专利名称：导通垫的成型方法
技术领域：
本发明有关一种导通垫的成型方法，不需藉由蚀刻技术即 可形成导通垫的成型方法。
背景技术：
铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)导电膜层为目前具有研究与 经济价值的热门产物之一，其常见的使用范围包括有车用液晶显示 器、触控面板、隔离电磁波玻璃、液晶手表、家电用品液晶面板、太 阳电池、携带式液晶电玩、量测仪器用的显示器、液晶彩色电视、笔 记型个人计算机、便携式个人计算机、电浆显示器(PDP)、 EL、液晶显 示器(LCD)，以及彩色滤镜用的电极等等。
如图l所示为一般应用于触控面板的铟锡氧化物(Indium Tin Oxide， ITO)导电膜层，该导电膜层U设置于基板12上，请同时参阅 图2至图5所示，而导电膜层11上并设有绝缘层13,且绝缘层上13并设 有复数穿孔131，以供导电膜层U露出而形成导通垫14，由该导通垫14 得以与外部控制电路连接。
至于习用的导通垫制造流程基本上包括如图3至图5所示的步骤； 首先如图3所示，以显影技术完成有光阻图案15，该光阻图案15用以将 绝缘层13上不需形成导通垫部位覆盖，而将欲形成导通垫处A露出；之 后如图4所示，利用蚀刻技术移除未覆盖有光阻图案15的绝缘层13,以 在绝缘层上13上形成复数穿孔131;最后如图5所示，将光阻图案15去 除，即可使导电膜层11部份区域的绝缘层13外露，并形成有用以构成 与外部控制电路电性导通的导通垫14。
而上述习有的制造流程中，需藉由蚀刻技术移除未覆盖有光阻图 案的绝缘层，该蚀刻技术可利用湿式蚀刻(WetEtching)或干式蚀刻(Dry Etching),而习有制程利用湿式蚀刻技术，该湿式蚀刻即利用特定的化学溶液将未被光阻覆盖的部分形成化学反应而分解，并转成可溶于此 溶液的化合物后加以排除，而达到蚀刻的目的。然而， 一般多利用氢
氟酸(HF)的蚀刻液；惟，该氢氟酸(HF)的蚀刻液以及分解后化合物的蚀 刻废液却有环保的问题。
发明内容
本发明的主要目的即在提供一种不需藉由蚀刻技术即可形成导通 垫的成型方法，其依序包括有下列步骤
a)提供一具有导电膜层的基板；b)形成剖面为倒角形状的光阻图 案于导电膜层上预留导通垫的位置处；c)利用沉积技术在导电膜层未 覆盖有光阻图案处，以及光阻图案上形成绝缘层；d)、剥离该光阻图案， 并连同覆盖在光阻图案上的绝缘层去除，以形成有用以构成与外部控 制电路电性导通的导通垫。
具体而言，本发明具有下列功效
1、 本发明相较于习有不需要蚀刻技术，即可形成导通垫，其加工 较为简便且省去蚀刻的成本。
2、 因不需要蚀刻技术，亦不需使用蚀刻液及不会产生蚀刻废液， 进而不会有环保问题。
3、 不会产生蚀刻废液，亦不需另外设备处理该蚀刻废液。
说明书附图
图1为一般应用于触控面板的导电膜层结构立体图； 图2~图5为习用导通垫的制造流程示意图； 图6为本发明中导通垫的制造流程图； 图7~图9为本发明中导通垫的制造流程示意图； 图10 ~图12为本发明中导通垫的另一制造流程示意图。图号说明
导电膜层ll 基板12 绝缘层13 穿孔131导通垫14
导电膜层21 光阻图案23 穿孔241
光阻图案15 基板22 绝缘层24 导通垫2具体实施例方式
本发明的特点，可参阅本案图式及实施例的详细说明而获得清楚 地了解。
本发明导通垫的成型方法，如图6至图9所示，依序包含有下列步 骤。
步骤201、提供一具有导电膜层21的基板22，如图7所示，其中该 导电膜层21可以为铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO )，而该基板22 可以为一透明基板，该透明基板可选自玻璃基板或塑料基板，而该玻 璃基板以钠义威玻璃(Soda Lime Glass )或石英玻璃为佳，该塑料基板的 材质选自聚碳酸酯树脂类(PC, Polycarbonate)、聚曱基丙烯酸曱酯 (PMMA)、聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)。
步骤202、将剥离式(lift-off)光阻剂涂布在导电膜层21的所有表面 上，并且利用曝光、显影技术，保留或移除导电膜层21特定位置的剥 离式光阻(如图7所示，剥离式光阻位于导电膜层21上预留导通垫处B的 位置)；其中，剥离式光阻剂可视需要选择使用"正光阻"或"负光阻"， 亦即利用类似雕刻中的阴刻或阳刻技巧，配合光罩图形的阻挡，移除 或保留与光罩图形相对应或互补的图形，主要目的在于保留导电膜层 特定位置的剥离式光阻，使导电膜层上形成用以将各导通垫(于图7中尚 未形成)区隔的光阻图案23,而该光阻图案23是经过涂布、曝光及显影 制程参数的调整后，剖面为一倒角形状，该倒角形状可以如图所示为 一倒梯型，亦可以为T型或香菇头型；再者，光阻剂亦可用印刷方式， 例如网版印刷，直接涂布在导电膜层21的特定位置上。
步骤203、利用沉积技术在导电膜层21未覆盖有光阻图案23处，以 及光阻图案23上形成绝缘层24,如图8所示，而沉积该绝缘层24的方法包括物理气相沉积(PVD)、蒸镀法、'践镀法、低压化学气相沉积、与电 浆辅助化学气相沉积，且该绝缘层可以为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx) 的化合物。
步骤204、剥离该光阻图案23，并连同覆盖在光阻图案23上的绝缘 层24去除，如图9所示，以形成有用以构成与外部控制电路电性导通的 导通垫25。
据以，整体绝缘层24上即形成复数个穿孔241,得以使导电膜层21 露出而形成导通垫25,透过导通垫25可与外部控制电路接合，进而构 成导电膜层21与外部控制电路的电性导通。而本发明所形成的结构体3 可进一步应用于一触控面板中。
当然，于步骤201时，该导电膜层可事先利用^[敖影:技术予以图案化， 即为 一 已图案化导电膜层21',而光阻剂即涂布在该已图案化导电膜层 21，上，如图10所示，光阻图案23形成在该已图案化导电膜层21上，即 该特定位置位在该已图案化导电膜层21，，而该光阻图案23同样可形成 倒角形状，再利用沉积技术在基板22以及光阻图案23上形成绝缘层24, 如图H所示，最后再剥离该光阻图案23,并连同覆盖在光阻图案23上 的绝缘层24去除，如图12所示，以使已图案化导电膜层21，的顶面露出， 以形成有用以构成与外部控制电路电性导通的导通垫25 。
本发明的技术内容及技术特点巳揭示如上，然而熟悉本项技术的 人士仍可能基于本发明的揭示而作各种不背离本案发明精神的替换及 修饰。因此，本发明的保护范围应不限于实施例所揭示者，.而应包括 各种不背离本发明的替换及修饰，并为以下的申请专利范围所涵盖。
权利要求
1、一种导通垫的成型方法，依序包含有下列步骤a、提供具有一导电膜层的一基板；b、将一光阻剂于该导电膜层的一特定位置形成一光阻图案；c、利用一沉积技术在该导电膜层未覆盖有该光阻图案处，以及该光阻图案上形成一绝缘层；d、剥离该光阻图案，并连同覆盖在该光阻图案上的该绝缘层去除，以形成一导通垫。
2、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该光阻 图案的剖面为倒角形状。
3、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该特定 位置即为该导通垫的位置。
4、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该步骤a 中该导电膜层为一已图案化导电膜层。
5、 如权利要求4所述导通垫的成型方法，其中该步骤b 中该特定位置位在该已图案化导电膜层。
6、 如权利要求2所述导通垫的成型方法，其中该倒角 形状为一倒梯型、T型或香菇头型。
7、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该光阻 剂为一剥离式光阻剂。
8、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该步骤b 包含涂布光阻、烘烤、曝光、与显影以形成该光阻图案。
9、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该步骤b 的该光阻图案用 一印刷方式涂布在该特定位置上。
10、 如权利要求9所述导通垫的成型方法，其中该印刷 方式为 一 网片反印刷。
11、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该步骤 c中该沉积技术选自物理气相沉积、蒸镀法、溅镀法、低压化学气相沉积、与电浆辅助化学气相沉积。
12、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该光阻 剂为一负型或一正型光阻。
13、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该基板 可以为一透明基板。
14、 如权利要求13所述导通垫的成型方法，其中该透明基板可选自 一玻璃基板或一塑料基板。
15、 如权利要求14所述导通垫的成型方法，其中该玻 璃基板以钠碱玻璃或石英玻璃为佳。
16、 如权利要求14所述导通垫的成型方法，其中该塑 料基板的材质选自聚碳酸酯树脂类、聚甲基丙烯酸甲酯、聚 对苯二甲酸乙二醇酯。
17、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该导电 膜层可以为铟锡氧化物。
18、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该绝纟彖 层可以为氧化硅或氮化硅的化合物。
19、 如权利要求4所述导通垫的成型方法，其中该已图 案化导电膜层利用 一微影技术形成。
20、 如权利要求1所述导通垫的成型方法，其中该成型 方法形成一结构体，该结构体应用于一触控面板中。
全文摘要
本发明导通垫成型方法先提供一具有导电膜层的基板，再于该导电膜层上预留导通垫的位置处，形成剖面为倒角形状的光阻图案后，利用沉积技术在导电膜层未覆盖有光阻图案处，以及光阻图案上形成绝缘层，最后剥离该光阻图案，并连同覆盖在光阻图案上的绝缘层去除，以形成有用以构成与外部控制电路电性导通的导通垫。
文档编号H01L21/02GK101419925SQ20071018155
公开日2009年4月29日 申请日期2007年10月23日 优先权日2007年10月23日
发明者张原彰, 杨智胜, 郭光埌 申请人:新应材股份有限公司