点及这些荧光粉单元； 一个形成于这些第一半导体 层的表面上从而使这些第二半导体层被覆盖的金属层，研磨该金属层 直到该绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二半 导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一个反 射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可 以作为一个导电连接层；以及形成在每个作为导电连接层的金属层部 份上的导电凸块，每个半导体层的导电触点是经由对应的金属层部份 和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。根据本发明的又再另一特征，提供了一种发光二极管晶片封装 体，该封装体的特征在于包括 一个发光二极管晶片，该发光二极管 晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二 半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点，该第二半导体层在其不包括形成有导电触点的表面上形成一个荧光粉层；一个形成在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上的绝缘 层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露这些半导体层的导电触点及该荧光粉层； 一个形成在这些第一半导体 层的表面上从而使这些第二半导体层被覆盖的金属层，研磨该金属层 直到该绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二半 导体层的布设有荧光粉层的表面上的金属层部份可以作为一个反射 层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以 作为一个导电连接层；以及形成在每个作为导电连接层的金属层部份 上的导电凸块，每个半导体层的导电触点是经由对应的金属层部份和 对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。
图1至9是显示本发明的第一优选实施例的发光二极管晶片封装 体的封装方法的示意工艺剖视图；图10至13是显示本发明的第二优选实施例的发光二极管晶片封 装体的封装方法的示意工艺剖视图；图14是一个显示本发明的第三优选实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图；图15至19是显示本发明的第四优选实施例的发光二极管晶片封 装体的封装方法的示意工艺剖视图；图20至24是显示本发明的第五优选实施例的发光二极管晶片封 装体的封装方法的示意工艺剖视图；以及图25是显示本发明的第六优选实施例的发光二极管晶片封装体 的示意剖视图。
具体实施方式
在开始本发明的优选实施例的描述之前，应要注意的是，为了清 楚揭示本发明的特征，图式中的元件并非按实际比例描绘。图1至9是显示本发明的第一优选实施例的发光二极管晶片封装 体的封装方法的示意剖视图。请参阅图l所示，首先提供了一个发光二极管晶圆l。该发光二极 管晶圆I包括数个发光二极管晶片IO。每个发光二极管晶片10具有一 个N型半导体层100和一个设置于该N型半导体层100上的P型半导体 层102。每个半导体层100,102在其表面上具有至少一个导电触点 1000,1020。然后，如在图2中所示，在这些N型半导体层100的形成有P型半 导体层102的表面上形成了一个绝缘层20以覆盖这些P型半导体层 102。在本实施例中，该绝缘层20是由适当的光敏性材料形成的。接着，请参阅图3所示，在曝光和显影的步骤之后，移去该绝缘 层20的若干部份，从而使每个晶片10的N型半导体层100的部份的表面和P型半导体层102的部份的表面被曝露。然后，在每个P型半导体层102的特定的曝露表面部份上布设有数个荧光粉单元3。接着，在这些N型半导体层100的表面上形成了一个绝缘层21， 从而使这些N型半导体层100和这些P型半导体层102的先前被曝露的 表面被覆盖。然后，研磨该绝缘层21直到先前的绝缘层20的未被移去 的部份被曝露为止，如在图4中所示。接着，在曝光和显影的步骤之后，移去该绝缘层21的若干部份， 从而使每个P型半导体层102的布设有荧光粉单元3的表面和每个半导 体层100,102的导电触点1000,1020被曝露。然后，在这些N型半导体层100的表面上形成一个金属层4，从而 使这些P型半导体层被覆盖。接着，研磨该金属层4直到绝缘层20,21 的未被移去的部份被曝露为止，如在图6和7中所示。在金属层4被研 磨之后，位于每个P型半导体层102的布设有荧光粉单元3的表面上的 金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层100，102的形成 有导电触点1000,1020的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接 层。请配合参阅图8和9所示，在金属层4被研磨之后，在每个作为导 电连接层的金属层部份上形成有导电凸块5，从而使每个半导体层 100，102的导电触点1000，1020经由对应的金属层部份和对应的导电凸 块5来与外部电路电气连接。最后，该晶圆l沿着切割线被切割，从而形成了本发明的发光二 极管晶片封装体，如在图9中所示。通过如上所述的结构，由于这些荧光粉单元3与由该发光二极管 晶片所发射出来的光线的作用及该金属层部份作为反射层的作用，本 发明的发光二极管晶片封装体的整体光线强度得以提升许多。图10至13是显示本发明的发光二极管晶片封装体的封装方法的 第二优选实施例的工艺图。请参阅图10所示，如同第一优选实施例一样，首先提供了一个发 光二极管晶圆1 。在本实施例中的晶圆1与第一实施例中的晶1相同， 因此其详细说明于此恕不再赘述。接着，在每个P型半导体层102的表面上布设数个荧光粉单元3。然后， 一个绝缘层20形成在这些N型半导体层100的形成有P型半 导体层102的表面上以覆盖这些P型半导体层102，如在图ll中所示。 如同第一优选实施例一样，该绝缘层20亦是由适当的光敏性材料形成 的。接着，请参阅图12所示，在曝光和显影的步骤之后，移去该绝缘 层20的若干部份，从而使每个晶片10的N型半导体层100的导电触点 1000和P型半导体层102的导电触点1020及这些荧光粉单元3被曝露。接着，如上所述形成及研磨一个金属层4，从而使位于每个P型半 导体层102的布设有荧光粉单元3的表面上的金属层部份可以作为一 个反射层，而在每个半导体层100和102的形成有导电触点1000和1020 的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层。在金属层4被研磨 之后，导电凸块5亦如上所述被形成。最后，该晶圆l亦如上所述被切 割，从而形成了本发明的发光二极管晶片封装体，如在图13中所示。图14是一个显示本发明的第三优选实施例的发光二极管晶片封 装体的示意剖视图。与前面的实施例不同，本实施例的P型半导体层 102的表面是经过粗化处理的而且省略了荧光粉单元。应要注意的是， 荧光粉单元未被省略亦应被涵盖在本申请案的申请专利范围内。图15至19是显示本发明的第四优选实施例的发光二极管晶片封装体的封装方法的示意工艺图。如在图15中所示，如同前面所述的实施例一样，首先提供了一个 发光二极管晶圆1 。在本实施例中的晶圆1与第一实施例中的晶圆相 同，因此其详细说明于此恕不再赘述。接着，在这些N型半导体层IOO 的形成有P型半导体层102的表面上形成了一个绝缘层20以覆盖这些P 型半导体层102。如同前面所述的优选实施例一样，该绝缘层20亦是 由适当的光敏性材料形成的。接着，在曝光和显影的步骤之后，移去 该绝缘层20的若干部份，从而使每个晶片10的N型半导体层100的部 份的表面和P型半导体层102的部份的表面被曝露。然后，在每个P型 半导体层102的特定的曝露表面部份上布设有一个荧光粉层3"。接着，在这些N型半导体层100的表面上形成一个绝缘层21，从而使这些N型半导体层100和这些P型半导体层102的先前被曝露的表面和这些荧光粉层3'被覆盖。然后，研磨该绝缘层21直到先前的绝缘 层20的未被移去的部份被曝露为止，如在图16中所示。接着，在曝光和显影的步骤之后，移去该绝缘层21的若干部份， 从而使每个荧光粉层3'和每个半导体层100和102的导电触点1000和 1020被曝露。接着，如上所述形成及研磨一个金属层4，从而使位于每个荧光 粉层3'上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层 100，102的形成有导电触点1000和1020的表面上的金属层部份可以作 为一个导电连接层，如在图17中所示。在金属层4被研磨之后，导电 凸块5亦如上所述被形成，如在图18中所示。最后，该晶圆l亦如上所 述被切割，从而形成本发明的发光二极管晶片封装体，如在图19中所 示。图20至24是显示本发明的第五优选实施例的发光二极管晶片封 装体的封装方法的示意工艺图。如在图20中所示，如同前面所述的实施例一样，首先提供了一个 发光二极管晶圆1 。在本实施例中的晶圆1与前面所述的实施例中的晶 圆相同，因此其详细说明于此恕不再赘述。接着，在每个P型半导体 层102的不包括导电触点1020的表面上形成一个荧光粉层3'。接着，如在图21中所示，在这些N型半导体层100的形成有P型半 导体层102的表面上形成一个绝缘层20以覆盖这些P型半导体层102和 荧光粉层3'。如同前面所述的优选实施例一样，该绝缘层20亦是由适 当的光敏性材料形成的。接着，请配合图22所示，在曝光和显影的步骤之后，移去了该绝 缘层20的若干部份，从而使每个晶片10的半导体层100和102的导电触 点1000和1020和每个荧光粉层3，被曝露。接着，如上所述形成及研磨 一个金属层4，从而使位于每个荧光粉层3，上的金属层部份可以作为 一个反射层，而在每个半导体层100和102的形成有导电触点1000和 1020的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层。 、请配合参阅图23和24所示，在金属层4被研磨之后，导电凸块5亦如上所述被形成，如在图23中所示。最后，该晶圆l亦如上所述被切割，从而形成本发明的发光二极管晶片封装体，如在图24中所示。 图25为一个显示本发明的第六优选实施例的发光二极管晶片封 装体的示意剖视图。与第三实施例相同，本实施例的P型半导体层102 的表面是经过粗化处理的而且省略了荧光粉单元。与第三实施例相 同，应要注意的是，荧光粉单元未被省略亦应被涵盖在本申请案的申 请专利范围内。综上所述，本发明之『发光二极管晶片封装体及其封装方法』， 确能通过上述所揭露的构造、装置，达到预期的目的与功效，且申请 前未见于刊物亦未公开使用，符合发明专利的新颖、进步等要求。上述所披露的图式以及说明，仅为本发明的实施例而已，非为限 定本发明的实施例；本领域普通技术人员，其所依本发明的特征范畴， 所作的其他等效变化或修饰，皆应涵盖在本案的申请专利范围内。
权利要求
1. 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在该第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露这些半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的曝露表面部份上布设数个荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上形成一个第二绝缘层，从而使这些第一半导体层和这些第二半导体层的先前被曝露的表面被覆盖；把该第二绝缘层研磨直到第一绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，该第二绝缘层被定以图案，从而使该第二绝缘层的若干部份被移去以曝露每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面和每个第一和第二半导体层的导电触点；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖，研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点经由对应的金属层部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接。
2、 如权利要求l所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于还包括，沿着切割线切割该晶圆以得到个别的发光二极管晶片封装体。
3、 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中，这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型半导体层。
4、 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中， 这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。
5、 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极 管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该 第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在每个第二半导体层的表面上布设数个荧光粉单元；在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个 覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝 缘层的若干部份被移去以曝露这些半导体层的导电触点及这些荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二 半导体层被覆盖，研磨该金属层直到该绝缘层的未被移去的部份被曝 露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上 的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电 触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每 个半导体层的导电触点是经由对应的金属层部份和对应的导电凸块 来与外部电路电气连接的。
6、 如权利要求5所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于还包括，沿着切割线切割该晶圆以得到个别的发光二极管晶片 封装体。
7、 如权利要求5所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中， 这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型半导 体层。
8、 如权利要求5所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中， 这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。
9、 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极 管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该 第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个 覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝 缘层的若干部份被移去以曝露每个半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的曝露表面部份上布设一个荧光粉层；在这些第一半导体层的表面上形成一个第二绝缘层，从而使这些 半导体层的先前被曝露的表面和这些荧光粉层3'被覆盖，该第二绝缘 层被研磨直到该第一绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，而且被定 以图案以移去该绝缘层的若干部份，从而使每个荧光粉层和每个半导 体层的导电触点被曝露；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二 半导体层被覆盖，研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被 曝露为止，从而使位于每个荧光粉层上的金属层部份可以作为一个反 射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每 个半导体层的导电触点经由对应的金属层部份和对应的导电凸块来 与外部电路电气连接。
10、 如权利要求9所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 特征在于还包括，沿着切割线切割该晶圆以得到个别的发光二极管晶 片封装体。
11、 如权利要求9所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型 半导体层。
12、 如权利要求9所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。
13、 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如 下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极 管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该 第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少 一个导电触点；在每个第二半导体层的表面上布设一个荧光粉层； 在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个 覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝 缘层的若干部份被移去以曝露这些半导体层的导电触点及这些荧光 粉层；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二 半导体层被覆盖，研磨该金属层直到该绝缘层的未被移去的部份被曝 露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉层的表面上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触 点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每 个半导体层的导电触点经由对应的金属层部份和对应的导电凸块来 与外部电路电气连接。
14、 如权利要求13所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 特征在于还包括，沿着切割线切割该晶圆以得到个别的发光二极管晶 片封装体。
15、 如权利要求13所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型 半导体层。
16、 如权利要求13所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。
17、 一种发光二极管晶片封装体，其特征在于包括 一个发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其 表面上具有至少一个导电触点，该第二半导体层在其不包括形成有导 电触点的表面上具有数个荧光粉单元；一个形成于这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上 的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去 以曝露这些半导体层的导电触点及这些荧光粉单元；一个形成于这些第一半导体层的表面上从而使这些第二半导体 层被覆盖的金属层，研磨该金属层直到该绝缘层的未被移去的部份被 曝露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面 上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导 电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及形成于每个作为导电连接层的金属层部份上的导电凸块，每个半 导体层的导电触点经由对应的金属层部份和对应的导电凸块来与外 部电路电气连接。
18、 如权利要求17所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型 半导体层。
19、 如权利要求17所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。
20、 一种发光二极管晶片封装体，其特征在于包括 一个发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其 表面上具有至少一个导电触点，该第二半导体层在其不包括形成有导 电触点的表面上形成一个荧光粉层；一个形成于这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上 的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去 以曝露这些半导体层的导电触点及该荧光粉层；一个形成于这些第一半导体层的表面上从而使这些第二半导体 层被覆盖的金属层，研磨该金属层直到该绝缘层的未被移去的部份被 曝露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉层的表面上 的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电 触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及形成于每个作为导电连接层的金属层部份上的导电凸块，每个半 导体层的导电触点经由对应的金属层部份和对应的导电凸块来与外 部电路电气连接。
21、 如权利要求20所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型半导体层。
22、如权利要求20所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其 中，这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。
全文摘要
一种发光二极管晶片封装体包括一个具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层的发光二极管晶片，该第二半导体层在其不包括形成有导电触点的表面上具有数个荧光粉单元；一个形成于这些第一半导体层的表面上的绝缘层，移去该绝缘层的若干部份以暴露这些半导体层的导电触点及这些荧光粉单元；一个形成于这些第一半导体层的表面上的金属层，研磨该金属层直到该绝缘层的未被移去的部份被暴露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及形成于每个作为导电连接层的金属层部份上的导电凸块。
文档编号H01L21/50GK101271944SQ20071008877
公开日2008年9月24日 申请日期2007年3月22日 优先权日2007年3月22日
发明者沈育浓 申请人:沈育浓