专利名称：集成无闭锁绝缘栅极双极晶体管的制作方法
技术领域：
木发明大体涉及半导体装置，且更明确地说涉及一种集成无闭锁绝缘栅极双极晶体管。
背景技术：
绝缘栅极双极晶体管(IGBT)是双极晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的集成组合，且巳由于其出众的接通状态特性、合理的切换速度和优良安 全操作区域而在商业上变得成功。典型的横向IGBT具有横向位于阳极与阴极之间的栅 极。(见例如，发明人阿德勒(Adler)等人1990年10月16日颁布的第4,963,951号美 国专利；发明人薇莳(Watabe) 1997年8月5日颁布的第5,654,561号美国专利；发明 人恩朵(Endo)等人1999年2月9日颁布的第5,869,850号美国专利)。发明人凯姆卡 (Khemka)等人2003年3月4日颁布的第6,528,849号美国专利关注于揭示一种超级结 双栅极横向DMOSFET装置。
超级结双扩散金属氧化物半导体(DMOS)装置是合乎需要的，因为其克服了对高 切断状态击穿电压和低接通状态电阻的一个尺寸硅装置限制。在超级结装置中，耗尽区 形成于n和p柱中以用于高装置击穿电压。n柱(针对n沟道MOSFET)的相对较高掺 杂浓度可减小装置接通状态电阻。然而，因为p柱占据装置漂移区域的显著比例，所以 其对减小MOSFETS中接通状态下的装置电阻不起作用。将需要具有经设计使得p柱对 减小接通状态装置电阻(Ron)起作用的超级结装置。
横向IGBT (LGBT)由于其优良的装置特性而成为针对功率集成电路(PIC)应用 的普遍使用的功率装置。然而，导致栅极控制的损失的装置闭锁可能由于IGBT结构中 存在寄生半导体开关元件(n+阴极/p-主体/n-漂移/p+阳极)而在高电流下发生。因此需 要制造几乎无闭锁的IGBT。
因此，需要一种具有减小的接通状态电阻的横向IGBT装置，且所述装置的寄生叩n 在正常操作中从不接通，且因此所述横向IGBT装置有效地是无闭锁的。
发明内容
根据本发明，提供对所述需要的满足以及对上文论述的问题的解决方案。 根据本发明的一特征，提供一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)装置，其包括 半导体衬底；
所述半导体衬底中的阳极区；
所述衬底中的第一导电型的阴极区，其与所述阳极区横向间隔；
所述衬底中的第二导电型的阴极区，其位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位 于其与所述阳极区相对的一侧上；
所述半导体衬底中的漂移区，其在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之
间；
绝缘栅极，其可操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一导电 型的所述阴极区的与所述阳极区相对的 一 侧上；以及
绝缘间隔物，其上覆于所述第二导电型的所述阴极区上； 其中所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等。 根据本发明的另一特征，提供一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)装置，其包
括
p衬底
形成在所述p衬底上的n区； 形成在所述n区中的p主休区； 阳极区；
p+阴极区，其形成在所述p主体区中，与所述阳极区横向间隔；
n+阴极区，其形成在所述p主体区中，位丁-所述p+阴极区附近且位亍其与所述阳极
区相对的一侧上；
导电层，其形成在所述p+阴极区上且耦合到所述n+阴极区；
漂移区，其形成在所述p衬底上，在所述阳极区与所述p+阴极区之间；
绝缘栅极，其可操作地耦合到所述p+阴极区，且位于所述p+阴极区的与所述阳极
区相对的一侧上；以及
绝缘间隔物，其上覆于所述n+阴极区上；
其中所述绝缘间隔物和所述n+阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述p+阴极 区的所述橫向尺寸。根据木发明的又 一 特征，提供 一 种通过以下操作来制造横向绝缘栅极双极晶体管 (LIGBT)装置的工艺
在半导体衬底的有源区中形成阳极区；
在所述有源区中形成卜J所述阳极区横向间隔的第一导电型的阴极区； 在所述有源区中形成第二导电型的阴极区，其位于所述第一导电型的所述阴极区附
近且位于其与所述阳极区相对的 一 侧卜.；
在所述有源区中在所述阳极区与所述第 一 导电型的所述阴极P.之间形成漂移区； 形成绝缘栅极，其可操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一
导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上；以及
形成绝缘间隔物，其上覆于所述第二导电型的所述阴极区上； 其中所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等。
从结合附图作出的以下更详细描述内容中将更好地理解上文提及的和其它的特征、 特性、优点以及总体上的本发明，附图屮
图1A是展示本发明的 一 实施例的透视图解视图； 图1B是展示本发明的另一实施例的透视图解视图； 图1C是展示木发明的另一实施例的透视图解视图； 图2是展示图1的实施例的一部分的截面图解视图3和图4是展示图1的实施例的一部分的相应横截面侧部和顶部图解视图5A、图5B、图5C和图5D是展示图1的实施例的替代阳极区设计的相应透视图 解视图6是本发明的另一实施例的透视图解视图7是展示三个LIGBT装置和一 LDMOS装置的正向导电特性的图形视图； 图8是展示图8的装置的反向偏压特性的图形视图； 图9是展示本发明的正向导电特性的图形视图IOA、图IOB、图IIA、图IIB、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A和
图14B是可用于阐释本发明的操作的空穴向量和电子向量的图形视图；以及
图15A、图15B和图15C是展示图1所示的n+阴极间隔物的形成的截面图解视图。 将了解，出于清楚的目的且在认为适当之处，在各图中已重复参考数字以指示对应
特征。并且，图中各个物体的相对大小在一些情况下已失真以更加清楚地展示本发明。
具体实施例方式
现参看图1，展示根据本发明的LIGBT装置的实施例10。如图所示，LIGBT装置 10包含p衬底12，所述衬底12的顶部上具有可选氧化物层14。 LIGBT装置10还包含 掩埋n阱区16、 n-外延区18、 p主体20、 p-阱22、 p+阴极层24、 n+阴极间隔物26、栅 极28、栅极氧化物30、氧化物间隔物32、阴极硅化物层34、栅极端子36、阴极端子 38、超级结漂移区40、 n阱区42、 p+阳极44、阳极硅化物层46，以及阳极端子48。如 图1A中可见，栅极28偏移f阴极34与阳极46之间的区。如下文更详细阐释，偏置栅 极连同n+阴极间隔物26和p区20、 22、 24，以及氧化物间隔物32下方的微小n+阴极 间隔物26大大减小LIGBT装置10的闭锁敏感性。
图1B是展示本发明的另一实施例50的透视图解视图，其中超级结漂移区40已用 常规RESURF漂移区52代替，所述常规RESURF漂移区52由掩埋n阱16和n-外延区 18的一部分组成。
图1C是展示本发明的另一实施例60的透视图解视图，其中掩埋n阱区16已用掩 埋p阱区17代替，所述掩埋p阱区17可使n柱容易在装置切断状态中耗尽以用于较高 装置击穿电压，但p区20、 22下方的n-外延18中具有更多拥挤电流，从而与图1A相 比引发稍许更高的接通状态电附。
图2是图1A的左上角的放大视图，其用以更好地展示偏置栅极28、硅化物阴极34、 p主体20、 p-阱22、 p+阴极层24和n+阴极间隔物26连同第一和第二金属层60。在接 通状态下，p主休20和p-阱22的存在促进由p+阴极层24收集空穴，使得空穴将较不 倾向于流经n+阴极26的区域(这否则可能导致装置闭锁)。n+阴极间隔物26下方的耗 尽区也可使空穴流动离开所述区，并减小在n+阴极26下方流动的空穴的数目。所有这 些允许在到达n+阴极26之前由p+阴极24通过p主体20和p-阱22有效地收集空穴。 借此，在LIGBT装置IO的正常操作期间有效防止装置IO的闭锁。
为了进一步改进闭锁特性，使n+阴极间隔物26的宽度最小化。优选地，n+阴极区 26的横向尺寸大体小于p+阴极层24的横向尺寸。在形成n+阴极区的常规工艺中，宽度 受光刻术能力限制。如下文相对于图15A、图15B和图15C所论述，氧化物间隔物32 用作硬掩膜以界定n+阴极间隔物26的宽度。
如图3和图4中图解展示，超级结漂移区40可分别由一个或一个以卜.交错的p和n 柱48和50形成，所述交错的p和n柱48和50由p-掩埋层56分离为两个垂直部分52 和54。在图1A所示的实施例中，上部部分52具有p顶部层58，且下部部分54具有氧化物14的底部层。交错的p和n柱48、 50分别在顶部部分52和底部部分54中形成多 个堆叠结场效应晶体管(JFET) 60、 62。
当正电压相对子p+阴极层24施加到p+阳极46吋LIGBT装置10处于正向导电操 作模式中时，当施加到栅极28的电压高于装置阈值电压时，以及当阳极电压相对于阴 极电压高于一个二极管压降时。在这些情况下，p+阳极44 pn结将空穴注入到超级结漂 移区40的n-杵50和p-柱48中。这些空穴中的一些将与从n柱区50中的装置沟道流入 的电子重新组合，并调制n柱区50中的导电性以减小LIGBT装置10的n柱电阻。所 述空穴中的一些将流经p柱48，其促使p柱48也对减小LIGBT装置10接通状态期间 的装置电阻起作用。几乎所有空穴将从超级结漂移区40 (从n柱50和p柱48两者)流 动到p主体20和p-阱22,且被p+阴极层24收集而不流经n+阴极间隔物26的区域。 因此，在装置10的正常操作中，空穴不会导致装置10闭锁。
当LIGBT装置10反向偏压时，LIGBT装置IO如同常规超级结装置那样操作。在 超级结漂移区40中，耗尽开始于n柱50和p柱48的阴极和阳极末端处的横向pn结处。 所有n柱和p柱可被完全耗尽以实现高装置击穿电压。
图5A、图5B、图5C和图5D展示可选阳极区设计。图5A展示图1的实施例中使 用的设计，且包含p+阳极44、 n-阱区42、导电硅化物层46和阳极端子48。图5B展示 阳极设计，其包含交错的n+阳极区段66和p+阳极区段68。图5C展示转化为硅化物的 肖特基阳极(其也可成区段)，其包含硅化物层46和n-型层70。图5D展示与图5B相 同的阳极区，只是n+区段74具有比p+区段72大的横截面面积。
图5A的阳极设计产生四个阳极区设计中最多的空穴注入。空穴注入调制超级结漂 移区40的导电性且提供最低接通状态电阻。图5B的阳极设计分别具有拥有相等横截面 面积的n+和p+区66和68，且提供比图5A的阳极设计更快的切换和更高的击穿电压。 图5C的阳极设计提供比图5A的阳极设计更快的切换。图5D的阳极区(其中n+区段 74的面积比p+区段72的面积大50%)具有比图5C的阳极区设计更快的切换。
图6展示具有SOI衬底14的深沟槽隔离设计80，和提供最佳隔离但较昂贵的深沟 槽隔离82。替代衬底设计是具有p掩埤阱和p+槽隔离的p-衬底。后一设计提供较不完 美隔离但更为经济。
图7是展示具有类似掺杂分布和70 pm的漂移长度的三个LIGBT装置和- LDMOS 装置的模拟正向导电特性的模拟图形视图。曲线90展示根据本发明具有n+阴极间隔物 的偏置栅极LIGBT的电流-电压正向导电特性；曲线92展示具有1.5 pm n+阴极的偏置 栅极的电流-电压正向导电特性；曲线94展示常规LIGBT的电流-电压正向导电特性；且曲线％展示常规LDMOS的电流-电压正向导电特性。LDMOS (曲线96)与LIGBT 装置相比具有低得多的电流处理能力，但没有闭锁。这是由于LDMOS漂移区中缺乏导 电性调制，且装置中缺乏寄生半导体开关元件结构。
应注意，常规LIGBT (曲线94)的静态闭锁电流密度和具有1.5 pm的n+阴极长度 的偏置栅极LIGBT (曲线92)分别近似为3e-4 A m和超过7e-4 A/pm。然而，更重要 的是，实际上根据木发明具有n+阴极间隔物的偏置栅极LIGBT (曲线90)中不发生闭 锁，即使当正向电流密度大于1.7e3 A/pm (其超过对于600 V - 700 V装置的Si限度) 时也如此。因此，本发明的具有n+阴极间隔物的偏置栅极LIGBT具有非常高的电流处 理能力且还实际上无闭锁。
图8展不图7中所示的装置的所模拟反向偏压特性。在具有类似掺杂分布和相同的 70 pm漂移长度的情况下，图7中测试的三个LIGBT的所模拟击穿电压近似为640 V， 与770 V的LDMOS击穿电压相比约低130 V。这是由于LIGBT装置中存在寄生p叩， 当阳极电压非常高时，其可容易地引发泄漏。可通过优化n-缓冲层(位于p+阳极区域 中)以减小寄生pnp电流放大系数来增加LIGBT装置的击穿电压。然而，这需要与工 艺成本折衷，因为多需要一个缓冲掩膜层。
图9展示具有扩展的电流密度和电压范围的本发明的所模拟正向导电特性。如图所 示，尽管正向电流密度大于2.8e-3 A/>m (其超过对于600 V - 700 V装置的Si限度)， 也不发生闭锁。肉此，本发明的具有n+阴极间隔物的偏置栅极LIGBT具有非常高的电 流处理能力且还实际上无闭锁。
图IOA、图IOB到图14A、图14B是展示可用于阐释本发明的对闭锁的数值分析的 较接近阴极和栅极区域的所模拟图形视图。图IOA、图IIA和图12A分别展示在2e-4 A/^im、 5e-4AVm和le-3 A m的电流下本发明的LIGBT的阴极区中的空穴向量。将注 意到，即使在le-3 A m的电流下也未在n+阴极间隔物处发现空穴向量，此意味着n+ 阴极/p阱二极管未接通，结果是不发生闭锁。图IOB、图IIB和图12B分别展示在2e-4 A/(im、 5e-4A/ium禾l] le-3 A/pm的电流下的电子向量。
图13A和图13B展示在2e-4 A m的电流下常规LIGBT结构中的相应空穴和电子 向量。未在n+阴极区域中发现空穴向量，此意味着在所述电流下n+阴极/p-阱二极管未 接通且不发生闭锁。图14A和图14B展示在5e-4 A/^im的电流下常规LIGBT结构中的 相应空穴和电子向量。空穴到n+阴极的注入在5e-4 A m的电流下较明显，此意味着n+ 阴极/ p -阱二极管确实接通且发生闭锁。
图15A、图15B和图15C展示可用于形成LIGBT装置10、 50和60的阴极区的工艺步骤。图15A中展示其中扩散有p-阱100的n-外延层18。 p主体104和浅n+106植 入区形成为与n-外延层18中的栅极多晶硅28自对准。在图15B中，p-阱100、 p主体 104和n+植入区106已扩散出以分别形成p-阱22、 p主体20和n+层110。在氧化物层 108沉积和经沉积的氧化物被各向异性蚀刻之后，留下侧壁氧化物32，如图5C所示。 使用侧壁氧化物32和场氧化物102作为掩膜，形成p+阴极层24，从而留下n+层110 在栅极28下方的部分，以及侧壁氧化物32在图1A、图1B、图1C、图2和图6所示的 n+阴极间隔物26的位置处。p+阴极层24的一部分转化为硅化物层34。在优选实施例中， n+阴极间隔物26的宽度约为0.05到0.3 pm。
尽管已具体参看本发明的某些优选实施例详细描述了本发明，但将了解，可在本发 明的精神和范围内实现变化和修改。
权利要求
1.一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)装置，其包括半导体衬底；所述半导体衬底中的阳极区；所述衬底中的第一导电型的阴极区，其与所述阳极区横向间隔开；所述衬底中的第二导电型的阴极区，其位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的一侧上；所述半导体衬底中的漂移区，其在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之间；绝缘栅极，其操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上；以及绝缘间隔物，其上覆于所述第二导电型的所述阴极区上；其中所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述第一导电型的所述阴极区的横向尺寸。
2. 根据权利要求1所述的装置，其屮所述第一导电型是p型，且所述第二导电型是n型。
3. 根据权利要求1所述的装置，其中所述第二导电型的所述阴极区的所述横向尺寸火 体小于所述第一导电型的所述阴极的所述横向尺寸。
4. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阳极区包含所述第一导电型的阳极。
5. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阳极区包含所述第一导电型以及所述第二导 电型的交错区段。
6. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阳极区包含肖特基阳极。
7. 根据权利耍求6所述的装置，其中所述肖特基阳极包含硅化物层以及第一和第二导电型中的…-者的层。
8. 根据权利要求1所述的装置，其屮所述漂移区是超级结漂移区。
9. 根据权利要求8所述的装置，其中所述超级结漂移区是单一 JFET (结场效应晶体 管)、两个堆叠JFET或多个JFET中的一者。
10. 根据权利耍求8所述的装置，其中所述超级结漂移区包含第一导电型的第一和第二 层、所述第一与第二层中间的第三层，所述第三层包含在所述阳极区与阴极区之间 延伸的所述第一导电型以及所述第二导电型的交替交错柱。
11. 根据权利要求8所述的装置，其中所述超级结漂移区包含第一导电型的第一、第二 和第三层、所述第一与第二层中间的第四层，所述第四层包含在所述阳极区与所述 阴极区之间延伸的所述第一导电型以及第二导电型的交替交错柱；且其中所述漂移 区包含所述第二与第三层中间的第五层，所述第五层包含在所述阳极区与所述阴极 区之间延伸的所述第一导电型以及第二导电型的交替交错柱。
12. —种横向绝缘栅极双极品体管(LIGBT)装置，其包括p衬底；形成在所述p衬底上的n区； 形成在所述n区中的p主体区； 阳极区；p+阴极区，其形成在所述p主体区中，与所述阳极区横向间隔开；n+阴极区，其形成在所述p主体区中，位于所述p+阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的，侧上，；导电层，其形成在所述p+阴极区上且耦合到所述n+阴极区；漂移区，其形成在所述p衬底上，在所述阳极区与所述p+阴极区之间；绝缘栅极，其操作地耦合到所述p+阴极区，且位于所述p+阴极区的与所述阳极区相对的一侧上；以及绝缘间隔物，其上覆于所述n+阴极区上；其中所述绝缘间隔物和所述n+阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述p+阴 极区的横向尺寸。
13. 根据权利要求12所述的装置，其中所述阳极区包含p阳极。
14. 根据权利要求12所述的装置，其中所述阳极区包含交错的p和n区段。
15. 根据权利要求12所述的装置，其中所述阳极区包含肖特基阳极。
16. 根据权利要求15所述的装置，其中所述肖特基阳极包含硅化物层和n层。
17. 根据权利要求12所述的装置，其中所述漂移区是超级结漂移区。
18. 根据权利要求17所述的装置，其中所述超级结漂移区是单一 JFET (结场效应晶体 管)、两个堆叠JFET或多个JFET中的一者。
19. 根据权利要求17所述的装置，其中所述超级结漂移区包含第一导电型的第一和第 二层、所述第一与第二层中问的第三层，所述第三层包含在所述阳极区与阴极区之 间延伸的所述第 一 导电型以及所述第二导电型的交替交错柱。
20. 根据权利要求17所述的装置，其中所述超级结漂移区包含第一导电型的第一、第二和第三层、所述第一与第二层中间的第四层，所述第四层包含在所述阳极区与所 述阴极区之间延伸的所述第一导电型以及第二导电型的交替交错柱；且其中所述漂 移区包含所述第二与第三层屮间的第五层，所述第五层包含在所述阳极区与所述阴 极区之间延伸的所述第一导电型以及第二导电型的交替交错柱。
21. 根据权利要求1所述的装置，其中所述装置具有深沟槽隔离设计。
22. 根据权利要求1所述的装置，其中所述装置包含RESURF漂移区设计。
23. 根据权利要求1所述的装置，其中所述装置包含掩埋p阱区设计。
24. 根据权利要求12所述的装置，其中所述装置具有深沟槽隔离设计。
25. 根据权利要求12所述的装置，其中所述装置包含RESURF漂移区设计。
26. 根据权利要求12所述的装置，其中所述装置包含掩埋p阱区设计。
27. —种用于制造横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)装置的方法，其包括以下步骤-在半导体衬底的有源区中形成阳极区；在所述有源区屮形成与所述阳极区横向间隔开的第一导电型的阴极区； 在所述有源区中形成位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的一侧上的第二导电型的阴极区；在所述有源区中在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之间形成漂移区 形成操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区且位于所述第一导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上的绝缘栅极；以及形成上覆于所述第二导电型的所述阴极区上的绝缘间隔物。
全文摘要
一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)包含半导体衬底和所述半导体衬底中的阳极区。所述衬底中的第一导电型的阴极区与所述阳极区横向间隔开，且所述衬底中的第二导电型的阴极区位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的一侧上。所述半导体衬底中的漂移区在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之间延伸。绝缘栅极操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上。绝缘间隔物上覆于所述第二导电型的所述阴极区上。所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述第一导电型的所述阴极区的横向尺寸。
文档编号H01L29/70GK101553932SQ200780043578
公开日2009年10月7日 申请日期2007年11月27日 优先权日2006年11月30日
发明者军 蔡 申请人:飞兆半导体公司