专利名称：半导体器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件制造方法，尤其涉及一种可改善晶体管窄 沟效应的半导体器件制造方法。
背景技术：
如图1所示，在现有技术中， 一般都是通过如下方法来制造半导体器
件的首先，在硅衬底上形成浅沟隔离槽(STI)，具体如图2a所示；然
后，在所述硅衬底上注入N阱和P阱，具体如图2b所示；第三步，生成 栅氧化层，如图2C所示；第四步，在所述栅氧化层的表面再淀积多晶硅
栅，形成栅极，具体如图2d所示。在上述制作过程中，栅氧化层的生长
是在浅沟槽完成以后再进行的，由于在浅沟槽边缘绝缘层低于有源区，使 得硅衬底上与浅沟槽边缘处的氧化速率的不同，导致栅氧化层厚度不均
匀，从图3可以看出，出现了在浅沟槽边缘栅氧化层偏薄的现象，所以该 栅氧化层偏薄处的开启电压(vt)比较低，因此对于整个半导体器件来讲， 漏极电流-栅极电压(Id-Vg)曲线在亚阈区会出现双峰现象(见图4)，从 而会使得半导体器件发生较大的漏电，而且也会使得所述半导体器件过早 开启，进而引起器件失配，导致包含该器件的整个电路失效。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种半导体器件制造方法，可克服现 有技术中浅沟槽边缘与硅衬底表面的栅氧化层厚度不均匀的问题，进而优化整个半导体器件的性能。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体器件制造方法，包括 以下步骤
(1) 在硅衬底上形成浅沟隔离槽；
(2) 在硅衬底上淀积一层薄层氧化膜；
(3) 对所述薄层氧化膜进行反向刻蚀，在所述浅沟隔离槽顶部的两侧 形成侧墙；
(4) 在所述衬底表面生长栅氧化层；
(5) 在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层，形成栅极。 本发明由于采用了上述技术方案，具有这样的有益效果，即通过在形
成浅沟隔离槽后，先在所述浅沟隔离槽两侧形成侧墙，然后再进行栅氧化 层的生长，从而使得浅沟槽边缘的绝缘层不会低于有源区，因此避开了浅 沟槽边缘与硅衬底表面氧化层生长速率不同的问题，从而可以得到具有均 匀厚度的栅氧化层，优化了晶体管特性，即减少了半导体器件的漏电流， 避免了发生所述半导体器件过早开启，从而引起器件失配等现象。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明 图1为根据现有技术制造半导体器件的流程图； 图2a-2d为按图1所示方法制造过程中的剖面图； 图3为图2d的局部放大示意图4为按现有技术制造的半导体器件的漏极电流-栅极电压(Id-Vg) 曲线图；图5为根据本发明制造半导体器件的流程图6a-6e为按图5所示方法制造过程中的剖面图。
具体实施例方式
在一个实施例中，如图5所示，本发明所述半导体器件制造方法包括
以下步骤
(1) 在硅衬底上形成浅沟隔离槽；
(2) 在硅衬底上化学气相淀积一层厚度为400 600埃的薄层氧化 膜，优选地，取所述薄层氧化膜的厚度为500埃左右，从而形成如图6a 所示的结构；
(3) 对所述薄层氧化膜进行反向刻蚀，在所述浅沟隔离槽顶部的两 侧形成侧墙，从而形成如图6b所示的结构，由于形成了侧墙，因此浅沟 槽边缘的绝缘层就不会再低于有源区了；
(4) 对所述硅衬底进行选择性硼离子注入，从而形成P阱，然后再 对所述硅衬底进行选择性磷离子注入，形成N阱，从而形成如图6c所示 的剖面结构；
(5) 在所述衬底表面生长栅氧化层，从而形成如图6d所示的剖面结
(6) 在所述栅氧化层的表面淀积一层厚度为1200 2500埃的多晶硅 层，形成栅极，从而形成如图6e所示的结构。
因此，在本发明中，由于在栅氧化层生长之前，现在浅沟隔离槽顶部 的两侧形成了侧墙，从而使得浅沟槽边缘的绝缘层不再低于有源区，这样在进行栅氧化层生长时不会出现硅衬底上与浅沟槽边缘处的氧化速率不 同的现象，因此就可以得到均匀的氧化层厚度，从而优化了晶体管特性。
权利要求
1、一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤(1)在硅衬底上形成浅沟隔离槽；(2)在硅衬底上淀积一层薄层氧化膜；(3)对所述薄层氧化膜进行反向刻蚀，在所述浅沟隔离槽顶部的两侧形成侧墙；(4)在所述衬底表面生长栅氧化层；(5)在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层，形成栅极。
2、 根据权利要求l所述半导体器件制造方法，其特征在于，所述薄层 氧化膜的厚度为400 600埃。
3、 根据权利要求2所述半导体器件制造方法，其特征在于，所述薄层 氧化膜的厚度为500埃。
全文摘要
本发明公开了一种半导体器件制造方法，通过在形成浅沟隔离槽后，先在所述浅沟隔离槽两侧形成侧墙，然后再进行栅氧化层的生长，从而使得浅沟槽边缘的绝缘层不会低于有源区，因此避开了浅沟槽边缘与硅衬底表面氧化层生长速率不同的问题，从而可以得到均匀的氧化层厚度，优化了晶体管特性。
文档编号H01L21/762GK101442026SQ200710094258
公开日2009年5月27日 申请日期2007年11月22日 优先权日2007年11月22日
发明者周晓君, 钱文生 申请人:上海华虹Nec电子有限公司