专利名称：外延自掺杂评价的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是一种半导体制造过程中评价的方法。
背景技术：
硅外延在CMOS、BiCMOS和射频集成电路中有着广泛的应用。电阻率是外延层的主 要特性参数之一，对半导体器件的性能有重要的影响，因此外延层电阻率的均匀性对其应 用至关重要。自掺杂效应是外延生长过程中在外延层掺入了非故意掺杂物，其对外延层载 流子的分布、电阻率大小及其均匀性产生很大的影响。目前，对外延自掺杂的评价所采用的 硅片是和产品相同流程的硅片，包括P型埋层和N型埋层，外延之后测试扩展电阻来评价自 掺杂。但该种方法成本较高，流片耗时较多。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种简单易用，成本较低，耗时较少的外延自 掺杂评价的方法。 为了解决以上技术问题，本发明提供了一种外延自掺杂评价的方法；包括以下步 骤步骤一、在硅片上注入所需评价的埋层，所述埋层为P型或N型，埋层图形在硅片面内周 期分布；步骤二、进行外延生长；步骤三、外延生长后测试扩展电阻或四探针方块电阻评价 自掺杂。 本发明的有益效果在于，该方法简单易用，成本较低，耗时较少，能够模拟出埋层 对外延自掺杂的影响。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。
图1是本发明实施例方法的流程图；
图2是本发明实施例使用硅片的示意图。
具体实施例方式
如图1所示，本发明的方法包括以下步骤步骤一、在硅片上注入所需评价的埋 层，所述埋层为P型或N型，埋层图形在硅片面内周期分布；步骤二、进行外延生长；步骤 三、外延生长后测试扩展电阻或四探针方块电阻评价自掺杂。
如图2所示，图中l为埋层注入区，2为衬底未注入区。所述方法是仅注入所需
评价的埋层(P型或N型)，外延后测试扩展电阻来评价自掺杂。埋层注入的图形可以用产
品的掩模版曝光形成，也可以使用简化的埋层图形，而且简化图形的形成甚至可以不用掩
模版，直接通过光刻机曝光去边形成。该方法简单易用，不仅模拟出埋层对外延自掺杂的影
响，而且对于简化的埋层图形测试方面可以增加四探针方块电阻来评价结果。 简化工艺流程来模拟埋层对自掺杂的影B向，埋层图形的形成可以用产品的掩模版，也可以用简化的掩模版图形，而且简化的掩模版图形可以方便测试扩展电阻，并可以增 加四探针方块电阻来评价结果。评价外延层自掺杂采用简化的工艺流程，评价哪种埋层对 外延自掺杂的影响，只需注入该埋层即可。埋层注入的掩模版图形可以用产品该埋层的图 形，也可以用简化的图形。 使用简化的图形只需模拟出埋层的分布大小，分布大小尽量和产品接近，形状可 以多样化，如正方形、长方形等等都可以，埋层图形在面内周期分布。埋层注入的简化图形 的形成甚至可以不用掩模版，直接通过光刻机曝光去边形成。对于埋层注入的简化图形，外 延后测试可以用扩展电阻和四探针方块电阻评价结果。所述埋层注入区可以占硅片面积的 10 % -95 % ，最好位于30 % -70 %之间这样可以更加接近生产中硅片的实际情况。本实施例 优选50%。
权利要求
一种外延自掺杂评价的方法；其特征在于，包括以下步骤步骤一、在硅片上注入所需评价的埋层，所述埋层为P型或N型，埋层图形在硅片面内周期分布；步骤二、进行外延生长；步骤三、外延生长后测试扩展电阻或四探针方块电阻评价自掺杂。
2. 如权利要求1所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层注入的图形用 产品的掩模版曝光形成。
3. 如权利要求1所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层注入的图形为 通过光刻机曝光去边形成的简化图形。
4. 如权利要求1所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层注入的图形为 简化的掩模版图形。
5. 如权利要求l所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层图形为正方形 或长方形。
6. 如权利要求1所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层注入区和衬底 未注入区呈相互间隔四方连续的分布在硅片表面。
7. 如权利要求1所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层注入区占硅片 面积的10% -95%。
8. 如权利要求1所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层注入区占硅片 面积的30% -70%。
9. 如权利要求1所述的外延自掺杂评价的方法，其特征在于，所述埋层注入区占硅片 面积的50%。
全文摘要
本发明公开了一种外延自掺杂评价的方法。包括以下步骤步骤一、在硅片上注入所需评价的埋层，所述埋层为P型或N型，埋层图形在硅片面内周期分布；步骤二、进行外延生长；步骤三、外延生长后测试扩展电阻或四探针方块电阻来评价自掺杂。本发明简单易用，成本较低，耗时较少，能够模拟出埋层对外延自掺杂的影响。
文档编号H01L21/66GK101740430SQ20081004391
公开日2010年6月16日 申请日期2008年11月11日 优先权日2008年11月11日
发明者缪燕, 谢煊 申请人:上海华虹Nec电子有限公司