专利名称：：剥离方法及半导体器件的制造方法剥离方法及半^MI件的制造方法本申请是申请号为02143458.1、申请日为2002年8月9日、发明名称为"剥离方法及半*器件的制造方法"的发明专利申请的分案申请。本发明涉及一种剥离层的剥离方法，特别涉及一种#^有多种元素的剥离层的剥离方法。j^t，本^发明涉^^一种包含，薄膜晶体管(下文称作TFT)组成的电路的半*器件，通过将分离的剥离层粘到基片樹薄膜晶体管，并涉及半科器件的制造方法。例如，本发明涉狄电器件例如液晶组件、狄器件例如EL组件以及含有这种器^H乍为其内元件的电^S殳备。在本说明书中，术语半"!^器件包括总体上能够利用半^f衬i^作用的任何器件，光电器件、B器件、半导体电路并且电子设备都包括在半*器件中。
背景技术：
：姊，4顿形錄具有会衫綠面的基片上的半科薄膜(厚度约;i^几百nm)的薄膜晶体管(TFT)构成的技术已受到关注。薄膜晶体管广泛i也应用于例如IC、光电器件的电子器件。特别是非常需要开^I于图像显示装置的开关元件。在这种图像显示装置的多种预期应用中，首M,用于移动装置的应用已受到关注。目前，虽然在许多情况中使用了玻璃基片、石炎基片等，但它们存在易于破裂和太重的缺陷。jH^卜，就^M^ti产而言，玻璃基片、石M片等是困难的并且不适宜扩大。因此，J脉已尝试4躺柔性的基片，例如在柔性塑料MJi形成TFT元件。然而，由于塑料膜的热阻低，因j)t^求低的最高工艺温度，由此，目前，不可能形成具有与形^J皮璃基片上的TFT—才^尤良的电挣l"生的^f可TFT。因此，采用塑料膜的液晶显示装置和;^t件i^殳有实现。jtW卜，现已提出借助隔离层/;j斤述的基片上将存在于基片上的剥离层的剥离方法。例如，在日本未经审查专利公开No.10-125929和日本未经审查专利公开No.10-125931中介绍的技术为形成非晶硅(或多晶硅)的隔离层，通过用〗IOt^照射基片#^在非晶硅中的1#^出，由此形成间隙用于分离基片。j)^卜，在日本^i至审查专利公开No.lO-125930中还^h绍了利用该技术，通过将剥离层(在说明书中，称做4辆多层)粘贴到塑料层完成液晶显示装置。然而，借助以上介绍的方法，鉢上是^躺高半透明度的基片。为了使能量传送:片并提供足够的能量#^出含在非晶硅中的氢，需要照射较大强度的激a,因而发生剥离层受损的问题。而且，在以上介绍的方法中，当元件形錄隔离层上时，如^元件制备工艺中进行高温热处理，那么含在隔离层中的氢会扩散并减少。由此，即使^照射在隔离层上，樣在不能充^ifrf'j离的可能性。因此，为了##含在隔离层中的氢量，出现形成隔离层#的工艺受限制的问题。jtl^卜，在以上介绍的说明书中，介绍了为了防止剥离层受损，形成M綠或幼层。此时，3M侏制备透細液晶显示装置。而且，通过以上介绍的方法，4W,剥离具有较大面积的剥离层。
发明内容考虑到以上介绍的问题，完成了本发明，本发明的目的在于提^"~种不会损伤剥离层的剥离方法，并且允许不仅能够分离具有较小表面积的剥离层，而且能够分离具有较^4面积的剥离层整个表面。j)t^卜，本发明的目的在于提^""种剥离方法，其中形成剥离层时不錄片的类型等限制。jH^卜，本发明的目的在于提^""种通过将剥离层粘到多种基片上的轻型半导体器件，及其制备方法，具体地，本发明的目的在于提^"种通过将^4t元件例如TFT[薄膜^r^及管、包括硅的PIN结的光电转换元件(太阳能电池、传感器等)以及硅电阻元件]粘到柔性薄膜上的轻型半^^器件及其制备方法。本发明的发明人已进fri午多实验并重复研究，发现以下内容。即，当第一材料层形^fe基片上，第^^才料层与第一材料层相邻形成，进一步在第^4才料层上或者对于第J^才料层进行膜形诚500。C以Ji^500。C进行热处理时,根据测量各膜的内部应力，第一材料层具有拉伸应力，第J^才料层具有压缩应力。第一材料层和第二材料层的层结构没有发生例如工艺中膜剥离(剥离)等异常，然而通过物理方式，例如口才/^成力，例^ifiiA手剥离可以容易:l脉第J^t料层的层内或界面很好地分离层结构。即，第一材料层和第^^才料层的结合力强到足以承受热能，另一方面，梦u^剥离之前，具有拉伸应力的第一材料层和具有压缩应力的第二4才料层之间具有应力应变，因》b5寸机械能弱并且容易分离。本发明A^现了剥离现象和膜的内应力之间的密切关系。利用膜的内应力进4亍分离的剥离步骤称估t虔力剥离工艺。涉4本说明书中公开的剥离方法的本发明的构成(constitution)1为一种从基片将剥离层剥离掉的剥离方法。期衫球于方法包括以下步骤形成剥离层，剥离层由基片上具有拉伸应力的第一材料层和具有压缩应力并至少与其上支承第一材料层的基片上的第一材料层相邻的第二4才料层组成，然后通过物理方^第^#料层的层内或界面从支承第一材料层的基片上将剥离层剥离。在以上介绍的构成l中，上述第一材料层的特征在于该层的拉伸应力的范围为l到lx1010(Dyne/cm2)。如^#料的拉伸应力在以上范围内，上迷第一材料层不必特别限定，可以^J]金属材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir禾口Pt等)、半^##料(例如，Si，Ge等)、绝纟4#料以及有^#料的^封可一种的单层或它们的叠层。顺便提及，拉伸应力高于1x101Q(Dyne/cm2)的膜在热处理时容易导致剥离。jtW卜，在以上介绍的构成l中，上述的第二4才料层的特征在于该层的压缩应力在-l到-lx1010(Dyne/cm2)的范围内。如^f才料的压缩应力在以上范围内，上述第j^才料层不必特另U限定，可以^^]金属材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt等)、半^#料(例如，Si，Ge等)、绝纟^才料以及有才/U才料的4封可一种的单层或它们的叠层。顺便提及，压缩应力高于-1x101Q(Dyne/cm2)的膜在热处理时容易导致剥离。jt"卜，对于第一材料层，如^#料在剥离前直#^有拉伸应力那么就可以使用该材料，即使它在形成之后立即显示出压缩应力。涉A^^说明书中公开的剥离方法的本发明的构成2为，一种/堪片上将剥离层剥离的剥离方法。^#44于方法包括以下步骤形成剥离层，剥离层由基片上的第一材料层以及具有压缩应力并至少与其上支承第一材料层的基片上的第一材料层相邻的第二材料层组成，然后通过物理方式在第^r^才料层的层内或界面从支承第一材料层的基片上将剥离层剥离。在以上介绍的构成2中，上述第一材料层的特征在于该层的拉伸应力的范围为1到lx1010(Dyne/cm2)。在以上介绍的构成2中，在剥离之前进行热处理或^it^照射处理。jtl^卜，同样在以上介绍的构成2中，上述的第二浙料层的特征在于该层的压缩应力在-1到-lx1010(Dyne/cm2)的范围内。jtb^卜，用#^剂粘结支撑#^进行剥离。涉4本说明书中公开的剥离方法的本发明的构成3为，一种/堪片将剥离层剥离的剥离方法。^NN4于形成剥离层，剥离层由基片上具有拉伸应力的第一材料层和具有压缩应力并至少与其上支承第一材料层的基片上的第一材料层相邻的第^4才料层组成，将支撑体粘结到剥离层，然后通过物理方#第^#料层的层内或界面，从支承第一材料层的基片上##结到支撑体的剥离层剥离。当将在剥离前就具有拉伸应力的材料用估錄一材料层时，即使它在形成^立即显示出压缩应力，涉Xi^^说明书中公开的剥离方法的本发明的构成4为，一种/堪片上将剥离层剥离的剥离方法。^4衫i^于&^舌以下步骤形成剥离层，剥离层由基片上的第一材料层以及具有压缩应力并至少与其上支承第一材料层的基片上的第一材料层相邻的第J^才料层组成，将支撑体粘到剥离层，然后通过物理方#第_^才料层的层内或界面从支承第一材料层的基片上将剥离层剥离。jH^卜，在上述的构成3和上述的构成4中，为了在粘结到上述的支撑^^前^ii剥离，可以进行热处理或^Ut束的照射处理。在这种情况下，选#^及抝11^束的材^H乍为第一材料层，可以加热第一材料层以改刻莫的内应力以便容易剥离。然而，在^J^H^的情况下，4顿半透明基片。jH^卜，在各构成中，另一层例如绝缘层、金属层等可以形成^t基片和第一材料层之间以提高粘附强度。然而，为了筒化工艺，仂Cit形成第一材料层与基片接触。在本说明书中，术语物理方式是指作为物理而不是化学的方式，更Jlr^地，动力方式是指包括能够归因于动力学规则的过禾liU/a^式，并表示转4射封可动能(积械能)的方式。顺便提及，在以上介绍的构成3和4的4^f可一个中，当通过物理方式剥离时，需^ft^一才才一牛层和第J^4才津+层的结合力j氐于与支撑体的结合力。jt"卜，在以上介绍的本发明中，可以^/l]各种基片，不限于具有半透明性的基片，例如，可以采用玻璃基片、石絲片、半^M^基片、陶'緣片和金属基片，并可以剥离形^ft基片上的剥离层。itl^卜，使用以上介绍的本发明的剥离方法，通过将形^^基片上的剥离层粘结(传送)到传送体上制造半*器件^:可能的，涉及半*器件的制造方法的本发明的构成为，该方法包括以下步骤在基片上形成具有拉伸应力的笫一材料层，在第一材料层上形成具有压缩应力的第二材料层，在第二浙料层上形成彰彖层，在绝缘层上形成元件，将支撑体粘结^iL件上，接着通过物理方W第J^才料层的层内或界面，,堪片上将支撑体剥离，以及^辨送体粘结到澎象层或第二材料层并将元件夹在支撑糾口传送狀间。在将剥离前就具有拉伸应力的材料用^tf一材料层的情况下，即使它在形成之后立即显示出压缩应力，涉;5^^说明书中公开的半#器件的制造方法的本发明的构成为，半#器件的制^法包括以下步骤在基片上形成第一材料层，在所述第一材料层上形成具有压缩应力的第^^才料层，在所述第^^f才料层上形成绝缘层，在所必色缘层上形^L件，将支撑体粘结在所iM/f牛上，接着通过物理方式在所述第二材料层的层内或界面，^y^斤錄片上剥离掉所述支撑体，以及将传送体粘结到所iii色缘层或所述第^^^料层并将所i^L件夹在所述支撑^^所述传送粘'司。jtl^卜，为了M剥离，可以在第一材料层上形成澤辩立形氧化物，形^颗粒形氧^4勿的第二浙料层以便容易剥离。在以上介绍的构成中，为了^ii剥离，在粘结上述的支撑^^1K进行热处理或激M照射的处理。在这种情况下，选4^及蹈IL^束的材^H乍为第一材料层并加热第一材料层以改变膜的内应力以侵容易剥离。然而，在^^tit束的情况下，4顿半透明基片。jtb^卜，通过^J]以上介绍的本发明的剥离方法，在剥离^，可以将在基片上形成的剥离层粘结到第^t送体和第二传送体以制造半"^器件。jtb^卜，在涉及以上介绍的半^^器^^造方法的上述各构成中，上述元件是具有半"^y^ft为有源层的薄膜晶体管，通过热处理或^it^照射处理晶^^有非晶结构的半导体层以晶化并形成具有结晶结构的半"!M^层，进行形成半^^层的上述步骤。在本说明书中，术语"传送体"是指将剥离层剥离4粘结到剥离层的材料，它不必特别地限定，可以是〗封可成分的基底，例如塑料、玻璃、金属、陶资等。jtbit,在本说明书中，术语"支撑体，可以是辆过物理方式剥离Ni皮粘结到剥离层的材料。它不必特别地限定，可以是^f封可成分的M，例如塑料、玻璃、金属、陶资等。jH^卜，传送体的形状和支撑体的形状不必特别地限定，可以是为平面、曲面、能够弯曲的、或膜状形状。如果，节约重量最优先考虑，优选为膜状的塑料基片，例如，彩十^甲酸乙二酯(PET)、^M砜(PES)、聚^i曱酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酉旨(PC)、尼龙、^i!Sii酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚(PEI)、聚芳基^^4勿(PAR)、f^寸仁甲酸丁二酉旨(PBT)等。在以上介绍的涉及以上半^器件的制造方法的各构成中，当制备液晶显示器件时，支撑体用作反衬底(countersubstrate)，利用密封才村ff乍粘结剂将支撑体粘结到剥离层。此时，形成在上述剥离层上的元件具有像素电极，液晶^像素电才及禾口上iiA电才及之间。jtk^卜，在涉及以上介绍的半*器^^妙法的以上介绍的各构成中，制造发錄置例如EL狄器件时，伊Ci^顿密封材^Ht为支撑体，以防止^ii有才/U匕^4勿层退化的物质如水份、氧等夕h"^物质渗透的方式，将发^L件完全与夕一卩隔离。如果优先考虑重量轻，那么仂Ci^ft^l膜形的塑料基片，然而，由于塑料防止力口速有才;Mt^4勿层退化的物质如外界7jc份、氧的物质渗透的爻t^很差，因此可以在支撑体上形成笫一绝纟M、第二^^I莫和第三纟&^M，以便有^i也防jU/口速有才/Mt^4勿层退化的物质例如外界的7K分、氧的渗入。然而，将夹在上述第一《^彖膜(P到当膜)和上述第三乡&4M(陶当膜)之间的上述第二慰刻莫(应力緩沖膜)制成它的膜的应力小于上述第一纟^刻莫和第三绝缘膜的膜的应力。制备发錄置例如EL发光器件时，不^^"于支撑体，而，十于传送体，仂述类^"也形成第一绝纟、第二纟^4M和笫三纟fe^漢，以充分地防ibi卩速有4M給物层退化的物质如夕M卩的水《沐^;参透。在本说明书中，膜的内应力意味着，考虑形^_基片上的膜内部的任意##1面，4械面"H则的4j封M4面积的力影响另"^f则。因此可以il^t过真空蒸发、賊射和汽相淀积形成的薄膜中不可i^^M^多或少地产生内应力。该值赵U最大10/m2。根据薄膜的材料、基片的物质、以&蓴膜的形成^^牛内应力值变化。热处理也改变内应力值。Al^卜，具有通过相对于物质表面垂直地分布的单^4滅表面积对对方有影响的力在4立伸方向^M乍用的状态，称^Ui伸状态，此时的内部应力称做拉伸应力，力在推挤方向中起作用的状态，称^^b于压缩状态，此时的内部应力称做压縮应力。顺便提及,在本说明书中当#^在图中或表示^4中时，拉伸应力标为正(+)，压缩应力标为负(-)。^^]氮^4太作为第一材料层，氧^^圭作为第J^杉牛层，形成第J^才料层时接触第一材料层。为了确认形錄第^^才料层上的剥离层是否育^^片剥离，进行以下实-验。首先，在基片上形成图3A所示的叠层结构。对于基片30,4顿玻璃基片(#1737)。》&卜，在基片30上，通过贿法形^!"度300ran的4^硅^r层31。通过'减射法形^f度100nm的氮^l;t^32。通过效謝法形成^^度200nm的氧^^圭层33。氧^/圭罢33的膜形成^f牛为^^)RF型效謝装置和氧^/圭耙(直径，30.5cm),在150。C的基片温度，0.4Pa的膜形離力，3kW的膜形成功率，氩的'》tt/氧的^ii二35sccm/15sccm。F艇，通过等离子体CVD法在氧^^g33上形^A^绝缘层。对于献绝缘层，通过等离子体CVD法在300°C的膜形成温度下形成厚度50ran由原材料气体S线、NH3和N2。制备的氮氧^^爐34a(组分比Si二32。/。，0=27%,N=24%和H47y。)。之后，用臭氧水清;樣面之后，用稀释的氢氟酸(1/100,希释)除去表面上的氧化膜。接着，通过等离子体CVD法在300。C的膜形成温度下其Ji^叠形成100nm厚由原材料气体S线和N20制备的氮氧^^M34b(组分比Si=32%，0=59%,N=7°/(^H=2%),jtW卜，通过等离子体CVD法在300。C的温度^^]S线的膜形成气^不暴露空气下形成具有非晶结构和厚度54nm的半导体层(此时为非晶硅层35)(图3A叠层结构的形成)。接下来，用旋涂器涂敷含重量10ppm镍的乙酸銜容液。代替涂敷法，可以使用通过濺射在整个表面上散布4I^L素的方法。随后，通iii^f亍热处理用于晶化形成具有晶体结构的半^^膜(此时为多晶/抜36)(图3B结晶化(热处理))。这里，ii4亍用于脱氢的热处理(500°C，1小时)之后，进行用于晶化的热处理(550°C,4小时)得到具有晶体结构的石娥。顺便提及，此时，4顿镍作为金属元素用于^ii硅晶化的晶^t支术，但是也可以^J^其它的/i^口晶^^支术，例如固相生长法或^L^晶4b法。卩能，^^环Wt脂作为4封妄层37，月tt片38(此时为^^^曱酸乙二酯(PET))被粘贴在多晶石拔36上(图3C麟片38的粘贴)。得到图3C所示的状态^，用人手#片38和基片30,以便将它们相互衬。在已剥离的基片30中，发5M少氮^4財口铝-硅^^^f呆留。才財居该实验，推测剥离胜在氧^^圭33的层内或界面。如上所述，通过形成与第一材料层相邻的第二浙料层并剥离形成在笫二材料层上的剥离层，可以/媒片30的整个表面上将剥离层剥离。图3D示出基片30的剥离。(实验2)M，当^J]TiN、W、WN、Ta和TaN作为第一材料层时，形成第>^#料层(氧^^圭M/f"度，200nm)，同时接触第一材料层，为了证实形成在第二4才料层上的剥离层是否f&媒片剥离，进行以下实验。作为样品l,通iti謝法^i皮璃基片上形成^l度100nm的TiN,之后，形成200nm月錄的氧^^娥。形成氧4t^E^，类似于实验1进行叠置和晶化。作为样品2，通过';5!謝法^^i皮璃基片上形^W50nm的W，#，形成200nmM^的氧^^娥。形成氧"f^W^，类似于实验l进行叠置和晶化。对于样品3，通过效謝法^i皮璃基片上形^U錄50nm的WN^，形成200nm的氧^^莫。形成IU^W^，刻以于实验l进行叠置和晶化。对于样品4，通过效謝法^i皮璃基片上形^1^50nm的TiN^,形成200nmTO的氧^^妇莫。形成氧^^妇莫"^，类似于实验l进行叠置和晶化。对于样品5,通过溅射法^i皮璃基片上形^錄50nm的Ta^，形成200nm月錄的氧^^娥。形成勤WM^，类似于实验l进行叠置和晶化。对于样品6,通it^謝法^^i皮璃基片上形^l莫厚50nm的TaN之后,形成200nm的氧^5爐。形成氧^^i^^，刻以于实验l进行叠置和晶化。在以上面介绍的方式中形成样品1~6，通过将粘结带粘贴到每个剥离层进行实验以确认是否可能剥离。结果显示^4l中。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table>5Ta(50nm)氧她(200nm)未剥离样品6TaN(50nm)氧似圭(200nm)未剥离jtb^卜，测量热处理(55(TC，4小时)之前和^r的氧4^圭膜、TiN膜、W膜和Ta膜每个上的内应力。结絲示絲2中。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table>顺便提及，测量通过泪謝法^^圭基片上形成的400nm膜厚的氧^^娥，对于TiN膜、W膜和Ta膜，^i皮璃基片上形成的400nm麟的^^,测量内应力，然后叠置氧^^M作为帽^^f^行热处理之后，除去帽盖膜，并再次测量内应力。jtb^卜，每个才f。制备2件进行测量。对于W膜，虽然形^fe后立即具有了压缩应力(约-7xl09(Dyne/cm2))，通过热处SM具有了拉伸应力(约8xl()9-9x109(Dyne/cm2))，并且剥离状态优良。对于TiN膜，热处理之前牙n^r应力几乎没有改变，膜具有拉伸应力(约3.9xlOM.5x109(Dyne/cm2)),变4W艮小。然而，当月M为50nm或更薄时，剥离较差。对于Ta膜，虽然形^莫之后立即具有了拉伸应力(约5.1xl09-9.2x109(Dyne/cm2)),通过热处J划莫具有了压缩应力(约-2x109~-7.8x109(Dyne/cm2)),通过带测试，没有剥离。itb^卜，对于氧^^妇莫，热处理之前R后应力几乎没改变，膜具有压缩应力(约-9.4乂109~-1.3乂109(Dyne/cm2))，变4W艮小。,Ail些结果中，剥离现象与粘附性有关i^夬于多种因素，J"^地，主要与内应力有关，使用热处理^r具有压縮应力的第^^^才料层和具有拉伸应力的第一材料层，发M^基片的整个表面中将剥离层剥离。Jt。卜，通过热处魏^U謝处理改变应力时，伏选佳月与热处理或^^謝处理之前相J^立伸力的值增加的材^Ht为第一材料层。图1A到1C示出了实施例1;图2A到2C示出了实施例2;图3A到3D示出了实验；图4A到4C示出了实施例3;图5A到5C示出了实施例4;图6A到6D示出了有源矩阵基片的制造步骤；图7A到7C示出了有源矩阵基片的制造步骤；图8示出了有源矩阵基片；图9A到9D示出了例2;图10A到10E示出了例3;图11示出了例4;图12示出了例5;图BA到13D示出了例6;图14A到14C示出了例7;图15A和15B示出了例8;图16示出了例8;图17示出了例9;图18A到18F示出了电子设备的例子；图19A到19C示出了电子i殳备的例子。下面介^绍本发明的各实施例。实施例1下面，参考图1简^h绍本发明典型的剥离过程，其中图1A为剥离基片10之前的视图，图1B为剥离基片10步骤的视图，图1C为剥离后状态的视图。在图1A中，参考数字10表示基片，ll表示具有拉伸应力的第一材料层，12表示具有压缩应力的第二材料层，13表示剥离层。在图1A中，基片10可以为石絲片、陶f^片等。jtMh也可以^f錢石錄片、^r属基片或不4^ltt片。首先，如图1A所示，第一材料层11形il^基片10上。第一材料层11具有拉伸应力，甚至形之后立即具有压缩应力，对于层，嫂月通过热处理m秀謝处理在剥离层形成中不会产生异常例如剥离并且剥离层形成^具有1到1x1010(Dyne/cm2)范围内拉伸应力的材料很重要。典型的例子为选自W、WN、TiN、Tils的元素作为^^材^h^含有以Jiit素作为主要成分的^^4勿的单层和它们的叠层结构。接下来，第二材料层12形^第一材料层11上。对于第^r^才料层12，4顿通过热处理或激^^照射处理在剥离层形成中不会产生异常例如剥离并且剥离层形成^具有1到1xl01G(Dyne/cm2)范围内拉伸应力的材料很重要。典型的例子为氧^^圭、氮氧^f沐金属氧^4勿材料的单层和它们的叠层结构。第J^才料层12,可以通过4封可膜形成法形成，例如效謝法、等离子体CVD法、涂敷法等。在本发明中，重要的是^^>=^才料层12具有压缩应力并且第一材料层11具有拉伸应力。各膜的厚度适当地设置在lm到1000nm的范围内，以调节第一材料层11中的内应力和第二4才料层12中的内应力。jH^卜进行热处理或〗IUt^照射处理以调节第一材料层11中的内应力和第二4杉+层12中的内应力。》W卜，在图l中，虽然为了筒化工艺，示出了形成与基片104財矣的笫一材料层ll的"HS列子，将变为緩沖层的^^彖层或金属层也可以形^_基片IO和第一材料层ll之间，以增强与基片10的粘附性。随后，在第二4才料层12上形成剥离层13(图1A)。剥离层13可以是含有多种元件例如TFT(薄膜_^及管、具有硅的PIN结的光电转4奐元件以;Sj圭电FiUt件)的层。可以进行基片10能够承受范围的热处理。^^发明中，即^^>^#料层12的内应力与第一材料层11的内应力&t匕不同，通*剥离层13的形成步骤中的热处理中不会M膜剥离。卩能，用物理方式剥离掉形絲第一材料层ll的基片10(图1B)。由于第>^#料层12具有拉伸应力和第一材料层11具-有压缩应力，因此用4交小的力就可以进4tf'j离。此时，显示了假设剥离层13有足够的对M成强度的"HM列子，当剥离层13的积械强度不够时，优选剥离层粘贴到将剥离层13固定的支撑体(未示出)"^进糊离。以此方式，形絲第^^才料层12上的剥离层13与基片10甜。剥离^的状态显示在图1C中。jtb^卜，剥离U，剥离掉的物体，即剥离层13粘贴在传送体(未示出)上本发明适用于多种半*器件的制备方法。特别是，^/1]塑料基片作为传送#支撑体，重量棘。当制备液晶显示装置时，支撑体作为錄片(countersubstrate)，密封材泮辨为粘结剂将支撑体粘贴到剥离层。此时，形tt剥离层中的元件具有像素电极，液晶材津轴#在<象素电才及和以_1^目对的电才及之间。jtb^卜，制备液晶显示器件的工艺顺序不必特另'J限定，可以下面的方式进行粘贴^J^片作为支撑体并且^7v液晶■^，将基片剥离并粘贴塑料基片作为传送体，或形成像素电极^，剥离基片，然后粘贴塑料基片作为第"Mt送R后，接着粘贴反基片作为第二传送体。制备发錄置例如EL发光器件时，伊Ci^f顿密封材^H乍为支撑体，将发脱件完全与夕陶断开，以防iU/口速有才/M^4勿层退化的夕h^卩物质例如水斜口li;参透。jtb^卜，制备发錄置例如EL发光器件时，不仅伊Ci^錢支撑体而且伊Ci^f錢传送体，以便能够充分地防止加速有才/M^4勿层退化的夕h^物质例如水斜口l^參透。制备液晶显示装置的工艺顺序不必特另'〗限定，可以下面方式进行形政^L件^，粘贴作为支撑体的塑料基片，将基片剥离。然后，粘贴作为传il体的塑^j"基片，或形MitiL件^，剥离基片，然后粘贴塑料基片作为第^#送体，接着粘贴反基片作为第二传送体。实施例2对于本实施例，将参考图2筒单M4苗述剥离掉基片同时在形成与剥离B財妻的基底^^彖层^，防止杂质由第一材料层和基片扩散的剥离过程，其中，图2A为剥离基片20之前的视图，图2B为基片20剥离的视图，图2C为剥离后状态的视图。在图2A中，参考数字20表示基片，21表示具有拉伸应力的第一材料层，22表示具有压缩应力的第二材料层，23a和23b各^M^^^彖层，24表示剥离层。在图2A中，基片20可以为玻璃基片、石M片、陶'緣片等。》t^卜，可以^JI]石i4片、^4基片或不##1^片。首先，如图2A所示，第一材料层21形成在基片20上。第一材料层21在膜形^后立即具有压缩应力或拉伸应力，对于层，^^通过热处理或^t^謝处理在剥离层形成中不会产生异常例如剥离并且剥离层形成^具有1到1xl01G(Dyne/cm2)范围内拉伸应力的材料很重要。典型的例子为选自W、WN、TiN、Tils的元素作为^r材fl^含有以JiiL素作为主要成分的^^4勿材料的单层和它们的叠层结构。接下来，第二浙料层22形成在第一材料层21上。对于第^#料层2,佳月通过热处理或激it^照射处理在剥离层形成中不会产生异常例如剥离并且剥离层形成^具有1到1xl01Q(Dyne/cm2)范围内压缩应力的材料很重要。第^=4才料层22的典型例子为氧"f^^圭、氮氧^封口金属氧^4勿材料以及它们的叠层结构。第二材料层22，可以通iif封可膜形成法形成，例如i謝法、等离子体CVD法、涂敷錄在本发明中，重要的是^f>^#料层22具有压缩应力并且第一材料层21具有拉伸应力。各膜的厚度适当地设置在lnm到lOOOnm的范围内，以调节第一材料层21中的内应力和第^^杉牛层22中的内应力。jtl^卜，进行热处理或^tit^照射处理以调节第一材料层21中的内应力和第^t才料层22中的内应力。jtl^卜，在图2中，虽然为了简化工艺，示出了形成与基片204財妾的第一材料层21的""HM列子，将变为緩冲层的乡衫彖层或金属层也可以形^^基片20和第一材料层21之间，以增强与基片20的粘附性。F能，在第^^^才料层22上形^4底绝缘层23a和23b。此时，通过等离子体CVD法在400"的膜形成温度下^J^原材料气体SiH4、NH3和NzO形^f度50nm(伏选10到200nm)的氮氧^^皿23a(组分比Si=32%，027%，N=24°/4。H=17%),接着，通过等离子体CVD法在40(TC的膜形成温度下^^原材料气体S线和N20叠置形成lOOnm厚(优选50到200nm)的氮氧^^il莫23b(组分比Si=32%,0=59%,N=7°/4。H=2%)。^^必特别限定这些层，可以^JI]单层结构或具有三层或更多层的叠层结构。随后，剥离层24形成在J^i^彖层23b上(图2A)。对于这种两层M乡^彖层23a、23b结构，在形成剥离层24的工艺中，可以防止杂质由第一材料层21、第二射料层22和基片20扩散。jH^卜，由于基底乡^彖层23a、23b可以增强第二材料层22和剥离层24之间的粘附性。jt"卜，当第一材料层21或第^^H"料层22的表面*14造时，形tt^绝缘层之前或之后应平坦4汰面。通过平坦化剥离层24的M变得更好，形成含有元件的剥离层24时，由于元件的特性变得容易稳定，因jtb^it。顺便提及，对于平坦化处理，可以<躺通过形成涂|爐(抗蚀剂膜等)然后可以采用腐蚀、化学才/L^fe光法(CMP法)等的用于平坦化的深腐蚀(etchingback)法。Fte，通过物理方式剥离掉其上提供有第一材料层21的基片20(图2B)。由于第二射料层22具有压缩应力并且第一材料层21具有拉伸应力，因此可以较小的力进4f^离。jtM卜，虽然示出了假设剥离层24有足够才M戒强度的一^H列子，然而当剥离层24的枳片成强度不够时，伊逃粘贴固定剥离层24的支撑体(^示)^进糊离。以此方式，形^^M乡^彖层22上的剥离层24可以与基片20分离。剥离之后的状态显示在图2C中。然而，剥离之后，剥离层24粘贴在传送体(未显示)上。本发明适用于多种半科器件的制备方法。特别是，<躺塑料基片作为传送糾口支撑体时，重量很轻。当制备液晶显示装置时，支撑体作为錄片，密封材津辨为粘结剂将支撑体粘贴到剥离层。此时，形a剥离层中的元件具有像素电极，液晶材并+#在像素电极和上述相对的电极之间。jtW卜，制备液晶显示装置的工艺顺序不必特另'j限定，可以下面的方式进行粘贝占^片作为支撑体并且注入液晶^，将基片剥离并粘贴塑料基片作为传送体，或形成像素电极^，剥离基片，然后粘贴塑料基片作为第"^专送体，接着粘贴a片作为第二传送体。制备发錄置例如EL狄器件时，伊Ci^f錢密封材^H乍为支撑体，将^L件完全与外部隔开，以防iU口速有才/L^^4勿层退化的夕h^物质例如水和liJ^透。itb^卜，制备发錄置例如ELB器件时，不仅仂述支撑^L^^4传送体以能够充分地防止加速有才;M^4勿层退化的夕t^物质例如水和勤参透。制备发錄置的工艺顺序不必特另'JP艮定，可以下面方式进行形献^L件U,粘贴塑料基片作为支撑体，将基片剥离，然后，粘贴塑料基片作为传送体，或形Mi^L件之后，剥离基片，然后粘贴塑料基片作为第""^送体，接着粘贴塑料基片作为第二传送体。实施例3在本实施例中，将参考图4描述除了实施例1"卜，进伤^^照射或热处理以^ii剥离的一^H列子，其中图4A为剥离基片40之前的视图，图4B为剥离基片40步骤的视图，图4C为剥离后状态的视图。在图4A中，参考数字40表示基片，参考数字41表示拉伸应力的第一材料层，参考数字42表示压缩应力的第二浙料层，参考数字43表示剥离层。由于直到形成剥离层43的工艺都与实施例1相同，因jtL^略了介绍。形成剥离层43之后，进布Hit^照射(图3A)。可以使用的〗H^包括例如准衬〗狄器的气体器，例如yv04^t^器、YAG就器的固态^t^器，以及半导体^tit器。〗Hiy展荡的状态可以是连续振荡或脉中振荡，^t^的形状可以是直线、矩形、圓形或椭圓形中的^^可一种。使用的波长可以是基波、二次谐波或三次谐波。jH^卜，扫描方法可以在垂直方向、横向、或对角线方向中进行，并JL^回往复。对于作为第一材料层41的材料，伏选能够容易吸^^t^的材料，并且可以^f狄金属材料，优选金属氮^4勿材^f列如氮^4太。顺《更4是及，为了传^r^^,^f]具有，明度的基片作为基片40。f紹，通过物理方式剥离其上提供有第一材料层41的基片40(图4B)。由于第_=浙料层42具有压缩应力并且第一材料层41具有拉伸应力，因此可以较小的力ii^^'J离。;lUt^照射加热了第一材料层41和第^r^才料层42以致改变了两层的内应力，^ii了剥离，可以用较小的力进frf'J离。jtM卜，此时，虽然示出了假设剥离层43有足够才M成强度的一^H列子，然而，当剥离层43的才M成强度不够时，伊述粘贴固定剥离层43的支撑体(^示)^^进ef'J离。以此方式，形成在第二4才料层42上的剥离层24可以与基片40分离。剥离之后的状态显示在图4C中。jtk^卜，不限于l0^,可以^JI]可见光、红外线、紫外线、卤素灯发出的《敬波等。jH^卜，代替^束，可以在电炉中进行热处理。jtl^卜，粘贴支撑^前，或通过物理方式进行以上剥离之前，可以进行热处理或^照射。itl^卜，本实施例可以与实施例2结合。实施例4#实施例中，除了实施例1，参考图5介绍在第一材料层和第二4才料层之间的界面上形成颗恭形氧^4勿以^ii剥离的一^H列子，其中，图5A示出剥离基片50之前的视图，图5B为剥离基片50步骤的视图，图5C为剥离后状态的视图。在图5A中，参考数字50表示基片，51表示拉伸应力的第一材料层，52a表示孝颠立形氧化物，52b表示压缩应力的第^^f才料层，53表示剥离层。由于直到形成笫一材料层51的步-卩与实施例1相同，因jtt^f略了介绍。形成第一材料层51形成颗4立形氧^4勿52a。对于颗4立形氧^4勿52a，可以佳月金属氧^4勿材料，例如HO(氧^4^氧^^金)、氧^M"氧化锌^r(In2OrZnO)、氧化锌(ZnO)等。P話，当;t^颗恭形氧4t4勿52a时形成第^r^才料层52b。对于第^r^才料层52b，可以^^]例如氧化硅、氮氧^fi^金属氧^4勿材料。顺便提及，可以通过例如溅射法、等离子体CVD法、涂数法等的膜形成法形成第^^才料层52b。随后，在第二材料层52b上形成剥离层53(图5A)。F能，用物理方式剥离提供在第一材料层51上的基片50(图5B)。由于第^r4才料层52b具有压缩应力并且第一材料层51具有拉伸应力，用较小的力就可以进糊离。形成颗4i形氧化物52a减弱了第一材料层51和第二射料层52的结合力，并改变了相互之间的粘附性，^i^了剥离，可以用專交小的力进^f'J离。jtt^卜，此时示出了假设剥离层53有足够才M成强度的"HS列子，然而，当剥离层53的才M成强度不够时，伊Cit粘贴固定剥离层53的支撑体(^示)^进^^离。以此方式，形成在第^^^才料层52b上的剥离层53可以与基片50分离。剥离U的状态显示在图5C中。本实施例可以与实施例2或实施例3结合。下面参考实例详细地介绍具有上述各构成的本发明。实例例l下面参考图6到图8介绍本发明的各例。逸￡，将详细地介乡劲是供在像素部分的周边中形成的像素部^H区动电路的TFT(n沟道型TFT和p沟道型TFT)同时制^^在一个基片上的方法。首先，第一材料层101、第^r^才料层102和基底乡^彖层103形^^基片100上，得到具有晶体结构的半^^膜，然后进^^要形状的腐蚀处理以形成岛形隔离的半导体层104-108。玻璃基片(#1737)可以用偶漆片100。此外，对于第一材料层101,可以使用任何材料，而不必特另u限定，只要它在以后要进行的剥离步骤之前立即具有范围为1-1x101G(Dyne/cm2)的拉伸应力，可以賴金属材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt等)、半导体材料(例如，Si、Ge等)、绝缘材料、有机材料的任何一种的单层或它们的叠层。此时，使用通过溅射法形成膜厚100nm的氮化钛膜。此外，对于第二材料层102,可以使用任何材料，而不必特别限定，只要它在以后要进行的剥离步骤之前立即具有范围为-1至-1x10"Dyne/cm2)的压缩应力，可以使用金属材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt等)、半导体材料(例如，Si、Ge等)、绝缘材料、有机材料的任何一种的单层或它们的叠层。可以使用氧化硅材料或金属氧化物材津衫且成的单层，或它们的叠层。热处理期间，金属层101和第二封料层102之间的结合力很强，不会发生膜剥离(也仅称为"剥离")。然而，通过物理方式在第二材料层内或界面上容易进行剥离。随后，对于M绝缘层103，通过使用等离子体CVD法在40(TC的膜形成温度下形威J"度50nm(伏选10到200ran)由原材料气体SiH4、NH^oN20(组分比Si-32。/。，0=27%,N=24°/c^H=17%)形成的氮氧化珪103a。随后，用臭氧水清洗表面之后，用稀释的氢氟酸(1/100稀释)除去表面上的氧化膜。之后，通过使用等离子体CVD法在400。C的膜形成温度下在其上形成100nm厚(伊逸，50-200nm)由原材料气体S线和N20(组分比Si=32%,059%，N二7。/。和H=2%)形成的氮氧化硅膜l03b,由此形成叠层。此外，不暴露到大气，通过使月等离子体CVD法用SiH4作为膜形成气体在300。C的膜形成温度下形成厚度54nm(优逸，25-80nm)具有非晶结构的半导体层(逸里为非晶硅层)。在本例中，m绝缘层103显示为两层结构，但也可以采用以上乡&m的单层膜或叠置两层或两层以上的膜结构。此外，对于半导体膜的材料没有限制。但优选，通过公知的方式(贼射、LPCVD、等离子体CVD等)使用硅或硅锗(SixGek(X^0.0001"0.02))合金形成。此外，等离子体CVD装置可以是单晶片型或分批型。此外，基底绝缘膜和半导体膜可以斜目同的膜形成室中不接触空气下连续地形成。随后，清決Jr有非晶结构的半导体M4面之后，a面上用臭^/K形^^度约2ran极薄的氧化膜。接着，为了控制TFT的阈值，掺杂微量的杂质元素(硼或磷)。M，^fM离子掺杂法，其中等离子体激活的乙硼烷(B2H6)同时不大量分离(mass-separation)，在下面的掺^f牛下将硼添加到非晶硅膜15kV的加速电压；用氢稀释为ly。乙硼烷的气体:^il为30sccm，2乂1012/0012的剂量。Fte，用旋涂器涂敷含10ppm重量镍的乙酸镍盐溶液。也可以^j]效謝法代^T涂IMWL素喷射在^^表面的方法。接着，进行热处理以进行晶化，由此形成具有晶体结构的半"^g提。对于所迷热处理，进行使用电炉或强光照射的热处理。当利用电炉进行热处理时，可以在500。C-650。C进行4-24小时。这里，进行脱氢作用的热处理(5(XTC，1小时)之后，进行用于晶化的热处理(550°C，4小时)，得到具有晶体结构的硅膜。应该注意，虽然^賴通过电炉的热处理进^亍晶4b，然而，也可以通ii^T退火装置进行晶化。还应该注意，处4細镍作为^ii硅晶化的金属元素的晶^^支术，然而，也可以使用其它爿/^p的晶^^支术，例如，固相生长法禾^激光晶化法。#,通过稀释的氢氟酸等除去具有晶体结构的^II表面上的氧^IR后，在大^氧1中进行笫一就(XeCl:波长308nm)的照射以提高晶4摔刑奮复保留在晶粒内的缺陷。对于〗线，4悄波长400nm或400nm以下的准衬〗肤、或YAG激光的二次谐波或三次谐波。总之，^^]具有约10-1000Hz重复频率的脉冲激光，月W中^t^it过光学系统聚光为100-500mJ/cm2，用90-95%的重合度照射，由jtb43描,划錄面。纽，在空气中30Hz的重复频率、393mJ/cm2的能量密度进行第一^bt的照射。应该指出由于照射在空气中或在氧^A中进行，通过第一激光的照射，氧^M形^4面上。随后，用稀释的氢氟酸除去第一JlUt^照射形成的氧^fe后，在氮^A^真空中进行第二IL光的照射，因此平坦化了半"^g漢的表面。波长400nm或以下的准^ilbt、或YAG〗lUt的二欠谐波或三次谐;;^條lt^(第二0。第二^t^的能量密度大于第一^bt^的能量密度，伊述，大于30-60mJ/cm2。纽，在30Hz的重复频率、453mJ/cm2的能量密度进行第二激光的照射，由此设置半导体膜表面中不均匀度的P-V值(峰到谷，最大值到最小值之间的差异)为50nm或50nm以下。通过AFM(原子力显微镜)可得到P-V值。j)t^卜，^^f列中，虽然在整个表面上进行第二就的照射，然而，由于OFF状态电流的减小影响了像素部分的TFT，因此可采耳^^行选择l^也照射至少像素部賴步骤。F能，通湖臭luK处錄面120秒形成总厚度l-5ran氧"11且成的[^当层。接着，通ii贱射法在F到当层上形^il"150nm含有^t素作为吸气告M立的非晶,。本例溯謝法的膜形成^f牛为0.3Pa的膜形扭力、50sccm的气体(Ar)力tii、3kW的膜形成功率和15(TC的基片温度。应该注意在以上^(牛下，非晶硅膜中含有的I^t素的原子浓度在3x10^/cm3到6x1(P/cm3的范围内，氧的原子浓度在lxl(P/cm3到3xl(y9/cm3的范围内。然后，^^灯退火装置进行650。C、3^4中的热处理i^f^及气。之后，阻挡^f乍为腐蚀终止层选择'l^也除^"有I^素作为吸气"^立的非晶石M，然后用稀释的氢氟S臾选择魁也除去陶当层。应该注意由于吸气时，存在镍容易移动到较高氧密度区域的趋势，因jt傳望吸^^除去由氧W^且成的陶当层。接下来，薄氧化膜用臭氧水形成在具有晶体结构的硅膜(也称做多晶硅膜)表面上^，形成由抗蚀剂制成的掩模，进行腐蚀工艺得到需要的形状，由此形^目互隔离的岛形半"!^^层104-108。形成半^M^层^，除去由抗蚀剂制成的掩樣itt^，用含氩氟酸的腐蚀剂除去氧4，同时，清-^^it表面。形成硅作为主要成分并且将为4fi&維109的纟&練。^^f列中，通过等离子体CVD形^l"度115ran的氮氧^^M(组分比Si二32。/0,0=59°/。，N=7%~H=2%)。接着，如图6A(图6A示出半^!M^层的形^y多^刻莫的形^/第一导电膜和笫二导电膜的形成)所示，在4鹏色纟皿109上，叠置地形成具有20-100nmiJ錄的第一导电膜nOa和具有100400nm麟的第二导电膜110b。在本例中，M"度50nm的氮^4iM和M4度370nm的4l』莫依次叠置^fcf鹏^韌莫109上。对于形成第一导电膜和第二导电膜的导电材料，4躺选自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu或含以J^t素作为它的主要成分的^r材料或^^4勿材料。jtk^卜，可以^^如摻^#杂质元素的多晶石iM^4的半"^^膜，或AgPdCuM怍为第一导电膜和第二导电膜。j):l^卜，本发明不限于两层结构。例如，可以采用三层结构，其中依次叠置50nm膜厚的鴒膜、500nm月錄的铝-硅(Al-Si)合金，以;O^30nm的氮^l爐。Jtl^卜，对于三层结构，代賴的第一导电膜，可以4顿氮化鴒，代彰吕-硅(Al-Si)合金的第二导电膜，可以使用铝-钬(Al-Ti)^r膜，或4錢钛膜代替氮^4爐的第三导电膜。j^卜，也可以采用单层结构。接下来，如图6B所示(图6B示出第一腐蚀工艺)，通过曝光步骤形^i奄模112-117,进行形&胁电招糸布线的第一腐蚀工艺。在第一和第二腐蚀条件下进行第一腐蚀工艺。伊Ci^顿ICP(感应M^离子体)腐蚀法用^^蚀工艺。{铜ICP腐蚀法，通iiit当地调节腐蚀条件(口到线圈型电极的电能、口到基片一侧电极的电能、基片一侧电极的温度等)将"魏蚀成需要的锥形。应该注意，可以适当地^^]由Cl2、BC13、SiCU、CCI4等^^的I1S气体、由OVSF6、NF3等^C4的|14气#02作为腐蚀气体。在本例中，提供150W的RF(13.56MHz)电源^t!lifc^到基片(样品台)，J4U^口负自偏置电压。应该注意基片的电极面积的尺寸为12.5cmx12.5cm,线圈型电极(ii^为提供有线圈的石英圓盘)的尺寸为直径25cm。在第一腐蚀条件下，腐蚀W膜将第一导电层的端部形成锥形。第一腐蚀条件下，对W的腐蚀速率为200.39nm/min,对TaN的腐蚀速率为80.32nm/min，W对TaN的选择率约为2.5。jH^卜，w的锥角约26。。jtt^，不除去由抗蚀剂组成的掩模110-115第一腐蚀条件变为第二腐蚀制牛。^il]CF4和Cl2作为腐蚀气体，气体的矛uii设置成30/30sccm，在1Pa压力下将线圈型电极接通500W的RF(13.56MHz)电源以产生等离子体，由》bii行约30秒的腐蚀。也接通20W的RF(13.56MHz)电源也口到基片一侧(样品台)，^i4Ui^口负自偏置电压。在第二腐蚀^f牛下，混合CF4和Cl2,W膜和TaN膜以同等水平腐蚀。在第二腐蚀^f牛下对W的腐々4ii率为58.97nm/min，对TaN的腐烛速率为66.34nm/min。应该注意为了进行腐蚀同时在4鹏^4J^Ji没有剩余的残留物，以约10-20%的比例增力口腐蚀时间。在以上介绍的第一腐蚀工艺中，适当地调节由抗蚀剂组成的掩模形状，由于施加到基片侧上的偏压的影响，第一导电层的端部和第二导电层的端部为锥形。4焦形部分的角a分地i殳置为15到45°。由此，通过第一腐蚀工艺形成由第一导电层和第二导电层(第一导电层119a-124a和第二导电层119b424b)组成的第一形状的导电层119-124。腐蚀成为4鹏&彰莫的^iM109约10-20nm，成为4鹏色乡繊118，其中没有^l^一形状的导电层119-124覆盖的区域减薄DFte，进行第二腐蚀处理同时不除去由抗蚀剂组成的掩模。^j]SF6、Cl2和O2用做腐蚀气体，使气体的流速设置为24/12/24sccm，700W的RF(13.56MHz)电源施加到线圈型电极，产生L3Pa压力的等离子体。IOW的RF(13.56MHz)电源口到基片一側(样品台)，MJi^口负自偏置电压。在第二腐蚀工艺中，对W的腐蚀速率为227.3nm/min,对TaN的腐蚀速率为32.1mn/min,W对TaN的选择率为7.1,对为參&維118的SiON腐蚀速率为33.7nm/min,W对SiON的选择率为6.83。当sf6用^^蚀气体时，如上所断纟&彖膜118的选择率很高，因此可以抑制月錄减少。在本例中，在*^媒118的厚度^f叉减少约8nm。通过第二腐蚀工艺，W的锥角变成70。。通itf二腐蚀工艺，形成第二导电层126b"131b。另一方面，几乎不腐蚀笫一导电层，成为第一导电层126a-131a。应该注意第一导电层126a-131a的尺寸几乎与第一导电层119a-124a相同。实际上，虽然有时与第^^^蚀工艺之前相比第一导电层的^^减少约0.3mhi，即，整个线宽减少约0.6)um。然而，第一导电层的尺寸几乎没有变化。jH^卜，代替两层结构，采用三层结构，其中麟50nm的鴒膜、麟500nm的膜厚的铝-硅(Al-Si)合金，以及30nm的氮^iy莫依次叠置，对于第一腐蚀工艺的第一腐蚀条f牛，其中BC13、Cb和02作为原材料气体；气体的流速设置为65/10/5(sccm);300W的RF(13.56MHz)电源口到基片^(则(样品台)；在1.2Pa压力下450W的RF(13.56MHz)电源^口到线圈型电极，产生等离子体，腐蚀进行117秒。对于第一腐蚀工艺的第二腐蚀条件，^ffiCF4、Cl2和02，气体的^iti殳置为25/25/1Osccm,20W的RF(13.56MHz)电源;^口到基片"H则(样品台)；在1Pa压力下500W的RF(13.56MHz)电源施加到线圈型电极以产生等离子体。采用以上条件，可以充分^ii行约30秒的腐蚀。在第二腐蚀工艺中，使用BCl3和Cl2，气体的^iii殳置为20/60sccm,100W的RF(13.56MHz)电源淑口到基片"W(样品台)，在l,2Pa压力下将600W的RF(13.56MHz)电源口到线圈型电极以产生等离子体，由jtbii行腐蚀。F能,除去由抗蚀剂组成的掩模，然后进行第一掺杂工艺得到图6D的状态(图6D示出第二腐蚀工艺)。通过离子掺杂法和离子^^v法进4豫杂工艺。在为1.5x10Matom/ci^的剂量，60-100keV的力口速电压的^f牛下进行离子掺杂。对于赋予n型导电类型的杂质元素，通常^^磷(P)或砷(As)。此时，针对赋予n型导电类型的杂质元素掩^一导电层和第二导电层126-130,以自对准方式形成第一杂质区132-136。在1x1016到1x1017/cm3的浓度范围内添加赋予n型导电类型的杂质元素到第一杂质区132-136。逸￡,具有与第一杂质区域相同浓度的区域"^f尔做n—区。应该注意在本例中，除去由抗蚀剂组成的掩才軟后，进行第一掺杂工艺，也可以同时不除去由抗蚀剂制成的掩模进行第一掺杂工艺。接着，如图7A所示(图7A示出第^^l参杂工艺)，形^fet虫剂构成的掩模137-139，进行第4杂工艺。掩模137为保护形^m动电路的p沟道型TFT的半"!H^层的周边区和沟道形成区的掩模，掩模138为保护形^J区动电路的n沟道型TFT之一的半^^层的沟道形成区的掩模，掩模139为^f呆护形威i象素部分的TFT半"^^层的周边区和^^诸电容器的沟道形成区的掩模。第4杂工艺中离子掺杂的^f牛为剂量1.5xl(y5atom/cm2;60-100keV的加速电压，掺磷(P)。这里，用第二导电层126W28b作为掩模，以自对准方式在抖"^^层中形成杂质区。当然，用掩模137-139綠的区域不添加磷。由此，形成第二杂质区140-142和第三杂质区144。在1xlWo到1xlWVcm3的浓度范围内将赋予n型导电类型的杂质元素添加到第二杂质区140-142。M，与第二杂质区域具有相同浓度范围的区域^i尔做n+区。jtt^卜，由第一导电层以低于第二杂质区的浓度形成第三杂质区，在lxl0"到1x10，cn^的浓度范围内添加赋予n型导电类型的杂质元素。应该注意由于通过使杂质穿过具有锥形的第一导电层进4嫌杂，因此第三杂质区具有杂质浓度朝锥形部分的端部杂质浓度增加的浓度梯度。这里，与第三杂质区域具有相同密度的区域^尔做n—区。jtb^卜，在第二掺杂工艺中由掩模138和139M的区域没有添加杂质元素，由此变成第一杂质区146和147。接着，除去由抗蚀剂制成的掩模137-139,新形成由抗蚀剂制成的掩模148-150,如图7B所示(图7B示出第三掺杂工艺)，进行第三掺杂工艺。在驱动电路中，通过以上介绍的第三掺杂工艺，形成第四杂质区151、152和第五杂质区153、154，其中将赋予p导电类型的杂质元素添加到形成p沟道型TFT^#^电容器的半^^层。jH^卜,赋予p导电类型的杂质元素以1x1(^到1x1021/0113的浓度范围添加到第四杂质区151、152。应该注意，第四杂质区151、152中，为在前面步骤中已添加磷(P)的区域(n—区)，但以1.5到3倍磷浓度的浓度添加赋予p型导电类型的杂质元素。由此，第四杂质区151、152具有p型导电类型。这里，与第四杂质区域具有一目同沐度范围的区域^f尔做p+区。it(^卜，在与笫二导电层127a的锥形部分重叠的区咸上形成第五杂质区153、154。在lxl0化到lxltfO/cmS的浓度范围内添加赋予p型导电类型的杂质元素。这里，与第五杂质区域具有相同浓度范围的区域^^尔做p-区。通过以上介绍的步骤，具有n型或p型导电类型的杂质区形il^M^^层中。导电层126429变为TFT的栅电极。oH^卜，导电层130变为电极之一，形成像素部分中的存4诸电容器。》M卜，导电层131形成j象素部分中的源布线。卩話，形ilM几乎整个表面的绝缘漢(未示出)。#例中，通过等离子体CVD法形成50nm厚的氧^^J]莫。当然，绝乡繊不P艮于氧^^1莫，也可以4顿其它含石B衫勅频于单层或叠层结构中。接着，进布敫活添加到M^H^层的杂质元素的步骤。在该激活步骤中，使用灯光源的'fcii热退火方法(RTA法)、或从背表面照射从YAG^bt器或准分子^bt器;^射的光的方法、或这些方法的组合的方法。jll^卜，在本例中，虽然示出了激活之前形成乡&的例子，但也可以在激活^进行形;^繊的步骤。接下来，形成由氮4bfii且成的第一层间乡fe^M155，进行热处理(在300-55(TC进行1-12小时的热处理)，由;tb^行氪化半^!M^层的步骤(图7C激活/氬化)。该步骤为通过^"在第一层间乡fe^M155中的IU冬止半"M^层的悬桂键的步骤。无论是否存在由氧^/圭形成的绝纟勤莫(未示出)，诸阿以氪化半"^^层。顺便提及，在本例中，含有主要成分为铝的材料用啦錄二导电层，因此热处理^f牛很重要，以使篇二导电层能够承受氬化步骤。对于其它的氬化方法，可以进行等离子体氬化(使用等离子体激活氢)。随后，在第一层间乡&刻莫155上形成由有才Ai色纟斜杉i"形成的第二层间^^M156。在本例中，形^j^l.6Mm的丙烯树脂膜。接着，形彭)J达源布线131的接触孑L、分别到达导电层129、130的接触孔以^J)J达M质区的接触孑L在本例中，依次进行几个腐蚀工艺。在本例中，利用第一层间纟fe^M作为腐蚀终止层腐蚀第二层间乡fe4fe^,利用绝纟刻莫(未示出)作为腐蚀终止层腐蚀第一层间纟^繊，然后腐蚀纟衫維(未示出)。it(^",使用A1、Ti、Mo、W等形成布线和像素电极。作为电极和像素电极的材料，需^ft^a性优良的材料，例如含Al或Ag作为它的主要成分的膜或以M的叠层。由此，形成源电极或漏电极157-162、栅极布线164、连接布线163和像素电极165。如上所述，可以拟目同的基片上形成具有n沟道型TFT210、p沟道型TFT202和n沟道型TFT203的驱动电路206、具有由n沟道型TFT和4i者电容器205组成的像素TFT204的像素部分207(图8层间《^勤莫的形^/象素电极和布线的形成)。在本说明书中，为方i"^L，这种基片称做有源矩阵基片。在像素部分207中，像素TFT204(n沟道型TFT)具有沟道形成区169、在形成栅电极的导电层129的夕KP形成的第一杂质区(n—区)147、以a源区或漏区作用的笫二杂质区(n+区)142和171。jtUt，在作为务賭电容器205的一个电极的半导体层中，形成第四杂质区152、第五杂质区154。用纟^iM(与相J^^M相同的膜)116作为介质的由第二电极130和半"fH^层152、154和170构^4^者电容器205。jHi^卜，在驱动电路206中，n沟道型TFT201(第一n沟道型TFT)具有沟道形成区166、通it^^M与形成栅电极的导电层126的-"t卩分重叠的第三杂质区(n—区)144、以及怍为源区或漏区的第二杂质区(n+区)140。jtb^卜，在驱动电路206中，p沟道型TFT202具有沟道形成区167、通击&彖膜与形威栅电极的导电层127的""^分重叠的第五杂质区(p-区)153、以及作为源区或漏区的第四杂质区(p+区)151。iH^卜，在驱动电路206中，n沟道型TFT203(第二n沟道TFT)具有沟道形成区168、在形^败电极的导电层128的夕陶形成的第一杂质区(n—区)146、以及怍为源区或漏区的第二杂质区(n+区)141。通itit当iMa合这些TFT201-203，形^#位寄存器电路、緩冲电路、电平移相器电路、锁存电路等，由此形^r驱动电路206。例如，形成CMOS电路时，n沟道型TFT201和p沟道型TFT202可以互^4iki^接。特别是，对于驱动电压高的緩沖电路，为了防止由于热载流子步i^造成的退化，n沟道型TFT203的结构4^it合。itt^卜，对于可靠性被认为是头等重要的电路，适合采用GOLD结构的n沟道型TTT201的结构。jtl^卜，通过提高半"^^膜的表面平坦度可以提高可靠性。由此，在具有GOLD结构的TFT中，即使减少借助4鹏^維与栅电极重叠的杂质区面积，也可以获得足够的可靠性。"I^M也，在具有GOLD结构的TFT中，通选咸少为栅电极锥形部分的尺寸可以获得足够的可靠性。it"卜，在具有GOLD结构的TFT中，当栅^^4I莫辟&蓴时，寄生电容增加。然而，栅电极(第一导电层)锥形部分的尺寸较小，寄生电容咸少，由此'N争性(频率特性)改善，进而可以高速操怍，具有足够的可靠性。应该注意，同样在像素部分207的像素TFT中，通it^二';lt^的照射可以减少OFF电^if口减少护C动。》&卜，在本例中，显示了用于形^^型显示器件的有源矩阵基片的例子。然而，如果像素电极由透明导电膜形成，虽然光掩模的数量增加一个，但可以形^it，显示器件。otW卜，在本例中，^J]玻璃基片；然而，基片不必特别限定为玻璃基片，也可以使用石M片、半^M^基片、陶變基片和^r属基片。itW卜，得到图8的状态^，如果提供在第^^才料层102上含TFT的层(剥离层)具有足够的才;a成强度，那么基片ioo可以剥离掉。第3才料层具有压缩应力；第一材料层具有拉伸应力，所以可以较小的力剥离。由于剥离层的才M成强度不够，因此需要粘贴到用于固定的支撑R后，将剥离层剥离。例2^^例中，下面将介绍从例l中制备的有源矩阵基片上剥离掉基片100制备有源矩阵型液晶显示装置，并粘贴塑料基片的步骤。用图9介绍，其中图9A示出形絲源矩阵基片后的状态，图9B示出粘结支撑^^;iA液晶后的状态，图9C示出剥离基片后的状态，图9D示出粘结传送体后的状态。在图9A中，参考数字400表示基片，401表示第一材料层，402表示第二4才料层，403表示M绝缘层，404a表示驱动电路413的元件，404b表示像素部分414的元件，405表示像素电极。处术语元件是指用做像素的开关元件的半科元件(通常为TFT)、MM元件等。图9A中所示的有源矩阵基片为简化的图8所示有源矩P车基片，图8中的基片IOO对应于图9A中的基片400。翻W也，图9A中的参考数字401对应于图8中的参考数字101,图9A中的参考数字402对应于图8中的参考数字102，图9A中的参考数字403对应于图8中的参考数字103,图9A中的参考数字404a对应于图8中的参考数字201和202，图9A中的参考数字404b对应于图8中的参考数字204，图9A中的参考数字405分别对应于图8中的参考数字165。首先，根才MU,得到图8状态的有源矩P车基片^，在图8的有源矩阵基片上形成耳又向膜(orientedfilm)406a,进行摩擦(rubbing)处理。顺便4是及，在本例中，形成取向膜之前，通过图#[匕如丙烯@交树脂的有才/1#脂膜在需要的位置形成^#基片间隔的柱状的隔离层(spacer)(未示出)。jtt^卜，代4夺柱^大隔离层，球形隔离层可以口在基片的整个表面上。Fte,制桐夸成为支撑体407的M片。a片酉e^-有根据各像素设置彩色层和储紅的滤色器(未示出)。絲IL^lL形絲部分驱动电路中。形腿盖彩色滤光器和M蔽层的平坦化膜(未示出)。接着，透明导电膜的反电极(counterelectrode)408形M像素部分中的平坦^^上，取向膜406b形^反基片的整个表面上，并进行摩^^:理。然后，将包^f象素部斜口驱动电路于其内的有源矩阵基片400和支撑体407用密封材料相互粘贴在-^，该密封材料^津M妄层409。填料添加到密封材料，借助4^^口柱状隔离层，两片基片以均匀的间隔相互粘贴在""^。然后，在两个基片之间，^/v液晶材料410并用密封剂(未示出)完全密封(图9B)。可以使用^f可已知的液晶材料作为液晶材料410。#，剥离掉其上形贿第一材料层的基片400(图9C)。由于第^#料层402具有压缩应力并且第一材料层401具有拉伸应力，因此用较小的力就可以进根'J离。接着，通过环M"脂或类似物的津W妄层411将所得支撑体粘贴到传送体412。在本例中，传送体412为塑料im片使它重量较轻。以此方式，完成了柔性和有源矩阵型液晶显示装置。如果需要，将柔性基片412或M片切割成需要的形状。jtb^卜，^^]//^口的技极当地设置极^^反(未示出)。之后，^^]/^口的技术粘贴FPC(未示出)。例3在例2中，示出了粘贴作为支撑体的a片和注入液晶^，剥离基片并粘贴塑料基片作为传送体步骤的一个例子。在例3中，如图8所示，下面将介绍形^源矩阵基片^，剥离基片，粘贴塑料基片作为第4送体以及塑料基片作为第二传送体的例子。使用图IO进行介绍，其中图10A示出形成有源矩P车基片后的状态，图10B示出剥离基片后的状态，图IOC示出粘结传送体后的状态，图IOD示出粘结基片后的状态，图10E示出^/v液晶后的状态。在图IOA中，参考数字500表示基片，501表示第一材料层，502表示第J^才料层，503表示絲纟^彖层，504a表示驱动电路514的元件，504b表示像素部分515的元件，505表示像素电极。图10A中所示的有源矩阵基片为简化的图8所示的有源矩阵基片，图8中的基片IOO对应于图9A中的基片500。类^i也，图10A中的502对应于图8中的102，图10A中的503对应于图8中的103，图10A中的504a对应于图8中的201和202,图10A中的504b对应于图8中的204，图10A中的505分别对应于图8中的165。首先，根据例l,得到图8状态的有源矩阵基片^，剥离掉其上形贿第一材料层的基片500(图10b)。由于第^f才料层502具有压缩应力并且第一材料层501具有拉伸应力，因此用较小的力就可以进刊喇离。接着，用环氧树脂或类似物的粘接层506将所得支撑体粘贴在传送体507(第"H专送体)上。在本例中，传送体507为塑料片使它重量较轻(图10C)。P紹，形力十准膜506a^ii行摩搭^:理。顺便提及，在本例中，形勿于准膜之前，通过构图例如丙烯树脂等有^^对脂膜在需要的位置形成##基片间隔的柱状的隔离层(未示出)。代替柱状隔离层，也可以在基片的整个表面上分布球形隔离层。F紹，制翻夸成为支撑体510的錄片。錄片酉沐根据各像素设置彩色层和iW^的彩色滤光器(未示出)。^#1^也形#部分驱动电路上。形成复氛彩色滤光器和iW蔽层的平坦化膜(未示出)。接着，透明导电膜的反电极509形^f^像素部分中的平坦^M上，取向膜508b形^v^片的整个表面上，进行摩躲理。然后，连接像素部^^口驱动电路的塑料膜基片507和支撑体510用将成为粘4娄层512的密封材泮牛相互粘贴(图10D)。填料添加到密封材料，借助i颠辆口柱状隔离层，两片基片以均勾的间隔粘贴在^fe。然后，在两个基片之间，注入液晶材泮+513并用密去于剂(未示出)完全密封(图10D)。可以4錢/>^的液晶材泮，为液晶才才术牛513。以此方式，完成了柔性和有源矩P车型液晶显示装置。如果需要，将柔性基片507或a片切割成需要的形状。jt!^卜，^^7^口的技极当地设置极4^反(未示出)。之后，佳月/z^口的技扣阽贴FPC(未示出)。例4参考图11中的俯视图介绍根l刷列2或例3得到的液晶组件的结构。根才射列2的基片507或根据例3中的基片507对应于基片301。像素部分304设置在基片301的中央。驱动源极信号线的源极信号线驱动电路302设置在像素部分304上。驱动栅极信号线的栅极信号线驱动电路303设置在像素部分304上的左#右边。虽然在本例中栅极信号^r驱动电路303相对于像素部分对称，但是液晶组件中也可以仅有一个栅极信号线驱动电路设置在像素部分的一边。对于以上两种选择，设计者可以根据液晶组件的基片尺寸等选择更适合的布局。然而，就电路工作的可靠性、驱动效率等而言，伊述图11所示的栅极信号线驱动电路的对称布局。信号由柔性印制电路板(FPC)305输AiiJ驱动电路。在层间^^維^H^脂膜中开出接触孑L^^^i^接电极309^,压入FPCs305穿过各向异性导电膜等以到达设置在基片301给定位置的布线。在本例中连接布线由ITO形成。沿环绕驱动电路和像素部分的基片周i^口密封剂307。通过密封剂307錄片4'M妄到基片301,同时预先在M4片上形成隔离层，以j緣两个基片之间的距离不变。通选殳有被密封剂307M的基片区域;认液晶材料。然后通^tt端密封材料308密封基片。通过以上步骤完成了液晶组件。虽然^il^显示的例子中在膜基片上形成了所有的驱动电路，但是一些IC也可以用做一些驱动电路。该例可与例1自由结合的扭J亍。例5例1示出了示范性由具有反射性的金属材料制成的像素电极的^^型显示器件。在本例中，显示的是像素电极由itit导电膜形成的示范'hiit射显示器件的一顿子。直到形成层间会衫刻莫的步骤的制造工艺都与例1的工艺相同，因jH^il^省略了介绍。根才刷列1形錯间纟&^，形成由透光导电膜形絲光的像素电极601。对于透光的导电膜，可以使用rro(氧^40*金)膜、氧^l因-氧化锌(In2OrZnO)膜、氧化锌(ZnO)等。jtb^，在层间乡^iM600中形威j妄触孔。接下来形成与像素电极重叠的连接电极602。连接电极602通过接触孑L^接到漏区。形^i^接电极的同时，也形成另一TFT的源区或漏区。i!E，显示除了在基片上形成了所有的驱动电路的一^S列子。然而，一些IC也可以用做驱动电路的一p分。如上所述形成了有源矩阵基片。^^]该有源矩P车基片，剥离基片^，具有压缩应力(未示出)和拉伸应力的塑料基片相互粘贴，才財居例24制造液晶组件，提供有背光604和导光板605，并设置盖板606,由此完成了图12所示部分剖面图的有源矩阵液晶显示器件。佳月一對絲d或有才A4对脂将盖板606和液晶组件相互粘贴。jtb^卜，通錄框架和基片之间的空间填絲才/^对脂以环^f匡架，将塑料基片津M妻到a片。由于显示器件为透光型，因此塑料基片和a片都需要津材斜及^41603。该例可以与例1到4自由地i且合。例6在本例中，参考图13介绍制造具有形成在塑料基片上EL(电l汰光)元件的B器件的一个例子，其中图13A示出形^t件后的状态，图13B示出粘结支撑^^的状态，图13C示出剥离基片后的状态，图13D示出粘结传送体后的状态。在图13A中，参考数字700表示基片，701表示第一材料层，702表示第_=4才料层，703表示tt纟^彖层，704a表示驱动电路711的元件，704b和704c表示像素部分712的元件，705表示OLED(有才復光器件)。此时，纽术语元件是指在有源矩阵型发光器件中用做像素的开关元件的半导体元件(通常为TFT)或MM元件、OLED等。然后形^&这些元件的层间^^l莫706。伏g间乡^彖膜706比形m^后的表面更平坦。顺便提及，可以不需要提供层间绝乡勤莫706。才艮据实施例2到4中的4—个，在基片700上形献701到703。可以根据以上介绍的例1的n沟道型TFT201和以上^H召的p沟道型TFT202形錄些元件(包4舌704a、704b和704c)。OLED705包括能够通ii^。电场产生电致发光的有^/f給物(有机发^i才料)的层(下文称做有机发献)、阳才X^和阴才^。有才/U^4勿中的发光，包括当由单^^态返回到基态时的J^it(荧光)和当由三重^t^态返回到基态时的发光(磷光)，本发明的狄器件基于两种类型狄的一种或两种。在本说明书中，形^^OLED的阳极和阴极之间的所有层都P艮^有才^H有扭发MM包4舌发ib^、空穴注M、电子;i7v层、空穴传输层、电子传输层等。M上，OLED具有似匕;^^叠置的阳才l/发i"e^/阴极的层结构，除了该结构^卜，还有以此次序的层结构阳才l/空穴注A^/发^^/阴极，或阳fe/空穴注/v^/发^^/电子传输层/阴极。通过以上介绍的方法得到图13A的4大态时，通ii^對秦层707粘贴支撑体708(图13B)。在本例中，塑料基片用估i^撑体708。JW^地，对于支撑体，可以使用具有lO^m或lOpm以J^I"度的树脂基片，例如，聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、^十笨二曱酸乙二酯(PET)、或聚恭二曱酸乙二酯(PEN)。此时当乂人OLED看支撑体708和粘接层707位于，I^者一侧(发光器件的使用者一側)时，支撑基片708和津財妾层707为透ib^料。卩能，通过物理方式剥离￡4是供有第一材料层701的基片700(图13C)。由于第j^杉牛层702具有压缩应力并且第一材料层701具有拉伸应力，因此用较小的力就可以进^f'j离。接着，用环氧树脂或类似物的粘接层709将所得基片粘贴到传送体710(图13D)。在本例中，传送体710为塑料月tt片以使它重量较轻。以此方式，可以得到夹在具有柔性的支撑体708和具有柔性的传送体710之间的柔性发光器件。顺便提及，如果支撑体708和传送体710为一种材料，那么热膨胀系数相等，因此器件4M,忍受温度变化引起的应力变形的影响。如果需要，可将具有乘1"生的支撑体708或柔性传送体710切割成需要的形状。^j^^口的技^f'占贴FPC(未示出)。例7在例6中，介绍了剥离基片^，粘贴支撑体，并粘贝W乍为传送体的塑料基片步骤的"HM列子。在例7中，将介绍通过步骤剥离基片、粘贝W乍为第"Hi送体的塑料基片和作为第二传送体的塑料基片在""^^制造EL(具有元件的发M示器件)的一^H列子。参考图14进行介绍，其中图14A示出形^t件后的状态，图14B示出剥离基片后的状态，图14C示出粘结传送^^口基^i才料后的状态。在图14A中，参考数字800表示基片，801表示第一材料层，802表示第^4才料层，803表示基底纟^彖层，804a表示驱动电路811的元件，804b和804c表示像素部分812的iU牛，参考数字805表示OLED(有才玻光器件)。此时术语元件是指在有源矩阵类型发光器件中用做像素的开关元件的半"M^元件(通常为TFT)或MM元件、OLED等。然后形成层间^4J漢806M所有这些元件。伏选层间乡&維806比形^的表面更平坦。顺便提及，可以不需要提供层间彰練806。根据实施例2到4中的j封可一个，在基片700上形成层801-803。可以根据以上介绍的例1的n沟道型TFT201和以上^h绍的p沟道型TFT202制备这些元件(包括804a、804b和804c)。通过以上介绍的方法得到图14A的状态时，通过物理方式剥离掉其上已形成有第一材料层801的基片800(图14B)。由于第J^才料层802具有压缩应力并且第一材泮+层801具有拉伸应力，因此用较小的力就可以进frl'J离。接着，用环IU^脂或类似物的4對妄层809将所得基片粘贴到传送体(第一传送体)810。在本例中，传送体810为塑料片可以使它重量较轻。F始，^f^M妄层807将获得的村底粘贴到JJ^才料(第二传送体图14C)。在本实施例中，塑料基片用^^^#料808。^rfr地，对于传送体810和基^#料808，可以4狄具有IOmiii或10pm以JJ^度的树脂基片，例如，^M砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、彩十苯二曱酸乙二酯(PET)、或聚萘二曱酸乙二酯(PEN)。此时，当从OLED看^I^^料808和津^姿层807位于M^者"H则(发光器件的使用者"~)时，基;1#料808和蜂對妄层807为透>^才料。以此方式，可以得到夹在具有柔性的^#料808和具有柔性的传送体810之间的柔4嫂光器件。顺便提及，如^^才料808和传送体810为一种材料，那么热膨胀系数相等，因》&#以承受温度变化引起的应力应变的影响。如果需要，可将具有柔性的Mi才料808和传送体810切割成需要的形状。^j]/;^p的技^^占贴FPC(未示出)。例8下面参考图15的4脉f见图"^绍4財居例6或例7得到的EL(电lt^光)的结构。根据例子传送体810对应于月片900。图15A示出了EL组件的《射见图，图15B为沿图15A的线A-A'的剖面图。在图15A中，具有柔性的月m片900上(例如，塑料基片等)形成具有压缩应力的膜901(例如氧^^勤莫)，在其上形成像素部分902、源极侧驱动电路904以及栅极侧马区动电路903。根据以上^h绍的例子1或2可以得到像素部^H区动电路。踏，参考数字918表示有城脂，参考数字919表示保护膜。像素部妙驱动电路部分由有才/l^脂918覆墓，有积树脂由保护膜919覆盖。jtb^卜，4躺粘结剂用盖部件920密封保护膜919。在剥离作为支撑座之前连接盖部件920。伊遞为了承受由于热和外力变形，盖部件920由与基片900相同的材料制成，例如，为一塑料基片处理材料以具有图15B所示的凹形(深度3-10jum)，用于盖部件920。jtb^卜，进一步加工材料形成能设置干燥剂921的凹形部分(深度50-200Mm)。jtb^卜，制造多个EL组件时，将基片和盖部件粘贴在^^^，^f躺COJ狄等切省'H吏端面相互匹配。应该注意参考数字908表示用于传送输A^j源驱动电路904和一断刑驱动电路903的信号的布线，并接收来自为夕陶输入端的EPC(柔性印制电路)909的视颠信号和时钟信号。应该注意M^l^图中示出了FPC，但是印制布^i反(PWB)安#FPC上。本说明书中的发光器件不仅包括发光器件的主体也包括安彭UFPC或PWB的发光器件。接下来，参考图15B介绍剖面图。具有热传导性的膜901形^y^4片900上，并i!J^彖膜910提供在其上，像素部分902和##贩动电路903已形成在绝乡910上，多个像素组成像素部分902，像素包括电连接到电矛ii空制TFT911漏极的电^i空制TFT911和像素电极912。jM^卜，^^其中组合n沟道型TFT913和p沟道型TFT914的CMOS电路形^f射则驱动电路903。冲艮据例1的n沟道型TFT和p沟道型TFT制造以上TFTs(包括911、913和914)。顺便提及，根据例1和2拟目同的基片上形成像素部分902、源側驱动电路904和##鹏动电路903^r，根据实施方式，进一步连接支撑座(处指盖部件)jW^剥离基片(未示出)，粘贴麟片900。jtMh盖部件920制成图15B所示的凹状时，连接变为支撑座的盖部件920部分布线引出端(连接部分)^^为^^M910,由jH^;a成强度变弱，因此需要剥离之前需要粘贴FPC909^H顿有才/^t脂922用于固定。注意，对于提供在TFT和OLBD之间^^l莫的材料，优选材料不仅能I^当例如碱金属离子、石Ai金属离子等的杂质离子的扩散，也可以主动地吸收例如碱金属离子、石肚金属离子等的杂质离子，》t^卜，材料能够承錄续工艺的温度。对于满足这些条件的材料，作为一个例子，列举了含大量氟的氮^^圭膜。含在氮化石娥中的氟密度为lxl0，cm3或以上，伏选，氮^5M中氟的组分比为1到50/。。氮^5爐中的IU吉合到碱金属离子或石肚金属离子，并吸^J)J膜中。jtl^卜，对于另一个例子，存在含有吸收碱金属离子，石i^金属离子等的由锑(SbH^4勿、锡(Sn)4^物、或铟(In)^^物组成的细小颗粒的有才;U对脂膜，例如含五氧化锑细小颗粒(Sb205.nH20)的有扭树脂膜。应该注意该有4M对脂膜含有平均颗粒尺寸为10-20叫的细小颗4立，透MW艮高。由该五氧^4弟细小颗4^4示的锑^^^勿可能吸收例如碱金属离子或;Ai金属离子的杂质离子。像素电极912敞^L件(OLED)的阴极的作用。jtM卜，堤岸(bank)915形絲像素电极912的两端，发it^L件的有枳^^物层916和阳极917形錄像素电极912上。对于有才/M給物层916，通过自由地i且合发光层、电荷传输层和电荷注M可以形M才/^lb^4勿层(用于发光^H吏载流子为此迁移的层)。例如，可以4^H氐衬量有才/M^4勿材^^高衬量有才A^^4勿材料。jtb^卜，对于有才A4^4勿层，可以使用由于单重激发态发光(荧光)的发光材料(单重态^^物)组成的薄膜，或由于三重^t^态发光(磷光)的发i^才料(三重态^^f勿)组成的薄膜。jtl^卜，例如碳化珪的无机材料能够用做电荷传输层或电荷';认层。对于可以佳月的已知的材料用于有机EL材料或^^H"料。阴极917也作为所有的像素共同的布线，^H昔助连接布线908电连接到FPC909。jtM卜，含在像素部分902中和栅极侧驱动电路903上的元件都由阴极917、有才赠脂918以及保护膜919亂应该指出对于有才/l^脂918，伊逸采用够透过可见^t4半透明的材料。jtb^卜，希望有才M对脂918由尽可能少穿透湿气或氧的材料形成。jH^卜，利用有才A^t脂918完全lJj^^t件^,仂Ci&保护膜919至少提供絲才/L^脂918的表面(露出的表面)上，如图15所示。jtb^卜，保护膜可提供在包括基片背面的整个表面上。这里，需要注意保护膜没有淀积在提供夕h"^输入端子(FPC)的那部分上。为了不形成保护膜可利用掩模。、换句^i兌为了不形成4呆护膜，夕陶输入端子部分可用由Teflon(注册商标)形成的带等M,该带在CVD装置中用作掩蔽带。通过用以上介绍结构中的保护膜919密封发it^L件，发^L件可以完全FiUL外部影响。由此，可以防止^ii由于有才/M^物层氧^it成的退化，例如,WI^卩渗透的湿气或氧。Jt^卜，由具有导热性的膜也可以发散，因此可以得到具有高可靠性的发光器件。然而，可以釆用像素电极为阳极，有才;i4^物层和阴极叠置的结构，由》化与图15中相反的方向中发光。图16示出了它的一个例子。应该指出，由于该例子的俯-见图与图15的相同，因jH^皮省略。下面介4召显示在图16中的剖面结构。^^Ml010提供在膜基片1000上，形成像素部分1002和栅极#鹏动电路1003在纟&維1010上，通过由具有电连接到电^i空制TFT的漏极的控制电流TFTlOll和像素电极1012的多^f象素组成。注意根据实施方式，剥离掉形^^基片上的剥离层^，粘贴麟片l歸。》&卜，^J]组合n沟道型TFT1013和p沟道型TFT1014的CMOS电路形^#极侧驱动电路訓。根据以上例1的n沟道TFT201、p沟道TFT202可以制造il些TFT(^i舌1011,1013，1014)。像素电极1012作为发itiL件的阳极。jtW卜，堤岸1015形成在像素电极1012的两端，发i"^L件的有才;U^4勿层1016和阳极1017形成在像素电极1012上。阴极1017也作为所有像素的公共布线，并借助连接布线1008电连接到FPC1009。jt"卜，含在像素部分1002和栅极,妈区动电路1003中的所有元件由阴极1017、有^N^t脂1018和保护膜1019M。jt!^卜，^^津M絲'J连接盖部件1020。jtb^卜，在盖部件中提供凹陷部分，干歸'U02Utt在其中。jtt^卜，当盖部件1020制成图16所示的凹4犬时，连接变为支撑座的盖部件1020部分布线引出端(部^i^接)仅变为乡&1010，由j^M成强度变弱，因此需要剥离之前需要粘贴FPC1009^H躺有才;U^脂922用于固定。jtk^卜，在图16中，像素电极为阳极，有才A4b^4勿层和阴极叠置，因jt汰光的方向为图16中箭头所指的方向。注意虽然在例8中介绍了顶栅TFT，然而，本发明可以适用而不考虑TFT的结构，可以采用^4册(反相交错)TFT和交错TFT作为例子。例9在例8中，示出了^f錢顶栅TFT的一^H列子，然而也可以^^^ft^TFT。il^f細;^册型TFT的一^H列子显示在图17中。如图17所示，所有的n沟道型TFT1113、p沟道型TFT1114以及n沟道型TFT1111都制成具有^f孵吉构。可以通过已知的技术制造它们的底4鹏吉构。顺便提及，这些TFT的有源层可以是具有晶体结构的半^^膜(多晶硅等)或具有非晶结构的半"^^膜(非晶石圭等)。》!^卜，在图17中，参考数字1100表示柔^^片(例如，塑料基片等)，1101表示具有压缩应力的膜(例如，氧^f娥)，1102表示像素部分，1103表示栅极侧驱动电路，1110表示纟^泰膜，1112表示像素电极(阴极)，1115表示iM，1116表示有才/M^4勿层，1117表示阳极，1118表示有才/L^脂，1119表示保护膜，1120表示盖材料，1121表示干縣'h1122表示有才A^脂。由于除了n沟道型TFT1113、p沟道型TFT1114、n沟道型TFT1111"卜的结构与例8相同，因jtki!E省略了介绍。例10通itt用本发明形成的驱动电路和像素部分可以用在M组件(有源矩阵液晶组件、有源矩阵EL组件以及有源矩阵EC组件)。即，本发明可以体^L^i且件M在它的显示部分的所有的电子装置中。对于所述电子装置，有摄^^几；数字摄象机头戴式显示器(护目镜型显示器)；汽车^^元系统；投執义；汽车音响；个人计算机；便携信息终端(移动式计算机、移动电话或电子图书)等。这些例子显示在图18和19中。图18A为个人计期几，包-給主才几2001;图傢输入部分2002;显示部分2003;以及4M2004。本发明可以应用到显示部分2003。图18B为摄^^几，包括主体2101;显示部分2102;声音输入部分2103;操作开关2104;电池2105以及图像接收部分2106。本发明可以应用到显示部分2102。图18C为移动式计^^几，包括主才几2201;摄像部分2202;图像接收部分2203;4喿怍开关2204以M示部分2205。本发明可以应用到显示部分2205。图18D为护目镜型显示器，包括主体2301;显示部分2302;以及臂部分2303。本发明可以应用到显示部分2302。图18E为^顿记^f辨的记录介质(下文称做记录介质)的播放器，包拾主体2401;显示部分2402;扬声器部分2403;ie^介质2404;操作开关2405。该装置^^DVD(数字多用途盘)或CD作为"^f:介质，能够进行音乐欣赏、电影欣赏、游劲口用于因特网。本发明可以应用到显示部分2402。图18F为数字摄f^几，包拾主体2501，显示部分2502;取景器2503;#ft开关2504以及图像接收部分(图中未示出)。本发明可以应用到显示部分2502。图19A为移动电话，包括；主体2901,声音输出部分2902;声音输入部分2903;显示部分2904;操作开关2905;天线2906;以及图#1#入部分(CCD、图像传感器等)2907。本发明可以应用到显示部分2904。图19B为便携书(电子图书)，主体3001;显示部分3002和3003;iif^h质3004;才喿怍开关3005;天线3006。本发明可以应用到显示部分3002。图19C为显示器，包-fe主体3101;支撑部分3102;以M示部分3103本发明可以应用到显示部分3103。jtb^卜，图19C中示出的显示器具有小型和中型或大型，例如5到20英寸的显示屏幕。jtW卜，为了制造具有所iiA寸的显示部分，优选"f顿尺寸为lxlm的基片通过实行多重图形^ii行^M^胜产。如上所述，本发明的应用范围很广，本发明能应用到所有领域的电子装置。通过例1到9的构成的自由组合可以获得本发明中的电子装置。例ll在本例中，在图IO中示出了使用电泳显示器件作为显示部分的一个例子。通常，电泳显示器件适用于图19B中所示的显示部分3002或便携书(电子图书)的显示部分3003。电泳显示器件^U尔做电子纸。它具有与纸一才羊的可读性，与其它显示器件相比，功耗低并且形抝蓴重量轻的优点。电泳显示器件可以为多种形式，例如含有带正电荷的第一4斜財口带负电荷的第JLf斜立的多个微嚢(capsules)分布^i^絲溶质中。通过向微嚢淑口电场，微嚢中的微粒反方向相互移动，由此发出聚集在一侧的微粒颜色。jtb^卜，第一存妍立和第JLf結立^"有染料。没有电场擇劲立不^f多动。jH^卜，第一#*^口第_=4劲立的颜色相互不同(包括无色)。由此，电泳显示器件^^]称做介质迁移岁夂应，即高介电常数材料移动到高电场区。电泳显示器件不需要液晶显示器件需要的^4t板和反基片，由iWI"度和重量减半。溶剂中綠的微嚢称做电子墨水。电子墨水印刷^i皮璃、塑料、织物和纸的表面上。jtb^卜，通过^^具有彩色滤光器和颜料的果射立可以形成彩色显示。通过在两个电极之间适当地提供以上提到的多个微嚢，可以完成有源矩阵型显示器件。如果电场口到微嚢，那么器件可以显示图像。通itA/o选自以下材料的一种材料或^^勿材料可以形成微嚢中的第一孩妍封口第J^斜立导电材料、嫩^才料、半^#料、磁對才料、液晶材料、铁电材料、电至&^i才料、电致变色材一+、和石兹性电》j^才沣+。本例可以自由地与实施例1到4,以及例1到10組合。在本发明中，通过物理方式进行基片的剥离，由》化半^^层上没有产生损伤，可以提高元件的可靠性。jll^卜，本发明能高产额率;^i^t^离，不仅小面积剥离层而且可以在整个表面中大面积J也剥离层。jtb^卜，本发明可以用物理方式，例如^v手容易地^^H^')离，由jtb^发明的工艺可以^it合于^M^牲产。Jt^卜，制賴于^M^姓产的将剥离层剥离的制造装置时，甚至可以^A^也制造^M^莫的制錄置。权利要求1.一种形成半导体器件的方法，包括下列步骤形成包括基片上的第一材料层和所述第一材料层上的第二材料层的多层，其中所述第二材料层具有压缩应力；在所述第二材料层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和介于所述半导体层和所述栅电极之间的栅绝缘膜；在形成所述薄膜晶体管后，利用激光照射所述多层；并且在所述第一材料层和所述第二材料层的界面处从所述基片将所述第二材料层剥离。2.—种形;^半*器4牛的方法，包括下列步骤-.形成包括基片上的第一材料层和所述第一材料层上的第二材料层的多层；在所述第〉才料层上形娜彖层；在所iti色缘层上形成薄膜晶体管，其中所ii;蓴膜晶体管包括半"!M^层、栅电极和^H^所述半^^层和所述栅电极之间的4鹏fe^M;在形成所池蓴膜晶体管后，利用^LiL照射所述多层，使得所述第^^才料层具有压缩应力；并且在所述笫一材料层和所述第^^才料层的界面处/A^斤述基片将所述第^^才料层剥离。3.—种形成半,器件的方法，包括下列步骤形成包括基片上的第一材料层和所述第一材料层上的第二材料层的多层，其中所述第^^才料层具有压缩应力；在所述第^^才料层上形成慰彖层；在所必色缘层上形成包括薄膜晶体管的元件层，其中所i^蓴膜晶体管包括半^^层、栅电招iNH^所述半"!H^层和所迷栅电极之间的栅^^繊；在形成所it;蓴膜晶体管后，利用、fct照射所述多层；将支撑体粘结到所iiiL件层；在所述第JL^料层中或在所述第一材料层和所述第^^才料层的界面处/W斤述基片将所述支撑^^剥离；并且##送体粘结到所彭色缘层或所述第>^#料层，以便将所ii^L件层夹在所述支4掌^^o所i^传i^^间。4.一种形成半科器件的方法，^i舌下列步骤形成包括基片上的第一材料层和所述第一材料层上的笫二封料层的多层；在所述第^"料层上形成彰彖层；在所必色缘层上形成包括薄膜晶体管的元件层，其中所述薄膜晶体管包括半^M^层、栅电才1^衬所述半^^层和所述栅电极之间的4鹏^維；在形成所池蓴膜晶体管后，利用^l^照射所述多层，以使得所述第^^杉牛层4^有压缩应力；将支撑体粘结到所i^L件层；在所述笫_^才料层中或在所述第一材料层和所述第>=~#料层的界面处从所述基片将所述支撑体剥离，并且将传送体粘结到所彭色缘层或所述第^#料层，以便将所^t件层夹在所述支撑#所述传送糾'司。5.如权牙'虔求1和3中^f可一个所述的方法，^4衫球于，所述第一材料层具有4i伸应力。6.如权利要求2和4中^f可一个所述的方法，^4封球于，利用^L^ii行照射，使得第一材料层具有拉伸应力。7.如权牙'溪求14中<封可一个所述的方法，还包拾在利用〗>^行照射以前，形成电连接到所&蓴膜晶体管的薄膜，其中所ii;蓴膜包^5或银。8.如权矛虔求1~4中^^可一个所述的方法，还包括在利用〗^行照射以前，形成电连接到所1蓴膜晶体管的象素电极。9.如权牙'虔求14中^f可一个所述的方法，还^i舌在利用';W^行照射以前，形成电连接到所ii;蓴膜晶体管的有才/U^t^及管，其中所述有才A^it^f及管包括^"有有才A4^4勿的层、阳极和阴极。10.如权利要求1和2中4封可一个所述的方法，^#4球于，所ii;蓴膜晶体管是n沟道型薄膜晶体管。11.如权利要求10所述的方法，还包括在利用^^ii行照射以前，在所必色缘层上形成p沟道型薄膜晶体管。12.如权矛J^求3和4中4封可一个所述的方法，^#44于，所南蓴膜晶体13.如权矛j^求12所述的方法，^4封iL^于，所i^L件层还包括p沟道型薄膜晶体管。全文摘要本发明的目的在于提供一种剥离方法，不会损伤剥离层，不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够剥离掉具有较大面积的剥离层整个表面。此外本发明的目的在于通过将剥离层粘贴到多种基片上提供一种轻型半导体器件，及其制备方法。具体地，本发明的目的在于通过粘贴多种元件例如TFT到柔性膜提供一种轻型半导体器件及其制备方法。即使第一材料层形成在基片上，第二材料层与上述第一材料层相邻形成，进一步进行层叠膜形成，在500℃或更高的温度进行热处理或激光束照射处理，如果第一材料层在剥离之前具有拉伸应力，第二材料层具有压缩应力，通过物理方式，可以容易地在第二材料层的层内或界面中很好地分离层。文档编号H01L27/12GK101246814SQ200810009858公开日2008年8月20日申请日期2002年8月9日优先权日2001年8月10日发明者丸山纯矢,山崎舜平,高山彻申请人:株式会社半导体能源研究所