相变存储单元的热隔绝的制作方法

专利名称：相变存储单元的热隔绝的制作方法
技术领域：
本发明涉及存储器及其制造方法。
技术背景一种类型的非易失性存储器是电阻存储器。电阻存储器禾拥存储元件的电 阻值来存储一位或多位数据。例如，被编程具有高电阻值的存储元件可以表示 逻辑"1" 位值，被编程具剤氐电阻值的存储元件可以表就辑"0"数据 位值。M向存储元件施加电压或电流可电性地切换存储元件的电阻值。 一种 类型的电阻存储器是磁性随机存取存储器(MRAM)。另一种类型的电阻存储 器是相变存储器。尽管是关于相变存储器来描述本发明，但是本发明可应用于 任何适当类型的电阻存储器。相变存储器将相变材料用于电阻存储元件。相变材料表现出至少两种不同 的状态。可将相变材料的状态称作非晶态和晶态。由于非晶态通常比晶态表现 出较高的电阻系数，因此可以区分这些状态。通常，非晶态包括更无序的原子 结构，而晶态特征在于更有序的晶格。 一些相变材料表现出两种晶态，例如， 面心立方(FCC)态和六边形最密堆积(HCP)态。这两种状态具有不同的电 阻。在相变材料中的相变是可逆地被诱发的。通皿种方式，相变材料根据温 度的变化可以从非晶态变成晶态，也可从晶态变成非晶态。改变相变材料的温 度可以有多种方式。例如，可直接把激光照射在相变材料上，可以驱动电流通 过相变材料，或者可以将电流t離给与相变材料相邻的电阻加热器。通过这些 方法中的樹可方法，控帝湘变材料的加热可以控制相变材料内的相变。 当在存储单元的写操作的过程中在相变存储单元^他电阻存储单元中产 生的热被热传递给相令,存储单元时，会发生热串扰。在写操作的过程中，在 选定的存储单元中会产生大量的热，但相邻的存储单元不应该有显著的温度上 升。如果由于传递的热足够大使相邻存储单元的位置的Mit上升，则相邻存储 单元的状絲受至膨响，并且会破坏存储在其中的繊。在室温下工作的典型的相变存储器通常不会受到热串扰的影响。例如，对于用Ge2Sb2Te5作电阻元件的典型的相变存储器，在复位的过程中，相邻相变 存储单元纟鹏的增加通常是最多大约50摄氏度。因此，在室温下的相变存储 操作通常具有低于110摄氏度的最高温度，该^it^t非晶^^说是抵抗结晶 化M 10年的最高纟鹏。因此，该最高鹏将相变存储翻保持力限制为10 年。但是，如果相变存储器在一个升高的鹏下操作，例如70摄氏度，固有 的热扩散不再能足以保证相邻的相变存储单元M将保持在专用于10年的数 据保持力的110摄氏度之下。由于这些或其他原因，需要提出本发明。发明内容本发明的一个实施例提供了一种存储器。该存储器包括电阻存储单元阵 列，用于存取存储单元的在存储单元的行之间的位线，和耦合到齡存储单元 的导电板。


所包含的附图用于进一步理解本发明，并包括在说明书中构成说明书的一 部分。附图描述了本发明的实施例并和说明书一起用来解释本发明的原理。本 发明的其他实施例和很多预期的优点将容易的被翻军，因为通过参照下面的详 细描述它们会更好理解。附图的元件相互之间不必按相对比例决定。相同的附 图标己标相应的类似部分。图1是描述相变存储单元阵列的一个实施例的视图； 图2是描述包括热隔绝的相变存储单元P辆j一个实施例的视图； 图3是描述包括热隔绝的相变存储单元阵列另一个实施例的视图； 图4A描述了包括热隔绝的相变存储元件一个实施例的剖面亂 图4B描述了包括热隔绝的相变存储元件另一个实施例的咅腼图； 图4C描述了包括热隔绝的相变存储元件另一个实施例的咅腼图5A描述了包括热隔绝的相变存储元件另一个实施例的剖面图； 图5B描述了包括热隔绝的相变存储元件另一个实施例的咅腼图； 图6A描述了包括热隔绝的相变存储元件另一个实施例的咅腼图；图6B描述了图6A所示的相变存储元件的侧剖面图；图7描述了包括热屏蔽或散热装置的相变存储单元的布图的一个实施例的图8描述了包含^ffl有效金属线作为散热装置的相变存储单元的布图的另图9描述了包括伪地线的相变存储单元阵列的一个实施例的顶视亂图10A描述了包括伪i鹏的相变存储单元的布图的一个实施例的剖面图；图10B描述了包括伪i鹏的相变存储单元的布图的一个实施例的侧视亂图11描述了用于制造相变存储器的方法的一个实施例的流程图；图12描述了相变存储单元阵列的另一个实施例的视图；图13A描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的一个实施例的顶视图；图13B描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图13C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图14A描述了包括接地导板的相变存储单元阵歹啲一个实施例的侧视图； 图14B描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的一个实施例的侧视图； 图14C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的一个实施例的侧视图； 图15A描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图15B描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图15C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图16A描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的一个实施例的侦舰亂 图16B描述了包括接地导板的相变存储单元阵歹啲一个实施例的侦舰图； 图16C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的一个实施例的侧视图17A描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图17B描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图17C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图18A描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图18B描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图18C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的顶视图；图19A描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的侧视图；图19B描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的侧视图；图19C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的侦舰图；图20A描述了包括接地导板的相变存储单元阵歹啲另一个实施例的侧视图；图20B描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的侧视图；图20C描述了包括接地导板的相变存储单元阵列的另一个实施例的侧视图。
具体实施方式
在下面的详细的说明中，参照构成说明书一部分的附图，在这些附图中显 示了在其中本发明能够实施的具体实施例。在这方面，方向术齒列如"顶部"、"底部"、"前"、"后"、"前导"、"拖尾"等是参照了附图的方位被描述的。 由于本发明实施例的部件可以被定位在许多不同的方向，因此该方向术i割又用 于描述并不限制本发明。应该理解，也可以禾佣其他实施例，在不脱离本发明
范围盼瞎况下可以做结构上或逻辑上的改变。因此，下面详细的说明不会限制 本发明，本发明的范围由所附的权利要求限定。图1是描述相变存储单元阵列脂的一个实施例的视图。存储阵列謂包括在存储单^t间的热隔绝，用于防止热串扰影响存储单元的数据保持力。存储阵列100包括多个相变存储单元104a—104d (总称为相变存储单元104)、 多条位线(BL) 112a—112b (总称为位线112)、多条字线(WL) 110a—110b (总称为字线IIO)、以及多条地线(GL) 114a—114b (总称为地线114)。如此处所用，术语"电性耦合"不意 元件必须直接耦合在一起，也可 以在"电性耦合"的元件之间^f共中间元件。每个相变存储单元104电性f給到字线110、位线112、 i 114。例如， 相变存储单元104a电性耦合至啦线112a、字线110a、 土鹏114a，相变存储单 元104b电性耦合到位线112b、字线110b、地线114b。相变存储单元104c电 性耦合到位线U2b、字线110a、地线114a，相变存储单元104d电性孝給至啦 线112b、字线110b、地线114b。^相变存储单元104包括相变元件106和晶体管108。尽管在给出的实 施例中晶体管108是场效应晶体管(FET)，但是在其它的实施例中，晶体管108 可以是其它适合的器件，例如双极晶体管或3D晶体管结构。相变存储单元104a 包括相^^件106a和晶体管108a。相变元件106a的^i电性耦合到位线112a， 相变元件106a的另一侧电性耦合到晶体管108a的源极一漏极ffi^各的一侧。晶 体管108a的源极一漏极 的另一侧电性耦合到地线U4a。晶体管108a的栅 极电性耦合到字线UOa。相变存储单元104b包括相顿件106b和晶体管108b。 相变元件106b的^t他性耦合至lj位线U2a，相变元件106b的另H则电性耦合 到晶体管108b的源极一漏Sffl^各的一侧。晶体管108b的源极一漏Sffl^各的另 一侧电性耦合到土鹏U4b。晶体管108b的栅极电性耦合至俘线110b。相变存储单元104c包括相变元件106c和晶体管108c。相^^件106c的 一侧电性耦合至i股线112b，相顿件106c的另"Jli他性耦合到晶体管108c的 源极一漏极通路的一侧。晶体管108c的源极一漏极通路的另一侧电性耦合到 地线114a。晶体管108c的栅极电性耦合到字线110a。相变存储单元104d包括 相变元件106d和晶体管108d。相^^;件106d的一侧电性耦合到位线112b， 相变元件106d的另一侧电性耦合到晶体管108d的源极一漏极ffl^各的一侧。晶体管108d的源极一漏IKM各的另一侧电性耦合到地线114b。晶体管108d的栅 极电性耦合到字线110b。在另一个实施例中，齡相顿件106电性耦合到地线114，齡晶体管 108电性耦合到位线112。例如，对于相变存储单元104a，相5^;件106a的一 侧电性孝給到i鹏114a。相 婉件106a的另一侧电性耦合到晶体管108a的源 极—漏极通路的一侧。晶体管108a的源极一漏极通路的另一侧电性耦合到位 线112a。通常，i鹏114比位线112具有更低的电势。然而，在另一个实施例 中，地线114可以比位线112具有更高的电势。按照本发明，*相^^件106包括可以由各种材料构成的相变材料。通 常，使用含有选自于周期表的VI族的一种或斜中元素的硫属化物合金作为这 样的材料。在一个实施例中，相变元件106的相变材料由例如GeSbTe、 SbTe、 GeTe或AglnSbTe的硫属化物材料构成。在另一个实施例中，相变材料可以不 含硫族，例如GeSb、 GaSb、 InSb或GeGalnSb。在其它的实施例中，相变材 料可以由倒可魏的材料构成，包括Ge、 Sb、 Te、 Ga、 As、 In、 Se和S的一 种和多种元素。存储阵列謂包括在相邻相变存储单元104之间的热隔绝。在一个实施例 中， ^目变存储元件106由劍共热隔绝的材料包围，并且存储单^t间的空 间至少部分地i真充有皿热传导的材料。^f共热传导的材料消散了通过^t相 变元件106周围的掛共热隔绝的材料而泄漏的樹可热量。隔离与鹏热扩散的 组合保持了相邻相变存储单元104在设置以及特别是复位操作期间的7转卩。因 此，降低了热串扰， 高了 傲寺力。在另一个实施例中，在相邻的相变存储单元104之间放置具有高导热系数 的材料。在相邻的相^^件106之间方爐额外的金属化或半导体热屏蔽或散热 装置。散热装置快速地散布几个存储单元长度上的热量，因此有效地用于冷却 相^^件106并防止相邻相^^件106受热。在一个实施例中，散热^S被形 成为相顿件106之间的2D网络。在另一个实施例中，在存储阵列腦中相 邻相变元件最M的方向上，在相，件106之间并行设置散热装置。在另一个实施例中，在相邻相^^件106之间设置金属线。金属线可以是 存储阵列100内的有效金属线，例如地线114或位线112。该实施例具有其它 的优点，會g够使用以一个角度(例如90度或其它适合的角度)对底下金属线 的线光亥似^J"底下金属线的选^^lj，形淑目变存储单元104的底电极和相 变元件106。对于给定的光亥ij节点的线光刻比接触孔图形具有更好的分辨率和 线宽控制，因it頃高了相变存储单元104的几何空间的稳定性，并因此提高了 相变存储单元104的开對争性。在相变存储单元104a的设置操作期间，體电流或电压脉冲ltt掛也使 能，并M31位线112a錢至相^^件106a，由此将其加热至结晶》鹏;tJ:(但 通常在其熔化^it之下)，通雌择的字线110a来激活晶体管108a。以此方式， 相变元件106a在此设置操作期间到达其晶皿态。在相变存储单元104a的复 位操作期间，复位电f臓电压脉冲M^擀也使能至iJ位线U2a，并錢至相变材 料元件106a。复位电流或电压快速地将相^;件106a加热到其谢七驢之上。 在电流或电压脉冲关闭之后，相变元件106a快速地冷却到非晶状态。使用类 似的电流或电压脉冲，类似于相变存储单元104a来i體相变存储单元104b_ 104d以及存储阵列100中的其它的相变存储单元104。图2 ^M示包括热隔绝的相变存储单元100a阵列的一个实施例的视图。 存储阵列脂a包括位线112、字线IIO、相变存储单元104、第一绝缘材料120 和第二绝缘材料122。齡相变存储单元104或^t相变存储单元104内的每 个存储元件106都被具撤低导热系数的第一绝缘材料包围，第一绝缘材料例 如S化、低k材料、多孔SiO,、气凝胶、干liM其它具有较低导热系数的适 当的绝缘材料。第二绝缘材料122在存储单元104之间，并与第一绝缘材料120 接触。第二绝缘材料122包括具有比第一绝缘材料120更高的导热系数的介电 材料。第二绝缘材料122包括SiN、 SiON、 ALN、 TiOjnAl203、或其它比第 一绝缘材料120具有更高导热系数的适当的介电材料。较低的导热系数的第一绝缘材料120热隔绝了存储单元104。高导热系数 的第二绝缘材料122快邀也消散了皿存储单元104周围的第一绝缘材料120 泄漏的招可热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的 组合保持了相邻相变存储单元104在设置特别是复位操作期间的)t4卩。因此， 斷氐了热串扰瓶高了繊f親力。图3题示包括热隔绝的相变存储单元100b阵歹啲另一个实施例的视图。 存储阵列100b包括位线112、字线110、相变存储单元104、第一散热^g或 屏蔽线130和第二散热體離蔽线132。在一个实施例中，第一散热體或
屏蔽线130平行穿过存储阵列100b的行，第二散热，或屏蔽线132 (只显示 了一个)平行穿过存储阵列100b的列。在另一个实施例中，不包括第二散热 装置離蔽线132。在一个实施例中，第一散热體或屏蔽线130位于存储阵 列100b中相邻相变元件最靠近的方向上。在另一个实施例中，第一散热装置 或屏蔽线BO和/或第二散热，或屏蔽线132是有效的金属线，例如位线112 或地线114。
第一散热，自蔽线130和任选的第二散热M或屏蔽线132包括具有 高导热系数的材料，例如SiN、金属、多晶硅、或其它具有高导热系数的适合 的材料。第一散热，或屏蔽线130禾口任选的第二散热，，蔽线132与存 储单元104之间的空间134包括层间电介质，例如Si02、硼磷硅鹏(BPSG)、 硼硅玻璃(BSG)、氟硅玻璃(FSG)、低k材料、^它适合的介电材料。第 一散热，或屏蔽线130和任选的第二散热 自蔽线132快速地消散几个 存储单元104长度上的存储单元104的樹可热量。因此第一散热體離蔽线 130和任选的第二散热驢離蔽线132有效地用于^4湘^^;件106，并防 止相令湘变元件106受热。因此，降低了热串扰鹏高了繊保持力。
图4A给出了包括热隔绝的相变存储元件200a的一个实施例的剖面图。 在一个实施例中，相变存储元件200a是柱状相变存储元件。在存储阵列100a (图2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件200a。相变存储元件200a 包括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝 缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相 变材料204掛共用于存储一位、两位或几位 的存储健。
相变材料204 ,第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝 缘材料120横向完全包围，其定义了电^M路以及相变区J^相变材料204中 的位置。在此实施例中，相变材料204是圆柱形。第一绝缘材料120接触第二 电极206的侧面212。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120。在另一个实 施例中，第一绝缘材料120撤虫第一电极202和第二电极206的两侧。
低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二 绝缘材料122快速消f^M:第一绝缘材料120泄漏的〗封可热量。第一绝缘材料 120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在 相变存储元件200a的^a特别是复^f喿作期间的^4卩。
图4B给出了相变存储元件200b的另一个实施例的剖面图。在一个实施 例中，相变存储元件200b是柱状相变存储元件。在存储阵列100a (图2)的 相变存储单元104中适于采用相变存储元件200b。相变存储元件200b包括第 一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料 122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204掛共用于存储一位、两位或几位,的存衞體。相变材料204織虫第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝 缘材料120横向完全包围，其定义了电流11^各以及相变区 相变材料204中 的位置。在此实施例中，相变材料204是沙漏形。第一绝缘材料120接触第二 电极206的侧面212。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120。低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二 绝缘材料122快速消ma过第一绝缘材料120泄漏的^if可热量。第一绝缘材料 120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在 相变存储元件200b的设置特别是复位操作期间的冷却。图4C给出了相变存储元件200c的另一个实施例的剖面图。在一个实施 例中，相变存储元件200c是柱状相变存储元件。在存储阵列画a (图2)的 相变存储单元104中适于采用相变存储元件200c。相变存储元件200c包括第 一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料 122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204提供用于存储一位、两位或几M^的存储隨。相变材料204接触第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝 缘材料120横向完全包围，其定义了电^W以及相变区J^相变材料204中 的位置。在此实施例中，相变材料204是沙漏形。第二绝缘材料122接触第二 电极206的侧面212并包围第一绝缘材料120。低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二 绝缘材料122快速消IW1第一绝缘材料120泄漏的ftf可热量。第一绝缘材料 120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合傲寺了相邻相变存储单元104 在相变存储元件200c的设置特别是复位操作期间的7转卩。图5A给出了相变存储元件220a的另一个实施例的剖面图。在一个实施 例中，相变存储元件220a是锥形贯通的相变存储元件。在存储阵列100a (图 2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件220a。相变存储元件220a包 括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第Z^色缘 材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变 材料204掛共用于存储一位、两位飢位麵的存储隨。相变材料204包括在226与第一电极202接触的第一部分222以及在228 与第二电极206接触的第二部分224。向具有锥形侧壁的贯通开口i真充相变材 料204，以提供第一部分222。在第一部分222上填充相变材料204，以提供第 二部分224。相变材料204的第一部分222具有锥形侧壁，并在230具有最大 宽度或截面，在226具有最小宽度或截面。第一部分222在230的最大宽度可 以小于第二部分224的宽度或截面。相变材料204的第一部分222由第一绝缘 材料120横向完全包围，其定义了电纟皿路以及相变区J^相变材料204中的 位置。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120以及相变材料204的第二部分 224。低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204的第1分222。高 导热系数的第二绝缘材料122快速消散通过第一绝缘材料120泄漏的任何热 量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相 邻相变存储单元在相变存储元件220a的设置特别是复位操作期间的7賴卩。图5B给出了相变存储元件220b的另一个实施侈啲咅腼图。在一个实施 例中，相变存储元件220b是锥形贯通的相变存储元件。在存储阵列100a (图 2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件220b。相变存储元件220b包 括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘 材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变 材料204掛共用于存储一位、两位^rUiW的存储位置。相变材料204撤虫第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝 缘材料120横向完全包围，其定义了电^M路以及相变区:liS相变材料204中 的{體。在此实施例中，相变材料204具有锥形侧壁。第一绝缘材料120接触 第一电极202的侧面210和第二电极206的侧面212。第二绝缘材料122包围 第一绝缘材料120。低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二 绝缘材料122个规消EiM:第一绝缘材料120泄漏的fti可热量。第一绝缘材料 120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在 相变存储元件220b的设置特别是复位操作期间的冷却。图6A给出了相变存储元件250的另一个实施例的剖面图，图6B给出了 相变存储元件250的侧咅晒图。在一个实施例中，相变存储元件250是桥式的 相变存储元件。在存储阵列謂a (图2)的相变存储单元104中适于采用相变 存储元件250。相变存储元件250包括第一电极202、第一接触252、相变材料 204、间隔物256、第二接触254、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝 缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相 变材料204掛共用于存储一位、两位就位娜的存储隨。相变材料204撤虫由间隔物256分开的第一撤虫252和第二接触254。第 一接触252接角蝶一电极202，第二撤虫254接角蝶二电极206。除了相变材 料204撤虫第一和第二接触252和254以及间隔物256的地方之外，相变材料 204由第一绝缘材料120包围。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120。低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二 绝缘材料122 '腿消tM31第一绝缘材料120泄漏的飾热量。第一绝缘材料 120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合f娥了相邻相变存储单元在 相变存储元件250的M特别是复位操作期间的冷却。图7给出了包括热屏蔽或散热装置的相变存储单元的布图300的一个实施 例的侧视图。在存储阵列100b (图3)中适于采用相变存储单元的布图300。 布图300包括衬底302、位线112、 i鹏114、晶体管108、 304、接触306、 相顿件106和散热體或屏蔽130。位线112和i鹏114是分开的金属化层。 在一个实施例中，位线112包括W戯它适合的金属，并且是比i臓114更 低的金属化层，地线114包括A1、 Cu或其它适合的金属。在另一个实施例中， 位线112包括Al、 Cu鹏它适合的金属，并且是比地线114更高的金属化层， 地线114包括W或其它适合的金属。在一个实施例中，位线112垂直于地线114。 #^晶体管108的源极一漏 极通路的一侧M31接触306电性耦合到地线114，撤虫306包括Cu、 W或其 它适合的导电材料。每个晶体管108的源极一漏极ffi^的另一侧M相^;件 106和接触304电性耦合至啦线112，接触304包括Cu、 W或其它适合的导电 材料。齡晶体管應的栅极电性孝給到字线110，字线110包括掺杂多晶硅、 W、 TiN、 MSi、 CoSi、 TiSi、 WS、或其它适合的材料。在一个实施例中，存储 元件106是加 单元、通孔内有效(active-in-via)单元、柱状单元、或其它 适合的相变存储元件。在靠在一起并且没有Miii也线114分开的相邻的相^:件106之间提供散 热， 蔽线130。散热，，蔽线130包括具有高导热系数的材料，例 如SiN、金属、多晶硅或其它具有高导热系数的适合的材料。散热装置或屏蔽 线130与相变元件106之间的空间134填充了层间电介质，例如，Si02、硼磷 硅鹏(BPSG)、硼硅鹏(BSG)、氟硅玻璃(FSG)、低k材料、戯它适 合的介电材料。散热^fi^蔽线130快速地消散来自于几个存储单元长度上 的相变元件！06的任何热量。因此散热驢離蔽线130有效地用于7轴卩相变 元件106，并防止相邻相变元件106受热。图8给出了相变存储单元的布图320的另一个实施例的侦舰图，相变存储 单元4顿有效的金属线作为散热，。在存储阵列100b (图3)中适于，相 变存储单元的布图320。布图320包括衬底302、位线112、 i繊114、晶赠 廳、接触304、接触306、相变元件106。位线112和地线114是分开的金属 化层。在一个实施例中，位线112包括W或其它适合的金属，并且是比地线114 更低的金属化层，i鹏U4包括Al、 Cu或其它适合的金属。在另一个实施例 中，位线112包括Al、 Cu或其它适合的金属，并且是比i臓114更高的金属 化层，i 114包括W ^它适合的金属。在ftf可情况下，位线112垂直于 字线IIO。在一个实施例中，位线112垂直于地线114。每个晶体管108的源极一漏 丰M^各的一侧iM:接触306电性孝給到位线112， 306包括Cu、 W或其 它适合的导电材料。*晶体管108的源极一漏^W的另一侧M相^^件 106和接触304电性耦合到地线114，接触304包括Cu、 W或其它适合的导电 材料。齡晶体管108的栅极电性耦合到字线110 (没有显示)，字线110包括 掺杂多晶硅、W、 TiN、 NiSi、 CoSi、 TiSi、 WS、或其它适合的材料。在一个实 施例中，存储元件106是加热器单元、通孔内有效(active-in-via)单元、柱状 单元、或其它适合的相变存储元件。在此实施例中，位线112是比i臓114更低的金属化层。相^^;件106与 位线112共面地设置，使樹立线112作为散热體鹏蔽线130。在一个实施 例中，位线112包括在位线112之间形成子光刻开口的绝缘侧壁间隔物。将相 变材料填充在间隔物之间的子光刻开口中，以提供相变元件106。间隔物材料 包括具剤氐导热系数的介电材料，用于热隔绝相^t件106。每条字线112提 供散热驢。位线112快逝也消棘自于几个存储单元长度上的相邻相变元件 106的^f可热量。因此位线112有效地用于冷却相顿件106，并防止相邻相 变元件106受热。图9给出了包括伪地线402的相变存储单元400阵歹啲一个实施例的顶视 图。相变存储单元400的阵列包括位线112、 i臓114、伪地线402、字线110 和浅沟渠隔离404。存储单^lil接触304耦合到位线112。存储单^MS 触306耦合到地线114。在位线112之间或与位线112平纟fiH^f共浅沟渠隔离 404或其它适合的晶体管隔离。字线110垂直于位线112并平行于地线114和 伪地线402。伪地线402在由存储单元接触304指示的存储单元的行之间提供 热隔绝。地线114也在由存储单元接触304指示的相邻存储单;^间衛共热隔 绝。图10A给出了包括伪i鹏402的相变存储单元的布图400的一个实施例 的剖面图，图10B给出了M31相变元件106的布图400的一个实施例的侧视图。 布图400包括衬底302、晶体管108、隔离栅极406、地线114、伪地线402、 覆盖层410、间隔物408、相变元件106、相变元ff^触304 (^h^括一个电 极)、地线f数虫306、电极416、位线112和介电材料412和414。在衬底302上形鹏 掛目变元件106的晶体管108。晶体管108的栅 极电性f給到字线110。在晶体管108之间的衬底302上形成隔离栅极406。 在晶体管應和隔离栅极406上沉积介电材料414。相顿j働虫304将針 晶体管108的源极—漏极鹏的一侧电性耦合至湘变元件106，地线撤虫306 将每个晶体管108的源极一漏tM^的另一侧电性耦合到i臓114。间隔物408 包围相，件106以及可选地包围相变元^ra虫304，以便为相^f;件106提 供子光刻宽度。间隔物408热隔绝相顿件106。伪i鹏402在没有鄉繊114分开的相 变元件106之间延伸。伪地线402和i臓114樹共散热驢，以便消M自于 相顿件106通过了间隔物408的热量。在一个实施例中，SiN或其它适合材 料的覆盖层410覆盖地线114和伪地线402。可选地，也在地线114和伪地线
402的侧跡mM材料410。鶴层410也用作存储节点蚀刻期间的掩t媒， 并进一步隔离相^^件106，斷氐沉积了相变材料处的开口宽度。电极416将 相变元件106电性耦合至啦线112。图11 ^M示用于制造相变存储器的方法500的一个实施例的流程图。在 502，在预处理的晶片302上形戯有SM层410的金属线114和402以及可 选的侧壁间隔物。在504，通过氧化物或介电材料412i真充金属线之间的缝隙。 在506，执行存储节点光刻，作为垂直于金属线114和402的线。在另一个实 施例中，执行存储节点光刻，作为沿着垂直于金属线U4和402的通路的孔。 在另一个实施例中，以与金属线114和402成小于90度的角度沿M^^行 存储节点光刻。在508，在氧化物或介电材料412中t駭ij自对准于金属线114和402的存 储节点t魏虫孔。在510， M 沉积和嫩膨成低k介电材料或氧化间隔物408， 以鹏来热隔绝相变元件。在512，在接触孔中沉积电极材料304并平坦化。 在514，凹陷蚀刻电极材料304，以形成开口和第一电极。在516，在电极材料 304上沉积相变材料106，以形淑目变元件106。在一个实施例中，将步骤510 移动到步骤514之后和步骤516之前。在518，在相变材料106上沉积电极材 料416，以形成第二电极。在520，形成包括位线112的上部金属化层。图12是描述相变存储单元101阵列的另一个实施例的视图。相变存储单 元101的阵列类似于先前戶腿并参照图1显示的相变存储单元励的阵列，除 了fflil接地导板115替换相变存储单元101阵列中的地线114a—114b之外。在 一个实施例中，接地导板115在位线112上。在另一个实施例中，接地导板U5 在位线112下，并被打孔以便允许贯穿擲虫到相变存储单元104。在一个实施 例中，位线112热隔绝相变存储单元104。在另一个实施例中，i鹏115热隔 绝相变存储单元104。图13A描述了包括接地导板602的相变存储单元600a阵列的一个实施例 的顶视图。相变存储单元600a的阵列包括位线112、 i鹏602和字线110。存 储单^Mil接触304电性耦合到接地导板602。存储单^li^触306电性耦 合到位线112。字线110垂直于位线112。位线112在由存储单元撤虫304指 示的相邻存储单元之间提供热隔绝。相变存储单元600a的阵列包括 极相变存储单元。相变存储单元600a
的阵列可升级到6F2，其中F是最小特征尺寸。在其它实施例中，{顿较宽的 晶体管，使得 304之间的距离增加。位线112 iMgM 306电性连接到晶 体管的源极一漏tM^的一侧。^h接触306由两个晶体管共享，用于存取两 个相变存储元件。字线110电性耦合到晶体管的栅极。晶体管的源极一漏t腿 路的另U舰接触304电性耦合至湘变存储元件的一侧。相变存储元件的另 一侧电性耦合到接地导板602。由于板的制造比线光刻简单，因此接地导板602 简化了相变存储单元600a阵列的制造工艺。在一个实施例中，接地导板602 在位线112上。在另一个实施例中，位线112在接地导板602上。接地导板602 是导电板，工作在OV或另一，当的电势。604表示相变存储单元600a阵列内的晶体管的有源区域。有源区域604 被配置对角地y^E上^A虫304至佑下接触304穿过相变存储单元600a的阵列。 有源区域604从一个撤虫304 5f31第一字线110至跶位线112，从位线112跨 过第二字线110到达第二^M 304。图13B描述了包括接地导板602的相变存储单元600b阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元600b的阵列类似于先前戶腿并参照图13A显示的 相变存储单元600a的阵列，除了以交替变化的对角方向穿过阵列来配置相变 存储单元600b阵列的有源区域604之外。有源区域604在从右上接触304到 左下接触304与从左上撤虫304到右下接触304之间交,变化。图13C描述了包括接地导板602的相变存储单元600c阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元600c的阵列类似于先前戶;M并参照图13B显示的 相变存储单元600b的阵列，除了相变存储单元600c阵列的位线112不是直线 之外。位线112在接触304之间曲折地穿过相变存储单元600c的阵列。图14A描述了包括接地导板602的相变存储单元600阵列的一个实施例 的侧视图。图14A沿着有源区域604 (图13A)对角鹏魏lj，并且到达与作为 有源区域604 1分的接触304在相同列的撤虫304。图14B描述了Mil相变 元件106的相变存储单元600阵歹啲一个实施例的顶舰亂图14C描述了舰 位线112的相变存储单元600阵列的一个实施例的另一^f则视图。相变存储单 元600的阵列包括衬底302，衬底302包括浅沟渠隔离404、晶体管108、隔离 栅极406、接地导板602、覆盖层410、间隔物408、相g件106、相^;件 接触304 (^a括一电极)、位线接触306、电极416、位线112和介电材料412和414。在衬底302上形鹏 擀目变元件106的晶体管108。晶体管108的栅 极电性f給到字线110。在晶体管108之间的衬底302上形成隔离栅极406。 在晶体管108和隔离栅极406上沉积介电材料414。相^fM虫304将* 晶体管108的源极—漏tM^各的一侦跑性耦合至湘变元件106,位线撤虫306 将每个晶体管108的源极一漏tM^各的另^i跑性耦合到位线112。间隔物408 包围相^^[牛106以及可选地包围相^^鄉虫304，以便为相变元件106提 供子光刻宽度。间隔物408热隔绝相^^;件106。位线112掛共散热體，以便消棘自 于相变元件106舰了间隔物408的热量。在一个实施例中，SiN或其它适合 材料的SM层410覆盖位线112。可选地，也在位线112的侧,jta^材料 410。覆盖层410用作存储节点1:喊嗍间的掩，艱，并进一步隔离相貌件106， 降低沉积了相变材料处的开口宽度。电极416将相顿件106电性f給到接地 导板602。类似于如前所述并参照图11给出的方法500来制造相变存储单元600 的阵列。图15A描述了包括接地导板702的相变存储单元700a阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元700a的阵列包括位线112、接地导板702和字线110。 存储单^I过撤虫306电性耦合到接地导板702。存储单^M;接触304电性 耦合到位线112。字线110垂直于位线112。接地导板702在由存储单元接触304 指示的相邻存储单元t间樹共热隔绝。相变存储单元700a的阵列包括M极相变存储单元。相变存储单元700a 的阵列可升级到6F2，其中F歸小特征尺寸。位线112电性耦合至湘变存储 元件的^li。相变存储元件的另一侧M接触304电性连接到晶体管的源极一 漏丰^W的一侧。字线110电性耦合到晶体管的栅极。晶体管的源极一漏极通 路的另^f则M:^l虫306电性耦合至赎地导板702。 #^接触306由两个晶体 管共享，用于存取两个相变存储元件。由于板的制造比线光刻简单，因此接地 导板702简化了相变存储单元700a阵列的制紅艺。在一个实施例中，接地 导板702在位线112下。在此实施例中，接地导板702被穿孔，以便允i條触 304的贯通。在这些贯通区域中使用隔离间隔物，以避免电性短路。在另一个 实施例中，位线112在接地导板702下。在两个实施例中，接地导板702是导
电板，工作在ov或另一，当的电势。604表示相变存储单元700a阵列内的晶体管的有源区域。有源区域604 被配置对角地/A^上^f虫304至佑下接触304穿过相变存储单元700a的阵列。 有源区域604从第一位线112处的一个漏304離第一字线110至腿撤虫 306，从接触306離第二字线110至U达第二位线112处的第二接触304。图15B描述了包括接地导板702的相变存储单元700b阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元700b的阵列类似于先前戶腿并参照图15A显示的 相变存储单元700a的阵列，除了以交替变化的对角方向穿过阵列来配置相变 存储单元700b阵列的有源区域604之外。有源区域604在从右上接触304到 左下接触304与从左上接触304到右下接触304之间交,化。图15C描述了包括接地导板702的相变存储单元700c阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元700c的阵列类似于先前戶腿并参照图15B显示的 相变存储单元700b的阵列，除了相变存储单元700c阵列的位线112不是直线 之外。位线112在接触306之间曲折地穿过相变存储单元700c的阵列。图16A描述了包括接地导板702的相变存储单元700阵列的一个实施例 的侧视图。图16A沿着有源区域604 (图15A)对角鹏魏lj，并且到达与作为 有源区域604 —部分的接触304在相同列的撤虫304。图16B描述了ffi31相变 元件賜的相变存储单元700阵列的一个实施例的侦舰图，图16C描述了舰 接触306的相变存储单元700 P车列的一个实施例的另一W则视图。相变存储单 元700的阵列包括衬底302，衬底302包括浅沟渠隔离404、晶体管108、隔离 栅极406、接地导板702、覆盖层410、间隔物408、相变元件106、相变元件 接触304 (齡包括一电极)、接地导板接触306、电极416、位线112和介电 材料412和414。在衬底302上形鹏于选择相^^i件106的晶体管108。晶体管108的栅 极电性耦合到字线110。在晶体管108之间的衬底302上形成隔离栅极406。 在晶体管108和隔离栅极406上沉积介电材料414。相^^權触304将^ 晶体管108的源极一漏^a^的HPI他性耦合到相顿件106，接地导板撤虫 306将每个晶体管108的源极一漏极 的另一侧电性耦合到接地导板702。 间隔物408包围相变元件106以及可^i也包围相^^f^M 304，以便为相变 元件雨掛共子光刻宽度，^f共对接地导板702的电绝缘。
间隔物408热隔绝相^^;件106。接地导板702在相^^f牛106之间延伸。 接地导板702衛共散热體，以便消麟自于相顿件106舰了间隔物408 的热量。在一个实施例中，SiN或其它适合材料的覆盖层410覆盖掛也导板702。 可选地，也在接地导板702的侧 成覆盖材料410。
层410用作存储节 点蚀刻期间的掩模层，并进一步隔离相变元件106，降低沉积了相变材料处的 开口的宽度。电极416将相婉牛106电性耦合到位线112。类似于如前戶脱 并参照图11给出的方法500来制造相变存储单元700的P车列。图17A描述了包括接地导板602的相变存储单元800a阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元800a的阵列包括位线112、接地导板602和字线110。 存储单^ffi过撤虫304电性f給到接地导板602。存储单^JM;接触306电性 耦合到位线112。字线110 ;U:线，位线112不是直线。位线112在接触304 之间曲折地穿过相变存储单元的阵列。位线112在由存储单元接触304指示的 存储单元的行之间^f共热隔绝。相变存储单元800a的阵列包括双栅极相变存储单元。相变存储单元800a 的阵列可升级到8F2，其中F是最小特征尺寸。位线112 iM;接触306电性耦 合到晶体管的源极一漏极ffi^各的一侧。*撤虫306由两个晶体管共享，用于 存取两个相变存储元件。字线no电性耦合到晶体管的栅极。晶体管的源极一 漏丰M^各的另一侧fflil接触304电性耦合到相变存储元件的一侧。相变存储元 件的另一侧电性耦合到接地导板602。由于板的制造比线光刻简单，因此接地 导板602简化了相变存储单元800a阵歹啲制紅艺。在一个实施例中，接地 导板602在位线112上。在另一个实施例中，接地导板602在位线112下，并 具有开口以便允许存储元#^虫304的贯通。604表示相变存储单元800a阵列内的晶体管的有源区域。有源区域604 被配置以交替的对角方向穿过相变存储单元800a的阵列。有源区域604在从 右上接触304到左下接触304与M上接触304到右下接触304之间交，化。 有源区域604从一个f数虫304 ,第一字线110到达位线112，从位线112跨 过第二字线110到达第二撤虫304。图17B描述了包括接地导板602的相变存储单元800b阵歹啲另一个实施 例的顶视图。相变存储单元800b的阵列类似于先前戶腿并参照图17A显示的 相变存储单元800a的阵列，除了相变存储单元800b阵列的位线112是直线并
且基本上垂直于字线110之外。图17C描述了包括接地导板602的相变存储单元800c阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元800c的阵列类似于先前戶脱并参照图17B显示的 相变存储单元800b的阵列，除了相变存储单元800c阵列的有源区域604在每 个相变元件改变方向之外。有源区域604沿着每劍立线112曲折地穿过相变存 储单元800c的阵列。图18A描述了包括接地导板702的相变存储单元900a阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元900a的阵列包括位线U2、接地导板702和字线110。 存储单^I过撤虫304电酵給到位线112。存储单^iM:接触306电性孝給 到接地导板702。字线110皿线，位线112不皿线。位线112在接触306 之间曲折地穿过相变存储单元的阵列。接地导板702促进了热量从存储单元接 触304的消散。相变存储单元900a的阵列包括双栅极相变存储单元。相变存储单元900a 的阵列可升级到8F2，其中F题小特征尺寸。位线112电性耦合至湘变存储 元件的一侧。相变存储元件的另一侧通过撤虫304电性耦合到晶体管的源极一 漏极iK各的一侧。字线110耦合到晶体管的栅极。晶体管的源极一漏tM^各的 另一侧M接触306电性耦合到接地导板702。 ^接触306由两个晶体管共 享，用于存取两个相变存储元件。由于板的制造比线光刻简单，因此接地导板 702简化了相变存储单元900a阵列的制虹艺。在一个实施例中，接地导板702 在位线112下。在此实施例中，接地导板702被穿孔，以便允i^M304朝位 线112的电性隔离的贯通。在另一个实施例中，位线112在接地导板702下。604表示相变存储单元900a阵列内的晶体管的有源区域。有源区域604 被配置以交替的对角方向穿过相变存储单元900a的阵列。有源区域604在从 右上接触304至U左下撤虫304与AA^i:接触304到右下接触304之间交,变化。 有源区域604 /A^—位线112处的一个撤虫304 ,第一字线110到达撤虫 306，从接触306跨过第二字线110到达第二位线112处的第二接触304。图18B描述了包括接地导板702的相变存储单元900b阵歹啲另一个实施 例的顶视图。相变存储单元900b的阵列类似于先前戶腐并参照图18A显示的 相变存储单元900a的阵列，除了相变存储单元900b阵歹啲位线112是直线并 且垂直于字线110之外。 图18C描述了包括接地导板702的相变存储单元900c阵列的另一个实施 例的顶视图。相变存储单元900c的阵列类似于先前戶腿并参照图18B显示的 相变存储单元900b的阵列，除了相变存储单元900c阵列的有源区域604在每 个相^t件处改变方向之外。有源区域604 、M每割立线112曲折地穿过相变 存储单元900c的阵列。图19A描述了包括接地导板602的相变存储单元800阵列的另一个实施 例的侧视图。图19A髓有源区域604 (图13A)对角i魅魏ij，并且到达与作 为有源区域604 —部分的接触304在相同列的接触304。图19B描述了fflil相 变元件106的相变存储单元800阵列的一个实施例的侧视图，图19C描述了通 过位线112的相变存储单元800阵列的一个实施例的另一^f则视图。相变存储 单元800的阵列类似于先前戶诚并参照图14A—14C显示的相变存储单元600 的阵列，除了相变存储单元800阵列中的位线112和S^M 410位于相^^件 106下的水平面上之外。因此砂匕实施例中，位线m不掛共散热體用于消 散来自于相顿件106的舰间隔物408的热量。图20A描述了包括接地导板702的相变存储单元802阵列的另一个实施 例的侧视图，图20B描述了通过相^件106的相变存储单元802阵列的一个 实施例的侧视图，图20C描述了M51接触306的相变存储单元802阵列的一个 实施例的另一^i舰图。相变存储单元802的阵列类似于先前戶腿并参照图16A 一16C显示的相变存储单元700的阵列，除了相变存储单元802阵列中的接地 导板702和覆盖层410位于相^^;件106下的水平面上之外。因此 匕实施例 中，接地导板702不^f共散热，用于消M自于相变元件106的M间隔物 408的热量。本发明的实施例提供了用于热隔绝相邻相变存储单元的相变存储阵列布 图。通过热隔绝相邻相变存储单元，降低了热串扰并提高了数据保持力。本发 明的实施例能够使相变存储器工作在80摄氏度之上，并提供了在较低温度下 的提高的 稳定性。尽管此处己经给出了具体实施例，但是本领,术人员应当意识到，在不 脱离本发明范围的情况下，各种修改和域割介实施可以替换所示和所述的具体 实施例。本申请倾向于覆盖此处戶腿具体实施例的任何修改或变化。因此，本 发明仅由权利要求及其割介物限定。
权利要求
1.一种存储器，包括电阻存储单元的阵列；在存储单元行之间用于存取存储单元的位线；和耦合到每个存储单元的导电板。
2. 根据权利要求1戶脱的存储器，其中导电板包括接地导板。
3. 根据权利要求1戶舰的存储器，其中存储单元包括相变存储单元。
4. 根据权利要求1戶满的存储器，其中导电板在位线丄
5. 根据权利要求1臓的存储器，进一步包括基本上垂直于位线的字线，每条字线用于控制耦合在位线与存储元件之间 的具有源极一漏* ^各的晶体管。
6. 根据权禾腰求1戶脱的存储器，其中字线热隔绝存储单元。.
7. —种存储器，包括电阻存储单元的阵列； 耦合到^存储单元的位线；和 围绕存储单元的用于存取存储单元的导电穿 L板。
8. 根据权利要求7戶腿的存储器，其中导电板包括接地导板。
9. 根据权利要求7戶脱的存储器，其中存储单元包括相变存储单元。
10. 根据权利要求7所述的存储器，其中导电板在位线下。
11. 根据权利要求7臓的存储器，进—步包括基本上垂直于位线的字线，每条字线用于控制耦合在导电板与存储元件之 间的具有源极一漏极通路的晶体管。
12. 根据权利要求7所述的存储器，其中导电板热隔绝存储单元。
13. —种半导^^储器件，包括相变存储单元的阵列，每个存储单元包括晶体管和存储元件，每个晶体管 的源极一漏Sffl^各的一侧耦合到存储元件； 耦合到旨存储元件的位线；和耦合到針晶体管的源极一漏tM^各的另一侧的接地导板。
14. 根据权利要求13所述的存储器件，其中位线在接地导板上，接地导 板被穿孔。
15. 根据权利要求13戶舰的存储器件，其中位线在接地导板下。
16. 根据权利要求13所述的存储器件，其中存储单元的阵列包括单栅极 存储单元的阵列。
17.根据权利要求13所述的存储器件，其中存储单元的阵列包括双栅极 存储单元的阵列。
18. 根据权利要求U戶，的存储器件，其中位线热隔绝存储单元。
19. 根据权利要求U戶腿的存储器件，其中接地导板热隔绝存储单元。
20. —种用于制造存储器的方法，该方細舌 掛共电阻存储单元的阵列；在存储单元的行之间掛斜立线，用于存取存储单元；以及樹共耦合到^h存储单元的导电板。
21. 根据权利要求20所述的方法，其中提供存储单元的阵列包括提供相 变存储单元的阵列。
22. 根据权利要求20臓的方法，进一步包括提供基本上垂直于位线的字线，每条字线用于控制耦合在位线与存储元件 之间的具有源极一漏极3I^各的晶体管。
23. 根据权利要求20戶脱的方法，其中提^^立线包括提供用于热隔绝存 储单元的位线。
24. —种用于制造存储器的方法，该方》跑括 ^i共电阻存储单元的阵列； ^f共耦合到^^存储单元的位线；以及 掛共用于存取存储单元的穿孔的导电板。
25. 根据权利要求24所述的方法，其中提供存储单元的阵列包括提供相 变存储单元的阵列。
26. 根据权利要求24臓的方法，进一步包括提供基本上垂直于位线的字线，每条字线用于控制耦合在存储元件与导电敬t间的具有源极一漏申MS各的晶体管。
27. 根据权利要求24所述的方法，其中提供导电板包括提供用于热隔绝存储单元的导电板。
全文摘要
一种存储器，包括电阻存储单元的阵列、用于存取存储单元的在存储单元的行之间的位线、和耦合到每个存储单元的导电板。
文档编号H01L23/522GK101106152SQ20071010162
公开日2008年1月16日 申请日期2007年2月7日 优先权日2006年2月7日
发明者J·B·菲利普, T·哈普, U·G·冯施维林 申请人:奇梦达北美有限公司;奇梦达股份公司