专利名称：元件基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种元件基斧反(element substrate )及其制造方法。
技术背景在基纟反上形成金属配线等时，例如，可通过减除法(subtractive method)来形成。在减除法中，在基^反的整个面上形成金属层，在 金属层上涂布光致抗蚀剂并形成图形，将该光致抗蚀剂作为掩模来 蚀刻金属层。在这种方法中，在最后去除光致抗蚀剂的方面或去除 金属层的一部分的方面上，存在有资源以及材料的消耗的问题。而 且，对1 jum以下的微细图形的金属层而言，难以精度良好地形成。发明内容本发明的目的在于提供一种形成有精度良好的微细图形金属 层的元件基板及其制造方法。本发明的元件基板包括在上表面具有孔部的无机基板、以及 嵌入在所述孔部内部的金属层；所述孔部的宽度为40nm到1 ium， 深度为20 ■ ~ 300 ■。此外，本发明中，所谓"形成在A上的B"，包括以下两种情 况，即以与A4妻触的习犬态形成B的情况；和由于在A与B之间 夹有其它层而以不与A^妄触的a犬态形成B的情况。 本发明的元件基一反中，可以在所述金属层的上表面形成有凹部。如此，通过形成凹部而在刮才察(scratch)方面增强。与上表面 平坦的情况相比，表面积变大，因此，可以4是高》丈热岁文果。本发明的元件基4反中，所述无才几基板可以是透过光的透光性基板。本发明的元件基板的制造方法包括(a) 在第一支持基板上形成剥离层的工序；(b) 在所述剥离层上形成一定图形的金属层的工序；(c )将含有无机基板的原料的溶胶-凝力交溶液涂布在所述第 一支持基板上的工序；(d) 通过施加热处理去除所述溶胶-凝胶溶液的溶剂、从而 形成无才几基寺反的工序；以及(e) 通过分解所述剥离层，将所述金属层从第一支持基板上 剥离，将所述金属层从所述第一支持基板移动至所述无机基板上的 工序。本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(e)之后，还 可以包4舌对所述无才几基^反的所述金属层移动后的面进4亍研磨的工 序。本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(b)中可以使 用化学镀法形成所述金属层。 本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(a)中，可以 通过将所述第一支持基板浸渍在表面活性剂溶液中，形成表面活性 剂作为所述剥离层；所述步骤(b)可以包括通过将所述第一支 持基板浸渍在催化剂溶液中，在所述剥离层上形成催化剂层的工 序；以及通过将第一支持基板浸渍在化学镀液中，在所述催化剂层 上析出金属层的工序。本发明的元件基板的制造方法中，还可以在所述工序(a)之 前包括工序(g),即在所述第一支持基板上形成具有与所述金属层 的一定图形相同的一定图形的树脂成形体；在所述工序(a)中， 可以在所述树脂成形体上形成所述剥离层。本发明的元件基板的制造方法中，所述工序(g)可以包括 在第一支持基板上涂布流动状态的树脂材料的工序；将具有一定图 形的凹图形纳米压模按压在所述第 一支持基板上，将所述一定图形 转印至所述树脂材料上的工序；以及固化所述树脂材料的工序。本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)与(a)之 间，通过灰化处理去除固化后的树脂材4+的上部以及所述一定图形 以外的区域的树脂材料。本发明的元件基板的制造方法中，所述树 脂成形体包括光致抗蚀剂，所述工序(g)中可使用干涉曝光法来 形成所述树脂成形体。本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)与(a)之 间，还可以包括通过将所述第一支持基板浸渍在碱溶液中，去除所 述树脂成形体的 一部分的工序。
图1是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图2是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图3是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图4是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图5是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图6是示出本实施方式的元件基^反的制造方法的图。图7是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图8是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图9是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图10是示出本实施方式的元件基4反的制造方法的图。图11是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图12是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图13是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图14是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图15是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图16是示出本实施方式的元件基板的剖面图。图17是示出应用本实施方式的元件基板的电子装置的一个实 施例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。 1 .元件基板及其制造方法图1~图15是示出第二元件基板300(参照图16)的制造方法 的图。本实施方式中，应用化学镀来制造元件基板。(1)首先，准备第一支持基板10。优选在第一支持基板10 的表面上没有凹凸。例如，优选凹凸的高度小于10nm。接着，在第一支持基板10上形成一定图形的树脂成形体22c。 作为形成^f脂成形体22c的方法，可4吏用众所周知的方法，例如， 可^吏用干涉曝光法或者纳米压印4支术，本实施方式中，对-使用纳米 压印技术来形成树脂成形体22c的情况加以说明。首先，如图1所示，在基一反10上涂布流动状态的树脂材4牛22a。 作为树脂材料22a,可使用热固化性树脂、热塑性树脂、光固化 性树脂等。作为涂布方法，可使用旋涂法等众所周知的方法。然后，通过将纳米压模12沿第一支持基板10的方向(图2的 箭头方向)按压，将一定图形转印在树脂材料上。在此，所谓一定 图形，也可以是以一定间隔配置的多条线的周期性图形。在杉于脂材 料22a为光固化性树脂时，纳米压才莫12也可以4吏用具有透光性的。然后，固化树脂成形体22b,将纳米压才莫12乂人树脂成形体22b 剥离(参照图3)。这样可形成具有一定图形的树脂成形体22b，如 图4所示。
也可以使用树脂成形体22b进入到下述工序(2),也可以如图 5所示i也通过回蚀(etch back)等去除一定图形间隙的杉于脂成形体 22b的一部分。在树脂成形体22b包括光致抗蚀剂时，也可以通过 灰化处理来去除一部分。此处，可以去除一定图形间隙的树脂成形 体22b的一部分，并且也可以去除一定图形区域的树脂成形体22b 的上部。通过进4于该去除工序，可以形成4对脂成形体22c。使用纳米压印技术形成树脂成形体22c的方法如上所述，但是 即使如上所述地4吏用干涉曝光法，也可以形成树脂成形体22c。在 使用干涉曝光法的情况下，优选应用光致抗蚀剂作为树脂材料22a, 并且预先将防反射膜设置在第一支持基板10上。(2 )然后，清洗第 一支持基板10以及树脂成形体22c的表面。 第一支持基4反10以及初t脂成形体22c的表面的清洗可以用干式清 洗，也可以用湿式清洗，更优选干式清洗。可以通过干式清洗防止 剥离等对树脂成形体22c造成的破坏。如图6所示，干式清洗可以-使用真空紫外线灯18 (波长为172 nm，输出功率为10 mW,试料间距离为1 mm),在氮气气体环境 下，照射真空紫外线20,进行30秒钟~900秒钟。通过清洗第一 支持基板10，可以去除附着在第一支持基板10的表面上的油脂等 污物。另外，可4吏第一支持基4反10以及杉于脂成形体22c的表面乂人 憎水性变为亲水性。另外，如果第一支持基4反10的液中表面电位 为负电位，则通过第一支持基+反10的清洗可以形成均匀的负电位 面。湿式清洗，例如可通过在室温状态下将第一支持基斗反10浸渍 在臭氧水(臭氧浓度为10 ppm ~ 20 ppm )中，进行5分钟~ 30分钟左右。(3)然后，可在树脂成形体22c上形成含有表面活性剂或硅 烷类偶联剂的剥离层24。首先，如图7所示，将第一支持基4反10浸渍在溶解有表面活 性剂或硅烷类偶联剂的催化剂吸附溶液14中。在第一支持基板10 的表面的液中表面电位为负电位的情况下，优选应用阳离子类表面 活性剂。这是因为阳离子类表面活性剂与其它的表面活性剂相比容 易吸附在第一支持基板10上。作为阳离子类表面活性剂，例如，可以使用含有氨基石圭烷类成 分的水溶性表面活性剂或烷基胺类的表面活性剂(例如，十六烷基 三曱基氯化铵、十六烷基三曱基溴化铵，十六烷基二曱基溴化铵等) 等。作为在催化剂吸附溶液14中所含有的硅烷类偶联剂，例如可 使用六甲基二硅氮烷。浸渍时间例如可以是1分钟~ 15分钟左右。其次，可以从催化剂吸附溶液14中取出第一支持基板10,用 超纯水进行清洗。然后，例如，将第一支持基板10在室温下进行 自然干燥；或者吹入压缩空气来去除水滴后，在90°C ~ 12(TC的烘 箱内放置10分钟~ 1小时左右，使之干燥。如图8所示，可通过以 上工序将剥离层24设置在第一支持基板10上。此时，在应用阳离 子类表面活性剂作为表面活性剂的情况下，第一支持基板10的液 中表面电^立向p及附前的电4立的正电 <立侧偏移。另外，可通过将第 一支持基板10浸渍在催化剂吸附溶液14中， 去除树脂成形体22c的一部分，使其成为如图8所示的形状。具体 而言，以削去与催化剂吸附溶液14接触的外侧部分而去除树脂成 形体22c的一部分。这是因为，在催化剂吸附溶液14为4^性溶液 的情况下，具体而言，在显示为pHll ~pH12的情况下，4对脂成形 体22c的一部分〉容解，乂人而可纟皮部分去除。这才羊可以改变树脂成形体22c的大小。因此，通过调整第一支持基才反10在催化剂吸附溶 液14中的浸渍时间或pHj直，可以控制树脂成形体22c的大小。(4) 然后，在第一支持基板10上形成催化剂层31。首先，如 图9所示，将第一支持基板10浸渍在催化剂溶液30中。催化剂溶 液30含有发挥化学镀的催化剂作用的催化剂成分。例如可使用钇 作为催化剂成分。例如，可以通过以下顺序配制催化剂溶液30。(4a)使纯度99.99%的扭球溶解于盐酸与过氧化氢溶液以及 水的混合溶液中，形成4巴浓度为0.1 g/1 ~ 0.5 g/1的氯化4巴溶液。(4b )通过用水和过氧化氢溶液进一步将上述氯化4巴溶液进行 牙希释，^f吏4巴;农度为0.01 g/1 ~ 0.05 g/1。(4c)使用氢氧化钠水溶液等，将氯化钯溶液的pH值调整为 4.5-6.8。在浸渍在催化剂溶液30中后，也可以水洗第一支持基4反10。 可以用純水进行水洗。通过该水洗，可以防止催化剂残渣混入下述 4匕学镜液中。可以通过以上工序，形成催化剂层31。如图IO所示，催化剂 层31形成在第一支持基板10以及树脂成形体22上的剥离层24的 上表面。(5) 然后，在基板上形成金属层33。具体而言，金属层33 形成在形成有催化剂层31的区域中。具体而言，如图11所示，通 过将第一支持基板10浸渍在含有金属的化学镀液36中，可以析出 金属层33。此处，化学镀液36作为镀覆粒子析出在第一支持基板IO上时，优选镀隻粒子的平均粒径-故调整为20 nm~50 nm。这样 的化学镀液36可通过改变pH值、温度、调整时间等来调整。另夕卜， 因为当第 一支持基—反10在4匕学镀液36中的浸渍时间达到一定时间 以上时，镀覆粒子的平均粒径会变得大于50 nm，所以浸渍时间优 选为一定时间以内。金属例如可以是镍。作为化学镀液36，有以酸性使用的类型和 以石咸性^吏用的类型，作为化学镀液36的一个实施例应用的是以酸 性使用的类型。化学镀液36包含上述金属、还原剂以及配位剂等。 具体而言，可以使用主体是硫酸镍六水合物或氯化镍六水合物且含 有次亚磷酸酸钠作为还原剂的混合物作为化学镀液36。例如，可以 通过将第一支持基板10在含有硫酸镍六水合物的化学镀液(温度 为70°C ~ 80°C )中浸渍10秒钟~ 10分钟左右，乂人而形成具有厚度 为20 nm ~ 100 nm的4臬层。这样，如图12所示，可以在第一支持基板10上的催化剂层31 的上表面形成金属层33。在浸渍到化学镀液中后，也可以水洗第一支持基才反10。可以用 纯水进4亍水洗，也可以用7K蒸汽来进4亍水洗，也可以^吏用纯水以及 水蒸汽两者进4于水洗。另外，也可以在水洗后通过在第一支持基板 10上施加热处理进行干燥。通过这种方式可以:提高金属层33对第 一支持基板10的密合性。如图12所示，通过以上工序，可以形成 镀覆基板100。此处，对镀覆基板100进行说明。镀覆基板100的金属层33 形成在树脂成形体22上方以及侧面。树脂成形体22可以发挥作为 金属层33的芯的作用。金属层33也可以形成在树脂成形体22的 间隙，即， 一定图形以外的区域中。在上述镀覆基板100的制造方
法，可以使树脂成形体22的上方的金属层33的膜厚大于一定图形 以外的区域的金属层33的膜厚。具体而言，如以下所作推断。镀覆基板100的制造方法中，通过将第一支持基板10浸溃在 化学镀液36中，析出金属层33。金属层33通过化学镀反应形成。 化学镀反应是化学镀液中的还原剂与金属离子的还原反应，是金属 离子通过从还原剂中获得电子而析出镀覆粒子的反应。该反应是通 过在催化剂层31中所含有的催化剂来促进的，所以主要在催化剂 层31的附近进行。在化学镀液中，由于多个金属离子形成聚集体 而存在，所以通过还原反应析出作为多个金属原子的聚集体的镀覆 粒子。此外，多个金属离子的聚集体的大小可以通过化学镀液的pH 值、温度、时间等来控制。本实施方式中，通过化学镀液36中的电镀粒子进入树脂成形 体22之间，可以在树脂成形体22的间隙，即， 一定图形以外的区 域上也析出金属层33。在树脂成形体22的上方存在的化学镀液36 的流动性比进入树脂成形体22之间的化学镀液36的流动性更好。 因而，由于在树脂成形体22上方附近的化学镀液36即4吏;故用于了 金属离子的析出，流动性也良好，所以金属离子的浓度可以保持在 大致一定的状态。相对于此，在树脂成形体22之间的化学镀液36, 由于金属离子在作为金属层33析出后，金属离子浓度处于暂时降 低的状态，所以金属层33的析出速度降低。因此，根据本实施方 式的镀覆基板100的制造方法，可以使树脂成形体22的上方的金 属层33的膜厚大于一定图形以外的区域的金属层33的膜厚。(6 )然后，在镀覆基板100的上表面涂布溶胶-凝胶溶液114a。 4乍为f余布方法，例》o可以应用凝J余法。〗乍为溶"交-凝"交;容、液114a， 可以使用含有四乙氧基硅烷(TEOS )、三曱氧基硅烷(TMS )、四 异丙醇钛等金属醇盐。(7 )然后，可以通过施加热处理去除溶月交-凝月交溶液114a中 的溶剂获得无机基板。此处，对通过加热含有TEOS的溶胶-凝胶 溶液114a而获得玻璃基板114 (无机基板)的工序进行说明。可以 将热处理分为两个阶段进行。首先，在150。C下加热溶胶-凝胶溶 液114a (参照图13)。(8) 其次，可以通过加热到400。C以上来分解剥离层24，并 且进行溶胶-凝胶溶液的烧成而获得玻璃基板114。此时，在玻璃 基板114上嵌入有金属层33、催化剂层31、剥离层24、和树脂成 形体22。如此，如图14所示，可以通过分解剥离层24，,人第一支持基 板10上剥离金属层33。此时，树脂成形体22也可以乂人金属层33 上剥离。这样，可以形成在玻璃基板114上表面具有一定图形的金 属层33的第一元件基板200。此处，对第 一元件基板进行200说明。第 一元件基板200包括 玻璃基板114和金属层33。金属层33含有上述催化剂层31。玻璃 基板114具有多个孔部202。孔部202的平面形状可以是线形，更 具体而言，可以是条紋形，孔部202的大小可以是例如宽度为40 nm-1.0jam,深度为20 nm ~ 300 nm。在孔部202的内部嵌入有金 属层33。在金属层33的上表面上还形成有凹部204。如图15所示， 凹部204形成在所述^L部202的上部，其宽度和;罙度都小于3L部 202。另外，金属层33也可以形成在没有形成孔部202的区i或中。 孔部202的非形成区域的金属层33的膜厚小于孔部202的形成领 域的金属层33的膜厚。(9) 然后，也可以通过研磨第一元件基斧反200的上表面，而 去除金属层33的一部分。此处，所谓金属层33的一部分，是指金 属层33的上部，例如在孔部202的外侧所形成的金属层33。研磨
可以通过例如CMP (化学机械研磨)来进行。如此，通过研磨第一 元件基板200的上表面，可以使金属层34与相邻的金属层34形成断路。可以通过以上的工序形成第二元件基板300 (参照图16)。第 二元件基板300包括玻璃基板114和金属层34。从与相邻的金属层 34形成断路的方面来看，金属层34与金属层33是不同的。即，金 属层34仅形成在孔部202的内部，且成为嵌入的状态，因此，当 第二元件基板300弯曲时，可以防止相邻的金属层34彼此之间接 触。金属层34具有一定的图形。 一定的图形可以是例如一维或者 二维的周期性图形。第二元件基才反300通过在透光性基4反上具有一 定图形，可以发挥作为偏光板等光学元件基板的作用。例如，第二 元件基一反300可以是反复"i殳置有一定间隔和一定宽度的直线形金属 层的一维周期性图形(条紋形状)。周期方向上的宽度小于等于可 见光的波长，而且在玻璃基板114包括透光性基板的情况下，第二 元件基々反300可以发挥作为偏光板的作用。另外，在通过所述制造方法形成的元件基板中，孔部202可以 是宽度a为40 nm ~ 1 ju m，；罙度b为20 nm ~ 300 nm。即，嵌入在 该孔部202的金属层34可以是宽度为40 nm~ 1 jum,深度为20 nm 300 nm。另外，在金属层34的上表面，还形成有凹部204。 如图16所示，凹部204形成在所述孔部202的上部，其宽度和深 度老卩小于^L部202。2.电子装置图17示出应用了通过本实施方式的元件基才反的制造方法制造 的第二元件基板300的电子装置的一个实施例。因为J皮璃基板114
为绝缘性基板，所以第二元件基板300可以发挥作为配线基板的作 用。电子装置1000包括作为配线基板的第二元件基板300、集成电 ^各芯片90和其它基4反92。形成在第二元件基才反300上的配线图形也可以用于将电子部件 彼此进行电连接。第二元件基板300是通过上述制造方法而制造的。 在如图17所示的实施例中，在第二元件基才反300中，集成电^各芯 片90被电连接，第二元件基板300的一个端部与其它基板92 (例 如显示面板)进行电连接。电子装置IOOO也可以是液晶显示装置、 等离子体显示装置、EL (Electro luminescence,电发光)显示装置 等显示装置。另外，作为光学元件基板的第二元件基板300,也可以发挥作 为液晶显示装置、投影机装置等的偏光板的作用。本发明并不限于所述实施方式，可以进行各种变形。例如，所述工序(3)中，通过将第一支持基々反10浸渍在催化 剂吸附〉容液14中，可以改变树脂成形体22c的形4犬乂人而形成一对脂 成形体22,也可以将此替换成在工序(3)之前，即在将第一支持 基板10浸渍在催化剂吸附溶液14中之前，将第一支持基板10浸 渍在另外的石威性溶液中。通过这样，由于可以在形成预先期望的形 状的树脂成形体22之后形成剥离层24，因此，可以形成精度更加 良好的樣i细图形。另外，在所述工序(5)中，在树脂成形体22的上方形成有金 属层33，也可以将此替换为在树脂成形体22的非形成区域上形成 金属层33。具体而言，在形成树脂成形体22c后，通过上述方法i殳 置剥离层24以及催化剂层31，去除树脂成形体22c。由此，形成 仅在树脂成形体22c的非形成区域中形成催化剂层31的状态。然
后，将第一支持基板10浸渍在化学镀液中。通过所述工序可以在 催化剂层31的上表面形成金属层33。其后的工序与上述情况相同， 因jt匕省略i兌明。另外，本发明包括与在实施方式中说明的结构基本上相同的结 构(例如，功能、方法以及结果相同的结构，或者目的以及结果相 同的结构)。另外，本发明包括置换了在实施方式中说明的非实质 性部分的结构。另外，本发明包括可以发挥与在实施方式中说明的 结构相同的作用效果的结构，或者可以达到相同目的的结构。另外， 本发明包括在实施方式中说明的结构上附加了公知技术的结构。符号说明10第一支持基板 14催4b剂p及附溶液 20光22a树脂材料 30催化剂溶液 33、 34金属层 90集成电i 各芯片 100镀覆基板 114玻璃基板 300第二元件基板12纳米压才莫 18光源22、 22b、 22c树脂成形体24、 26剥离层31催化剂层36化学镀液92其它基才反114a溶胶-凝胶溶液200第一元件基板1000电子装置
权利要求
1.一种元件基板，包括在上表面具有孔部的无机基板；以及嵌入在所述孔部内部的金属层；所述孔部的宽度为40nm到1μm，深度为20nm～300nm。
2. 根据权利要求1所述的元件基板，其中，在所述金属层的上表面形成有凹部。
3. 根据权利要求1或2所述的元件基板，其中，所述无才几基板是可透过光的透光性基板。
4. 一种元件基板的制造方法，包括(a) 在第一支持基板上形成剥离层的工序；(b) 在所述剥离层上形成一定图形的金属层的工序；(c )将含有无机基板原料的溶胶-凝胶溶液涂布到所述 第一支持基板上的工序；(d )通过施加热处理去除所述溶胶_凝胶溶液的溶剂而 形成无才几基纟反的工序；以及(e)通过分解所述剥离层将所述金属层从所述第一支持 基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板移动至所述无 机基板上的工序。
5. 根据权利要求4所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(e)之后，还包括对所述无才几基板中的所述 金属层移动后的面进行研磨的工序。
6. 根据权利要求4或5所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(b)中， -使用化学镀法形成所述金属层。
7. 根据权利要求6所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(a)中，通过将第一支持基板浸渍在表面活 性剂溶液中，形成表面活性剂层作为所述剥离层；在所述工序(b)中包括通过将所述第一支持基板浸渍在催化剂溶液中而在 所述剥离层上形成催化剂层的工序，以及通过将第一支持基板浸渍在化学镀液中而使金属层 析出在所述催化剂层上的工序。
8. 根据权利要求7所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工 序U)之前，还包括(g)在所述第一支持基板上形成具有与所述金属层的一 定图形相同的 一 定图形的树脂成形体的工序；在所述工序(a)中，在所述树脂成形体上形成所述剥离层。
9. 根据权利要求8所述的元件基板的制造方法，其中，所述工序(g)包括在第 一 支持基板上涂布流动状态的树脂材料的工序；以及将具有 一定图形的凹形图形的纳米压^:莫按压在所述第一 支持基板上从而将所述一定图形转印在所述树脂材料上的工序。
10. 根据权利要求9所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(g)与(a)之间，通过灰化处理去除经过固 化的树脂材料的上部以及所述一定图形以外的区域的树脂材料。
11. 根据权利要求8所述的元件基板的制造方法，其中，所述树脂成形体包括光致抗蚀剂，在所述工序(g)中， 使用干涉曝光法形成所述树脂成形体。
12. 根据权利要求8所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(g)与(a)之间，还包括通过将所述第一支 持基板浸渍在石成溶液中而去除所述树脂成形体的 一部分的工序。
全文摘要
本发明提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的元件基板及其制造方法。所述制造方法包括在第一支持基板(10)上形成剥离层(24)的工序；在剥离层上形成一定图形的金属层(34)的工序；在第一支持基板上涂布含有无机基板原料的溶胶-凝胶溶液的工序；通过施加热处理去除溶胶-凝胶溶液的溶剂而形成无机基板(114)的工序；以及通过分解剥离层而将金属层(34)从所述第一支持基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板(10)上移动至无机基板上的工序。
文档编号H01B5/14GK101159180SQ200710163830
公开日2008年4月9日 申请日期2007年9月30日 优先权日2006年10月3日
发明者木岛健, 木村里至, 金田敏彦, 降旗荣道 申请人:精工爱普生株式会社