专利名称：布线结构和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及布线结构和显示装置。特别是，本发明涉及具备多条迂回布线的布线结构和使用了该布线结构的显示装置。
背景技术：
以往，液晶显示装置具有被配置成矩阵(matrix)状的多条栅极(gate)线(扫描信号线)和多条源极(source)线(图像信号线)。在液晶显示面板中，多个液晶盒(cell)与栅极线和源极线的各交点对应地形成。多条栅极信号线由栅极用驱动(driving)IC来驱动。多条源极线由源极用驱动IC来驱动。
栅极布线、源极布线在液晶显示面板(panel)的液晶面一侧形成。各布线从显示区域迂回至驱动IC。布线的迂回在显示区域周边的空置空间(space)(以下，有时将该空间称为边框)形成。因此，迂回至显示区域的各迂回布线的迂回距离随驱动IC的安装位置而变化。因而，因布线间的电阻差将发生显示不均匀性(uneven)。为了将该布线间的电阻级差抑制得很低，使用了边框的空置空间，并控制布线长度和布线宽度，但电阻级差的调整困难，难以抑制显示不均匀性的产生。
迂回布线的迂回距离随驱动IC的配置和布线配置而变化。例如，在显示区域的右转弯和左转弯处，迂回布线长度有时会不同。在面板外形尺寸(size)大而显示像素数目少的液晶显示面板上，在进行从驱动IC连接到显示面的各布线的迂回的边框空间上留有富余。因此，例如在像源极用驱动IC的配置那样在显示的左右源极布线迂回距离不同的情况下，调整布线宽度或长度。由此可进行各布线间的电阻调整。
然而，随着目前的显示的高精细化和显示面板的外形的小型化，却难以确保边框有足够的空间。因此，必须形成接近于制造极限的布线宽度的迂回布线。此时，剩余空间变窄，用布线宽度进行电阻调整变得困难。因而，需要只用布线长度进行电阻调整。此时，如上所述，由于布线长度由驱动IC的配置等决定，故难以抑制布线间电阻差所造成的显示不均匀性。
例如，专利文献1中公开了利用边框的空置空间进行必要的布线间电阻的电阻调整的技术。然而，目前，随着显示的高精细化和显示面板的外形的小型化，难以确保边框有足够的空间，难以抑制显示的不均匀性。
特开2000-187451号公报这样，在现有的液晶显示装置中，由于各布线的迂回距离不同，所以存在布线间产生电阻级差、发生显示不均匀性的问题。
发明内容
本发明是为了解决这样的问题而进行的，其目的在于，提供一种可简便地调整迂回布线间的电阻的布线结构和显示装置。
本发明的第1方式的布线结构具备多条迂回布线，在基板上所形成的长度不同；多个布线切断部，与上述多条迂回布线对应地设置，切断上述迂回布线；以及连接部，连接被上述布线切断部切断的迂回布线，在上述连接部上，形成有使被上述布线切断部切断的迂回布线导通的连接导电膜，根据上述多条迂回布线间的电阻差，使上述连接导电膜的宽度和上述布线切断部的长度的至少一方在多条迂回布线间变化。
本发明的第2方式的布线结构具备多条迂回布线，具有形成在基板上的第1导电层；第2导电层，设置在上述第1导电层上；下层绝缘膜，配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间；连接部，与上述多条迂回布线对应地设置，并以使上述迂回布线的一部分区间成为具有上述第1导电层和上述第2导电层的层叠结构的方式设置在上述迂回布线的2个部位；以及连接导电膜，在上述连接部上连接上述第1导电层和上述第2导电层，在设置于上述2个部位的上述连接部上，上述第2导电层的宽度和长度的至少一方根据上述多条迂回布线间的电阻差而在上述多条迂回布线间变化。
按照本发明，就可提供一种能简便地调整迂回布线间的电阻的布线结构和显示装置。
图1A是表示本发明的液晶显示面板的一个结构例的俯视图。
图1B是图1A的剖面图。
图2是表示本发明的实施方式1的液晶显示面板的连接部的一个结构例的俯视图。
图3A、图3B、图3C是表示本发明的实施方式1的液晶显示面板的连接部的一个结构例的概略示意图。
图4A、图4B是表示本发明的实施方式2的液晶显示面板的连接部的一个结构例的概略示意图。
图5A、图5B、图5C是表示本发明的实施方式3的液晶显示面板的连接部的一个结构例的概略示意图。
图6是表示本发明的实施方式4的液晶显示面板的连接部的一个结构例的概略示意图。
图7A、图7B是表示本发明的实施方式5的液晶显示面板的连接部的一个结构例的概略示意图。
图8A是表示本发明的实施方式5的液晶显示面板的连接部的一个结构例的概略示意图。
图8B是表示本发明的实施方式5的液晶显示面板的连接部的另一结构例的概略示意图。
图8C是表示本发明的实施方式5的液晶显示面板的连接部的另一结构例的概略示意图。
图9是表示本发明的实施方式6的液晶显示面板的结构例的俯视图。
图10是表示本发明的实施方式7的液晶显示面板的结构例的俯视图。
图11是表示本发明的实施方式8的液晶显示面板的检查电路的结构的图。
具体实施例方式
以下，参照
用于实施本发明的优选方式。在以下的实施方式1～8中，作为本发明的显示装置的优选例，用液晶显示装置加以说明。然而，实施本发明的显示装置不限于液晶显示装置，只要是设置了扫描信号布线、图像信号布线和驱动这些布线的驱动IC的显示装置即可。再有，驱动IC并无特别限定，例如既可以是在显示面板的玻璃基板上配置驱动IC的COG(Chip On Glass晶玻接装)方式的驱动器(driver)，又可以是外接的TAB驱动器。另外，在实施方式8中，说明将本发明的布线结构应用于显示面板的检查电路的情形，但不限于此，只要是具有本发明的布线结构的电路即可。特别是，本发明的布线结构适于抑制显示装置的显示不均匀性。
实施方式1首先，用图1A、图1B说明本发明的液晶显示面板的概略结构。图1A、图1B是表示本发明的液晶显示面板的一个结构例的概略示意图。在图1A、图1B中仅仅示出了其主要结构。图1A是表示本发明的液晶显示面板的一个结构例的俯视图，图1B是表示本发明的液晶显示面板的一个结构例的剖面图。
如图1A所示，液晶显示面板1在典型情况下具有由被配置成矩阵状的多个像素构成的显示区域11和作为其外围区域的边框区域12。即，包围显示区域11的外围的非显示区为边框区域12。如图1B所示，液晶显示面板1具有形成有布线和阵列(array)电路的阵列基板2及其对置基板4。在这2块基板之间，封入有液晶6。在对置基板4上，形成有由透明导电膜构成的对置电极5。有源矩阵型(active matrixtype)的液晶面板中，各像素包括控制图像信号的输入输出的开关(switching)元件。典型的开关元件是TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)。
彩色(color)液晶显示装置在对置基板4上具有RGB的滤色(colorfilter)层3。液晶面板1的显示区域内的各像素进行RGB中的任一种颜色的显示。当然，在黑白显示器(display)上，进行白和黑的任一种显示。通过在透明玻璃(glass)基板上形成规定的图形(pattern)，形成阵列基板2和对置基板。在对置基板4的阵列基板2一侧的面上，形成有透明的对置电极5。在液晶面板1的背面，配置有背光单元(backlight unit)7。
在显示区域11内，在阵列基板2上，多条源极布线132与多条栅极布线131被配置成矩阵状。即，阵列基板2是形成有多条布线的布线基板。在图1A中，沿纵向形成各源极布线132。在纵向所形成的源极布线132在横向并排配置多条。在图1A、图1B中，相同宽度的源极布线132以相同间隔形成。另一方面，在显示区域11中，各条栅极布线131在横向形成。在横向所形成的栅极布线131在纵向并排配置多条。在显示区域11中，相同宽度的栅极布线131以相同间隔形成。
在边框区域12中，配置有栅极驱动IC141和源极驱动IC142。栅极驱动IC141和源极驱动IC142被配置在边框区域12之中的显示区域11的下侧。将边框区域12之中的显示区域11下侧的部分定为边框区域12的下部。将边框区域12之中的显示区域11的横向侧的部分定为边框区域12的侧部。边框区域12的侧部具有右侧部和左侧部。进而，将边框区域12之中的显示区域11的上侧部分定为边框区域12的上部。从而，显示区域11被边框区域12的上部、右侧部、左侧部和下部包围。另外，在矩形显示区域11的下边侧配置有各驱动IC。
源极布线132和栅极布线131被配置成隔着栅极绝缘膜相互大致呈直角地重叠在一起，在交叉点附近配置TFT。例如，形成栅极绝缘膜，使之覆盖栅极布线131和从栅极布线131延伸的栅电极。栅极绝缘膜可用氧化硅(silicon)或氮化硅等。在栅极绝缘膜之上形成半导体膜。半导体膜可用a-Si或p-Si膜。在半导体膜之上，形成从源极布线132延伸的源电极。由此，可对半导体膜的源极区域供给源极电压。进而，在半导体膜的漏极(drain)区域之上形成漏电极。源电极和漏电极可在与源极布线的同一工序中形成。栅极布线和源极布线例如可用Al或Cr等低电阻的金属材料。这样，栅极布线131和源极布线132在不同的布线层上形成。
在漏电极之上，形成层间绝缘膜。在层间绝缘膜之上形成像素电极。像素电极经设置于层间绝缘膜中的接触孔(contact hole)与漏电极连接。在透过型的液晶显示面板1的情况下，像素电极由ITO等透明导电膜形成。从而，当对栅极布线供给栅极信号时，对规定的栅电极施加栅极电压。由此，TFT变为导通，从源电极经漏电极对像素电极供给图像显示信号电压。
对栅极驱动IC141供给来自外部的控制信号。对源极驱动IC142供给来自外部的显示数据(data)。栅极驱动IC141和源极驱动IC142根据控制信号和显示数据进行显示。即，由从栅极驱动IC141输入的栅极电压所选择的各像素根据从源极驱动IC142输入的图像显示信号电压对液晶施加电场。由此，液晶的取向方向发生变化，以控制透过光量。对源极布线132供给图像显示信号电压的源极驱动IC142和对栅极布线131供给栅极电压的栅极驱动IC141与设置在显示区域的外围的阵列基板2的边框区域12连接。
在栅极布线131与栅极驱动IC141之间，形成栅极迂回布线131a。栅极迂回布线131a与多条栅极布线131对应地设置多条。即，与栅极布线131相同数目的栅极迂回布线131a在阵列基板2上形成。多条栅极迂回布线131a在边框区域12上形成。栅极驱动IC141与栅极布线131经该栅极迂回布线131a连接。即，经栅极迂回布线131a，从栅极驱动IC141供给栅极信号。
在源极布线132与源极驱动IC142之间，形成源极迂回布线132a。源极迂回布线132a与多条源极布线132对应地设置多条。即，与源极布线132相同数目的源极迂回布线132a在阵列基板2上形成。多条源极迂回布线132a在边框区域12上形成。源极驱动IC142与源极布线132经该源极迂回布线132a连接。即，经源极迂回布线132a，从源极驱动IC142供给源极信号。
各迂回布线131a、132a在显示区域11外侧的边框区域12迂回。然后，分别与显示区域11内的栅极布线131、源极布线132连接。在图1A、图1B所示的结构中，栅极驱动IC141被配置在显示区域11的下方。从而，栅极迂回布线131a从边框区域12的侧部一侧与显示区域11的栅极布线131连接。即，栅极迂回布线131a从边框区域12的下部经过侧部地形成。而且，栅极迂回布线131a在边框区域的侧部与栅极布线131连接。再有，以同一层的导电膜形成栅极布线131和栅极迂回布线131a。这样，栅极布线131和栅极驱动IC141由在边框区域12迂回的栅极迂回布线131a连接。
进而，大约一半的栅极迂回布线131a被设置在边框区域12的右侧部。剩余的大约一半的栅极迂回布线131a被设置在边框区域12的左侧部。即，一部分栅极迂回布线131a从边框区域12的下部经过右侧部地形成，在显示区域11的右端边与栅极布线131连接。剩余的栅极迂回布线131a从边框区域12的下部经过左侧部地形成，在显示区域11的左端边与栅极布线131连接。由此，可使边框区域12变窄。
在图1A、图1B所示的液晶显示面板1上，例如，左侧部的栅极迂回布线131a和右侧部的栅极迂回布线131a相对于多条栅极布线131交替连接。例如，设置在右侧部的栅极迂回布线131a与第奇数条的栅极布线131连接，设置在左侧部的栅极迂回布线131a与第偶数条的栅极布线131连接。这样，多条栅极布线131交替从两侧与栅极迂回布线131a连接。这样，在栅极迂回布线131a被分开于显示区域11的左右的情况下，在从左侧输入的像素线与从右侧输入的像素线(line)处，有可能会产生偏差。特别是，在上述结构的情况下，由于是左右交替输入，所以有可能易观察到每1条细线的横条状不均匀。
源极驱动IC142也被配置在显示区域11的下方。从而，源极迂回布线132a仅设置在边框区域12的下部。而且，在显示区域11的下端边，源极迂回布线132a与源极布线132连接。再有，源极布线132与源极迂回布线132a在同一层导电膜内形成。这样，源极布线132与源极驱动IC142用在边框区域12迂回的源极迂回布线132a连接。这些迂回布线131a、132a分别以规定的宽度和所需的条数形成于阵列基板2上。而且，迂回布线131a、132a被形成为收存于边框区域12中。
如上所述，多条栅极布线131在纵向隔开一定距离地形成。从而，在液晶显示面板1上，栅极迂回布线131a的迂回距离因栅极驱动IC141的配置、栅极布线131的迂回方式而异。多条栅极迂回布线131a具有各不相同的布线长度。
具体地说，如图1A、图1B所示，栅极驱动IC141在边框区域12内被配置在源极驱动IC142的左方。从而，栅极驱动IC141位于阵列基板2的左右方向的中央的左侧。因此，与显示区域11的右方连接的栅极迂回布线131a(以下，将其简略为右转弯栅极迂回布线131a)的迂回距离比与左方连接的栅极迂回布线131a(以下，将其简略为左转弯栅极迂回布线131a)的迂回距离长。所以，右转弯栅极迂回布线131a的布线电阻有可能比左转弯栅极迂回布线131a的布线电阻增高。当在右转弯栅极迂回布线131a和左转弯栅极迂回布线131a处布线电阻不同时，在液晶显示面板的显示中，容易观察到每1条细线的横条状不均匀。在本实施方式中，采用了对降低上述横条状不均匀很有效的结构。
用图2说明连接部的结构。图2是表示连接部23的结构的俯视图。在本实施方式中，在连接阵列基板2的栅极驱动IC141的部位的附近形成连接部23。具体地说，在边框区域12的下部配置连接部23。在阵列基板2上，设置栅极驱动IC141、COG端子22、连接部23。连接部23与多条栅极迂回布线131a对应地设置多条。连接部23在连接栅极迂回布线131a的同时，校正布线间的电阻值。COG端子22是连接栅极迂回布线131a和栅极驱动IC141的端子。即，在COG端子22露出于阵列基板2上的状态下，对栅极驱动IC141进行COG安装。
在COG端子22的附近，设置连接部23。连接部23被连接在栅极驱动IC141与栅极布线131之间。连接部23被配置在栅极迂回布线131a的一部分上。例如，连接部23形成在COG端子22与栅极迂回布线131a之间、或者栅极迂回布线131a的一部分上。在本实施方式中，在栅极驱动IC141的外形端的内侧配置连接部23。从而，连接部23被配置在栅极驱动IC141的正下方。由此，由于可以使用栅极驱动IC141正下方的剩余空间，所以可防止边框区域12的增加。
连接部23具有校正左转弯栅极迂回布线131a的布线电阻和右转弯栅极迂回布线131a的布线电阻的电阻差的功能。例如，连接部23仅被配置在左转弯栅极布线131和右转弯栅极迂回布线131a的任一方。由此，对在左右迂回的各栅极迂回布线131a之间的电阻差进行校正。具体地说，在图1A、图1B所示的液晶显示面板1上，对布线电阻低的左转弯栅极迂回布线131a设置连接部23。不言而喻，为了校正显示区域11的上下级的布线电阻差，也可在全部的各栅极迂回布线131a上形成连接部。
用图3A、图3B、图3C具体地说明本发明的栅极驱动IC141的连接部23。图3A、图3B、图3C是表示该连接部23的具体结构的示意图。图3A是表示连接部23的结构的俯视图，图3B是图3A的A-A剖面图。如图3A、图3B、图3C所示，在连接部23上，设置栅极布线膜231、布线切断部232、连接导电膜233、接触孔234、绝缘膜236。在该连接部23上，变换布线层(layer)一次。
栅极布线膜231是构成栅极迂回布线131a的导电体，其一部分被分割。换言之，栅极迂回布线131a被部分地分割。布线切断部232是该栅极布线膜231的分割部分，对栅极布线膜231进行电切断。即，栅极迂回布线131a被布线切断部232切断。由于栅极迂回布线131a和栅极布线131在同一层形成，所以实质上为同一材料、同一膜厚。
连接导电膜233由比构成栅极布线膜231的导电体的电阻高的导电体构成。连接导电膜233通过布线切断部232将绝缘状态的栅极布线膜231彼此之间连接起来。即，连接导电膜233经过被切断的栅极布线膜231的两侧而形成。连接导电膜233在与栅极布线膜231的一部分重叠的位置上形成。连接导电膜233具有大致呈矩形的图形形状。再有，连接导电膜233并不限于矩形。连接导电膜233的短边方向的尺寸a(宽度a)根据左右迂回的栅极布线131之间的电阻差适当地进行设计。与此同时，布线切断部232的长边方向的尺寸b(长度b)、即分割后的栅极布线膜231的间隔也还根据左右迂回的栅极布线131之间的电阻差适当地进行设计。通过设定这些宽度a和长度b的至少一方的尺寸，从而由连接部23来校正左右迂回的栅极迂回布线131a之间的电阻差。即，在左转弯的栅极迂回布线131a处增高连接部23的电阻。由此，可调整左面的栅极迂回布线131a的电阻值。
具体地说，在布线长度短的栅极迂回布线131a处，将尺寸设定为在连接部23处成为高电阻。例如，由于栅极驱动IC141被配置在左侧，所以左转弯栅极迂回布线131a的布线长度变短。从而，加长被设置在左转弯栅极迂回布线131a上的布线切断部232的长度b。或者，使连接导电膜233的宽度a变窄。不言而喻，仅改变长度b和宽度a的一方也可，改变双方尺寸也可。更具体地说，栅极迂回布线131a的布线长度变得越短，就越使长度b加长。或者，布线长度变得越短，就越使宽度a收窄。切断后的栅极迂回布线131a用连接导电膜233串联连接。从而，可决定连接导电膜233的尺寸，使之具有基于栅极迂回布线131a的电阻差的电阻值。例如，可设定连接导电膜233的尺寸，使之与电阻值最高的栅极迂回布线131a匹配。
在栅极布线膜231之上，形成绝缘膜236。绝缘膜236以覆盖栅极布线膜231的方式形成。在绝缘膜236的一部分上形成接触孔234。接触孔234是为了连接栅极布线膜231和连接导电膜233而设置的。从而，栅极布线膜231与连接导电膜233经该接触孔234被连接在一起。接触孔234在栅极布线膜231的布线切断部232侧的端部附近形成。在栅极布线膜231的切断部位的两侧各形成2个接触孔234。由此，即使在发生了与1个接触孔234连接不良的情况下，也能可靠地连接。
如图3B所示，栅极布线膜231在阵列基板2上，在被切断的状态下被构图(patterning)。在该栅极布线膜231上形成绝缘膜236。接触孔234在绝缘膜236内形成。栅极布线膜231在接触孔234处局部地露出。栅极布线膜231在布线切断部232处被分割。从布线切断部232上方在阵列基板2上形成绝缘膜236。连接导电膜233在这样的绝缘膜236上形成，经接触孔234与栅极布线膜231连接。连接导电膜233的长度比布线切断部232长。分割后的栅极布线膜231的两侧的一部分与连接导电膜233的一部分重叠地形成。
如上所述，在本发明中，连接部23能够校正左转弯栅极迂回布线131a的布线电阻和右转弯栅极迂回布线131a的布线电阻，并使这些布线电阻大致相同。因此，可使显示区域11的上下级的像素间的电阻差与单侧转弯的布线间的电阻差大致相同。因而，在液晶显示面板1的显示中，可降低因偶奇级的像素的栅极布线131的电阻差而容易观察到的横条状的不均匀。这样，可调整迂回布线间的电阻，可改善电阻差。从而，可降低布线间的电阻差，可降低显示不均匀性。在本发明中，由于不仅减轻了因栅极迂回布线131a的各布线间的电阻级差造成的显示不均匀性，而且只需调整连接部23的连接导电膜233的尺寸，所以可缩短用于得到所需的电阻值的布线迂回的布局(layout)设计研究时间。
在此处，栅极布线膜231可在栅极布线131形成时进行构图。绝缘膜236可在与栅极绝缘膜的同一工序中进行构图。可在与像素电极的同一工序中对连接导电膜233进行构图。此时，连接导电膜233用ITO等高电阻的透明导电膜形成。即，用于校正电阻差的连接导电膜233用其电阻比栅极布线膜231高的导电膜形成。由此，可防止制造工序的增加。进而，接触孔234可在各绝缘膜的构图工序形成。由此，可防止制造工序的增加。
再有，即使对源极迂回布线132a也可利用连接部23。即，对应于源极驱动IC142的位置，在源极迂回布线132a间产生电阻差。例如，在图1A、图1B中，源极驱动IC142在左右方向上被配置在显示区域中央的右侧。因此，左端的源极迂回布线132a的布线长度变得最长。这样，在源极迂回布线132a的电阻值不同的情况下，即使对源极迂回布线132a也可形成连接部23。由此，在显示面板的显示中，可防止由源极迂回布线132a的左右的电阻差产生的纵条状不均匀。
进而，有时根据各驱动IC的配置，源极迂回布线132a会在显示区域11的上下形成。此时，通过在源极迂回布线132a上形成上述连接部23，可校正布线间的电阻值。由此，可降低显示不均匀性。
此时，连接部23如图3C所示。源极迂回布线132a在上层绝缘膜236b与下层绝缘膜236a之间的导电层形成。因而，可利用与像素电极同一层的透明导电膜作为连接导电膜233。可在源极驱动IC142的附近形成连接部23。由此，可降低布线间的电阻差，降低显示不均匀性。
例如，在栅极迂回布线131a中，说明决定连接导电膜233的尺寸的方法。首先，使未设置布线切断部232的栅极迂回布线131a与布线布局匹配，决定图形、条数，算出各条栅极迂回布线131a的电阻值。求得多条栅极迂回布线131a间的电阻值之差。对应于该电阻值之差，决定布线切断部232的长度和连接导电膜233的宽度等。由此，可降低迂回布线间的电阻值之差。对源极迂回布线132a而言，也可同样地决定连接部23的尺寸。
连接部23的位置不限于在图2所示的栅极驱动IC141的附近或源极驱动IC142的附近。以下，作为不同的实施方式，说明连接部23的结构、配置的变形(variations)。再有，连接部23的基本结构由于与上述结构相同，故省略其说明。从而，在以下的实施方式中，连接导电膜233例如也可用与像素电极相同的材料构成的高电阻的透明导电膜形成。
即使只在显示区域11的左右侧中的一侧，在配置于显示区域11的下侧的栅极布线131和配置于上侧的栅极布线131处，栅极迂回布线131a的长度也不相同。即，配置于显示区域11的下侧的栅极布线131比配置于上侧的栅极布线131接近于栅极驱动IC141。从而，与配置于下侧的栅极布线131连接的栅极迂回布线131a的长度比与配置于上侧的栅极布线131连接的栅极迂回布线131a短。换言之，越是外侧的栅极迂回布线131a，其布线长度越长。这样，多条栅极迂回布线131a具有不同的长度。从而，可由上述连接部23来调整上侧与下侧的布线间的电阻。
实施方式2在本实施方式中，连接部23被设置在边框区域12之中的显示区域11的侧端边附近。例如，可如图4A所示在显示区域11的附近设置连接部23。如图4A所示，连接部23被配置在显示区域11横向的共用CS布线71的外侧。该连接部23被连接在像素16侧的栅极布线131与栅极迂回布线131a之间。例如，在连接部23未容纳于从栅极驱动IC141的外形端至COG端子22之间的情况下，可将连接部23配置于显示区域11的横向。由此，可不变更栅极驱动IC141的尺寸而简便地配置连接部23。
如上所述，即使是连接部23未容纳于从栅极驱动IC141的外形端至COG端子22之间的情况，也可调整布线间的电阻。如本实施方式所示，在从边框区域12的下部经过侧部的栅极迂回布线131a的中途也可形成连接部23。即，只要将连接部23设置在用于与栅极驱动IC141连接的端子和栅极布线131之间即可。不言而喻，此时，分别在左右的栅极迂回布线131a上形成连接部23。即，当迂回从显示区域11的两侧进行的情况下，分别将连接部23配置在显示区域11的左右两侧。另外，将源极迂回布线132a的连接部23设置在显示区域11的下端边缘附近的情况如图4B所示。由此，可降低布线间的电阻差，可降低显示不均匀性。
实施方式3在本实施方式中，在栅极驱动IC141的正下方和显示区域11的侧端边缘附近的双方设置连接部23。即，在电阻差大、连接部23的尺寸增大的情况下，也可在栅极驱动IC141的正下方和显示区域11的侧端边缘附近的双方设置连接部23。这样，也可在1条栅极迂回布线131a的2个部位以上形成连接部23。连接部23的连接导电膜233相对于栅极迂回布线131a串联连接。在此处，连接部23设置在实施方式1所示的栅极驱动IC141的附近和实施方式2所示的显示区域11的侧端边缘附近的双方。由此，能够可靠地校正电阻值。即，可拓宽校正电阻值时的裕量(margin)。在本实施方式中，可在至少一方的连接部23处校正电阻值。
例如，如图5B所示，也可使显示区域11的侧端边缘附近的连接部23的尺寸为恒定值，如图5A所示，通过栅极驱动IC141的附近的连接部23来调整电阻值。在此处，使显示区域11的侧端边附近的连接部23在栅极迂回布线131a间为同一形状。
或者，作为相反的结构，也可使栅极驱动IC141的附近的连接部23恒定，而用显示区域11的侧端边附近的连接部的尺寸来调整电阻值。这样，通过使一方的连接部恒定而用另一方的连接部进行调整，可缩短布局的设计时间。
另外，上述结构也适用于源极迂回布线132a。例如，在2个部位串联设置源极迂回布线132a的连接部23的情况如图5A和图5C所示。由此，可降低布线间的电阻差，可拓宽校正电阻值时的裕量。因而，可降低显示不均匀性。
实施方式4如图6所示，也可对1条栅极迂回布线131a并联配置连接部23。例如，使栅极布线膜231在中途出现分支来进行构图。由此，如图6所示，在1条栅极迂回布线131a的一部分上形成并联的2条线。而且，在分支部位形成布线切断部232。2个连接导电膜233分别形成于被分支的栅极布线膜231上。由此，可将连接导电膜233进行并联连接。从而，可拓宽电阻值的调整裕量。在此处，并联的连接部23的整体电阻值可设为单体时的电阻值的一半。
例如，在设置于连接部23的连接导电膜233的电阻值比栅极迂回布线131a的电阻差高的情况下，并且在不能用左右的栅极迂回布线131a的布线宽度和布线长度进行电阻调整的情况下，优选形成为上述结构。由此，能够可靠地进行电阻调整。即，当决定了在1个连接部23所形成的连接导电膜233的最小电阻的情况下，通过并联连接2个连接部23，可调整至更小的电阻差。在此处，假定并联连接的2个连接部23为相同的尺寸。这样，通过对连接部23进行并联配置，可使布线间被校正的电阻值变为1/2。对多条栅极迂回布线131a之中至少一部分栅极迂回布线131a，并联形成连接部23。由此，进一步的微调成为可能。因而，可校正至更小的电阻差，可降低显示不均匀性。另外，也可使并联数目为3以上。不言而喻，也可对源极迂回布线设置并联的连接部23。由此，可得到同样的效果。
实施方式5在本实施方式中，如图7A、图7B所示，使栅极迂回布线131a形成2层布线。图7A是表示连接部23的结构的俯视图，图7B是表示连接部23的结构的剖面图。在栅极迂回布线131a上不设置布线切断部232。在本实施方式中，在连接部23处，将栅极迂回布线131a变换为具有第1导电层135和第2导电层136的层叠结构。即，用第1导电层135所形成的栅极迂回布线131a从中途起由第1导电层135和第2导电层136这2层构成。换言之，栅极迂回布线131a的一部分通过上下并联连接的第1导电层135和第2导电层136而迂回。在成为层叠结构的栅极迂回布线131a上设置第2部位的连接部23，回到1层结构。这样，对1条栅极迂回布线131a，在2个部位形成连接部23。由此，栅极迂回布线131a的一部分区间成为具有第1导电层135和第2导电层136的层叠结构。第2导电层136隔着下层绝缘膜236a被配置在第1导电层135之上。用连接导电膜233连接第1导电层135和第2导电层136。即，在第1导电层135与第2导电层136重叠的部分形成直至第2导电层136的接触孔234。即，经设置在上层绝缘膜236b内的接触孔234，将连接导电膜233与第2导电层136连接起来。在上层绝缘膜236b和下层绝缘膜236a内，形成直至第1导电层135的接触孔234。从而，可经连接导电膜233，将形成于不同的层的第1导电层135与第2导电层136连接起来。在此处，在绝缘膜236之中，下层绝缘膜236a与栅极绝缘膜为同一层，上层绝缘膜236b与层间绝缘膜为同一层。
如上所述，使栅极迂回布线131a的一部分成为具有第1导电层135和第2导电层136的层叠结构。即，作为第1导电层135的单层结构的栅极迂回布线131a在连接部23变换为第1导电层135和第2导电层136的层叠结构。在此处，可在栅极布线131的同一层形成第1导电层135，在源极布线132的同一层形成第2导电层136。在第1导电层135与第2导电层136之间配置与栅极绝缘膜为同一层的下层绝缘膜235a。在第2导电层136之上，形成与层间绝缘膜为同一层的上层绝缘膜236b。经设置在下层绝缘膜235a和上层绝缘膜236b内的接触孔234，连接导电膜233与第1导电层135连接在一起，经设置在上层绝缘膜236b内的接触孔，第2导电层136与连接导电膜233连接在一起。可用第2导电层136的尺寸进行电阻调整。例如，通过加长2个连接部23间的距离使层叠结构的距离变长。即，若加长连接部23间的距离，则第2导电层136变长，因此可减小栅极迂回布线131a整体的电阻。这样，可由连接部23间的距离来调整布线电阻。或者，在2个连接部23间，调整第2导电层136的宽度。由此，层叠结构区间的电阻变小，从而可减小栅极迂回布线131a整体的电阻。这样，通过调整层叠结构之中的第2导电层136的长度及宽度，可容易地进行电阻调整。从而，可用第2导电层136的宽度或长度来改善电阻差。进而，与实施方式1～3同样地，也可用连接导电膜233的长度或宽度进行电阻调整。这样，在连接部23处将变换为层叠结构的第1导电层135和第2导电层136再次连接在端子侧和栅极布线131侧。由此，栅极迂回布线131a的一部分成为层叠结构，可降低电阻值。
如图8A、图8B所示，可在显示区域11的侧端边附近和栅极驱动IC141的附近配置连接部23。改变在显示区域11的侧端边附近和栅极驱动IC141的附近的2个部位所形成的连接部23之间的层叠结构中的第2导电层136的长度或宽度来进行连接部23的电阻调整。在此处，在栅极驱动IC141的外形端的外侧形成连接部23。用栅极驱动IC141侧的连接部23的位置进行电阻调整。由此，可降低布线间的电阻差，可降低显示不均匀性。不言而喻，也可用显示区域11的端边侧的连接部23的位置进行电阻调整。用2个部位的连接部23之间的层叠结构中的第2导电层136的长度、宽度进行电阻调整。也可对源极迂回布线132a应用上述结构。即，如图8B和图8C所示，在2个部位配置连接部23。可用第2导电层136的长度、宽度来调整电阻。这样，可借助于本实施方式的布线结构，用简单的结构来进行电阻调整。
通过将实施方式1～5所述的布线结构应用于显示装置，可降低显示不均匀性。上述的布线结构不限于液晶显示装置，也适合于有机EL显示装置等平板显示器(flat panel display)。另外，也可应用于阵列基板2以外的布线基板。可将实施方式1～5所述的布线结构应用于直至扫描信号布线或图像信号布线的迂回布线。由此，可降低显示不均匀性。
既可将实施方式1～5组合起来应用，又可仅应用于多条迂回布线的一部分。另外，也可对与图1A、图1B所示的结构不同的液晶显示面板1应用实施方式1～5。
实施方式6用图9说明本实施方式的液晶显示面板的结构。图9是表示实施方式1～5可适用的液晶显示面板的另一结构例的俯视图。如图9所示，为了收窄边框区域12，往往在显示区域11的下侧和上侧，栅极迂回布线131a在不同的侧部形成。例如，与显示区域11的下侧的栅极布线131对应的栅极迂回布线131a通过边框区域12的左侧部。另一方面，与显示区域11的上侧的栅极布线131对应的栅极迂回布线131a通过边框区域12的右侧部。即使在这样的结构中，在显示区域11的上侧与下侧的边界处，也很容易发生显示不均匀。即使对这样的结构的液晶显示面板1而言，通过应用实施方式1～5的布线结构，也可降低显示不均匀性。例如，在边界部的栅极布线131的前后，在左转弯迂回布线131侧，设置连接部23。而且，提高左转弯迂回布线131a的布线电阻，以使左转弯迂回布线131a与右转弯迂回布线131a的电阻值一致。或者，如实施方式5所示，在左转弯迂回布线131的2个部位形成接触部23。而且，调整层叠结构区间中的第2导电层136的长度、宽度，使左转弯迂回布线131a与右转弯迂回布线131a的电阻值一致。再有，在此处所示的是将显示区域11分成上侧和下侧两部分的情况，但不限于以相同的比例分割的结构。例如，也可分割成上侧1/3，下侧2/3。
进而，也可以在进行了上下分割的显示区域11的上侧或下侧分别调整布线电阻。在此处，栅极驱动IC141在边框区域12的下部形成。从而，越是靠近显示区域11上侧的栅极布线131，就越远离栅极驱动IC141。在针对上侧的栅极布线131的栅极迂回布线131中，布线长度变长，布线电阻增高。在此处，从处于距栅极驱动IC141近的位置的栅极布线131起，依次改变连接部23的电阻值。即，随着栅极布线131与栅极驱动IC141的距离变近，增高该栅极迂回布线131a的连接部23的电阻值即可。此时，设定连接部23的尺寸使得越靠近右侧栅极迂回布线131a的外侧，电阻变得越高即可。此时也可应用实施方式1～5所示的连接部23。由此，可使上侧或下侧的迂回布线131a的布线电阻一致。因而，可降低显示不均匀性。
实施方式7用图10说明本实施方式的液晶显示面板的结构。图10是表示实施方式1～5可适用的液晶显示面板的另一结构例的俯视图。如图10所示，在用共同的驱动IC形成栅极驱动IC141和源极驱动IC142的情况下，也发生上述同样的问题。如图10所示，液晶显示面板1具有连接布线131、132的单一的驱动IC150。在该液晶显示面板1中，栅极布线131与图9的液晶显示面板1同样地进行配置，而源极布线132中央对称地配置。因此，外侧(驱动IC150的左右侧)的源极布线132的布线长度比内侧(驱动IC150的中央侧)的源极布线132的布线长度长。因此，外侧的源极布线132的布线电阻比内侧的源极布线132的布线电阻高。即使对这种结构的液晶显示面板1而言，通过应用实施方式1～5的布线结构，也可降低显示不均匀性。
实施方式8在实施方式1～5中，说明了将本发明的布线结构应用于液晶显示面板的栅极迂回布线或源极迂回布线的情形，而在本实施方式中，要说明将上述的布线结构应用于与检查电路连接的检查用迂回布线的情形。检查电路被用于在显示面板组装后的显示检查中所使用的简易点亮检查。
图11是示意性地表示检查端子组62和检查电路510的结构的图。如图11所示，在处于驱动IC150的正下方的位置处，配置右转弯栅极布线用检查电路511、左转弯栅极布线用检查电路512、源极布线用检查电路513。在此处，驱动IC150例如是使上述栅极驱动IC141与源极驱动IC142共用化后的驱动IC。在阵列基板2上形成右转弯栅极布线用检查电路511、左转弯栅极布线用检查电路512、源极布线用检查电路513。
右转弯栅极布线用检查电路511、左转弯栅极布线用检查电路512、源极布线用检查电路513成为远离检查端子组62的布局。即，检查端子组62被配置在检查电路510的外侧。
检查电路510具有右转弯栅极布线用检查电路511、左转弯栅极布线用检查电路512、源极布线用检查电路513。检查端子组62具有TEST-右转弯栅极端子521、TEST-左转弯栅极端子522、输入R的测试(test)信号的TEST-R端子523、输入G的测试信号的TEST-G端子524、输入B的测试信号的TEST-B端子525、输入使检查电路通断(ON/OFF)的开关(switching)信号的开关(switch)端子526、和COMMON端子527。右转弯栅极布线用检查电路511与TEST-右转弯栅极端子521、开关端子526连接。左转弯栅极布线用检查电路512与TEST-左转弯栅极端子522、开关端子526连接。源极布线用检查电路513与TEST-R端子523、TEST-G端子524、TEST-B端子525、开关端子526连接。COMMON端子527与显示区域11的共用CS布线71或对置基板的对置电极等的COMMON信号系统连接。
在源极布线用检查电路513与TEST-R端子523、TEST-G端子524、TEST-B端子525的各端子之间，各个布线迂回距离大致相同，没有大的差异。与此相对照，左转弯栅极布线用检查电路512与TEST-左转弯栅极端子522之间的布线迂回距离比右转弯栅极布线用检查电路511与TEST-右转弯栅极端子521之间的布线迂回距离长。因此，左转弯栅极布线用检查电路512与TEST-左转弯栅极端子522之间的布线电阻比右转弯栅极布线用检查电路511与TEST-右转弯栅极端子521之间的布线电阻高。
如果是以往，则因为该布线电阻之差，例如用图10的结构，在显示检查中就会观察到显示区域11的上下一分为二的不均匀状。为了抑制该电阻差，要控制(control)右转弯栅极布线用检查电路511与TEST-右转弯栅极端子521之间的布线宽度、和左转弯栅极布线用检查电路512与TEST-左转弯栅极端子522之间的布线宽度，以进行布线电阻调整。
然而，近来，伴随驱动IC150的缩小(shrink)，检查电路50的缩小也在进行，使得能够只控制布线宽度来进行布线电阻调整的空间变小了。因此，在显示检查中，在显示区域11的上下一分为二的不均匀状态下进行简易点亮检查。本发明如实施方式1～5那样，可在右转弯栅极布线用检查电路511与TEST-右转弯栅极端子521之间配置连接部23。由此，可使之跟左转弯栅极布线用检查电路512与TEST-左转弯栅极端子522之间的布线电阻一致。例如，可改善简易点亮检查时的显示区域11的上下一分为二的不均匀性。由此，能够可靠地进行显示检查。
实施方式1～8中所示的连接部23配置在对置基板的未形成对置电极的区域。或者，在与设置有连接部23的部分相对的区域，除去对置基板的对置电极。这样，连接部23被作成不与对置电极相对配置。即，连接部23形成于未设置对应电极的区域。由此，可防止短路、腐蚀，可防止可靠性的降低。进而，上述实施方式1～8也可根据布线布局作适当的组合。另外，也可只在一部分迂回布线上形成连接部23。在上述的布线结构中，由于利用了边框区域12，故可形成简易的结构。再有，各驱动IC的数目也可为2个以上。
这样，通过调整端子与信号线之间的迂回布线的电阻值，就可降低显示不均匀性。
权利要求
1.一种布线结构，其中，具备多条迂回布线，在基板上所形成的长度不同；多个布线切断部，与上述多条迂回布线对应地设置，切断上述迂回布线；以及连接部，连接被上述布线切断部切断的迂回布线，在上述连接部上，形成有使被上述布线切断部切断的迂回布线导通的连接导电膜，根据上述多条迂回布线间的电阻差，使上述连接导电膜的宽度和上述布线切断部的长度的至少一方在上述多条迂回布线间变化。
2.一种布线结构，其中，具备多条迂回布线，具有形成在基板上的第1导电层；第2导电层，设置在上述第1导电层上；下层绝缘膜，配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间；连接部，与上述多条迂回布线对应地设置，并以使上述迂回布线的一部分区间成为具有上述第1导电层和上述第2导电层的层叠结构的方式设置在上述迂回布线的2个部位；以及连接导电膜，在上述连接部上连接上述第1导电层和上述第2导电层，在设置于上述2个部位的上述连接部上，上述第2导电层的宽度和长度的至少一方根据上述多条迂回布线间的电阻差而在上述多条迂回布线间变化。
3.如权利要求2所述的布线结构，其中，上述连接导电膜根据上述多条迂回布线间的电阻差，使上述连接导电膜的宽度和长度的至少一方在上述多条迂回布线间变化。
4.如权利要求1至3的任一项中所述的布线结构，其中，上述连接导电膜用比上述迂回布线的电阻高的材料形成。
5.如权利要求1至3的任一项中所述的布线结构，其中，上述连接导电膜相对于1条上述迂回布线并联连接。
6.如权利要求1至3的任一项中所述的布线结构，其中，还具备多条信号布线，形成在显示区域内，分别与上述迂回布线连接；以及驱动电路，设置在上述显示区域的外侧的边框区域，将信号提供给上述信号布线，上述多条迂回布线形成在上述边框区域，在上述驱动电路的附近形成有上述连接导电膜。
7.如权利要求1至3的任一项中所述的布线结构，其中，包括多条信号布线，形成在显示区域内，分别与上述多条迂回布线连接，上述多条迂回布线形成在配置于上述显示区域的外侧的边框区域，在上述显示区域的端边附近形成有上述连接导电膜。
8.如权利要求7所述的布线结构，其中，上述连接导电膜分别配置在显示区域的相对的两端边的附近。
9.如权利要求1至3的任一项中所述的布线结构，其中，还具有设置在显示区域内的透明像素电极，利用与上述透明像素电极相同的透明导电膜，形成上述连接导电膜。
10.如权利要求1至3的任一项中所述的布线结构，其中，还具备与上述基板相对配置并具有对置电极的对置基板，上述连接部形成在设置有上述对置电极的区域之外。
11.一种显示装置，其中，具有设置了权利要求1至3的任一项中所述的布线结构的布线基板。
全文摘要
本发明的目的在于，提供一种可降低显示不均匀性的布线结构和显示装置。本发明的一种方式的布线结构具备多条栅极迂回布线(131a)，在阵列基板(2)上所形成的长度不同；多个布线切断部(232)，与多条栅极迂回布线(131a)对应地设置，切断栅极迂回布线；以及连接部(23)，连接被布线切断部(232)切断的迂回布线(131a)，在连接部(23)上，形成使被布线切断部(232)切断的迂回布线(131a)导通的连接导电膜(233)，根据多条栅极迂回布线(131a)间的电阻差，使连接导电膜(233)的宽度和布线切断部(232)的长度的至少一方在多条栅极迂回布线(131a)间变化。
文档编号H01L23/522GK101093846SQ20071011188
公开日2007年12月26日 申请日期2007年6月20日 优先权日2006年6月20日
发明者槙田雅信 申请人:三菱电机株式会社