专利名称：一种电子陶瓷介质材料的制作方法
技术领域：
本发明属于一种电子陶瓷介质材料，尤其是涉及一种用常规方法制备中高压陶瓷电 容器的介质材料。
背景技术：
电子陶瓷介质材料主要用来制作陶瓷电容器，其中高压瓷料主要用于制作中高压陶 瓷电容器、超高压陶瓷电容器等，是用量大，重要性高的一类瓷料，性能要求较高，国 内己有厂家生产该瓷料，但存在耐压不高、损耗大、性能不稳定等缺点，不能用于某些 对陶瓷介质材料性能要求较严格的场合。
发明内容
本发明的目的是提供一种配方简单、耐压程度高、介质损耗降低的电子陶瓷介质材料。
本发明的目的是这样实现，该电子陶瓷介质材料的组份按重量份计算，其配比为-BaTiO380—90%、 CaTi034—10%、 CaZr032—8。/0、 ZnO0.2—1%、 MnCO30.2—"/0、 粘土 0.2—l。/o、 Nd2O30.1—06%、 Ho2O30.1—06%、
上述电子陶瓷介质材料的组份的优选方案为BaTK)384—88%、 CaTi036—8%、 CaZr034—6-/0 、ZnO0.4—0.7。/0 、MnCO30.4—0.7% 、粘土 0.4%—0.8% 、Nd2O30.3—0.4。/o、 Ho2O30.3—0.4%、
上述电子陶瓷介质材料的组份最优选方案为BaTK)386%、 CaTi037%、 CaZr035%、 ZnO0.5%、 MnCO30.4%、粘土 0.5%、 Nd2O30.3%、 Ho2O30.3%
制备工艺上，采用球磨加搅拌磨的粉碎工艺。传统球磨工艺容积大、入料粒径宽容 度大，但效率较低，需要长时间运转，易混入有害杂质，新型搅拌磨效率高、出料粒径 小，不易混入杂质，但对入料粒径有较高的要求。将二者有机的结合起来，从而使瓷料 粒径小，分布范围窄，且杂质混入少，不含硬团聚体，保证了瓷料成份的均匀性和性能 参数的稳定性，从而保证了瓷体细晶结构和足够高的致密度，提高了介电常数和击穿强 度。
本发明的有益效果为介质损耗、抗电强度均优于目前同质量的电子陶瓷介质材料。表一 不同配方试样的介电性能比较
试样编号介电常数介质损耗 (% )抗电强度 (KV/mm)绝缘电阻 (104M Q )
192500.258.51.0
294560.389.01.2
394200.328.91.1
492800.409.21.2
593500.298.21.3
693600.308.51.1
表二本发明与同组别现有技术性能指标比较
项目本发明同组别现有技术
介电常数卯00—9500卯00_9500
介质损耗《0.5%《1.0%
抗电强度》8KV/mm》6KV/mm
绝缘电阻》104MQ
温度特性2E42E具体实施例方式
实施例1
按照以下配比组分，制备电子陶瓷介质材料，即钛酸钡(BaTi03) 86%、钛酸钙 (CaTi03) 7%、锆酸钙(CaZr03) 5%、氧化锌(ZnO) 0.5%、碳酸锰(MnC03) 0.4%、 粘土0.5%、氧化钕(Nd203) 0.3%、氧化钬(Ho203) 0.3%。其制备方法按常规制 备工艺。
权利要求
1、一种电子陶瓷介质材料，其特征在于所述电子陶瓷介质材料的配方以重量百分比表示包括BaTiO380-90％、CaTiO34-10％、CaZrO32-8％、ZnO0.2-1％、MnCO30.2-1％、粘土0.2-1％、Nd2O30.1-06％、Ho2O30.1-06％。
2、 根据权利要求l所述的电子陶瓷介质材料，其特征在于所述电子陶瓷介质材料的 配方以重量百分比表示包括BaTi0384—88%、 CaTi036—8%、 CaZr034_6%、 ZnO0.4 —0.7%、 MnCO30.4—0.7%、粘土 0.4%—0.8%、 Nd2O30.3—0.4%、 Ho2O30.3—0.4%。
3、 根据权利要求l所述的电子陶瓷介质材料，其特征在于所述电子陶瓷介质材料的 配方以重量百分比表示包括BaTi0386%、 CaTi037%、 CaZr035%、 ZnO0.5%、 MnCO30.4o/。、粘土0.5%、 Nd2O30.3%、 Ho2O30.3%。
全文摘要
本发明公开了一种电子陶瓷介质材料，该发明为BaTiO<sub>3</sub>瓷料，通过CaTiO<sub>3</sub>和CaZrO<sub>3</sub>双重置换作用，添加ZnO、MnCO<sub>3</sub>和粘土促进烧结，降低烧结温度，达到瓷体细晶化，从而提高了耐压、降低了损耗。
文档编号H01L41/18GK101607817SQ20081001694
公开日2009年12月23日 申请日期2008年6月20日 优先权日2008年6月20日
发明者戴文金, 王晓欣, 华 赵 申请人:华 赵