专利名称：一种穿通效应增强型硅光电晶体管的制作方法
技术领域：
本发明属于半导体光电器件领域，具体涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。
背景技术：
半导体光电探测器以其优良的性能、微小的尺寸和便宜的价格得到广泛的应 用，已经渗透入工农业生产、军事科技、日常民用、消费电子等社会各个方面。硅 光电探测器是半导体光电探测器中的一大类。目前，应用比较广泛的硅光电探测器
主要包括PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管以及普通光电晶体管等。这些光 电探测器存在尺寸较大、对制造材料性能要求较高、工作电压较高、制造工艺与 CMOS工艺不兼容，以及不易与外围电路集成等缺点。
PIN光电二极管的主要噪声源是外接电阻的热噪声和光电流的散粒噪声，但由 于没有内部增益，它的信噪比(SNR)不高，尤其是外接电阻较小的情况下。APD 雪崩光电二极管虽然有内部增益，但同时引入了附加噪声，限制了APD的探测灵 敏度，而且APD还需要很高的工作电压。普通的光电晶体管有两种， 一种是基极 悬浮的两端光电晶体管，另一种是三端的光电晶体管。两端光电晶体管由于在基极 -发射极PN结处的空间电荷区内存在复合，当入射光功率很低时，增益很低；此外， 低的入射光功率还导致发射结电容的充电时间很长，因此增益带宽积和SNR都变 得很小，这样限制了这种光电晶体管在高速方面的应用。
三端光电晶体管虽然在提高增益和响应速度方面取得了一些成功，但是由于基 极偏置电流引入的散粒噪声同时也被晶体管放大，因此，当基极电流远大于光生电 流时，SNR会变得很低，这严重限制了三端光电晶体管在弱光条件下的探测灵敏 度。
为了同时提高光电晶体管的响应速度和SNR， 1993年，Y. Wang和E. S. Yang
等人提出了一种穿通基区光电晶体管，不仅可以得到高增益、快速响应，而且可以 得到低噪声。穿通基区光电晶体管同时具有了PIN光电二极管低噪声的特点和APD 光电二极管高增益的特点。由于没有基区偏置电流，所以它的噪声特性要好于普通 的光电晶体管。因此，穿通基区光电晶体管在弱光探测上具有很大优势。但是该穿 通基区光电晶体管是由AIGaAs/GaAs/GaAs结构组成的，它和其它化合物半导体 器件一样有个重要缺点——很难与硅集成电路相集成，尤其是广泛应用的CMOS 集成电路工艺，生产成本高。2001年，Hailin Luo等人实现硅基穿通基区光电晶体管。当入射光功率为 1.9nW时，光电转换增益为15384，器件响应时间为1.6ns， -3dB带宽为300MHz， SNR大约为40dB。器件为一横向晶体管结构，工作时基区完全耗尽，产生穿通效 应，从而得到高的光电转换增益。硅穿通基区光电晶体管不仅具有高增益和快响应 速率等性能，而且还克服了化合物穿通基区光电晶体管难于集成的缺点。但是无论 是化合物衬底的还是硅衬底的穿通基区光电晶体管，它们的暗电流都比较大，而且 与标准商业CMOS工艺不能完全兼容。
发明内容
本发明的目的是提供一种高光电转换增益、低暗电流并且完全和标准商业 CMOS工艺兼容的穿通效应增强型硅光电晶体管。
本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶体管结构如图1所示，依晶体管类型分 为NPN和PNP两种类型。
NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于由下至上依次包括硅衬 底层，位于硅衬底层上的P阱层，位于P阱层内的两个分立的N型重掺杂有源区， 位于P阱层内、被两个N型重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱层窄 侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化 硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱层宽侧上表 面且与两个分立的N型重惨杂有源区分别相连的条形金属电极层。
进一步地，上述的NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，两个分立的N型重 掺杂有源区是被栅氧二氧化硅层和多晶硅层分成的两个对称的U形区域。
上述的NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，P阱层、两个分立的N型重掺 杂有源区和场区二氧化硅层的上表面位于同一平面。
上述的NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，两个分立的N型重掺杂有源区 的深度小于场区二氧化硅层的深度，场区二氧化硅层的深度小于P阱层的深度。
在上述的NPN型器件中，硅衬底层作为形成P阱层的基础，P阱层作为器件 的基区；P阱层内部的N型重掺杂有源区(离子注入区)被场区二氧化硅层及多晶 硅层分为两个分立的有源区，分别构成光电晶体管的集电区和发射区，与之相连接 的条形金属电极层，分别构成集电区电极和发射区电极。
这种类型的穿通效应增强型硅光电晶体管可看成由两种不同结构尺寸的光电 晶体管相连而成，它们的基区长度不同在器件中间区域，位于发射区和集电区之 间的、场区二氧化硅下方的P阱区域构成基区长度较长的长基区光电晶体管的基
区；在器件两端区域，位于发射区和集电区之间、多晶硅层和栅氧二氧化硅层下方的P阱区域构成基区长度较短的短基区光电晶体管的基区。
NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其典型参数为P阱层的长和宽分别为
12 15^im和5 7^im，深度为3~5|am。场区二氧化硅层位于阱区的中央，上表面与 阱区相平，长和宽分别为8~12^m和2~4pm，厚0.4~0.8^m。两部分栅氧二氧化 硅层分别位于阱区窄侧，与阱区窄边对齐，并延伸至场区二氧化硅层，长和宽分别 为3~5pm和1~2Hm，厚度为10~20nm。两部分多晶硅层位于栅氧二氧化硅层之 上，与栅氧二氧化硅层的长和宽相同，厚度为200~300nm。 N型重掺杂有缘区为 沿器件长轴对称的两个分立的U字半环形区域，深度为0.15~0.25^m，内长边长 8~10nm，内短边长1 2pm，外长边长10~12^m，外短边长3 5^m。
PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于由下至上依次包括硅衬底
层，位于硅衬底层上的N阱层，位于N阱层内的两个分立的P型重掺杂有源区， 位于N阱层内、被两个P型重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于N阱层窄 侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化 硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于N阱层宽侧上表 面且与两个分立的P型重掺杂有源区分别相连的条形金属电极层。
进一步地，上述的PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，两个分立的P型重 掺杂有源区是被栅氧二氧化硅层和多晶硅层分成的两个对称的U形区域。
上述的PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，N阱层、两个分立的P型重掺 杂有源区和场区二氧化硅层的上表面位于同一平面。
上述的PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，两个分立的P型重掺杂有源区 的深度小于场区二氧化硅层的深度，场区二氧化硅层的深度小于N阱层的深度。
在上述的PNP型器件中，硅衬底层作为形成N阱的基础，N阱层作为器件的 基区；N阱内部的P型重掺杂有源区(离子注入区)被场区二氧化硅层及多晶硅层 分为两个分立的有源区，分别构成光电晶体管的集电区和发射区，与之相连接的条 形金属电极层，分别构成集电区电极和发射区电极。
这种类型的穿通效应增强型硅光电晶体管可看成由两种不同结构尺寸的光电 晶体管相连而成，它们的基区长度不同在器件中间区域，位于发射区和集电区之 间的、场区二氧化硅下方的N阱区域构成基区长度较长的长基区光电晶体管的基 区；在器件两端区域，位于多晶硅层和栅氧二氧化硅层下方的N阱区域构成基区长
度较短的短基区光电晶体管的基区。
PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，其典型参数为N阱区长和宽分别为
12 15^im和5 7iam，深度为3~5^m。场区二氧化硅层位于阱区中央，上表面与阱 区相平，长和宽分别为8~12nm和2~4Hm，厚0.4~0.8^m。两部分栅氧二氧化硅层分别位于阱区窄侧，与阱区窄边对齐，并延伸至场区二氧化硅层，长和宽分别为
3 5pm和1 2^m，厚度为10~20nm。两部分多晶硅层位于栅氧二氧化硅层之上， 与栅氧二氧化硅层的长和宽相同，厚度为200~300nm。 P型重掺杂有缘区为沿器 件长轴对称的两个分立的U字半环形区域，深度为0.15~0.25nm，内长边长 8~1(Vm，内短边长1 2nm，外长边长10~12nm，外短边长3 5nm。
穿通效应增强型硅光电晶体管中的长基区光电晶体管，基区上方的场区二氧化 硅(Si02)是透光的，所以长基区光电晶体管基区作为受光区域。短基区光电晶体 管的基区上方是多晶硅，是不透光的。光电晶体管工作时，外界光由长基区射入， 器件的发射区和集电区分别与电压源和地相连，长基区光电晶体管和短基区光电晶 体管工作在相同偏压下，如果这一偏压超过短基区光电晶体管的穿通电压，长基区 光电晶体管正常工作，短基区光电晶体管的基区完全耗尽，即短基区光电晶体管达 到穿通状态。因为只有长基区光电晶体管的基区透光，光照时光生载流子只在长基 区部分产生。产生的光生少数载流子在正向偏压作用下被扫到集电极，同时光生多 数载流子被积累在长基区。随着光生多数载流子不断的在长基区积累，使得长基区 部分的多数载流子浓度要高于短基区部分，因此，多数载流子浓度梯度会使长基区 的大量光生多数载流子扩散到短基区，从而使短基区的势垒得到降低，使发射极流 向集电极的电流增大，从而间接地放大了光生电流。
与Y. Wang及Hailin Luo等人实现的普通穿通基区光电晶体管比较，本发明的 穿通效应增强型光电晶体管利用了长基区光电晶体管的基区来积累光生多数载流 子，来降低处于穿通状态的短基区光电晶体管基区的势垒，得到放大的光生电流， 提高了光电转化增益；同时短基区由多晶硅自对准形成，结构简单；由于短基区光 电晶体管的宽度很窄，只占总体器件结构的一小部分，从而可以有效限制器件的暗 电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。
本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶体管，具有以下优点
1、 采用了标准CMOS工艺。既利用了标准CMOS工艺的多晶硅自对准技 术来定义短基区，同时也利用了场区二氧化硅覆盖的阱区形成长基区， 这样就形成了含有两种光电晶体管的复合型晶体管；
2、 提高了光电转换增益。穿通效应增强型硅光电晶体管含有长基区光电晶 体管和短基区穿通基区晶体管，长基区光电晶体管的基区来积累光生载 流子，用来降低短基区晶体管的穿通基区的势垒，从而能得到更大的光 生电流，可以得到很高的光电转换增益；
3、 降低暗电流。穿通基区光电晶体管的缺点是暗电流较大，而穿通效应增强型硅光电晶体管内部短基区穿通基区光电晶体管的宽度很窄，而长基 区光电晶体管宽度很宽，因此能够有效地限制器件暗电流； 4、工艺简单，易于集成。本发明提出的穿通效应增强型硅光电晶体管完全 和标准商业CMOS工艺兼容，不仅降低了工艺复杂度和成本，而且可以 方便和其他CMOS外围电路进行集成。
本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶体管使用Keithley 4200-SCS半导体参 数测试仪来测量器件的输出电流随正向偏压变化的曲线(I-V曲线)，光电特性测试 使用的光源是型号为LHT75的溴钨灯，光源输出的白光通过单色仪得到650nm波 长的单色光。l-V测试结果如图3所示，可以看出在2.0V正向偏压下，器件的暗电 流只有1mA。光电转换増益如图4所示。定义光电转换增益为器件产生的光生载流 子数目与入射光子数目之比，即
(其中，g表示光电转换增益，Uw。和/泡rfc分别代表有光和无光时器件的输出电流， q是电子电量，P/n为入射光功率，h为普朗克常量，v是入射光波长)，当光功率密 度为1><10—6///0112的650|1^1单色光照射到器件表面时，测量结果经计算可得光电 转换增益在106量级。
本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶体管的制备方法采用标准商业CMOS 工艺，制备步骤如下
A:衬底的选择——选取电阻率为15~25Q.cm的硅衬底，厚度约为 100~200同；
B:阱区的形成——通过高能离子注入并进行高温推进，在硅衬底上形成P阱
或N阱。对于NPN器件，注入As，能量大约是100 keV，剂量大约是5x1012cm—2， 然后1000~1200 。C下推进30~60分钟；对于PNP器件，注入B，能量大约是 120keV，剂量大约是2x10120^2，然后1000~1200 。C下推进20~50分钟；
C:进行局部氧化——在欲形成重掺杂有源区以外的硅上利用水汽气氛和高温
的湿氧氧化法的方法氧化硅表面，得到厚度为400 600nm的场区二氧化硅层，并 利用化学机械抛光磨平P阱或N阱及场区二氧化硅的表面；
D:制备多晶硅层——在器件表面的场氧层两端的中央位置，利用干氧气和高 温的热氧氧化法生长较厚度10~20 nm的条状栅氧二氧化硅层，然后在栅氧二氧化 硅层上利用化学气相外延的方法生长同样尺寸、厚度200~400 nm的多晶硅；E:重掺杂有源区的形成——利用步骤C中形成的场区二氧化硅层和步骤D中 形成的多晶硅层做遮蔽，进行高能离子注入。对于NPN型器件，注入N型杂质，
如AS;对于PNP型器件，注入P型杂质，如B;
F:金属电极层——通过热蒸发或者溅射的方法生长0.5 1.0 pm的金属AI电 极层并与N型或P型重掺杂有源区连接，形成集电区电极和发射区电极，进而完 成了器件的制备。
下面结合附图和具体实施方法详细阐述本发明的内容，应该理解本发明并不局 限于下述优选实施方式，本实施方式仅仅作为本专利的说明性实施方案。
图1:本发明所述穿通效应增强型硅光电晶体管的结构示意图2: (a)本发明所述穿通效应增强型硅光电晶体管沿AA，的剖面(b)本发明所述穿通效应增强型硅光电晶体管沿BB，的剖面图3:本发明所述穿通效应增强型硅光电晶体管的l-V曲线图4:本发明所述穿通效应增强型硅光电晶体管的光电转换增益曲线如图1所示，为本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶体管结构示意图，其中
1为N型(或P型)硅衬底层；2为P阱(或N阱)层；3 (3')为N型(或P型) 重掺杂有源区；4 (4')为栅氧二氧化硅层；5 (5')为多晶硅层；6为场区二氧化 硅层；7 (7')为金属电极层。
如图2所示，为本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶体管剖面图，含有长基 区光电晶体管和短基区光电晶体管。其中图2 (a)为沿AA'的剖面图，表示上面有 多晶硅覆盖的短基区光电晶体管；图2(b)为沿BB'的剖面图，表示有场区二氧化 硅覆盖的长基区光电晶体管。
在P阱(或N阱)层2的内部，两个U字形形状的N型(或P型)重掺杂有 源区3 (3')环绕在场区二氧化硅层6的外面，它们的上表面均与P阱层2的上表 面相平，重掺杂有源区3 (3')的深度(高度)小于场区二氧化硅层6的深度(高 度)，而场区二氧化硅层6的深度(高度)小于P阱的深度(高度)。重掺杂有源区 3 (3')，其是被栅氧二氧化硅层4 (4')和多晶硅层5 (5')分成的两个对称结构， 每个均类似于"U"字形。
如图3所示，该图中空心正方形、空心圆形所连成曲线分别代表本发明实施例 制备的穿通效应增强型硅光电晶体管在没有光照和入射光功率密度为 1x10、/crr^时的l-V曲线图。从图中可以看出当正向偏置在2V左右时，没有光照和有光照的情况下器件电流分别大约是1mA和2mA。
如图4所示，表示本发明实施例制备的穿通效应增强型硅光电晶体管在入射光 功率密度为1 x1 (T6W/cm2时的光电转换增益随正向偏压变化的曲线图。器件的转化 增益在正向偏置为2V时有最大值，大约为4X106。
与Hailin Luo等人的研究结果相比较，本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶 体管光电转化增益明显大于前者，而无光时的电流要远小于前者。
具体实施例方式
实施例1:
由于本发明所述的穿通效应增强型硅光电晶体管是完全和标准CMOS工艺兼 容的，因此可以在任何一个标准CMOS工艺线上进行具体实施。下面以一个采用 0.5pm特征尺寸，两层多晶硅、三层金属的标准双阱CMOS工艺制作的NPN型穿 通效应增强型硅光电晶体管为例来说明具体制备方法。
A:衬底的选择——选取P型<100>硅衬底，衬底电阻率为15Q.cm，厚度为 100,
B:阱区的形成——通过高能离子注入和热推进形成阱。由于是要制作NPN型 光电晶体管，所以采用P阱作为器件的基区，即图1中的2。注入As，离子注入 的注入能量和剂量分别为100keV和5x1012cm—2。经过1000°C高温下推进30分 钟，使最终阱的掺杂浓度为1017cm—3，形状为长方体，长和宽分别为12pm和5pm， 深度为3.0pm;
C:进行局部氧化——通过水汽和氧气气氛下500°C高温下与衬底硅反应生成 场区二氧化硅层，位置处于P阱内，长和宽分别为8nm和2pm，厚0.4^im。这样 就在P阱的边缘形成了一个宽1.5~2pm的P阱边框，用于后续步骤中进行离子注 入以形成重掺杂有源区；由于硅反应生成Si02体积增加，所以反应结束后场区二 氧化硅表面高于芯片表面，采用化学机械抛光的方法铲平，最后形成了如图1和图 2(b)中的区域6;
D:制备多晶硅层——在器件表面、场区二氧化硅层窄边两端的中央位置，沿 中轴线对称地生长厚度10nm的条状栅氧二氧化硅层。生长方法为热氧氧化法，温 度为"00。C，生长时间为1小时，再通过常规光刻的方法得到长宽分别为3pm和 1pm的栅氧二氧化硅层，其沿场区二氧化硅层的中轴线对称，其中覆盖在场区二氧 化硅层上的长度为1pm。然后在栅氧二氧化硅层上利用500°C下硅烷和氧气发生 反应的化学气相外延方法生长同样尺寸、厚度200nm的多晶硅层，如图1所示的 区域5和5'。 4 (4，)和6的成分都是二氧化硅层，但生长方式不同，4 (4，)是通过热氧氧化法得到，6是湿氧氧化得到，因此4 (4')比6要致密；
E:重掺杂有源区的形成——在步骤B中形成的阱区中心，在长和宽分别为
1(Vm和4pm的长方形区域内进行高能离子注入。对于NPN型器件，注入N型杂 质As，注入能量和剂量分别为20keV和5x1015cm—2，然后1000°C下高温退火10 分钟。在器件的中间区域，由于步骤C中形成的场区二氧化硅层挡住了离子注入， 因此场区二氧化硅层下方的P阱没有被注入离子，未进行掺杂，作为长基区光电晶 体管的基区，两边的离子注入区域相距2)Lim，构成了长基区光电晶体管的集电区和 发射区；由于步骤D中形成的多晶硅层同样挡住了离子注入，因此多晶硅层下方的 P阱没有注入离子，未进行掺杂，作为短基区光电晶体管的基区，两边离子注入区 域相距1^m，构成了短基区光电晶体管的集电区和发射区。退火后使得离子注入区 域的掺杂浓度为1017cnT3，深度为0.15pm;
F:金属电极层——在器件上利用热蒸发方法在1000。C下进行10分钟，得到 厚度为0.5nm的条状金属Al电极材料，通过光刻得到位置分别位于步骤E中形成 的集电区和发射区中心，与阱区长边缘对齐，长和宽分别是11^m和1.5nm，构成 集电区电极和发射区电极，从而完成器件的制备。
以上的歩骤和标准CMOS工艺流程完全兼容，而不需要任何多余的其它步骤。 最终器件的总尺寸为6CVm2，通过版图的优化设计可以使器件在保持原有性能的基 础上尺寸更小。这样小的尺寸可以很方便在标准CMOS工艺中和其他辅助电路进 行集成，大大降低了成本。
权利要求
1、NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于由下至上依次包括硅衬底层(1)，位于硅衬底层(1)内的P阱层(2)，位于P阱层(2)内的两个分立的N型重掺杂有源区(3，3’)，位于P阱层内、被两个N型重掺杂有源区(3，3’)环绕的场区二氧化硅层(6)，位于P阱层(2)窄侧和场区二氧化硅层(6)上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层(4，4’)，覆盖在栅氧二氧化硅层(4，4’)上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层(5，5’)，位于P阱层(2)宽侧上表面且与两个分立的N型重掺杂有源区(3，3’)分别相连的条形金属电极层(7，7’)。
2、 如权利要求1所述的NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于 两个分立的N型重掺杂有源区(3， 3')是被栅氧二氧化硅层(4， 4，)和 多晶硅层(5， 5')分成的两个对称的U形区域。
3、 如权利要求2所述的NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于 P阱层(2)、两个分立的N型重掺杂有源区(3， 3，)和场区二氧化硅层(6)的上表面位于同一平面。
4、 如权利要求2或3所述的NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征 在于两个分立的N型重掺杂有源区(3， 3，)的深度小于场区二氧化硅 层(6)的深度，场区二氧化硅层(6)的深度小于P阱层(2)的深度。
5、 PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于由下至上依次包括硅 衬底层(1)，位于硅衬底层(1)内的N阱层(2)，位于N阱层(2)内 的两个分立的P型重掺杂有源区(3， 3')，位于N阱层内、被两个P型 重掺杂有源区(3， 3')环绕的场区二氧化硅层(6)，位于N阱层(2) 窄侧和场区二氧化硅层(6)上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层(4， 4，)，覆盖在栅氧二氧化硅层(4， 4，)上、与栅氧二氧化硅层形状相同的 两个分立的多晶硅层(5， 5')，位于N阱层(2)宽侧上表面且与两个分 立的P型重掺杂有源区(3， 3')分别相连的条形金属电极层(7， 7，)。
6、 如权利要求5所述的PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于 两个分立的P型重掺杂有源区(3， 3')是被栅氧二氧化硅层(4， 4，)和 多晶硅层(5， 5')分成的两个对称的U形区域。
7、 如权利要求6所述的PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于 N阱层(2)、两个分立的P型重掺杂有源区(3， 3，)和场区二氧化硅层(6)的上表面位于同一平面。
8、 如权利要求6或7所述的PNP型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征 在于两个分立的P型重掺杂有源区(3， 3，)的深度小于场区二氧化硅 层(6)的深度，场区二氧化硅层(6)的深度小于N阱层(2)的深度。
全文摘要
本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。
文档编号H01L31/11GK101447524SQ200810051680
公开日2009年6月3日 申请日期2008年12月25日 优先权日2008年12月25日
发明者欣 刘, 史中翩, 常玉春, 杜国同, 王富昕, 王玉琦, 郭树旭 申请人:吉林大学