专利名称：发光二极管金属电极的制造装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种有关发光二极管(LED)的金属电极的制作技术， 特别是关于一种无须采用光阻蚀刻或光阻浮离(photoresist lift-off)技术的发 光二极管金属电极的制造装置。
背景技术：
发光二极管为一种具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的 电流，即可发出光亮的光电组件。由于发光二极管的发光现象不是通过加热 或放电发光，而是属于冷性发光，所以组件寿命长、耗电量小、反应速度快、 体积小、适合量产，具有高可靠度，且容易配合应用上的需要制成极小或数 组式的组件，符合轻薄短小、功能强、可靠性高的产品趋势，使得发光二极 管的适用范围颇广。
一般发光二极管的制造方法，是先制作出iii-v化合物芯片之后，再于
m-v化合物芯片上制作金属电极，然后进行切割以形成发光二极管晶粒，最 后进行封装作业，即可完成发光二极管的制作。现有技术在发光二极管金属 电极的制作方法，大致分为两种，第一种方法是先在m-v化合物芯片表面镀 上一层金属膜，然后利用微影蚀刻技术形成一图案化光阻层，并以该图案化
光阻层为罩幕，蚀刻该金属膜，进而完成金属电极的制作；另一种方法则是
在iii-v化合物芯片上先涂布一层光阻并进行微影成像后，镀上一层金属膜， 再进行光阻浮离制程，使金属成像完成金属电极的制作。
不管是以上述何种方法制作金属电极，现有技术都需要利用微影蚀刻制 程才能完成电极点的制作，但是就微影蚀刻技术而言，其制程相当烦瑣且复 杂，在制作上并具有较高的难度。
实用新型内容
本实用新型需要解决的问题是提供一种发光二极管金属电极的制造装 置，以解决现有技术中需要利用微影蚀刻制程才能完成电极点的制作，但是 就微影蚀刻技术而言，其制程相当烦瑣且复杂，在制作上并具有较高的难度。
本实用新型的主要目的是提供一种发光二极管金属电极的制造装置，在 不使用光阻蚀刻或光阻浮离微影制程的情形下，利用该制造装置制作出发光 二极管的金属电极。
本实用新型的另一目的是在提供一种发光二极管金属电极的制造装置， 具有制程简单、快速，并可大幅降低金属电极制造成本的优点。
为达到上述目的，本实用新型提供一种发光二极管金属电极制造装置， 是装设在一反应室中的蒸镀盘上，此制造装置包括一用以承载芯片的载具，
并在载具底部设置一磁性组件；另有一磁性光罩设置在芯片上，使磁性组件 吸附该磁性光革，并同时将该芯片固定在载具上，以作为后续金属蒸镀制程 之用。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点
本实用新型无须使用已知微影蚀刻或光阻浮离微影制程，即可制作出发 光二极管的金属电极，因此具有制程简单、快速及制造成本低等优点。
本实用新型是在不使用光阻蚀刻或光阻浮离微影制程的情形下，利用该 制造装置制作出发光二极管的金属电极，以解决现有技术中利用微影蚀刻制 程所存在的缺点。
附困说明
图1是利用本实用新型制作发光二极管金属电极的流程示意图； 图2是本实用新型于制作发光二极管金属电极所使用的制造装置的构造 示意图3是图2的局部构造的放大示意图。
图号说明 10制造装置 12蒸镀盘14载具
18 芯片
22磁性光罩
26蒸发金属源
16容置槽 20》兹性组件 24接触窗
28金属电极
具体实施方式
本实用新型提出 一种发光二极管金属电极的制造装置，是在不使用光阻 蚀刻或光阻浮离微影制程的情形下，利用特殊设计的栽具，配合磁性组件及 磁性光軍贴设于芯片表面，以直接进行金属慰莫，进而完成金属电极的制作。
图1为利用本实用新型制作发光二极管金属电极的流程示意图，首先如 步骤S10所示，提供蟲芯片，并在进行镀膜前，利用清洗剂进行芯片的清洗， 以清除芯片表面的氧化物、污染物以及金属离子；且该清洗剂是由辟L酸、双 氧水、氨水、磷酸及盐酸等无机药水的至少其中之一与水进行配比混合所组成。
在说明步骤S12之前，先说明本实用新型所使用的制造装置，同时参考 图2所示，此制造装置10是装设在一反应室中的蒸镀盘12上，且该蒸镀盘 12上是同时设置有多个制造装置10 (图中未示)，每一制造装置10包括一载 具14，由铝合金材质所构成，在栽具14上设有一容置槽16,提供承栽一芯 片18之用；并在该容置槽16下方且位于该载具14底部是设有一磁性组件20, 其材质通常为铝铁硼磁铁、钐钴磁铁或氧化磁铁等具磁性物质。
另有一磁性光罩22,为 一具有磁性的不锈钢软性薄膜，且厚度是介于10 ~ 300微米之间，较佳为50微米，在磁性光罩22上则设有多个接触窗24,以 作为形成金属电极之用，此磁性光革22是贴设在该芯片18上，以利用载具 14底部的磁性组件20吸附住磁性光罩22,进而将芯片18稳定固定在载具14 的容置槽16内而不会轻易脱落。此外，在反应室中是设有一蒸发金属源26， 是以近乎于垂直角度(90。)入射至该芯片18上。
然后，如步骤S12所示，将芯片18置于上述的载具14中，且于芯片18 上设置一磁性光罩22，使栽具14底部的磁性组件20吸附住该磁性光革22，进而将芯片18确实固定在栽具14上，使芯片18能够固定在蒸镀盘12上。 接着以该磁性光革22为革幕，如步骤S14所示，进行金属蒸镀，利用热蒸镀 或电子枪蒸镀方式等溅镀方式，使未被金属磁性光罩22覆盖的芯片18表面， 即接触窗24所在的位置直接形成有金属电极28，同时参考图3所示；其中， 在此金属蒸镀步骤所使用的金属是选自金、金铍、金锗、金锌、镍、锌、银、 钛、铝、铟及柏所组成的群组。
完成金属电极28的步骤后，即可如步骤S16所示将该i兹性光罩22移除， 并将芯片18移离该载具14;然后进行热处理，是将芯片18置于300 1000。C 的炉管中静置5~50分钟，使芯片18表面和金属电极形成奥姆接触，如此， 即可在芯片制作出完整的金属电极。
由于本实用新型所使用的蒸发金属源是以近乎于垂直角度而入射至芯片
上，因此可在芯片形成相当均匀且平整的金属电极。而使蒸发金属源以近乎 于垂直角度入射至芯片的方式除了将反应室加长加宽之外，也可将蒸镀盘的 弯曲弧度变小(近乎直线)，以便使蒸发金属源能够以近乎于垂直的角度入射 至芯片上。
因此，本实用新型是在不使用光阻蚀刻或光阻浮离微影制程的情形下， 利用该制造装置制作出发光二极管的金属电极，因此具有制程简单、快速， 并可大幅降低金属电极制造成本的优点，以解决现有技术中利用微影蚀刻制 程所存在的缺点。
以上公开的仅为实用新型的几个具体实施例，但是，本实用新型并非局 限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新的保护范围。
权利要求1、一种发光二极管金属电极的制造装置，其特征在于，装设在一反应室中的蒸镀盘上，所述制造装置包括一载具，上方可供承载一芯片；一磁性组件，位于所述载具底部；以及一磁性光罩，设置在所述芯片上，以利用所述载具底部的磁性组件吸附所述磁性光罩，并同时将所述芯片固定在载具上。
2、 如权利要求l所述发光二极管金属电极的制造装置，其特征在于，所 述磁性光罩为一具有磁性的不锈钢软性薄膜。
3、 如权利要求l所述发光二极管金属电极的制造装置，其特征在于，所 述磁性光罩的厚度介于10 ~ 300微米之间。
专利摘要本实用新型公开了一种发光二极管金属电极的制造装置，是装设在一反应室中的蒸镀盘上，包括一载具可承载芯片，并在载具底部设置一磁性组件；在芯片上方设置一磁性光罩，使磁性组件吸附磁性光罩，并同时将芯片固定在载具上，以进行金属蒸镀，进而在芯片完成金属电极的制作。本实用新型无须使用现有微影蚀刻或光阻浮离微影制程，即可制作出发光二极管的金属电极，因此具有制程简单、快速及制造成本低等优点。
文档编号H01L33/00GK201060877SQ200720142918
公开日2008年5月14日 申请日期2007年4月18日 优先权日2007年4月18日
发明者余佳骏, 曾淑靖, 李欣仪, 江守权, 盛约瑟 申请人:曜富科技股份有限公司