整合保护元件的内埋式多功能整合型结构及其制作方法

专利名称：整合保护元件的内埋式多功能整合型结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多功能整合型结构及其制作方法，尤指一种整合 保护元件的内埋式多功能整合型结构及其制作方法。
背景技术：
未来的电子产品，将朝着具有轻、薄、短、小的功能，以使得电
子产品能更趋于迷你化。被动元件(passive component)在电子产品中 所占的面积又是最庞大的，所以能够有效地整合被动元件，将使得电 子产品可以达到轻、薄、短、小的功能。
然而，现有被动元件的设计，皆以单一功能为主。因此，当电子 产品需要安装不同功能的被动元件来保护电子产品时，现有技术仅能 设置多个单一功能的被动元件于电子产品内。因此现有的作法不仅耗 费制造的成本，更是占用电子产品整体的体积。

发明内容
本发明所要解决的技术问题，即发明目的，在于提出一种整合保 护元件的内埋式多功能整合型结构及其制作方法。本发明利用电路板 多层设计的概念，将超过两种以上的被动元件整合于一元件结构上， 完成的成品将以面粘着的方式粘着于基板上，以应用于通用序列总线 (Universal Serial Bus， USB)端，而达到保护使用通用序列总线(USB) 的电子装置的目的。
为达上述目的，根据本发明的其中一种方案，提供一种整合保护 元件的内埋式多功能整合型结构，其包括 一上盖绝缘层、 一过电流 保护层(over-current protection layer)、 一中间绝缘层、 一多功能保护层(multifunctional protection layer)、及一下盖绝缘层，其中该上盖绝 缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖 绝缘层依序堆叠在一起，并且该多功能保护层具有一第一功能单元及 一第二功能单元，由此一不正常的电流流经过该过电流保护层及该多 功能保护层的第一功能单元以传送至一接地端，并且一不正常的讯号 流经过该多功能保护层的第二功能单元以传送至该接地端。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种 整合保护元件的内埋式多功能整合型结构，其包括 一上盖绝缘层、 一过电流保护层、 一中间绝缘层、 一多功能保护层、 一下盖绝缘层、 及一侧边导电单元。
其中，该上盖绝缘层具有一第一电源输入部及两个第一讯号输入 部。该过电流保护层设置于该上盖绝缘层的下端，并且该过电流保护 层具有一第二电源输入部及一第一电源输出部。该中间绝缘层设置于
该过电流保护层的下端。该多功能保护层设置于该中间绝缘层的下端， 并且该多功能保护层具有一第三电源输入部、 一第一接地部、 一电性 连接于该第三电源输入部及该第一接地部之间的第一功能单元、两个 第二讯号输入部、及一电性连接于每一个第二讯号输入部与该第一接 地部之间的第二功能单元。
再者，该下盖绝缘层设置于该多功能保护层的下端，并且该下盖 绝缘层具有一第二电源输出部、 一第二接地部、及两个第一讯号输出 部。该侧边导电单元包括五层彼此绝缘的一第一侧边导电层、 一第二 侧边导电层、 一第三侧边导电层、 一第四侧边导电层、及一第五侧边 导电层，其中每一层侧边导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层、 该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层 的侧边。其中，该第一电源输入部与该第二电源输入部通过该第一侧 边导电层以产生电性连接，该第一电源输出部、该第三电源输入部与 该第二电源输出部通过该第二侧边导电层以产生电性连接，其中一第一讯号输入部、其中一第二讯号输入部与其中一第一讯号输出部通过 该第三侧边导电层以产生电性连接，另外一第一讯号输入部、另外一 第二讯号输入部与另外一第一讯号输出部通过该第四侧边导电层以产
生电性连接，该第一接地部与该第二接地部通过该第五侧边导电层以 产生电性连接。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种 整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法，其步骤包括 首先，提供一上盖绝缘层，其具有一第一电源输入部及两个第一讯号 输入部；接着，提供一过电流保护层，其设置于该上盖绝缘层的下端， 并且该过电流保护层具有一第二电源输入部及一第一电源输出部；然 后，提供一中间绝缘层，其设置于该过电流保护层的下端；接下来， 提供一多功能保护层，其设置于该中间绝缘层的下端，并且该多功能 保护层具有一第三电源输入部、 一第一接地部、 一电性连接于该第三 电源输入部及该第一接地部之间的第一功能单元、两个第二讯号输入 部、及一电性连接于每一个第二讯号输入部与该第一接地部之间的第 二功能单元。
紧接着，提供一下盖绝缘层，其设置于该多功能保护层的下端， 并且该下盖绝缘层具有一第二电源输出部、 一第二接地部、及两个第 一讯号输出部；然后，依序将该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中
间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层堆叠地(stackedly)组合 在一起；接着，形成一第一侧边导电层、 一第二侧边导电层、 一第三 侧边导电层、 一第四侧边导电层、及一第五侧边导电层，其中每一层 侧边导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该 中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的侧边。
因此，本发明能够同时具有过电流保护、过电压保护、及抗静电 的功能。所以，本发明可以有效地整合两个或多个以上的被动元件而 增加其功能性，再者本发明能有效地降低电路板上被动元件所占的体积，并且减少焊点的数目。
为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段 及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目 的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而所附图式仅 提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。


图1A为本发明整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的第一
实施例的立体分解图1B为本发明第一实施例的过电流保护层的另一个角度的立体
图1C为本发明整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的第一 实施例的立体组合图2A为本发明第二实施例的过电流保护层的立体图2B为本发明第二实施例的过电流保护层的另一个角度的立体
图3A为本发明第三实施例的多功能保护层的立体图； 图3B为本发明第三实施例的下盖绝缘层的立体图； 图4为本发明第四实施例的多功能保护层的立体图； 图5为本发明整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方 法的流程图6为本发明整合保护元件的内埋式多功能整合型结构被切割成 单颗前的立体图。
图中符号说明 [第一实施例] 1 上盖绝缘层 10 a 第一半穿孔 10b 第二半穿孔10 c第三半穿孔
10 d第四半穿孔
10 e第五半穿孔
10P第一电源输入部
10S j第一讯号输入部
10S2
2过电流保护层
2A第一电极层
2B第二电极层
2C正温度数材料层
20 a第一半穿孔
20 b第二半穿孔
20 c第三半穿孔
20 d第四半穿孔
20 e第五半穿孔
20 P第二电源输入部
21 P第一电源输出部
E 1第一绝缘部
第二绝缘部
M中间绝缘层
M a第一半穿孔
M b第二半穿孔
M c第三半穿孔
M d第四半穿孔
M e第五半穿孔
M10开口单元
M100第一开口
M110第二开口
3多功能保护层
30 a第一半穿孔30 b第二半穿孔
30 c第三半穿孔
30 d第四半穿孔
30 e第五半穿孔
30P第三电源输入部
30G第一接地部
30 S i第二讯号输入部
30 S 2
C 1第一功能单元
C2第二功能单元
4下盖绝缘层
40 a第一半穿孔
40 b第二半穿孔
40 c第三半穿孔
40 d第四半穿孔
40 e第五半穿孔
40 P第二电源输出部
40 G第二接地部
40 S j第一讯号输出部
40 S 2
5侧边导电单元
51第一侧边导电层
52第二侧边导电层
53第三侧边导电层
54第四侧边导电层
55第五侧边导电层
6侧边贯穿槽单元
61第一侧边贯穿槽
62第二侧边贯穿槽
63第三侧边贯穿槽64 第四侧边贯穿槽
65 第五侧边贯穿槽 I , 电流
Ic 不正常的电流
Sl、 S2讯号
Sc 不正常的讯号 [第二实施例]
2' 过电流保护层
2A' 第一电极层
2B' 第二电极层
2C' 正温度数材料层 20P'第二电源输入部 21 P'第一电源输出部
Ll' 第一绝缘部
L2' 第二绝缘部
3' 多功能保护层
Cl' 第一功能单元
C2' 第二功能单元 30 P'第三电源输入部 30G'第一接地部 30St'第二讯号输入部 30 S 2'
4' 下盖绝缘层
41' 开口单元
410' 第一开口
411' 第二开口 [第三实施例]
C2" 第二功能单元 C20〃功能芯片 [被切割成单颗前]P 内埋式多功能整合型结构
r 上盖绝缘层
2" 过电流保护层
M〃 中间绝缘层
3" 多功能保护层
4" 下盖绝缘层
H 贯穿孔
具体实施例方式
请参阅图1A至图1C所示，其分别为本发明整合保护元件的内埋 式多功能整合型结构的第一实施例的立体分解图、本发明第一实施例 的过电流保护层的另一个角度的立体图、及本发明整合保护元件的内 埋式多功能整合型结构的第一实施例的立体组合图。
请复参考图1A及图1C所示，本发明所提供的一种整合保护元件 的内埋式多功能整合型结构包括 一上盖绝缘层1、 一过电流保护层 (over-current protection layer) 2、一中间绝缘层M、 一多功能保护层 (multifunctional protection layer) 3、 一下盖绝缘层4、及一侧边导电 单元5。其中，该上盖绝缘层l、该过电流保护层2、该中间绝缘层M、 该多功能保护层3、及该下盖绝缘层4依序堆叠在一起，并且该侧边导 电单元5包括五层彼此绝缘的一第一侧边导电层51、 一第二侧边导电 层52、 一第三侧边导电层53、 一第四侧边导电层54、及一第五侧边导 电层55。
其中，该上盖绝缘层l的四个侧边分别具有一第一半穿孔(first half hole) 10 a 、 一第二半穿孔(second half hole) 10 b 、 一第三半穿孔(third halfhole) 10c 、 一第四半穿孔(fourth half hole) 10d、及一第五半穿 孔(fifth half hole) 10e。此外，该一上盖绝缘层1具有一电性连接于 该第一侧边导电层51的第一电源输入部10P、及两个分别电性连接于 该第三、第四侧边导电层(53、 54)的第一讯号输入部(10S ,、 10S2)。该第一电源输入部IOP及所述的第一讯号输入部(10Sp 10S2)皆成 形于该上盖绝缘层1的上表面。
再者，该过电流保护层2设置于该上盖绝缘层1的下端。该过电 流保护层2的四个侧边分别具有一第一半穿孔(first half hole) 20 a 、 一第二半穿孔(second half hole) 20 b 、 一第三半穿孔(third half hole) 20 c 、 一第四半穿孔(fourth half hole) 20 d 、及一第五半穿孔(fifth half hole) 20 e。另外，该过电流保护层2由一第一电极层(first electrode layer) 2A、一第二电极层(second electrode layer) 2B、及一正温度 系数材茅斗层(positive temperature coefficient material layer) 2C所组成， 并且该正温度系数材料层2C成形于该第一电极层2A及该第二电极层 2B之间。其中，该正温度系数材料层2C可为一高分子正温度系数 (Polymer Positive Temperature Coefficient, PPTC)材料层、电阻材料 层、电容材料层、或电感材料层。
再者，该过电流保护层2具有一电性连接于该第一侧边导电层51 的第二电源输入部20P及一电性连接于该第二侧边导电层52的第一电 源输出部21P (如图1B所示)。该第二电源输入部20P为该第一电 极层2 A的 一侧端，该第一 电源输出部21 P为该第二电极层2 B的一侧 端，并且该第一电极层2A具有一用于与该第二、第三、第四及第五侧 边导电层(52、 53、 54、 55)电性隔绝的第一绝缘部(first insulating portion) Ll，该第二电极层2B具有一用于与该第一、第三、第四及 第五侧边导电层(51、 53、 54、 55)电性隔绝的第二绝缘部(second insulating portion) L2 (如图1B所示)。因此，该第一电极层2A通 过所述的第一绝缘部L1以与该第二、第三、第四及第五侧边导电层 (52、 53、 54、 55)产生电性隔绝。该第二电极层2 B通过所述的第二 绝缘部L2以与该第一、第三、第四及第五侧边导电层(51、 53、 54、 55)产生电性隔绝。
此外，该中间绝缘层M设置于该过电流保护层2的下端，并且该中间绝缘层M具有一开口单元(opening unit) M10，该开口单元MIO 包括一第一开口 (first opening) M100及一 第二开口 (second opening) MllO。并且，该中间绝缘层M的四个侧边分别具有一第一半穿孔(first half hole) M a 、 一第二半穿孔(second half hole) M b 、 一第三半穿 孔(third half hole) Mc、 一第四半穿孔(fourth half hole) Md、及 一第五半穿孔(fifth half hole) M e 。
再者，该多功能保护层3设置于该中间绝缘层M的下端。该多功 能保护层3的四个侧边分别具有一第一半穿孔(first half hole) 30 a 、 一第二半穿孔(second half hole) 30 b 、 一第三半穿孔(third half hole) 30 c 、 一第四半穿孔(fourth half hole) 30 d 、及一第五半穿孔(fifth half hole) 30 e 。此外，该多功能保护层3具有一电性连接于该第二侧边导 电层52的第三电源输入部30P、 一电性连接于该第五侧边导电层55 的第一接地部30G、 一电性连接于该第三电源输入部30P及该第一接 地部30G之间的第一功能单元C1、两个分别电性连接于该第三、第四 侧边导电层(53、 54)的第二讯号输入部(30S!、 30S2)、及一电性 连接于每一个第二讯号输入部(30S!或30S2)与该第一接地部30G 之间的第二功能单元C2。
此外，在本实施例中，该第一功能单元C1、该第二功能单元C2、 该第三电源输入部30P、该第一接地部30G、及所述的第二讯号输入 部(30S卜30 S2)皆成形于该多功能保护层3的上表面(top surface)。 该第一功能单元C1为一功能芯片(functional chip)，并且该第二功能 单元C2为一沟槽(groove)，其中该功能芯片为 一 过电压保护 (Over-Voltage Protection, OVP)芯片，并且该沟槽的宽度(width) 介于10 100/mi之间，并且该沟槽的深度(depth)介于10 500/mi之间。 另外，该第一开口M100用于容置该第一功能单元C1 (亦即该功能芯 片)，并且该第二开口M110用于曝露出该第二功能单元C2 (亦即该 沟槽的一部分)。此外，该下盖绝缘层4设置于该多功能保护层3的下端。该下盖
绝缘层4的四个侧边分别具有一第一半穿孔(first half hole) 40 a 、 一 第二半穿孔(second half hole) 40 b 、 一第三半穿孔(third half hole) 40 c 、 一第四半穿孔(fourth half hole) 40 d 、及一第五半穿孔(fifth half hole)40e。另外，该下盖绝缘层4具有一 电性连接于该第二侧边导电 层52的第二电源输出部40P、 一电性连接于该第五侧边导电层55的 第二接地部40G 、及两个分别电性连接于该第三、第四侧边导电层(53、
54) 的第一讯号输出部(40Si、 40S2)。并且，该第二电源输出部40 P、该第二接地部40G、及所述的第一讯号输出部(40 40 S 2)皆 成形于该下盖绝缘层4的下表面。
再者，请配合图1C所示，每一层侧边导电层(51、 52、 53、 54、
55) 由上到下依序成形在该上盖绝缘层1、该过电流保护层2、该中间 绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝缘层4的侧边。
此外，该上盖绝缘层1的第一半穿孔10 a 、该过电流保护层2的 第一半穿孔20a、该中间绝缘层M的第一半穿孔M a 、该多功能保护 层3的第一半穿孔30 a 、及该下盖绝缘层4的第一半穿孔40 a叠合成 一第一侧边贯穿槽61;该上盖绝缘层1的第二半穿孔10b 、该过电流 保护层2的第二半穿孔20b 、该中间绝缘层M的第二半穿孔Mb、该 多功能保护层3的第二半穿孔30 b 、及该下盖绝缘层4的第二半穿孔 40 b叠合成一第二侧边贯穿槽62;该上盖绝缘层1的第三半穿孔10 c 、 该过电流保护层2的第三半穿孔20 c 、该中间绝缘层M的第三半穿孔 M c 、该多功能保护层3的第三半穿孔30 c 、及该下盖绝缘层4的第 三半穿孔40c叠合成一第三侧边贯穿槽63;该上盖绝缘层1的第四半 穿孔10d、该过电流保护层2的第四半穿孔20d、该中间绝缘层M的 第四半穿孔Md、该多功能保护层3的第四半穿孔30d 、及该下盖绝 缘层4的第四半穿孔40 d叠合成一第四侧边贯穿槽64;该上盖绝缘层 l的第五半穿孔10e、该过电流保护层2的第五半穿孔20e 、该中间 绝缘层M的第五半穿孔M e 、该多功能保护层3的第五半穿孔30 e 、及该下盖绝缘层4的第五半穿孔40 e叠合成一第五侧边贯穿槽65。
因此，该第一侧边贯穿槽61由多个分别成形在该上盖绝缘层1、 该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝 缘层4的其中一侧的第一半穿孔OOa 、 20 a 、 M a 、 30 a 、 40 a ) 所堆叠而成。该第二侧边贯穿槽62由多个分别成形在该上盖绝缘层1、 该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝 缘层4的其中一侧边的第二半穿孔(10b 、 20 b 、 M b 、 30 b 、 40 b ) 所堆叠而成。该第三侧边贯穿槽63由多个分别成形在该上盖绝缘层1、 该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝 缘层4的其中一侧边的第三半穿孔(10c 、 20 c 、 M c 、 30 c 、 40 c ) 所堆叠而成。该第四侧边贯穿槽64由多个分别成形在该上盖绝缘层1、 该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝 缘层4的其中一侧边的第四半穿孔(10d、 20 d、 Md、 30 d、 40 d ) 所堆叠而成。该第五侧边贯穿槽65由多个分别成形在该上盖绝缘层1、 该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝 缘层4的其中一侧边的第五半穿孔(10e 、 20 e 、 M e 、 30 e 、 40 e ) 所堆叠而成。
再者，上述五道彼此分离的一第一侧边贯穿槽61、 一第二侧边贯 穿槽62、 一第三侧边贯穿槽63、 一第四侧边贯穿槽64、 一第五侧边贯 穿槽65组合成一侧边贯穿槽单元6，并且该第一侧边导电层51成形于 该第一侧边贯穿槽61的内表面，该第二侧边导电层52成形于该第二 侧边贯穿槽62的内表面，该第三侧边导电层53成形于该第三侧边贯 穿槽63的内表面，该第四侧边导电层54成形于该第四侧边贯穿槽64 的内表面，并且该第五侧边导电层55成形于该第五侧边贯穿槽65的 内表面。
因此，该第一电源输入部IOP与该第二电源输入部20P通过该第 一侧边导电层51以产生电性连接，该第一电源输出部21P、该第三电源输入部30P与该第二电源输出部40P通过该第二侧边导电层52以 产生电性连接，其中一第一讯号输入部IOS,、其中一第二讯号输入部 30 S !与其中一第一讯号输出部40 S ,通过该第三侧边导电层53以产生 电性连接，另外一第一讯号输入部10 S 2、另外一第二讯号输入部30 S2与另外一第一讯号输出部40S2通过该第四侧边导电层54以产生电 性连接，该第一接地部30G与该第二接地部40G通过该第五侧边导电 层55以产生电性连接。
请再一次参考图1A至图1C所示，所述的图中的箭头代表电流I !及讯号(Sl、 S2)的方向。
其中，电流I,在每一层(从该上盖绝缘层1至该下盖绝缘层4) 的主要流动路径如下所述
第一层(该上盖绝缘层l):通过该第一侧边导电层51，电流I! 从该上盖绝缘层1的第一电源输入部IOP流到该过电流保护层2的第 二电源输入部20P。
第二层(该过电流保护层2):电流I ,依序经过该第一电极层2 A、该正温度系数材料层2C及该第二电极层2B，而从该第二电源输 入部20P流到该第一电源输出部21P。因此，通过该正温度系数材料 层2C的特殊材料特性，以使得本发明具有过电流保护(Over-Current Protection, OCP)的功能。
第三层(该中间绝缘层M):通过该第二侧边导电层52，电流I! 从该第一电源输出部21P流到该多功能保护层的第三电源输入部30 P 。
第四层(该多功能保护层3):依据该第一功能单元C1的功能设 定，以决定电流Ii的流向。因此，正常的电流I i可直接流向下一层；而不正常的电流I c则从该第三电源输入部30P经过该第一功能单元 C1而流向该第一接地部30G。例如该第一功能单元C1为一过电压
保护(Over-Voltage Protection, OVP)芯片，并且假设该过电压保护芯 片所设定的负载为5伏特(volt)。因此，当电流少于5伏特时，则正 常地输出该电流；当电流大于5伏特时，则使得该电流流过该过电压 保护芯片并传送到接地端。
第五层(该下盖绝缘层4):通过该第二侧边导电层52，以使得 正常的电流I !流到该下盖绝缘层4的第二电源输出部40P;或者，通 过该第五侧边导电层55，以使得不正常的电流I c从该第一接地部30 G流到该下盖绝缘层4的第二接地部40G并传送到接地端。
其中，讯号(Sl、 S2)在每一层(从该上盖绝缘层1至该下盖 绝缘层4)的主要流动路径如下所述.-
第一层(该上盖绝缘层l):通过该第三、第四侧边导电层(53、 54)，使两个讯号(Sl、 S2)分别从该上盖绝缘层1的两个第一讯 号输入部(IOS,、 10 S2)流到该多功能保护层3的两个第二讯号输入 部(30Sp 30S2)
第四层(该多功能保护层3):依据该第二功能单元C2的功能设 定，以决定讯号(Sl、 S2)的流向。因此，正常的讯号(Sl、 S2) 可直接流向下一层；而不正常的讯号S c则分别从该两个第二讯号输入 部(30 S!、 30S2)经过该第二功能单元C2而流向该第一接地部30G。
第五层(该下盖绝缘层4):通过该第三、第四侧边导电层(53、 54)，以使得正常的讯号(Sl、 S2)流到该下盖绝缘层4的所述的 第一讯号输出部(40Sp 40S2);或者，通过该第五侧边导电层55， 以使得不正常的电流Sc从该第一接地部30G流到该下盖绝缘层4的第 二接地部40G并传送到接地端。请参阅图2A及图2B所示，其分别为本发明第二实施例的过电流 保护层的立体图、及本发明第二实施例的过电流保护层的另一个角度 的立体图。由图中可知，第二实施例与第一实施例最大的不同在于
一第二电源输入部20P'为该第二电极层2B'的一侧端，该第一电源输 出部21 P '为该第一电极层2A '的一侧端，并且该第一电极层2A '具有 一用于与该第一、第三、第四及第五侧边导电层(51、 53、 54、 55) 电性隔绝的第 一 绝缘部(first insulating portion) L 1'(如图2 A所示)， 该第二电极层2B'具有一用于与该第二、第三、第四及第五侧边导电 层(52、 53、 54、 55)电性隔绝的第二绝缘部(second insulating portion) L2'(如图2B所示)。因此，该第一电极层2A'通过所述的第一绝缘 部L1'以与该第一、第三、第四及第五侧边导电层(51、 53、 54、 55) 产生电性隔绝。该第二电极层2B'通过所述的第二绝缘部L2'以与该第 二、第三、第四及第五侧边导电层(52、 53、 54、 55)产生电性隔绝。
因此，第二实施例的第二层(该过电流保护层2')的电流路径为 电流I 2依序经过该第二电极层2B '、 一正温度系数材料层2C '及该第 一电极层2 A '，而从该第二电源输入部20P '流到该第一电源输出部21 P '。
请参阅图3A及图3B所示，其分别为本发明第三实施例的多功能 保护层的立体图、及本发明第三实施例的下盖绝缘层的立体图。由所 述的图中可知，第三实施例与第一实施例最大的差别在于 一第一功 能单元C1'、 一第二功能单元C2'、 一第三电源输入部30P'、 一第一接 地部30G'、及两个第二讯号输入部(30St'、 30S2')皆成形于该多功 能保护层3'的下表面(top surface)。再者， 一下盖绝缘层4'具有一开 口单元(opening unit) 41'，该开口单元41'包括一第一开口 410'及一第 二开口 411'。该第一开口 410'用于容置该第一功能单元C1'(亦即该功 能芯片)，并且该第二开口 411'用于曝露出该第二功能单元C2'(亦即 该沟槽的一部分)。因此，本发明亦能结合第一实施例与第三实施例，而使得该第一 功能单元C1、该第二功能单元C2、该第三电源输入部30P、该第一
接地部30G、及所述的第二讯号输入部(30S^ 30S2)皆成形于该多 功能保护层3的上表面(t叩surface)(如图1A的第一实施例所示)， 并且同时使得该第一功能单元C1'、该第二功能单元C2'、该第三 电源输入部30P'、该第一接地部30G'、及所述的第二讯号输入部 (30S/ 、 30S2')皆成形于该多功能保护层3'的下表面(如图3 A的第三实施例所示)。
请参阅图4所示，其为本发明第四实施例的多功能保护层的立体 图。由图中可知，第四实施例与第一实施例最大的不同在于 一第二 功能单元C2〃为两个功能芯片(functional chip) C20"，并且上述两 个功能芯片C 20 〃为两个抗静电(Anti-Electrostatic Discharge ， anti-ESD)芯片，而一第二开口 (图未示)用于容置上述两个功能芯片 C2"。
请参阅图5所示，其为本发明整合保护元件的内埋式多功能整合 型结构的制作方法的流程图。由流程图中可知，本发明所提供的一种 整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法，以第一实施例 为例(请配合参阅图1A至图1C所示)，其步骤包括
步骤S100:提供一上盖绝缘层l，其具有一第一电源输入部10P 及两个第一讯号输入部(IOS!、 10S2);
步骤S102:提供一过电流保护层2，其设置于该上盖绝缘层1的 下端，并且该过电流保护层2具有一第二电源输入部20P及一第一电 源输出部21P;
步骤S104:提供一中间绝缘层M，其设置于该过电流保护层2的
下端；
步骤S106:提供一多功能保护层3，其设置于该中间绝缘层M的 下端，并且该多功能保护层3具有一第三电源输入部30P、 一第一接 地部30G、 一电性连接于该第三电源输入部30P及该第一接地部30G之间的第一功能单元C1、两个第二讯号输入部(30Si、 30S2)、 及一电性连接于每一个第二讯号输入部(30S,、 30S2)与该第一接地 部30G之间的第二功能单元C2;
步骤S108:提供一下盖绝缘层4，其设置于该多功能保护层3的 下端，并且该下盖绝缘层4具有一第二电源输出部40P、 一第二接地 部40G、及两个第一讯号输出部(40Si、 40S2);
步骤S110:依序将该上盖绝缘层1、该过电流保护层2、该中间 绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝缘层4堆叠地(stackedly) 组合在一起；以及
步骤S112:形成一第一侧边导电层51、 一第二侧边导电层52、 一第三侧边导电层53、一第四侧边导电层54、及一第五侧边导电层55, 其中每一层侧边导电层(51、 52、 53、 54、 55)由上到下依序成形在 该上盖绝缘层l、该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护 层3、及该下盖绝缘层4的侧边。
因此，该第一电源输入部10P与该第二电源输入部20P通过该第 一侧边导电层51以产生电性连接，该第一电源输出部21P、该第三电 源输入部30P与该第二电源输出部40P通过该第二侧边导电层52以 产生电性连接，其中一第一讯号输入部10Si、其中一第二讯号输入部 30 S !与其中一第一讯号输出部40 S i通过该第三侧边导电层53以产生 电性连接，另外一第一讯号输入部10S2、另外一第二讯号输入部30 S2与另外一第一讯号输出部40S2通过该第四侧边导电层54以产生电 性连接，该第一接地部30G与该第二接地部40G通过该第五侧边导电 层55以产生电性连接。
再者，在该步骤步骤S112之前，本发明的制作方法更进一步包括 形成一第一侧边贯穿槽61、 一第二侧边贯穿槽62、 一第三侧边贯穿槽 63、 一第四侧边贯穿槽64、 一第五侧边贯穿槽65，其中所述的侧边导 通槽(61、 62、 63、 64、 65)通过钻孔或冲压的方式依序贯穿该上盖 绝缘层1、该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝缘层4所形成，并且该第一侧边导电层51成形于该第一侧
边贯穿槽61的内表面，该第二侧边导电层52成形于该第二侧边贯穿 槽62的内表面，该第三侧边导电层53成形于该第三侧边贯穿槽63的 内表面，该第四侧边导电层54成形于该第四侧边贯穿槽64的内表面， 并且该第五侧边导电层55成形于该第五侧边贯穿槽65的内表面。
请参阅图6所示，其为本发明整合保护元件的内埋式多功能整合 型结构被切割成单颗前的立体图。由图中可知，首先，通过钻孔 (drilling)或冲压(punching)的方式依序贯穿该上盖绝缘层1〃 、该 过电流保护层2"、该中间绝缘层M"、该多功能保护层3"、及该下 盖绝缘层4〃 ，以形成多个贯穿孔(penetrating hole) H;然后，再将 导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层1〃 、该过电流保护层2〃 、 该中间绝缘层M"、该多功能保护层3"、及该下盖绝缘层4"的所述 的贯穿孔H的内表面，最后再将单颗的整合保护元件的内埋式多功能 整合型结构P切割下来(如图1C所示)，以使得本发明的制作方式一 次可同时完成多个整合保护元件的内埋式多功能整合型结构P。
综上所述，本发明利用电路板多层设计的概念，将超过两种以上 的被动元件整合于一元件结构上，而完成的成品将以面粘着的方式粘 着于基板上，以应用于通用序列总线(Universal Serial Bus， USB)端， 而达到保护使用通用序列总线(USB)的电子装置的目的。因此，本发 明能够同时具有过电流保护、过电压保护、及抗静电的功能。所以，
本发明可以有效地整合两个或多个以上的被动元件而增加其功能性， 再者本发明能有效地降低电路板上被动元件所占的积体，并且减少焊
点的数目。
以上所述，仅为本发明最佳之一的具体实施例的详细说明与附图， 本发明的特征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明的所有范 围应以权利要求书的范围为准，凡合于本发明权利要求书的精神与其 类似变化的实施例，皆应包含于本发明的范畴中，任何本领域技术人员在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在本发明的 专利范围内。
权利要求
1. 一种整合保护元件的内埋式多功能整合型结构，其特征在于，包括一上盖绝缘层，其具有一第一电源输入部及两个第一讯号输入部；一过电流保护层，其设置于该上盖绝缘层的下端，并且该过电流保护层具有一第二电源输入部及一第一电源输出部；一中间绝缘层，其设置于该过电流保护层的下端；一多功能保护层，其设置于该中间绝缘层的下端，并且该多功能保护层具有一第三电源输入部、一第一接地部、一电性连接于该第三电源输入部及该第一接地部之间的第一功能单元、两个第二讯号输入部、及一电性连接于每一个第二讯号输入部与该第一接地部之间的第二功能单元；一下盖绝缘层，其设置于该多功能保护层的下端，并且该下盖绝缘层具有一第二电源输出部、一第二接地部、及两个第一讯号输出部；以及一侧边导电单元，其包括五层彼此绝缘的一第一侧边导电层、一第二侧边导电层、一第三侧边导电层、一第四侧边导电层、及一第五侧边导电层，其中每一层侧边导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的侧边；其中，该第一电源输入部与该第二电源输入部通过该第一侧边导电层以产生电性连接，该第一电源输出部、该第三电源输入部与该第二电源输出部通过该第二侧边导电层以产生电性连接，其中一第一讯号输入部、其中一第二讯号输入部与其中一第一讯号输出部通过该第三侧边导电层以产生电性连接，另外一第一讯号输入部、另外一第二讯号输入部与另外一第一讯号输出部通过该第四侧边导电层以产生电性连接，该第一接地部与该第二接地部通过该第五侧边导电层以产生电性连接。
2. 如权利要求1所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，更进一步包括 一侧边贯穿槽单元，其包括五道彼 此分离的一第一侧边贯穿槽、 一第二侧边贯穿槽、 一第三侧边贯穿槽、 一第四侧边贯穿槽、 一第五侧边贯穿槽，其中该第一侧边导电层成形 于该第一侧边贯穿槽的内表面，该第二侧边导电层成形于该第二侧边 贯穿槽的内表面，该第三侧边导电层成形于该第三侧边贯穿槽的内表 面，该第四侧边导电层成形于该第四侧边贯穿槽的内表面，并且该第 五侧边导电层成形于该第五侧边贯穿槽的内表面。
3. 如权利要求2所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、 该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层 的其中一侧边的第一半穿孔所堆叠而成，该第二侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能 保护层、及该下盖绝缘层的其中一侧边的第二半穿孔所堆叠而成，该 第三侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、 该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的其中一侧边的第 三半穿孔所堆叠而成，该第四侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝 缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖 绝缘层的其中一侧边的第四半穿孔所堆叠而成，该第五侧边贯穿槽由 多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该 多功能保护层、及该下盖绝缘层的其中一侧边的第五半穿孔所堆叠而 成。
4. 如权利要求1所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该过电流保护层由一第一电极层、 一第二电极层及 一正温度系数材料层所组成，并且该正温度系数材料层成形于该第一 电极层及该第二电极层之间。
5. 如权利要求4所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构，其特征在于，该正温度系数材料层为一高分子正温度系数材料层、 电阻材料层、电容材料层、或电感材料层。
6. 如权利要求4所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第二电源输入部为该第一电极层的一侧端，该第 一电源输出部为该第二电极层的一侧端，并且该第一电极层具有一用 于与该第二、第三、第四及第五侧边导电层电性隔绝的第一绝缘部， 该第二电极层具有一用于与该第一、第三、第四及第五侧边导电层电 性隔绝的第二绝缘部。
7. 如权利要求4所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构，其特征在于，该第二电源输入部为该第二电极层的一侧端，该第 一电源输出部为该第一电极层的一侧端，并且该第一电极层具有一用 于与该第一、第三、第四及第五侧边导电层电性隔绝的第一绝缘部，该第二电极层具有一用于与该第二、第三、第四及第五侧边导电层电 性隔绝的第二绝缘部。
8. 如权利要求1所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构，其特征在于，该第一功能单元、该第二功能单元、该第三电源输 入部、该第一接地部、及所述的第二讯号输入部皆成形于该多功能保 护层的上表面，并且该中间绝缘层具有一用于曝露出该第一功能单元 及该第二功能单元的开口单元。
9. 如权利要求8所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一功能单元为一功能芯片，该第二功能单元为 一沟槽，并且该开口单元具有一用于容置该功能芯片的第一开口及一 用于曝露出该沟槽的第二开口。
10. 如权利要求9所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该功能芯片为一过电压保护芯片。
11. 如权利要求9所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构，其特征在于，该沟槽的宽度介于10 100/mi之间，并且该沟槽的深 度介于10 500/mi之间。
12. 如权利要求8所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一功能单元为一第一功能芯片，并且该第二功 能单元为一第二功能芯片，并且该开口单元具有一用于容置该第一功能芯片的第一开口及一用于容置该第二功能芯片的第二开口。
13. 如权利要求12所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一功能芯片为一过电压保护芯片，并且该第二 功能芯片为一抗静电芯片。
14. 如权利要求1所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一功能单元、该第二功能单元、该第三电源输 入部、该第一接地部、及所述的第二讯号输入部皆成形于该多功能保 护层的下表面，并且该下盖绝缘层具有一用于曝露出该第一功能单元 及该第二功能单元的开口单元。
15. 如权利要求14所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一功能单元为一功能芯片，该第二功能单元为 一沟槽，并且该开口单元具有一用于容置该功能芯片的第一开口及一 用于曝露出该沟槽的第二开口。
16. 如权利要求15所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该功能芯片为一过电压保护芯片。
17. 如权利要求15所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该沟槽的宽度介于10 100/mi之间，并且该沟槽的深度介于10 500/mi之间。
18. 如权利要求14所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一功能单元为一第一功能芯片，并且该第二功 能单元为一第二功能芯片，并且该开口单元具有一用于容置该第一功 能芯片的第一开口及一用容置该第二功能芯片的第二开口。
19. 如权利要求18所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第一功能芯片为一过电压保护芯片，并且该第二 功能芯片为一抗静电芯片。
20. 如权利要求1所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该第二电源输出部、该第二接地部、及所述的第一 讯号输出部皆成形于该下盖绝缘层的下表面。
21. 如权利要求1所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构，其特征在于，该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、 该多功能保护层、及该下盖绝缘层依序堆叠在一起。
22. —种整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法， 其特征在于，包括下列步骤提供一上盖绝缘层，其具有一第一电源输入部及两个第一讯号输 入部；提供一过电流保护层，其设置于该上盖绝缘层的下端，并且该过 电流保护层具有一第二电源输入部及一第一电源输出部； 提供一中间绝缘层，其设置于该过电流保护层的下端； 提供一多功能保护层，其设置于该中间绝缘层的下端，并且该多 功能保护层具有一第三电源输入部、 一第一接地部、 一电性连接于该 第三电源输入部及该第一接地部之间的第一功能单元、两个第二讯号 输入部、及一电性连接于每一个第二讯号输入部与该第一接地部之间的第二功能单元；提供一下盖绝缘层，其设置于该多功能保护层的下端，并且该下 盖绝缘层具有一第二电源输出部、 一第二接地部、及两个第一讯号输 出部；依序将该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功 能保护层、及该下盖绝缘层堆叠地组合在一起；形成一第一侧边导电层、 一第二侧边导电层、 一第三侧边导电层、 一第四侧边导电层、及一第五侧边导电层，其中每一层侧边导电层由 上到下依序成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、 该多功能保护层、及该下盖绝缘层的侧边，因此该第一电源输入部与 该第二电源输入部通过该第一侧边导电层以产生电性连接，该第一电 源输出部、该第三电源输入部与该第二电源输出部通过该第二侧边导 电层以产生电性连接，其中一第一讯号输入部、其中一第二讯号输入 部与其中一第一讯号输出部通过该第三侧边导电层以产生电性连接，另外一第一讯号输入部、另外一第二讯号输入部与另外一第一讯号输 出部通过该第四侧边导电层以产生电性连接，该第一接地部与该第二 接地部通过该第五侧边导电层以产生电性连接。
23.如权利要求22所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，上述形成所述的侧边导电层的步骤前， 更进一步包括形成一第一侧边贯穿槽、 一第二侧边贯穿槽、 一第三 侧边贯穿槽、 一第四侧边贯穿槽、 一第五侧边贯穿槽，其中所述的侧 边导通槽通过钻孔或冲压的方式依序贯穿该上盖绝缘层、该过电流保 护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层所形成，并 且该第一侧边导电层成形于该第一侧边贯穿槽的内表面，该第二侧边 导电层成形于该第二侧边贯穿槽的内表面，该第三侧边导电层成形于 该第三侧边贯穿槽的内表面，该第四侧边导电层成形于该第四侧边贯 穿槽的内表面，并且该第五侧边导电层成形于该第五侧边贯穿槽的内 表面。
24. 如权利要求23所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法，其特征在于，该第一侧边贯穿槽由多个分别成形在该 上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及 该下盖绝缘层的其中一侧边的第一半穿孔所堆叠而成，该第二侧边贯 穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘 层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的其中一侧边的第二半穿孔所 堆叠而成，该第三侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过 电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的其 中一侧边的第三半穿孔所堆叠而成，该第四侧边贯穿槽由多个分别成 形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护 层、及该下盖绝缘层的其中一侧边的第四半穿孔所堆叠而成，该第五 侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中 间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的其中一侧边的第五半 穿孔所堆叠而成。
25. 如权利要求22所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该过电流保护层由一第一电极层、 一第 二电极层及一正温度系数材料层所组成，并且该正温度系数材料层成 形于该第一电极层及该第二电极层之间。
26. 如权利要求25所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该正温度系数材料层为一高分子正温度 系数材料层、电阻材料层、电容材料层、或电感材料层。
27. 如权利要求25所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法，其特征在于，该第二电源输入部为该第一电极层的一侧端，该第一电源输出部为该第二电极层的一侧端，并且该第一电极 层具有一用于与该第二、第三、第四及第五侧边导电层电性隔绝的第一绝缘部，该第二电极层具有一用于与该第一、第三、第四及第五侧 边导电层电性隔绝的第二绝缘部。
28. 如权利要求25所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法，其特征在于，该第二电源输入部为该第二电极层的一 侧端，该第一电源输出部为该第一电极层的一侧端，并且该第一电极 层具有一用于与该第一、第三、第四及第五侧边导电层电性隔绝的第一绝缘部，该第二电极层具有一用于与该第二、第三、第四及第五侧 边导电层电性隔绝的第二绝缘部。
29. 如权利要求22所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法，其特征在于，该第一功能单元、该第二功能单元、该第三电源输入部、该第一接地部、及所述的第二讯号输入部皆成形于该多功能保护层的上表面，并且该中间绝缘层具有一用于曝露出该第 一功能单元及该第二功能单元的开口单元。
30. 如权利要求29所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该第一功能单元为一功能芯片，该第二 功能单元为一沟槽，并且该开口单元具有一用于容置该功能芯片的第 一开口及一用于曝露出该沟槽的第二开口。
31. 如权利要求30所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该功能芯片为一过电压保护芯片。
32. 如权利要求30所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该沟槽的宽度介于10 100/mi之间，并且 该沟槽的深度介于10 500/mi之间。
33. 如权利要求29所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该第一功能单元为一第一功能芯片，并 且该第二功能单元为一第二功能芯片，并且该开口单元具有一用于容 置该第一功能芯片的第一开口及一用容置该第二功能芯片的第二开□。
34. 如权利要求33所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该第一功能芯片为一过电压保护芯片， 并且该第二功能芯片为一抗静电芯片。
35. 如权利要求22所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该第一功能单元、该第二功能单元、该 第三电源输入部、该第一接地部、及所述的第二讯号输入部皆成形于 该多功能保护层的下表面，并且该下盖绝缘层具有一用于曝露出该第 一功能单元及该第二功能单元的开口单元。
36. 如权利要求35所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该第一功能单元为一功能芯片，该第二 功能单元为一沟槽，并且该开口单元具有一用于容置该功能芯片的第 一开口及一用于曝露出该沟槽的第二开口。
37. 如权利要求36所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该功能芯片为一过电压保护芯片。
38. 如权利要求36所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该沟槽的宽度介于10 100/mi之间，并且 该沟槽的深度介于10 500/mi之间。
39. 如权利要求35所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该第一功能单元为一第一功能芯片，并 且该第二功能单元为一第二功能芯片，并且该开口单元具有一用于容 置该第一功能芯片的第一开口及一用容置该第二功能芯片的第二开tu。
40. 如权利要求39所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结构的制作方法，其特征在于，该第一功能芯片为一过电压保护芯片， 并且该第二功能芯片为一抗静电芯片。
41. 如权利要求22所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该第二电源输出部、该第二接地部、及 所述的第一讯号输出部皆成形于该下盖绝缘层的下表面。
42. 如权利要求22所述的整合保护元件的内埋式多功能整合型结 构的制作方法，其特征在于，该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中 间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层依序堆叠在一起。
43. —种整合保护元件的内埋式多功能整合型结构，其特征在于， 包括 一上盖绝缘层、 一过电流保护层、 一中间绝缘层、 一多功能保 护层、及一下盖绝缘层，其中该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中 间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层依序堆叠在一起，并且 该多功能保护层具有一第一功能单元及一第二功能单元，由此一不正 常的电流流经过该过电流保护层及该多功能保护层的第一功能单元以 传送至一接地端，并且一不正常的讯号流经过该多功能保护层的第二 功能单元以传送至该接地端。
全文摘要
本发明涉及一种整合保护元件的内埋式多功能整合型结构及其制作方法，其利用电路板多层设计的概念，将超过两种以上的被动元件整合于一元件结构上，完成的成品将以面粘着的方式粘着于基板上，以应用于通用序列总线(USB)端，而达到保护使用通用序列总线(USB)的电子装置的目的。因此，本发明能够同时具有过电流保护、过电压保护、及抗静电的功能。所以，本发明可以有效地整合两个或多个以上的被动元件而增加其功能性，再者本发明能有效地降低电路板上被动元件所占的积体，并且减少焊点的数目。
文档编号H01L23/488GK101414602SQ20071018232
公开日2009年4月22日 申请日期2007年10月17日 优先权日2007年10月17日
发明者李文志, 黄建豪 申请人:佳邦科技股份有限公司