无定形碳膜的后处理方法

专利名称：无定形碳膜的后处理方法
技术领域：
本发明涉及一种适合用作制造半导体装置时的掩模等的无定形碳膜的后处理方法。此外，本发明涉及利用该无定形碳膜后处理方法的半导体装置的制造方法。
背景技术：
在半导体器件中，在布线层之间形成有层间绝缘膜。作为
该层间绝缘膜，目前使用SiOJ莫，由于半导体器件更高速化的
要求，需要介电常数更低的膜。作为该低介电常数膜，目前使
用例如含Si、 O、 C的Si主体有机类材泮牛。
然而，该Si主体的低介电常数膜存在价格昂贵，在与其它膜之间很难进行选择性高的蚀刻等问题。因此，需要没有该问题的低介电常数膜。
作为该膜，研究了加氢的无定形碳膜。无定形碳膜如日本特开2002 - 12972号公报中公开的，可以使用烃气体等作为处理气体，通过CVD进行成膜，价格便宜，不会产生Si主体的低介电常数膜那样的问题。
然而，在半导体器件的制造工序中，多通过最终的退火工序以达到不产生各层变质或尺寸变化等目的，或根据工序上的要求，在形成膜后，进行退火处理等热处理或其它处理，往往将该膜加热至350。C ~ 400。C左右。然而，如果对无定形碳膜进行这样的加热，则无定形碳膜表面较不耐热的部分的键断裂等，膜的一部分会脱离。以该状态暴露在大气中的话，则键断裂的部分与大气中的氧气或水分等反应而被氧化，介电常数或泄漏电流值等电特性和折射率产生很大变化。如果产生该特性的变化，则存在无法获得期望的器件特性等麻烦。

发明内容
本发明着眼于以上问题点，提出了能将其有效解决的方案。本发明的目的是提供一种在无定形碳膜成膜后，即使进行在退火等加热下的处理，该无定形碳膜的特性也不会很大变化那样的无定形碳膜的后处理方法。
此外，本发明的目的是提供一种采用该无定形碳膜后处理方法的半导体装置的制造方法。
本发明是一种无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴随加热的处理的无定形碳膜的进一步后处理方法，在进行伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理。
根据本发明，在对无定形碳膜进行退火处理等伴随加热的处理时，作为后处理，在该伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理，因此，之后即使放置在大气氛围等包含氧气和氢气的氛围中，也不易发生随时间的无定形碳膜的电特性等的劣化。
优选上述防止氧化的处理是使无定形碳膜与甲硅烷基化剂接触的曱硅烷基化处理。在该情况下，在无定形碳膜表面形成的羟基等极性高的官能团被含硅的基团取代，保护无定形碳膜表面，因此即使之后放置在大气氛围等包含氧气和氢气的氛围中，羟基等官能团也不随时间而增加，不易产生无定形碳膜的电特性等的劣化。
例如，上述甲硅烷基化处理通过使上述无定形碳膜的表面接触曱硅烷基化剂的蒸气而进行。此外，上述曱硅烷基化处理
可以在室温~ 200。C范围内的温度下进行。在该情况下，上述曱硅烷基化剂优选为选自HMDS (六曱基二硅氮烷)、DMSDMA ( 二甲硅基二甲胺)、TMSDMA ( 二甲氨基三甲基硅烷)、TMDS ( 1 ，1,3,3 -四曱基二硅氮烷)、TMSPyrrole ( 1 -三甲硅基吡咯)、BSTFA ( N,O -双(三甲硅基)三氟乙酰胺)、BDMADMS (双(二甲氨基)二甲基硅烷)所组成的组中的1种或2种以上。
上述伴随加热的处理例如是退火处理。
此外，上述伴随加热的处理例如在350 400。C下进行处理。此外，本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其具有如下工序在基板上形成作为层间绝缘膜的无定形碳膜的工序；对上述无定形碳膜施加伴随加热的处理的工序；使上述刚施加了伴随加热的处理后的无定形碳膜接触甲硅烷基化剂，施加曱硅烷基化处理的工序；加热上述施加了甲硅烷基化处理的无定形碳膜以除去上述甲硅烷基化剂的工序；和在除去上述甲硅烷基化剂后，迅速在上述无定形碳膜上形成规定的膜的工序。
根据本发明，在对无定形碳膜进行退火等伴随加热的处理时，作为后处理，在该伴随加热的处理后，立即进行使无定形碳膜接触甲硅烷基化剂的甲硅烷基化处理，在无定形碳膜表面形成的羟基等极性高的官能团被含硅的基团取代，保护无定形碳膜表面，因此即使之后放置在大气氛围等包含氧气和氢气的氛围中，羟基等官能团也不随时间而增加，不易产生无定形碳膜的电特性等的劣化。
在本发明中，例如，上述甲硅烷基化处理通过使上述无定形碳膜的表面接触曱硅烷基化剂的蒸气而进行。此外，上述甲硅烷基化处理可以在室温~ 200。C范围内的温度下进行。
在该情况下，上述甲硅烷基化剂优选为选自HMDS (六甲基二硅氮烷)、DMSDMA ( 二甲石圭基二甲胺)、TMSDMA ( 二甲氨基三甲基硅烷)、TMDS ( 1，1,3，3 -四甲基二硅氮烷)、TMSPyrrole ( 1 -三曱珪基吡咯)、BSTFA ( N，O -双(三曱硅基)三氟乙酰胺)、BDMADMS (双(二曱氨基)二曱基硅烷)所组成的组中的l种或2种以上。
上述伴随加热的处理例如是退火处理。
此外，上述伴随加热的处理例如在350 ~ 400。C下进行处理。此外，本发明是一种计算机可读的存储介质，其特征在于，其是存储有在计算机上运行的控制程序的、计算机可读的存储介质，上述控制程序在执行时，通过该计算机控制各关联装置，以实施具有上述任意特征的无定形碳膜的后处理方法。
此外，本发明是一种计算机可读的存储介质，其特征在于，其是存储有在计算机上运行的控制程序的、计算机可读的存储介质，上述控制程序在执行时，通过该计算机控制各关联装置，以实施具有上述任意特征的半导体装置的制造方法。


图l是表示包括本发明无定形碳膜后处理方法的 一个实施方式的 一 系列步骤的流程图。
图2的A ~ F是对应于图1的流程图各步骤中的晶圓的截面图。
图3是表示根据本发明半导体装置的制造方法一个实施方式所得结构的例子的截面图。
图4是说明用于实施本发明半导体装置的制造方法一个实施方式的处理装置组的方框图。
图5是表示图4处理装置组中曱硅烷基化处理装置简要结构的截面图。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示包括本发明无定形碳膜后处理方法的 一 个实施
方式的一系列步骤的流程图。图2的A F是对应于图l的流程图各步骤中的晶圆的截面图。
首先，准备在硅基板101上，形成作为基底膜的例如SiCO类低介电常数膜(Lowk膜)102的半导体晶圆W (参见图2的A)(步骤l ),然后，在基底膜102上，形成无定形碳膜103(步骤2,图2的B)。
无定形碳膜103的成膜方法没有特别的限定，优选通过CVD成膜。作为此时的处理气体，可以使用丙烯(C3H6)、丙
炔(C3H4)、丙烷(C3Hs)、 丁烷(C4Hio)、 丁烯(C4Hs)、 丁二
烯(C4H6)、乙炔(C2H2)等烃气体或以这些化合物为主体的气体。可以使用该处理气体，通过例如在日本特开2002 - 12972号公报中记载的方法，进行成膜。此外，通过进一步包含氧气作为处理气体，即使在较低温度的成膜条件下，也能形成牢固的石友网。
在形成无定形碳膜103后，进行退火处理等伴随加热的处理(步骤3，图2的C)。该处理可以根据获得的半导体器件而在适当条件下进行。典型地是在非氧化性氛围(真空或Ar、 N2等惰性气体氛围)中，在350。C ~ 400。C左右的温度条件下进行。
刚成膜后的无定形碳膜103表面状态完整，即使拿到大气中，也不会产生随时间变化。然而，如果进行退火处理等伴随加热的处理，由于无定形碳膜103的表面较不耐热的部分的键断裂等，膜的一部分会脱离。因此，在该伴随加热的处理后，如果暴露在大气中，则在较短的时间内，键断裂的部分就会与氧气或水分反应，发生如-C - O + 02—C - C=0 + 0*、 - C-CH+ 0*、—-C-C-OH、 -C-C十H20— - C - C - OH + H这样
的反应而被氧化，在膜中形成如羰基或羟基那样具有极性的官能团。此外，这样的官能团会随时间增加。
这样的官能团会吸附水分，此外，会极大地改变介电常数等电特性或其它特性。例如，无定形碳膜在保持成膜的状态下，相对介电常数k-2.8左右，相反，刚进行40(TC左右的退火后，k = 2,6~2.7，特性暂时得到提高，但如果在大气中放置100小时左右以上，则k值超过3，泄漏特性也降低。此外，还发现由于在大气中长时间放置，折射率也增加。
为了防止该电特性等的随时间变化，可以在步骤3即伴随加热的处理之后，立即进行作为本发明后处理的甲硅烷基化处理(步骤4，图2的D)。甲硅烷基化处理是使在无定形碳膜103的表面上形成的羰基或羟基等具有极性的官能团与甲硅烷基化剂反应，被含硅基团取代的处理。由此，无定形碳膜表面得到保护，可防止羟基等官能团随时间增加而改变特性。在刚进行了该曱硅烷基化处理之后，介电常数k的值稍有上升，然后，即使在大气中放置，该值也基本不会变化。在甲硅烷基化处理后，即使在大气中放置，折射率值也基本不会变化。这里所谓的"在伴随加热的处理之后，立即"，是指在伴随加热的处理之后且基本还没产生特性劣化的期间之后。
作为曱硅烷基化剂，只要是能引起硅烷化反应的物质，就
可以没有限制地使用，在分子内具有硅氮键(Si-N键)的化合物组中，优选具有较小分子结构的化合物。具体地说，可以使用HMDS(六甲基二硅氮烷)、DMSDMA( 二甲硅基二曱胺)、TMSDMA (二甲氨基三曱基硅烷)、TMDS ( 1,1，3，3-四甲基二硅氮烷)、TMSPyrrole ( 1 -三甲硅基吡咯)、BSTFA ( N,O -双(三曱硅基)三氟乙酰胺)、BDMADMS (双(二曱氨基)二甲基硅烷)等。在以下示出它们的化学结构
<formula>formula see original document page 11</formula>
以硅烷化反应中使用DMSDMA作为甲硅烷基化剂的情况 为例，如下述化学式表示，膜中的OH基取代成O-Si形式。 [化学式2]甲硅烷基化处理可以通过使无定形碳膜接触上述甲硅烷基 化剂而进行。代表性的如后所述，通过使无定形碳膜的表面接 触上述甲硅烷基化剂的蒸气进行。还可以在无定形碳膜上涂布 甲硅烷基化剂而进行。
由此，通过进行曱硅烷基化处理，即使在大气中放置半导 体基板，也能防止无定形碳膜的特性劣化。此外，在进行甲硅 烷基化处理的状态下，无法进行作为后续工序的覆盖膜或金属 膜等的成膜。因此，在进行下一膜的成膜之前，需要将无定形 碳膜表面的曱硅烷基化剂加热除去(步骤5，图2的E)。该甲硅
烷基化剂的加热除去处理可以在133Pa ( 1Torr)以下的减压氛 围下进行。此时的温度在200。C左右就足够了 。通过该甲硅烷基 化剂的加热处理，介电常数等电特性恢复至步骤3伴随加热的处 理后的特性。
在该步骤5的甲硅烷基化剂的加热除去工序后，在该无定形 碳膜上形成具有覆盖膜或硬掩模功能的Si02、 SiN、 SiCN、 SiCO 或作为金属膜的Cu、 Ti、 Ta、 W等规定的膜104 (步骤6,图2 的F)。在该情况下，通过上述曱硅烷基化处理获得的保护效果， 无定形碳膜的特性不会降低。因此，通过此后一系列的处理， 可以制造具有良好特性的器件。
接着，对包括以上工序的半导体装置的制造方法进行说明。 例如，在使用双嵌入法埋入铜的情况下，由图2的E的状态进行 空穴和沟槽的蚀刻以及C u膜的埋入等，能获得图3结构的半导 体装置。即，在图2的E进行加热处理除去甲硅烷基化剂后，形
3 J2
c c
一
H
o
3 I
H 一
CI&IH
3 3
c c
H 一
一
3
c成作为膜104的硬掩模，达到图2的F的状态，然后，通过蚀刻在Low- k膜102上形成空穴105,在无定形碳膜103上形成沟槽106,接着，形成阻挡膜107和Cu膜108。
然后，对用于进行图1中所示的 一 系列工序的处理装置组进行说明。图4是表示用于进行上述一系列工序的处理装置组。该处理装置组具有在形成于半导体器件上的规定的膜、例如SiCO类低介电常数膜(Low-k膜)上形成无定形碳膜的无定形碳膜成膜装置201、对形成无定形碳膜的半导体晶圆进行退火处理等热处理的热处理装置202、对热处理后的半导体晶圆中的无定形碳膜进行甲硅烷基化处理的甲硅烷基化处理装置203、除去甲硅烷基化处理时应用于无定形碳膜的表面的曱硅烷基化剂的曱硅烷基化剂除去装置2 04和在除去曱硅烷基化剂后的无定形碳膜上形成规定膜的成膜装置20 5 。另外，在各装置间传送晶圆W时，可以使用未图示的传送装置或通过操作员传送。
这些各装置被形成为通过具有微处理器(计算机)的过程控制器211 —起控制的结构。在过程控制器211中，连接由使工序管理者为了管理各装置而进行指令输入操作等的键盘、可视化显示各装置的工作状况的显示器等构成的用户界面212,和存储有用于通过过程控制器211控制在各装置中进行的各种处理的控制程序、记录有处理条件数据等指令的存储部213。
根据需要，接受来自用户界面212的指示等，从存储部213输出任意的指令或控制程序，用于过程控制器211。由此，通过过程控制器211的控制，在处理装置组中进行期望的一系列处理。此外，上述指令或控制程序还可以是存储在例如CD-ROM、硬盘、软盘、不挥发性存储体等可读取的存储介质中的状态。此外，上述指令或控制程序还可以在各装置间，或由外部装置例如专用导线随时地在线传输。
13接着，对实施作为无定形碳膜后处理的曱硅烷基化处理的
曱硅烷基化处理装置203进行详细说明。图5是表示曱硅烷基化处理装置简要结构的截面图。如图5中所示，曱硅烷基化处理装置203具有收容晶圆W的腔室l。腔室l由固定的下部容器la、盖在下部容器la上方的盖体lb构成。盖体lb可以通过未图示的升降装置自由升降。在下部容器la中设置热板2。此外，通过热板2的周围与下部容器la的内表面之间的缝隙，向腔室l内供应上述任意 一种甲硅烷基化剂的蒸气。曱硅烷基化剂通过气化器3
气化成蒸气状，并以N2为载气向腔室1内供应。
在热才反2内埋i殳加热器2a。通过该加热器2a,例如可以在室温~ 200。C这样的温度范围内进行温度调节。在其表面设置支持半导体晶圓W的引脚4。通过不在热板2上直接载置半导体晶圆W，从而能防止晶圆W的背面的污染。
在下部容器la的外圆周部分上面，设置第1密封环5。另一方面，在盖体lb的外圆周部分下面，设置当盖体lb挤压在下部容器la上时，与第l密封环5接触的第2密封环6。该一对第l和第2密封环5、 6在内侧和外侧设置2组(双重)，它们之间的空间能够减压。通过对该空间减压，能确保腔室l的气密性。
在盖体lb的大致中心部分设置用于将向腔室1内供应的曱硅烷基化剂和氮气排出的排气口 7 。该排气口 7通过压力调整装置8与真空泵9连接。
在由此构成的曱硅烷基化处理装置203中，在盖体lb上升的状态下，向腔室l内送入半导体晶圆W，并载置于热板2的引脚4上。然后，将盖体lb落下，使腔室l内成为密闭空间，再使腔室l内减压，提高气密性。在该状态下，可以将热板2控制在室温~200。C范围内的规定温度下，且使气化器3的温度为室温~ 50°C的范围内的规定温度，曱硅烷基化剂以例如O.l ~ 1.0g/min的流量供应，N2(吹扫气体)以例如l ~ 10L/min的流量供应，处理压力为666 ~ 96000Pa ( 5 ~ 720Torr)，甲珪烷基化处理进行l分钟左右。由此，可以在半导体晶圆W上形成的无定形碳膜上供应曱硅烷基化剂的蒸气，在其表面进行硅烷化反应，形成保护膜。
接着，对确认本发明效果的实验结果进行说明。
其中，对于通过使用上述烃气体的CVD形成的无定形碳膜，进行各种处理，测定之后的电特性(相对介电常数，施加1M V时的泄漏电流)。另外，这些特性以测定3次的平均值示出。
首先，No. 1的试样刚成膜后的无定形碳膜的相对介电常数和泄漏电流分别为2.84和1.52xl(T8A/cm2。
然后，作为No.2的试样，成膜后在大气中放置100小时后，测定相对介电常数和泄漏电流。结果，分别为2.87和1.17x10 —8A/cm2。即，基本上看不到变化。
此外，No.3的试样在成膜后，在400。C下进行30分钟的退火处理(在Ar氛围中)，然后立即测定相对介电常^:和泄漏电流。结果，分别为2.61和1.39x10 —9A/cm2。即，发现这些特性提高。
然后，No.4的试样与No.3进行同样的退火处理，然后在空气中放置100小时，之后测定相对介电常数和泄漏电流。结果，分别为3.05和8.56xl0巧A/cm2。即，确^人由于在退火处理后i文置在大气中，电特性劣化。
No.5的试样放置时间延长至200小时。在该情况下，相对介电常数和泄漏电流分别为3.33和3.76x10 —8A/cm2。
No.6的试样放置时间延长至500小时。在该情况下，相对介电常数和泄漏电流分别为5.7 3和8.6 9 x 10_ 6 A / c m2 。
即，确认退火处理后的放置时间越长，特性的劣化就越严重。然后，No.7的试样在退火处理后，在大气中放置100小时，然后在200。C下进行烘烤处理，之后测定电特性。结果，相对介电常数为3.12、泄漏电流为2.66xl(T9A/cm2。即，与不进行烘烤后处理的No.4试样相比，确^人泄漏电流有一定改善， -(旦相对介电常数没有恢复，依然不充分。
此外，N o. 8的试样的退火处理在添加有10 % H 2的A r气体的氛围中，在40(TC的温度条件下进行30分钟，然后在大气中放置200小时，之后测定电特性。结果，相对介电常数为3.29、泄漏电流分别为8.44xl(T9A/cm2。结果，与在没有加入H2气体的Ar氛围中进行退火处理的No.5的试样相比，有一定改进，但依然不充分。
相反，No.9的试样，在形成无定形碳膜后，与No.8同样，退火处理在加入10%112气体的氛围中，在400。C的温度条件下进行30分钟，然后在图4的曱硅烷基化处理装置中，使用HMDS作为曱硅烷基化剂，在室温下进行5分钟的曱硅烷基化处理，在大气中放置200小时，然后测定电特性。结果，相对介电常数为2.87、泄漏电流为4.52x10 —9A/cm2。即，与No.8的试样相比，确认电特性良好。即，确认在退火后对无定形碳膜进行曱硅烷基化处理，即使在大气中放置，电特性也基本不会劣化。
此外，No.lO的试样在与No.9的试样同样进行甲珪烷基化处理之后，退火处理再次在加入10%112气体的氛围中，在400。C的温度条件下进行30分钟，然后在大气中放置200小时，测定电特性。结果，相对介电常数为2.73、泄漏电流为4.75x10 —9A/cm2。即，确认即使再次进行退火处理，电特性也不会提高。
此外，No.ll的试样在形成无定形碳膜后，进行与对No.9试样的说明同样的曱硅烷基化处理，然后退火处理在加入10%H2气体的氛围中，在400。C的温度条件下进行30分钟，在大气中
16放置200小时，测定电特性。结果，相对介电常数为3.45、泄漏 电流为3.64xl(T8A/cm2。即，与不进行曱硅烷基化处理的No.8 试样相比，电特性没有得到改善，确认即使在退火处理之前进 行甲硅烷基化处理，也不能获得效果。
由以上确认，在无定形碳膜形成后，在400。C左右进行退火 处理，然后进行曱硅烷基化处理，由此之后即使在大气中长时 间放置，电特性也基本不会劣化。另外，在上述实验中，曱硅 烷基化处理在室温下进行，预测通过将处理时的温度提高至 100 200。C左右，效果会更好。
另外，本发明并不限定于上述实施方式中，可以有各种变 形。例如，在上述实施方式中，作为防止无定形碳氧化的处理， 可以例示曱硅烷基化处理，只要是能防止无定形碳氧化的处理， 就没有特别的限定。另外，上述实施方式示出的是将无定形碳 膜用作层间绝缘膜的例子，但也可以用于防反射膜等其它用途。 即，防反射膜重要的是折射率为特定的值，但在伴随加热的处 理后放置在大气中，由此有时折射率随时间增加。根据本发明 的后处理，可以防止这种折射率随时间变化，可以获得作为防 反射膜的稳定特性。
此外，在上述实施方式中，对无定形碳膜进行退火等伴随 加热处理的处理后在大气中放置，对这种情况进行研究，但并 不限于在大气中，对于在包含一定程度氧气和氢气的其它氛围 中放置的情况下，也能获得同样的效果。
此外，在上述实施方式中，作为被处理基板，例示半导体 晶圆，但并不限定于此，还可以应用于以液晶显示装置(LCD) 为代表的平板显示器(FPD)用玻璃基板等其它基板。
本发明优选可以在利用无定形碳膜的介电常数较低这样特 性的用途中广泛使用。
权利要求
1. 一种无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴随加热的处理的无定形碳膜的进一步的后处理方法，其在进行伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理。
2. 根据权利要求1所述的无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，上述防止氧化的处理是使无定形碳膜接触甲硅烷基化 剂的甲硅烷基化处理。
3. 根据权利要求2所述的无定形碳膜的后处理方法，其特 征在于，通过使上述无定形碳膜的表面接触甲硅烷基化剂的蒸 气来进行上述甲硅烷基化处理。
4. 根据权利要求2或3所述的无定形碳膜的后处理方法， 其特征在于，上述甲硅烷基化处理在室温~ 200。C范围的温度下 进行。
5. 根据权利要求2~4任一项所述的无定形碳膜的后处理 方法，其特征在于，上述甲硅烷基化剂为选自HMDS (六甲基 二硅氮烷)、DMSDMA ( 二曱硅基二甲胺)、TMSDMA(二甲 氨基三曱基硅烷)、TMDS ( 1,1,3,3 -四甲基二硅氮烷)、 TMSPyrrole ( 1 -三曱石圭基吡咯)、BSTFA ( N，O -双(三甲石圭 基)三氟乙酰胺)、BDMADMS (双(二甲氨基)二曱基硅烷) 所组成的组中的1种或2种以上。
6. 根据权利要求1 ~ 5任一项所述的无定形碳膜的后处理 方法，其特征在于，上述伴随加热的处理是退火处理。
7. 根据权利要求1 ~ 6任一项所述的无定形碳膜的后处理 方法，其特征在于，上述伴随加热的处理是在350°C ~ 400。C下 进行的处理。
8. —种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序在基板上形成作为层间绝缘膜的无定形碳膜的工序； 对上述无定形碳膜施加伴随加热的处理的工序； 使上述刚施加了伴随加热的处理后的无定形碳膜接触曱硅烷基化剂，施加曱硅烷基化处理的工序；加热上述施加了甲硅烷基化处理的无定形碳膜以除去上述甲硅烷基化剂的工序；和在除去上述甲硅烷基化剂后，迅速在上述无定形碳膜上形成规定的膜的工序。
9. 根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，通过使上述无定形碳膜的表面接触曱硅烷基化剂的蒸气 来进行上述曱硅烷基化处理。
10. 根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其 特征在于，上述甲硅烷基化处理在室温~ 200。C范围的温度下进 行。
11.根据权利要求8~10任一项所述的半导体装置的制造 方法，其特征在于，上述甲硅烷基化剂为选自HMDS (六甲基 二硅氮烷)、DMSDMA ( 二甲石圭基二甲胺)、TMSDMA(二曱 氨基三甲基硅烷)、TMDS ( 1，1,3，3 -四曱基二硅氮烷)、 TMSPyrrole ( 1 -三甲硅基吡咯)、BSTFA ( N,O -双(三曱硅 基)三氟乙酰胺)、BDMADMS (双(二甲氨基)二甲基硅 烷)所组成的组中的1种或2种以上。
12. 根据权利要求8~11任一项所述的半导体装置的制造 方法，其特征在于，上述伴随加热的处理是退火处理。
13. 根据权利要求8~ 12任一项所述的半导体装置的制造 方法，其特征在于，上述伴随加热的处理是在350°C ~ 400。C下 进行的处理。
14. 一种计算机可读的存储介质，其特征在于，其是存储有在计算机上运行的控制程序的、计算机可读的存储介质，上述控制程序在执行时，通过该计算机控制各关联装置，以实施权利要求1 ~ 7任一项所述的无定形碳膜的后处理方法。
15.—种计算机可读的存储介质，其特征在于，其是存储有在计算机上运行的控制程序的、计算机可读的存储介质，上述控制程序在执行时，通过该计算机控制各关联装置，以实施权利要求8~ 13任一项所述的半导体装置的制造方法。
全文摘要
本发明提供一种无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴随加热的处理的无定形碳膜的进一步的后处理方法，该方法在进行伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理。
文档编号H01L21/316GK101484984SQ20078002551
公开日2009年7月15日 申请日期2007年7月4日 优先权日2006年7月5日
发明者石川拓 申请人:东京毅力科创株式会社