专利名称：发光装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及使用例如发光二极管(LED: Light Emitting Diode )等发光元件的发光装置及其制造方法。
本申请要求2006年4月12日在日本提出的特愿2006-109619号申请
的优先权，并将其内容援引于此。
背景技术：
以往人们就知道使用LED芯片等发光元件的发光装置(例如参照专利文献l)。这样的发光装置形成为以下结构，即，在封装件内配置的LED芯片使用膏通过芯片接合(Die bonding)固定在引线框上，同时使用接合线通过引线接合将LED芯片侧的电极极板(Electrode pad )和引线框侧的电极引线电连接。
专利文献1:日本特开平9-307145号7>报
发明内容
在上述发光装置中，通过提高配置于封装件内的LED芯片发出的光的利用效率，可实现更高亮度。另外，如果能提高LED芯片发出的光的利用效率，则可减少获得同样亮度所需要的电，其结果可更省电。
因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供通过提高发光元件发出的光的利用效率，可实现更高亮度和可省电的发光装置及其制造方法。
本发明人为了解决上述课题而进行深入研究的结果知道，以往利用骨将发光元件粘接在引线框上，因此未有效利用从该发光元件的与引线框相对的面侧方文出的光。于;L1现，通过使从发光元件的与引线框相对的面侧 发出的光在引线框侧大大地反射，可进一步提高该发光元件发出的光的利 用效率，从而完成了本发明。 即，本发明提供以下方案。
(1 )一种发光装置，是具有设有电极极板的发光元件和设有电极引线 的引线框，并且上述电极极板和上述电极引线借助于接合线进行了电连接 的发光装置，其特征在于，上述发光元件在其与上述引线框之间设置间隔
(2 )冲艮据前项(1 )所述的发光装置，其特征在于，上述间隔为0.1mm ~ 0.6mm的范围内。
(3) 才艮据前项(1)或(2)所述的发光装置，其特征在于，上述接合 线以使上述发光元件从上述引线框浮起的状态对其进行支持。
(4) 才艮据前项(1) ~ (3)的任一项所述的发光装置，其特征在于， 在上述发光元件与上述引线框之间配置有使上述发光元件发出的光透过的 隔离物。
(5) 才艮据前项(1) ~ (4)的任一项所述的发光装置，其特征在于， 具有保持安装有上述发光元件的上述引线框的封装件，上述发光元件和上 述引线框的一部分从形成于上述封装件的凹部露出。
(6) 4艮据前项(1) ~ (5)的任一项所述的发光装置，其特征在于， 上述发光元件具有在基板上顺序层叠n型半导体层、发光层和p型半导体 层而成的化合物半导体，并且，与上述n型半导体层连接的第一电极极板 和与上述p型半导体层连接的第二电极极板分别位于和与上述引线框相对 的面相反的一侧。
(7) 根据前项(6)所述的发光装置，其特征在于，上述引线框具有 第一电极引线和第二电极引线，上述第一电极极板和上述第一电极引线借 助于第一接合线进行电连接，同时上述第二电极极板和上述第二电极引线 借助于第二接合线进行电连接，上述第一接合线从与上述第一电极极板的
接点延伸到与上述第一电极引线的接点的方向、和上述第二接合线从与上述第二电极极板的接点延伸到与上述第二电极引线的接点的方向朝向相互 相反的方向。
(8 ) —种发光装置的制造方法，是具有设有电极极板的发光元件和设 有电极引线的引线框，并且上述电极极板和上述电极引线借助于接合线进 行了电连接的发光装置的制造方法，其特征在于，在上述引线框上固定上 述发光元件，使用上述接合线将上述电极极板和上述电极引线进行引线接 合后，将上述被固定的发光元件从上述引线框卸下。
(9) 根据前项(8)所述的发光装置的制造方法，其特征在于，将上 述发光元件从上述引线框卸下后，将由上述接合线支持的上述发光元件抬 起到规定的高度。
(10) —种发光装置的制造方法，是具有设有电极极板的发光元件和 设有电极引线的引线框，并且上述电极极板和上述电极引线借助于接合线 进行了电连接的发光装置的制造方法，其特征在于，在上述引线框上配置 使上述发光元件发出的光透过的隔离物，并在该隔离物上固定上述发光元 件后，使用上述接合线将上述电极极板和上述电极引线进行引线接合。
发明效果
如以上那样，在本发明的发光装置中，通过在发光元件和引线框之间 设置间隔，可使从该发光元件的与引线框相对的面侧放出的光在51线框側 大大地反射。因此，该发光装置，可有效利用从发光元件的与引线框相对 的面侧放出的光，可进一步提高该发光元件发出的光的利用效率，因此可 以谋求实现更高亮度和省电。
另外，在本发明的发光装置中，通过接合线在使发光元件从引线框浮 起的状态下对其进行支持，可在发光元件和引线框之间设置间隔。由此， 可使从该发光元件的与引线框相对的面側放出的光在引线框侧大大地反 射。
另外，该间隔，为了针对使从发光元件的与引线框相对的面侧放出的 光在引线框侧反射，设置在效率最好的高度，优选设定成与发光元件的厚
6度相同或在发光元件的厚度以上，具体地优选为0.1mm ~ 0.6mm的范围内。
另外，在本发明的发光装置中，通过在发光元件和引线框之间配置使 发光元件发出的光透过的隔离物，可在发光元件和S1线框之间设置间隔。 另外，由于隔离物可使发光元件发出的光透过，因此不会遮挡从发光元件 的与引线框相对的面侧放出的光，并使该光在引线框侧大大地反射。
另外，在本发明的发光装置中，具有保持安装有发光元件的引线框的 封装件，使发光元件和引线框的一部分从形成于该封装件的开口部露出， 由此可从和与《1线框相对的面相反的一侧高效地取出发光元件发出的光。
另外，在本发明的发光装置中，发光元件为以下构成，即具有在基板 上顺序地层叠n型半导体层、发光层及p型半导体层而成的化合物半导体， 并且与n型半导体层连接的第一电极极板和与p型半导体层连接的第二电 极极板，分别位于和与引线框相对的面相反的一側而设置，由此作为所谓 的面朝上方式可通过引线接合进行安装。
另外，在本发明的发光装置中，优选引线框具有第一电极引线和第 二电极引线，第一电极极板和第一电极引线借助于第一接合线进行电连接， 同时第二电极极板和第二电极引线通过第二接合线进行电连接，并且，第 一接合线从与第一电极极板的接点延伸到与第一电极引线的接点的方向、 和第二接合线从与第二电极极板的接点延伸到与第二电极引线的接点的方 向朝向相互相反的方向。
该场合下，可利用第一接合线和第二接合线将发光元件在从引线框浮 起的状态下进行稳定支持。
另一方面，在本发明的发光装置的制造方法中，在引线框上固定发光 元件，使用接合线将电极极板和电极引线进行引线接合后，将被固定的发 光元件从引线框卸下，由此可在与引线框相对的面和引线框之间设置间隔 而配置发光元件。
因此，根据该制造方法，可以制造不遮挡从发光元件的与引线框相对 的面側放出的光并可使该光在引线框侧大大地反射的发光装置。另外，在 通过该制造方法制造的发光装置中，可有效利用从发光元件的与引线框相对的面侧放出的光，进一步提高该发光元件发出的光的利用效率，因此可 谋求实现更高亮度和省电。
另外，在本发明的发光装置的制造方法中，也可将发光元件从引线框 卸下后，将由接合线支持的发光元件抬起到规定的高度。
在这里，所谓规定的高度，是对于使从发光元件的与引线框相对的面 侧放出的光在引线框侧反射效率最好的高度，是指在发光元件的与引线框 相对的面和引线框之间设置的间隔。该间隔(高度)优选设定成与发光元
件的厚度相同或在发光元件的厚度以上，具体地优选为0.1mm ~ 0.6mm的
范围内。
这样，通过抬起由接合线支持的发光元件，可设定在对于使从发光元 件的与引线框相对的面侧放出的光在引线框侧反射效率最好的高度。
另外，在本发明的发光装置的制造方法中，在引线框上配置使发光元 件发出的光透过的隔离物，在该隔离物上固定发光元件后，使用接合线将 电极极板和电极引线进行引线接合，由此可在发光元件和引线框之间设置 间隔。
因此，根据该制造方法，隔离物可使发光元件发出的光透过，因此可
框侧大大地反射的发光装置。另外，在通过该制造方法制造的发光装置中， 可有效利用从发光元件的与引线框相对的面侧放出的光，进一步提高该发 光元件发出的光的利用效率，因此可谋求实现更高亮度和省电。
图l是作为第一实施方式示出的发光装置的平面图。 图2是沿着图1所示的发光装置的线段A-A，的剖面图。 图3是表示发光元件的构成的剖面图。 图4是表示框板金的平面图。
图5是放大了图4所示的框板金的一部分的平面图。 图6是表示配置有封装件的框板金的平面图。图7是将图6所示的框板金的一部分放大的平面图。
图8是表示将进行了引线接合的发光元件抬起的状态的剖面图。
图9是作为第二实施方式示出的发光装置的剖面图。
图IO是表示实施例1的发光装置的发光状态的放大照片。
图11是表示比较例1的发光装置的发光状态的放大照片。
附图标记说明l...发光装置2...发光元件3..引线框4..封装件5..基板6..n型半导体层
7"发光层8..p型半导体层9..第一电极极板10...笫二电极极板
11..第一电极引线
12..第二电极引线
13..绝缘区域
14..第一接合线
15..第二接合线
16..密封树脂
20..框板金
30..发光装置
31..隔离物
具体实施方式
以下，对于应用本发明的发光装置及其制造方法，参照附图进行详细 说明。另外，在以下的说明中使用的附图，为了容易了解特征，有时为方 便起见将成为特征的部分放大示出，各构成要素的尺寸比率等不限于与实 际相同。
(第一实施方式)
首先，作为第一实施方式对于图l及图2所示的发光装置进行说明。
该发光装置1具有成为光源的发光元件2和安装了该发光元件2的引 线框3，具有它们配置于封装件4内的结构。
发光元件2，如图3所示，是利用在基板5上顺序层叠n型半导体层6、 发光层7及p型半导体层8而成的化合物半导体形成的LED芯片。
其中，基板5可使用例如蓝宝石、SiC、 GaP等透光性基板材料。另 一方面，作为n型半导体层6、发光层7及p型半导体层8，可使用在上 述基板5上使用例如MOCVD (金属有机物化学气相淀积法)、MBE (分 子束外延法)、HVPE (氢化物气相生长法)等层叠了例如GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 GaP、 GaAlP、 AlInGaP、 InP、 GaAs、 AlGaAs、 ZnS、 ZnSe、 SiC等的化合物半导体。另外，通过这些化合物半导体的组合，可 制造各种波长(色)的LED灯。
另外，作为化合物半导体的结构，可使用PN接合、PIN接合、MIS 接合等的同质结结构或异质结结构，进而，为了提高发光效率，也可以使 用双异质结结构、量子阱接合结构等。
在该发光元件2中，作为正极与p型半导体层8连接的第一电极极板 9和作为负极与n型半导体层6连接的第二电极极板10，分别位于和与引 线框3相对的面(基板5)相反的一侧而设置。
具体地说，第一电极极板9配置于p型半导体层8上，另一方面，第 二电极极板10配置于除去发光层7和p型半导体层8的一部分而使n型 半导体层6露出的部分上。由此，发光元件2可进行所谓的面朝上方式的 安装。另外，这些第一电极极板9和第二电极极板10，如图1所示，相向 配置于被切割成矩形的发光元件2的相对的两边的中间位置。另外，第一
10电极极板9和第二电极极板10也可以相向配置在发光元件2的相对的角 部。
作为第一电极极板9和第二电极极板10，可使用例如Cr、 Ti、 Au等。 引线框3，如图1及图2所示，是用于将来自外部的电供给至上述发 光元件2的，其具有与第一电极极板9连接的第一电极引线11和与第二电 极极板10连接的第二电极引线12。
该引线框3，可使用例如含有Fe等杂质的Cii合金等。 第一电极引线11，形成有其一端面临封装件4内侧的内侧端子部lla、 和其另一端面临封装件4外侧的外侧端子部llb。同样地，第二电极引线 12，形成有其一端面临封装件4内侧的内侧端子部12a、和其另一端面临 封装件4外侧的外侧端子部12b。
其中，第一电极引线11的内侧端子部lla和第二电极引线12的内侧 端子部12a，在后述的在封装件4的中央部形成的凹部4a的底面部，隔着 绝缘区域13相对地配置。另外，第一电极引线11的内侧端子部lla，形 成配置发光元件2的固定(Mount)部llc，该固定部llc在凹部4a的底 面部中央，形成内侧端子部lla的一部分比其他部分向第二电极引线12 侧突出的部分。
另一方面，笫一电极引线11的外侧端子部llb和第二电极引线12的 外侧端子部12b，分别从封装件4的相对的侧面向外侧延长，同时沿封装 件4的外形，从该封装件4的侧面部折回到底面部。
另外，在该发光装置l中，在固定部11c上配置有发光元件2，并且 第一电极极板9和第一电极引线11的内侧端子部lla借助于第一接合线 14进行电连接，同时第二电极极板10和第二电极引线12借助于第二接合 线15进行电连接。
这些第一接合线14和第二接合线15，可使用例如Au线、Al线、Cu 线等。
封装件4是用于保持安装了发光元件2的引线框3，保护配置于该封 装件4内的发光元件2的。具体地说，该封装件4由与引线框3 —同模塑成型或插嵌成型的树脂、 玻璃等形成。该封装件4可使用例如聚碳酸酯树脂、聚苯石充醚(PPS)、 液晶聚合物(LCP) 、 ABS树脂、环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、PBT 树脂、玻璃环氧树脂、聚邻苯二曱酰胺树脂等热塑性树脂、热固性树脂。
封装件4，整体形成为大致长方体状，在其上面中央部设有筒状的凹 部4a。上述发光元件2和第一电极引线11的内侧端子部lla和第二电极 引线12的内侧端子部12a从该凹部4a露出。另夕卜，该凹部4a,为了从和 与引线框3相对的面相反的一侧高效率地取出发光元件2发出的光，具有 从其底面部朝向上面的开口部扩径了的反射镜(辐射面)形状。
另外，在封装件4的凹部4a内，为了从外部环境保护从该凹部4a露 出的发光元件2和引线框3，埋入有透光性的密封树脂16。
该密封树脂16可使用例如硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酸 酯树脂等使发光元件2发出的光透过的透明树脂。另外，在密封树脂16 中可使用玻璃、石英等绝缘材料。
此外，在该发光装置1中，通过使上述密封树脂16中含有荧光体，也 可发出与发光元件2发出的光不同的颜色的光。例如通过蓝色LED和黄色 荧光体的组合，可获得白色光。
在应用本发明的发光装置1中，如图2所示，发光元件2在与引线框 相对的面和引线框3之间设置间隔H地配置。具体地说，在该发光装置l 中，第一接合线14和第二接合线15在使发光元件2从引线框3浮起至规 定的高度的状态下对其进行支持。
在这里，发光元件2和引线框3的间隔H，设定成对于从发光元件2 的与引线框3相对的面侧放出的光在引线框3侧反射效率最好的高度尺寸。 具体地说，该间隔H优选设定成与发光元件2的厚度相同或在发光元件2 的厚度以上。另外，优选相对于封装件4的凹部4a为一半以上的高度，优 选在上述封装件4的凹部4a形成的辐射面的焦点配置发光元件2。另外， 关于间隔H的上限，优选为发光元件2不从封装件4的凹部4a露出的程 度。具体地说，该间隔H优选为0.1mm 0.6mm的范围内。
12以往，在引线框3上通过膏粘接发光元件2，因此发光元件2和引线 框3的间隔H为青的厚度左右。该情况下，难以使从发光元件2的与引线 框3相对的面侧i文出的光在引线框3侧大大地反射。
与此相对，在应用本发明的发光装置1中，将发光元件2和引线框3 的间隔H设定成与发光元件2的厚度相同或在发光元件2的厚度以上。由 此，可使从发光元件2的与引线框3相对的面侧放出的光在引线框3侧大 大地反射。因此，在该发光装置l中，可有效利用从发光元件2的与引线 框3相对的面侧放出的光，进一步提高该发光元件2发出的光的利用效率， 因此可谋求实现更高亮度和省电。
另外，在应用本发明的发光装置l中，优选；第一接合线14从与第一 电极极板9的接点延伸到与第一电极引线11的接点的方向、和第二接合线 15从与第二电极极板10的接点延伸到与第二电极引线12的接点的方向朝 向相互相反的方向。
在该情况下，可利用第一接合线14和第二接合线15将发光元件2在 从引线框3浮起的状态下进行稳定支持。
另夕卜，在应用本发明的发光装置l中，通过由密封树脂16密封配置了 该发光元件2的封装件4的凹部4a，可最终将发光元件2牢固地固定于封 装件4内。
接着，对于上述发光装置1的制造方法进行说明。
制造上述发光装置1时，首先准备上述发光元件2。具体地说，该发 光元件2，可通过下述方法制作在制作在上述基板5上使用例如MOCVD (金属有机物化学气相淀积法)、MBE (分子束外延法)、HVPE (氢化 物气相生长法)等，顺序层叠n型半导体层6、发光层7及p型半导体层 8而成的化合物半导体后，在n型半导体层6和p型半导体层8上，使用 例如光刻技术、剥离技术，形成笫一电极极板9和第二电极极板10。
另外，制造上述发光装置l时，如图4和图5所示，准备以矩阵状排 列有多个成为上述引线框3的部分3A的框板金20。具体地说，该框板金 20，通过沖裁成为上述第一电极引线11和第二电极引线12的部分的周围，而具有连接有多个成为上述引线框3的部分3A的形状。
接着，如图6和图7所示，该框板金20的成为上述引线框3的部分 3A上，分别将树脂进行模塑成型，形成在中央部具有凹部4a的封装件4。 另外，在形成该封装件4后，将成为上述第一电极引线11的外侧端子部 lib的部分和成为上述第二电极引线12的外侧端子部12b的部分，分别沿 着封装件4的外形，从该封装件4的侧面部折回到底面部。
接着，如图8中虛线所示，将上述发光元件2通过芯片接合固定在框 板金20的成为各固定部llc的部分上。在该芯片接合中，作为粘接剂(膏)，
可使用例如硅树脂、环氧树脂、蜜胺(乂歹二y)树脂、脲醛树脂等热固
性树脂或热塑性树脂，其中，为了从引线框3的固定部llc容易剥离后述 的发光元件2，优选使用硅树脂。另外，也可以使用含有银填料、二氧化 硅等无机物或者有机物填料的粘接剂。此外，也可以使用玻璃等将发光元 件2固定于固定部llc上。另外，粘接剂优选具有在固化后不会影响引线 接合的程度的硬度。
然后，从该发光元件2固定于固定部llc上的状态，通过引线接合将 上述第一接合线14的一端接合于第一电极极板9，同时将第一接合线的另 一端接合于第一电极引线ll的内侧端子部lla。同样地，将上述第二接合 线15的一端接合于第二电极极板10，同时将第二接合线15的另一端接合 于第二电极引线12的内侧端子部12a。
由此成为以下状态第一电极极板9和第一电极引线11的内侧端子部 lla借助于第一接合线14进行电连接，同时第二电极极板10和第二电极 引线12借助于第二接合线15进行电连接。
接着，如图8中实线所示，在将被固定的发光元件2从引线框3的固 定部llc卸下后，将由第一接合线14和第二接合线15支持的发光元件2 抬起至规定的高度。
具体地说，使用例如刮刀状的板材推发光元件2的侧面，从膏上剥离 该发光元件2，由此可将发光元件2从引线框3的固定部llc卸下。另夕卜， 发光元件2通过使用例如钩状的工具将第一接合线14和第二接合线15抬
14起，可抬起至规定的高度。
这样，通过将由第一接合线14和第二接合线15支持的发光元件2抬 起，可设定在对于使从发光元件2的与引线框3相对的面侧放出的光在引 线框3侧反射最高效的高度H。
在这里，所谓规定的高度H，是对于使从发光元件2的与引线框3相 对的面侧放出的光在引线框3侧反射最高效的高度，是指上述图2所示的 在发光元件2和引线框3之间设置的间隔H。该间隔H如上所述优选设定 成与发光元件2的厚度相同或在发光元件2的厚度以上，具体地说，优选 为0.1mm ~ 0.6mm的范围内。
接着，在封装件4的凹部4a内填充密封树脂16。由此，可将发光元 件2牢固地固定于封装件4内。最后，切断框板金20制成一个一个的发光 装置l。经过以上的工序，可一并制造多个发光装置1。
作为应用本发明的发光装置1的制造方法，如上所述，通过芯片接合 将发光元件2固定于引线框3上，使用第一接合线14和第二接合线15将 第一电极极板9以及第二电极极板10与第一电极引线11以及第二电极引 线12进行引线接合后，从引线框3卸下被固定的发光元件2 ，由此可在 与引线框3相对的面和引线框之间设置间隔H地配置发光元件2 。
因此，才艮据该制造方法，可制造不遮当从发光元件2的与引线框3相 对的面侧放出的光而使该光在引线框3侧大大地反射的发光装置1。另夕卜， 通过该制造方法制造的发光装置，可有效利用从发光元件2的与引线框3 相对的面侧放出的光，进一步提高该发光元件2发出的光的利用效率，因 此可谋求实现更高亮度和省电。 (第二实施方式)
接着，作为笫二实施方式对于图9所示的发光装置进行说明。
另外，在以下的说明中，对于与上述发光装置1等同的部位，省略其 说明，同时在附图中标记相同的标号。
该发光装置30,为下述构成在发光元件2和引线框3之间配置隔离 物31，代替将由第一接合线14和第二接合线15支持的发光元件2抬起至规定的高度。
该隔离物31，由使发光元件2发出的光透过的构件形成，作为这样的 构件，可使用例如玻璃、石英、蓝宝石、SiC等。另外，在这些构件中， 优选选定隔离物31的折射率接近于发光元件2的折射率的构件。
另外，隔离物31的厚度H，设定为对于使从发光元件2的与引线框3 相对的面侧放出的光在引线框3侧反射最高效的高度尺寸。具体地说，该 厚度H，优选设定为与发光元件2的厚度相同或在发光元件2的厚度以上。 另夕卜，优选为相对于封装件4的凹部4a为一半以上的高度，优选在上述封 装件4的凹部4a形成的辐射面的焦点配置发光元件2。另外，关于间隔H 的上限，优选为发光元件2不从封装件4的凹部4a露出的程度。具体地说， 该间隔H优选为0.1mm 0.6mm的范围内。
另外，隔离物31的平面形状，可以为与发光元件2相同或比其大的形 状。另外，对于该隔离物31，也可以实施用于使发光元件2发出的光扩散 的加工。
进而，在该发光装置30中，通过使隔离物31含有荧光体，可发出与 发光元件2发出的光不同的颜色的光。例如可通过蓝色LED和黄色荧光体 的组合而获得白色光。
在应用本发明的发光装置30中，通过在发光元件2和引线框3之间 配置这样的隔离物31 ，可在与引线框3相对的面和引线框之间设置间隔H 地配置发光元件2。另外，由于隔离物3K吏发光元件2发出的光透过，因
侧大大地反射。
因此，在该发光装置30中，可有效利用从发光元件2的与引线框3 相对的面侧放出的光，进一步提高该发光元件2发出的光的利用效率，因 此可谋求实现更高亮度和省电。
接着，对于上述发光装置30的制造方法进行说明。
另外，对于与上述发光装置1的制造方法同样的部分省略其说明。
在上述发光装置30的制造方法中，在上述图6和图7所示的工序之后，在框板金20的成为各固定部lie的部分上通过粘接固定上述隔离物31。 具体地说，利用分散器等在固定部llc上涂布粘接剂(膏)后，使用装配 工具(Mounter)等在其上配置隔离物31,并使粘接剂固化，由此可将上 述隔离物31固定于引线框3的固定部llc上。作为粘接剂(膏)，可使用 例如硅树脂、环氧树脂、蜜胺树脂、脲醛树脂等热固性树脂或热塑性树脂。
接着，通过芯片接合将上述发光元件2固定于隔离物31上。在该芯片 接合中，作为粘接剂(青)，可使用例如硅树脂、环氧树脂、蜜胺树脂、 脲醛树脂等热固性树脂或热塑性树脂。另外，也可以使用含有银填料、二 氧化硅等无机物或者有机物填料的粘接剂。此外，也可以使用玻璃等将发 光元件2固定于隔离物31上。另外，粘接剂优选具有在固化后不会影响引 线接合的程度的硬度。
然后，从该发光元件2固定于隔离物31上的状态，通过引线接合将上 述第一接合线14的一端与第一电极极板9接合，同时将第一接合线的另一 端与第一电极引线ll的内侧端子部lla接合。同样地，将上述第二接合线 15的一端与第二电极极板IO接合，同时将第二接合线15的另一端与第二 电极引线12的内侧端子部12a接合。
由此成为以下状态第一电极极板9和第一电极引线11的内侧端子部 lla借助于第一接合线14进行电连接，同时第二电极极板10和第二电极 引线12借助于第二接合线15进行电连接。
在应用本发明的发光装置30的制造方法中，如上所述，在引线框3 上配置使发光元件2发出的光透过的隔离物31 ，通过芯片接合在该隔离物 31上固定发光元件2后，使用第一接合线14和第二接合线15将第一电极 极板9以及第二电极极板10与第一电极引线11以及第二电极引线12进行 引线接合。由此可在与引线框3相对的面和引线框3之间设置间隔H地配 置发光元件2。
因此，根据该制造方法，由于隔离物31使发光元件2发出的光透过， 因此可制造不遮挡从发光元件2的与引线框3相对的面侧放出的光而可使 该光在引线框3侧大大地反射的发光装置30。另外，通过该制造方法制造
17的发光装置30 ，可有效利用从发光元件2的与引线框3相对的面侧放出的光，进一步提高该发光元件2发出的光的利用效率，因此可i某求实现更高亮度和省电。
另外，应用本发明的发光装置，不限于在封装件4内配置有上述发光元件2的芯片型，例如可以是通过树脂密封发光元件2整体的炮弹型，还可以是搭栽有多个发光元件2的构成。
实施例
以下通过实施例明确本发明的效果。另外，本发明不限于以下的实施例，可在不变更其要旨的范围内适当变更进行实施。(实施例1)
在实施例1中，作为发光元件使用蓝色LED芯片，所述蓝色LED芯片是使用MOCVD法在蓝宝石基板上顺序层叠由GaN形成的n型半导体层、由InGaN形成的发光层、由AlGaN形成的p型半导体层而成的。
接着，准备框板金，在该框板金的成为引线框的部分上，分别将聚邻苯二曱酰胺树脂进行模塑成型而形成封装件。
接着，使用含有硅树脂的粘接剂通过芯片接合将蓝色LED芯片固定在引线框上后，使用由An线制成的接合线将该蓝色LED芯片侧的电极引线和引线框侧的电极引线进行引线接合。
接着，从引线框卸下被固定的蓝色LED芯片后，将由接合线支持的蓝色LED芯片抬起至0.15mm的高度。
接着，使用由聚硅氧烷形成的密封树脂密封封装件的配置了蓝色LED芯片的凹部内，最后，切断框板金，由此得到本发明的发光装置。
另外，制造的发光装置的大小，例如为3.5mmx2.8mmxl.8mm。(比较例1)
在比较例1中，作为发光元件，使用与实施例1相同的蓝色LED芯片。接着，准备与实施例1同样的框板金，在该框板金的成为引线框的部分上，分别将聚邻苯二曱酰胺树脂进行^^莫塑成型而形成封装件。接着，使用含有硅树脂的粘接剂通过芯片接合将蓝色LED芯片固定在引线框上后，使用由Au线制成的接合线将该蓝色LED芯片侧的电极引线和引线框侧的电极引线进行引线接合。
接着，使用由聚硅氧烷形成的密封树脂密封封装件的配置了蓝色LED芯片的凹部内，最后，切断框板金，由此得到以往的发光装置。另外，制造的发光装置的大小，例如为3.5mm x 2.8mm x 1.8mm。
接着，对于这些实施例1和比较例1的发光装置，以相同的输出功率实际发光的放大照片示于图10和图11。
由图10和图11所示的放大照片可知，图IO所示的实施例1的发光装置，比图11所示的比较例1的发光装置明亮，有效利用了蓝色LED芯片发出的光。这是因为，虽然使用了相对于蓝色LED芯片发出的光透明的蓝宝石基板，但是由于M薄，因此在比较例1的发光装置的情况下，固定在？ 1线框上的蓝色LED芯片的发光中心相对于凹部的辐射面的焦点较低，不能使蓝色LED芯片发出的光在和与引线框相对的面相反的一侧高效率地集光。与此相对，在实施例1的发光装置中，通过使蓝色LED芯片从引线框浮起，可使蓝色LED芯片的发光中心和凹部的辐射面的焦点一致，从而可使该蓝色LED芯片发出的光在和与引线框相对的面相反的一侧高效率地集光。
由以上情况可知，本发明的发光装置，可减少得到相同的亮度所需的电能，其结果可更省电。
产业上的利用可能性
本发明可适用于使用发光二极管(LED: Light Emitting Diode)等发
光元件的发光装置及其制造方法。
权利要求
1. 一种发光装置，是具有设有电极极板的发光元件和设有电极引线的引线框，并且所述电极极板和所述电极引线借助于接合线进行了电连接的发光装置，其特征在于，所述发光元件在其与所述引线框之间设置间隔而配置。
2. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述间隔为0.1mm ~ 的范围内。
3. 根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述接合线以使所述发光元件从所述引线框浮起的状态对其进行支持。
4. 根据权利要求1 3的任一项所述的发光装置，其特征在于，在所述发光元件与所述引线框之间配置有使所述发光元件发出的光透过的隔离物。
5. 根据权利要求1 ~ 4的任一项所述的发光装置，其特征在于，具有保持安装有所述发光元件的所述引线框的封装件，所迷发光元件和所述引线框的一部分从形成于所述封装件的凹部露出。
6. 根据权利要求1 5的任一项所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件具有在基K上顺序层叠n型半导体层、发光层和p型半导体层而成的化合物半导体，并且，与所述n型半导体层连接的第一电极极板和与所述p型半导体层连接的第二电极极板分别位于和与所述引线框相对的面相反的一侧。
7. 根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述引线框具有第一电极引线和第二电极引线，所述笫一电极极板和所述第一电极引线借助于第一接合线进行电连接，同时所述第二电极极板和所述第二电极引线借助于第二接合线进行电连接，所述笫 一接合线从与所述第 一 电极极板的接点延伸到与所述第一电极引线的接点的方向、和所述第二接合线从与所述第二电极,的接点延伸到与所述笫二电极引线的接点的方向朝向相互相反的方向。
8. —种发光装置的制造方法，是具有设有电极极板的发光元件和设有电极引线的引线框，并且所述电极极板和所述电极引线借助于接合线进行了电连接的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述引线框上固定所述后，将所述^L固定的发光元件从所述引线框卸下。
9. 根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，将所述发光元件从所述引线框卸下后，将由所述接合线支持的所述发光元件抬起到规定的高度。
10. —种发光装置的制造方法，是具有设有电极极板的发光元件和设有电极引线的引线框，并且所述电极极板和所述电极引线借助于接合线进行了电连接的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述引线框上配置使所述发光元件发出的光透过的隔离物，并在该隔离物上固定所述发光元件后，
全文摘要
本发明提供可实现更高亮度化和省电的发光装置及其制造方法。本发明的发光装置，是具有设有电极极板(9、10)的发光元件2和设有电极引线(11、12)的引线框3，并且电极极板(9、10)和电极引线(11、12)借助于接合线(14、15)进行了电连接的发光装置，发光元件2在其与引线框3之间设置间隔H而配置。由此，可有效利用从该发光元件2的与引线框3相对的面侧放出的光，进一步提高该发光元件2发出的光的利用效率。
文档编号H01L33/56GK101467267SQ20078002135
公开日2009年6月24日 申请日期2007年4月12日 优先权日2006年4月12日
发明者安部祯典 申请人:昭和电工株式会社