曝光装置以及器件制造方法

专利名称：曝光装置以及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及在投影光学系统与基片之间的至少 一部分充满液体、 用由投影光学系统所投影的图案像对基片进行曝光的曝光装置、该曝 光装置中所用的液体除去装置以及使用该啄光装置的器件制造方法。
背景技术：
半导体器件或液晶显示器件是通过将形成在掩模上的图案转印 到感光性的基片上的、所谓的光刻法的方法来进行制造。在该光刻法 工序中所使用的啄光装置，具有支承掩模的掩模台和支承基片的基片 台， 一边逐次移动掩模台及基片台一边经由投影光学系统将掩模的图 案转印到基片。近年来，为了适应器件图案的更进一步的高集成化人 们希望投影光学系统进一步的高析像度化。使用的曝光波长越短、或 者投影光学系统的数值口径越大则投影光学系统的析像度就越高。为 此，膝光装置所使用的曝光波长逐年短波长化，投影光学系统的数值 口径也不断增大。而且，虽然当前主流的曝光波长是KrF激态复合物 激光器的248nm,但更短波长的ArF激态复合物激光器的193nm也正不 断被实用化。另外，在进行曝光之际，与析像度同样聚焦深度(DOF) 也很重要。析像度R及聚焦深度S分别用以下公式来表示。R- kl.X/NA…(1)S = ±k2'X/NA2 ... (2)这里，X是曝光波长，NA是投影光学系统的数值口径，kl、 k2是加工系数(process coefficient)。根据(1)式、(2)式可知为了 提高析像度R，若使曝光波长k变短、使数值口径NA变大则聚焦深度8 变得狭窄。若聚焦深度8过于狹窄使基片表面相对于投影光学系统的像面吻 合将变得困难，曝光动作时的容限(margin)恐怕就会不足。因而， 作为实质上缩短曝光波长且扩展聚焦深度的方法，例如提出了国际公 布第99 / 49504号公报所公开的浸液法。该浸液法是在投影光学系统的 下面与基片表面之间用水或有机溶媒等液体充满，利用液体中的曝光 光的波长为空气中的l/n (n是液体的折射率通常为1.2 1.6左右)这 一点使析像度改善，同时将聚焦深度扩大约ii倍这样的方法。可是，在使用上述浸液法对基片进行曝光处理的情况下，有在曝 光处理后会在基片的表面残存液体的情况。若在使该残存的液体附着 于基片的状态下进行搬送，则在搬送中液体从基片落下，因所落下的 液体而使搬送路径周边的各装置或部件生锈、无法维持配置有膝光装 置的环境的清洁度等不良情形就会发生。或者，还有因所落下的液体 而造成曝光装置周边的环境变化(湿度变化)的情况。若发生湿度变 化则例如在工作台位置测量中所用的光干涉计的光路上的空气中将产 生起伏，工作台位置测量就不会精度良好地进行，而产生未得到所希 望的图案转印精度之类的问题。另外，若在曝光处理后在使液体附着 于基片的状态下执行例如显影处理，则会产生不能制造出具有所希望 的性能的器件的顾虑。发明内容本发明就是鉴于这样的情形而完成的，其目的是提供一种在投影 光学系统与基片之间充满液体进行曝光处理之际，能够抑制起因于在 曝光后附着于基片的液体的器件的劣化的装置、组装了该装置的曝光 装置、以及使用该曝光装置的器件制造方法。为了解决上述课题，本发明采用实施方式所示的与图1 图15相 对应起来的以下的构成。其中，附加在各要素上的带括号的符号只不过是该要素的示例，并没有对各要素进行限定的意图。根据本发明的第l技术方案，提供一种曝光装置(EX)，它是经 由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的 膝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系统 (PL);与处理已被爆光的基片(P)的处理装置(C/D)的连接 部(IF);以及在通过连接部(IF)将基片(P)搬出至处理装置(C /D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100、 22、 33、 34)。根据本发明，由于设置在搬送到对实施了曝光处理的基片进行规 定处理的处理装置之前除去附着于基片的液体的液体除去装置，所以 能够在除去了液体的状态下对基片进行规定的处理。从而，能够制造 具有所希望的性能的器件。根据本发明的第2技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX)， 它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行 爆光的曝光装置(EX)，具备:将图案像投影到基片(P)的投影光 学系统(PL); 除去附着于已被曝光的基片(P)的液体(50)的液 体除去装置(100、 22、 33、 34);将已被曝光的基片(P)搬送到液 体除去装置(100、 22、 33、 34)的第l搬送部件(H2、 43);以及将 已由液体除去装置(100、 22、 33、 34)除去液体(50)的基片(P) 从液体除去装置(100、 22、 33、 34)进行搬送的第2搬送部件(H2、 43)。根据本发明，由于设置在基片的曝光后除去附着于基片的曝光用 的液体的液体除去装置，所以能够抑制在基片搬送中液体从基片落下 而造成环境变化等不良情形的发生。在该情况下，就能够由第l搬送部 件将利用浸液法进行膝光处理并附着有液体的基片搬送到液体除去装 置。然后，通过将由液体除去装置除去了液体的基片用与第l搬送部件 不同的第2搬送部件进行搬送，就能够在基片上不附着液体的状态下将 此基片搬送到规定的位置。此外，在本发明中，最好是上述第l搬送部 件其表面的至少一部分为防液性(排斥液体性liquid-repellent)。根据本发明的第3技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX),它是 经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光 的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系 统(PL); 对已被曝光的基片(P)进行搬送的搬送系统(H); 以及设置于基片(P)的搬送路径、除去附着于基片(P)的液体(50) 的液体除去装置(100、 22、 33、 34、)，其中，液体除去装置(100、 22、 33、 34、)具有覆盖基片(P)周围的至少一部分以防止在进行 液体(50)除去时液体(50)飞溅的盖壳(25、 30、 40)。根据本发明，由于在搬送基片的搬送系统的搬送路径的途中设置 除去附着于基片的曝光用的液体的液体除去装置，所以能够同时进行 利用曝光装置(啄光装置本体)的膝光处理和利用设置于搬送路径的 途中的液体除去装置的液体除去处理。从而，能够不会使生产能力降 低地执行各处理。在此情况下，由于液体除去装置具有防止液体飞溅 的盖壳，所以能够防止液体飞溅在搬送路径周围。从而，就能够防止 湿度变化等环境变化或装置生锈等的发生。此外，在本发明中，最好 是上述盖壳包含腔室。在上述第1 3技术方案的曝光装置中，最好是上述液体除去装置 具有将上述膝光后的基片洗净的洗净装置，在利用上述洗净装置将上 述基片洗净后，除去附着于上述基片的洗净液。根据本发明的第4技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX)它 是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝 光的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学 系统(PL);保持基片(P)的基片台(PST);以及在从基片台(PST) 搬出已被曝光的基片(P)之前，除去附着于基片(P)的液体(50) 的液体除去装置(22)。根据本发明，通过在将基片从进行曝光处理的基片台搬出以前除 去附着于基片的液体，就能够抑制在基片的搬送中液体从基片落下之 类的不良情形的发生。在上述第1 4技术方案的曝光装置中，也可以在上述曝光后，附着有上述液体的基片相对于水平面以规定角度进行搬送。另外，上述液体除去装置可通过吹去(blowing off)、吸入(suction)、和/或 干燥(drying)将上述基片上的液体除去。根据本发明的第5技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX)，它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P) 进行爆光的啄光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投 影光学系统(PL);对已被膝光的基片(P )进行搬送的搬送系统(H); 以及在基片(P)的搬送路径之下的至少一部分处理从曝光后的基片 (P)落下的液体(50)的液体处理机构。根据本发明，在用搬送系统搬送啄光后的基片时，即使液体附着 在基片上，通过用液体处理机构对在搬送中从基片落下的液体进行处 理，就能够防止液体飞溅在搬送路径的周围。从而，就能够防止湿度 变化等环境变化或装置的生锈等的发生。上述液体处理机构，可由被 配置于上述搬送路径之下的至少一部分的槽部件和排出经由该槽部件 所回收的液体的排出机构进行构成。根据本发明的第6技术方案，提供一种曝光装置(EX),它是经 由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的 膝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系统 (PL);以及在基片(P)被搬出至处理已被啄光的基片(P)的处理 装置(C/D)之前，将已被曝光的基片(P)洗净的洗净装置(150)。根据本发明，就能够将在浸液曝光中、或者曝光后的基片的搬送 中附着于基片表面的异物等洗掉，能够送出干净的基片。特别是，在 浸液曝光所用的液体为水以外的液体、例如，洋杉油或氟族油等有机 系的液体的情况下，为了不对之后的基片处理带来影响希望用洗净装 置事先将这样的液体除去。根据本发明的第7技术方案，提供一种曝光装置(SYS、 EX)， 它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行 曝光的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光 学系统(PL); 对附着有液体的基片(P)进行搬送的第l搬送部件(H2、 43);以及对未附着液体的基片(P)进行搬送的第2搬送部件 (Hl、 H3、 44)。根据本发明，由于区分使用对附着有液体的基片进行搬送的第l 搬送部件和对未附着液体的基片进行搬送的第2搬送部件，所以就能够 防止液体附着到第2搬送部件、或者液体附着到用第2搬送部件所搬送 的基片，并能够抑制液体的扩散、飞溅。根据本发明的第8技术方案，提供一种曝光装置(SYS， EX)， 它是经由液体(50)在基片(P)上照射啄光光以对基片(P)进行曝 光的曝光装置(EX)，具备保持基片可移动的第1保持部件(PST1); 保持基片可移动的第2保持部件(PST2);以及在上述第l保持部件所 保持的基片正进行曝光时，进行附着于上述第2保持部件所保持的、已 结束膝光的基片的液体的除去的液体除去装置(100， 30)。根据本发明，通过并行进行一个保持部件上所保持的基片的曝光 处理和另一个保持部件上所保持的曝光后的基片的液体除去处理的至 少一部分，就能够抑制伴随液体除去处理的装置的生产能力的低下。根据本发明的第9技术方案，提供一种与经由液体(50)将图案 像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的曝光装置(EX) — 起使用的液体除去装置(100),具备保持已被曝光的基片(P)的 保持部(21、 36、 43);以及除去存在于基片(P)上的曝光用的液 体(50)的液体除去才几构(22、 33、 34、 37、 38)。根据本发明的第10技术方案，提供一种曝光系统具备本发明的 曝光装置以及对已曝光的基片进行处理的处理装置。上述处理装置包 含在基片的基材上涂敷感光性材料的涂敷装置(coating unit)以及对 已被曝光的基片进行显影的显影装置中的至少一个。在本发明中，提供以使用上述技术方案的曝光装置为特征的器件 制造方法。根据本发明，由于能够抑制起因于附着于基片的液体的曝 光处理环境的变化或带给曝光处理后的基片的规定的处理(显影处理 等)的影响，所以能够制造具有所希望的性能的器件。


图l是表示作为本发明的曝光装置的器件制造系统的一实施方式 的概略构成图。图2是从上方观看图l的图。图3是表示进行膝光处理的曝光装置本体的一实施方式的概略构成图。图4是表示供给喷嘴及回收喷嘴的配置例的图。 图5是表示与本发明相关的液体除去装置的一实施方式的概略构成图。图6是表示与本发明相关的液体除去装置的其他实施方式的概略 构成图。图7 (a)及(b)是表示与本发明相关的液体除去装置的其他实 施方式的概略构成图。图8是表示与本发明相关的液体除去装置的其他实施方式的概略 构成图。图9是表示与本发明相关的液体除去装置的其他实施方式的概略 构成图。图10是表示与本发明相关的液体除去装置的其他实施方式的概 略构成图。图ll是表示与本发明相关的液体除去装置的其他实施方式的概 略构成图。图12是表示与本发明相关的液体除去装置的其他实施方式的概 略构成图。图13是表示作为本发明的啄光装置的器件制造系统的其他实施 方式的概略构成图。图14是表示作为本发明的曝光装置的器件制造系统的其他实施 方式的概略构成图。图15是表示半导体器件的制造工序阿一例的流程图。
具体实施方式
第l实施方式下面，一边参照附图一边就本发明的膝光装置及器件制造方法进 行说明。图l是表示具有本发明的曝光装置的器件制造系统的 一 实施方式的图、从侧方观看的概略构成图，图2是从上方观看图1的图。在图l、图2中，器件制造系统SYS具有曝光装置EX-SYS、涂敷 器.显影器装置C/D-SYS。曝光装置EX-SYS具有形成与涂敷器-显影器装置C/D-SYS的连接部的接口部IF,将投影光学系统PL与基 片P之间用液体50进行充满、经由投影光学系统PL和液体50将图案像 投影到基片P上并对基片P进行曝光的曝光装置本体EX，在接口部IF 与膝光装置本体EX之间搬送基片P的搬送系统H，设置于搬送系统H 的搬送路径的途中、除去附着于曝光处理后的基片P的液体的液体除 去装置100，和统括控制曝光装置EX-SYS全体动作的控制装置CONT。 涂敷器.显影器装置C/D-SYS具有对进行膝光处理之前的基片P 的基材涂敷光致抗蚀剂(感光剂)的涂敷装置C，和对在曝光装置本 体EX中经过膝光处理后的基片P进行显影处理的显影装置(处理装置) D。膝光装置本体EX被配置在对清洁度进行了管理的第1腔室装置 CH1内部。另一方面，涂敷装置C及显影装置D被配置在与第1腔室装 置CH1不同的第2腔室装置CH2内部。然后，收容曝光装置本体EX的 第1腔室装置CH1与收容涂敷装置C及显影装置D的第2腔室装置CH2 经由接口部IF连接起来。这里，在以下的说明中，将收容在第2腔室装 置CH2内部的涂敷装置C及显影装置D合起来适宜称之为「涂敷器，显 影器本体C/D J 。如图1所示，曝光装置本体EX具有用曝光光EL对掩模台MST 所支承的掩模M进行照明的照明光学系统IL，将用曝光光EL照明后的 掩模M的图案像投影到基片P上的投影光学系统PL，以及支承基片P 的基片台PST。本实施方式中的曝光装置本体EX采用具有2个基片台 PST1、 PST2的所谓双工作台系统。作为双工作台系统的具体构成， 在日本专利公开特开平IO - 163099号公报、日本专利公开特开平IO -214783号公报、特表2000- 505958号7>报、美国专利6， 341， 007号、 6， 400， 441号、6, 549， 269号以及6， 590， 634号等文献中进行了公 开，可参照这些文献。在本国际申请所指定或选定的国家的法令中所 允许的范围内，援引这些美国专利并作为本文记载的一部分。在本发 明中，能够采用上述文献中所公开的双工作台系统。另外，本实施方 式中的曝光装置本体EX为 一边将掩模M与基片P朝扫描方向上的相互 不同的方向(逆方向)同步移动一边将掩模M上所形成的图案在基片P 上进行曝光的扫描型曝光装置(所谓扫描逐次移动式爆光装置)。在 以下的说明中，设在水平面内掩模M与基片P的同步移动方向(扫描方 向)为X轴方向，"没在水平面内与X轴方向正交的方向为Y轴方向(非 扫描方向)、设垂直于X轴及Y轴方向与投影光学系统PL的光轴AX— 致的方向为Z轴方向。另外，将绕X轴、Y轴及Z轴的方向分别设为0X、 eY及ez方向。此外，这里所说的r基片」包含在半导体晶片上涂敷了 抗蚀剂的情况，「掩模」包含在基片上形成经过缩小投影的设备图案 的网线(reticle)。搬送系统H具有将进行曝光处理之前的基片P搬入(装载)基 片台PST的第1搬送装置H1，将经过曝光处理后的基片P从基片台PST 搬出(卸载)、搬送至液体除去装置100的第2搬送装置H2，和在液体 除去装置100与接口部IF之间搬送基片P的第3搬送装置H3。第l、第2、 第3搬送装置H1、 H2、 H3设置在第1腔室装置CH1内部。用涂敷器. 显影器本体C/D (涂敷装置C)实施了光致抗蚀剂的涂敷处理的基片 P经由接口部IF送给第3搬送装置H3。这里，在与第l、第2腔室装置 CH1、 CH2各自的接口部IF对面的部分设置有开口部及使该开口部进 行开闭的挡板。在基片P的对于接口部IF的搬送动作中，挡板被开放。 第3搬送装置H3经由液体除去装置100将进行曝光处理之前的基片P送 给第1搬送装置H1。此外，在将基片P从第3搬送装置H3送给第1搬送 装置H1之际，也可以不经由液体除去装置100而是经由未图示的其他 搬送装置或中继装置送给第1搬送装置H1。第1搬送装置H1将所送来的 基片P装载到曝光装置本体EX的基片台PST。经过膝光处理后的基片P由笫2搬送装置H2从基片台PST卸载。第2搬送装置H2经由液体除去装 置100将卸载后的基片P送给第3搬送装置H3。用第3搬送装置H3所搬 送的基片P经由接口部IF搬运到涂敷器.显影器本体C/D (显影装置 D)。显影装置D对所送来的基片P实施显影处理。此外，由于区分使用将进行膝光处理前的未浸湿的基片P搬入基 片台PST的第1搬送装置H1和将经过爆光处理后的有浸湿的可能性的 基片P从基片台PST搬出的第2搬送装置H2，所以能够防止液体附着到 用第1搬送装置H1所搬送的基片P的背面等，而不会在第l搬送装置(搬 送部件)Hl上附着液体。图3是曝光装置本体EX的概略构成图。照明光学系统IL用曝光光 EL对掩模台MST所支承的掩模M进行照明，具有曝光用光源、使从曝 光用光源射出的光束的照度均一化的光学集成器、对来自光学集成器 的曝光光EL进行聚光的聚光镜、中继透镜系统、将利用曝光光EL的 掩模M上的照明区域设定成狭缝状的可变视场光圏等。掩模M上的规 定照明区域由照明光学系统IL用均一的照度分布的曝光光EL进行照 明。作为从照明光学系统IL射出的曝光光EL，例如使用从水银灯射出 的紫外区的辉线(g线、h线、i线)及KrF激态复合物激射光(波长248nm ) 等远紫外光(DUV光)，或ArF激态复合物激射光(波长193nm)及 F2激射光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本实施方式 中，使用ArF激态复合物激射光。掩模台MST支撑掩模M，可在垂直于投影光学系统PL的光轴AX 的平面内、即XY平面内进行2维移动以及可沿0Z方向进行微小旋转。 掩模台MST由线性马达等掩模台驱动装置MSTD进行驱动。掩模台驱 动装置MSTD由控制装置CONT进行控制。掩模台MST上的掩模M的2 维方向的位置以及旋转角由激光干涉仪实时地进行测量，测量结果被 输出到控制装置CONT 。控制装置CONT基于激光干涉仪的测量结果 对掩模台驱动装置MSTD进行驱动由此来进行掩模台MST所支承的掩 模M的定位。投影光学系PL将掩模M的图案以规定的投影倍率P在基片P上进行投影曝光，由多个光学元件(透镜)构成，这些光学元件由作为金属部件的镜筒(barrel) PK进行支承。在本实施方式中，投影光学系 统PL是投影倍率p为例如l/4或者l/5的缩小系统。此外，投影光学 系统PL既可以是等倍系统及扩大系统中的某一个，也可以使用反射镜 来构成。另外，在本实施方式的投影光学系统PL的前端侧(基片P侧)， 光学元件(透镜)60从镜筒PK露出来。该光学元件60相对于镜筒PK 可装拆(更换)地进行设置。基片台PST支撑基片P，具备经由衬底架保持基片P的Z工作台51, 支承Z工作台51的XY工作台52，以及支承XY工作台52的基座53。基片 台PST由线性马达等基片台驱动装置PSTD进行驱动。基片台驱动装置 PSTD由控制装置CONT进行控制。通过驱动Z工作台51来控制Z工作 台51所保持的基片P的Z轴方向上的位置(聚焦位置)以及ex、 9Y方 向上的位置。另外，通过驱动XY工作台52来控制基片P的XY方向上的 位置(与投影光学系统PL的像面实质上平行的方向的位置)。即，Z 工作台51对基片P的聚焦位置及倾斜角进行控制以自动聚焦 (auto-focus)方式及自动调整(auto-leveling)方式将基片P的表面 合并到投影光学系统PL的像面，XY工作台52进行基片P的X轴方向及 Y轴方向上的定位-此外，不言而喻也可以将Z工作台与XY工作台一 体地进行设置。在基片台PST (Z工作台51)上设置有移动镜54。另外，在与移 动镜54相对的位置设置有激光干涉仪55。基片台PST上的基片P的2维 方向的位置及旋转角由激光干涉仪55实时地进行测量，测量结果被输 出到控制装置CONT。控制装置CONT基于激光千涉仪55的测量结果 对基片台驱动装置PSTD进行驱动由此来进行基片台PST上所支承的 基片P的定位。在本实施方式中，为了将曝光波长实质缩短以改善析像度，同时 将聚焦深度实质扩展，而适用浸液法。为此，至少在将掩模M的图案 像转印到基片P上的期间，在基片P的表面与投影光学系统PL的基片P 侧的光学元件(透镜)60的前端面(下面)7之间充满规定的液体50。如上述那样，构成为在投影光学系统PL的前端侧透镜60露出来，液体 50仅与透镜60接触。由此，就能够防止由金属组成的镜筒PK的腐蚀等。 在本实施方式中，在液体50上使用纯水。纯水不仅在ArF激态复合物 激射光，在将曝光光EL设为例如从水银灯射出的紫外区的辉线(g线、 h线、i线)及KrF激态复合物激射光(波长248nm)等远紫外光(DUV 光)的情况下也可透过该曝光光EL。膝光装置EX具有对投影光学系统PL的前端面(透镜60的前端面) 7与基片P之间的空间56供给规定的液体50的液体供给装置1和回收空 间56的液体50的液体回收装置2。液体供给装置l用于将投影光学系统 PL与基片P之间的至少一部分用液体50进行充满，具有收容液体50的 容器、加压泵等。在液体供给装置1上连接供给管3的一端部，在供给 管3的另一端部连接着供给喷嘴4。液体供给装置1经由供给管3及供给 喷嘴4对空间56供给液体50。液体回收装置2具有吸入泵、收容所回收的液体50的容器等。在 液体回收装置2上连接着回收管6的一端部，在回收管6的另一端部连接 着回收喷嘴5。液体回收装置2经由回收喷嘴5及回收管6对空间56的液 体50进行回收。在对空间56充满液体50之际，控制装置CONT驱动液 体供给装置1,经由供给管3及供给喷嘴4每单位时间对空间56供给规定 量的液体50，同时驱动液体回收装置2，经由回收喷嘴5及回收管6每单 位时间自空间56回收规定量的液体50。由此，在投影光学系统PL的前 端面7与基片P之间的空间56保持着液体50。投影光学系统PL的最下端透镜60其前端部60A在扫描方向仅剩 余必要的部分且在Y轴方向(非扫描方向)细长呈矩形而形成。在扫 描曝光时掩模M的一部分图案像被投影到前端面60A正下方的矩形投 影区域，相对于投影光学系统PL掩模M在-X方向(或者+ X方向) 以速度V进行移动，与此相同步经由XY工作台52^f吏基片P在十X方向 (或者-X方向)以速度p.v (p是投影倍率)进行移动。然后，在对 一个拍摄区域的曝光结束后，通过基片P的步进使下一拍摄区域移动 到扫描开始位置，下面，以步进扫描(step-and-scan )方式依次进行对于各拍摄区域的曝光处理。在本实施方式中，平行于基片P的移动方向在与基片的移动方向的同一方向流过液体50这样来进行设定。图4是表示投影光学系统PL的透镜60的前端部60A、在X轴方向供 给液体50的供给喷嘴4( 4A~ 4C)、以及回收液体50的回收喷嘴5( 5A、 5B)的位置关系的图。在图4中，透镜60的前端面60A的形状为在Y轴 方向细长的矩形，在+ X方向侧配置3个供给喷嘴4A 4C， 在-X方 向侧配置2个回收喷嘴5A、 5B以使得在X轴方向夹着投影光学系统PL 的透镜60的前端部60A。然后，供给喷嘴4A 4C经由供给管3连接到 液体供给装置l，回收喷嘴5A、 5B经由回收管4连接到液体回收装置2。 另外，在将供给喷嘴4A 4C和回收喷嘴5A、 5B相对于前端部60A的中 心大致旋转了180。的位置配置着供给喷嘴8A 8C和回收喷嘴9A、 9B。 供给喷嘴4A 4C与回收喷嘴9A、 9B在Y轴方向上交互排列，供给喷嘴 8A 8C与回收喷嘴5A、 5B在Y轴方向上交互排列，供给喷嘴8A 8C 经由供给管10连接到液体供给装置1，回收喷嘴9A、 9B经由回收管11 连接到液体回收装置2。此外，进行来自喷嘴的液体供给以使得在投影 光学系统PL与基片P之间不发生气体部分。在曝光装置本体EX中，在朝箭头Xa (参照图4)所示的扫描方向(-X方向)使基片P移动来进行扫描曝光的情况下，使用供给管3、 供给喷嘴4A 4C、回收管4以及回收喷嘴5A、 5B，借助于液体供给装 置1及液体回收装置2来进行液体50的供给及回收。即，在基片P朝-X 方向移动之际，经由供给管3及供给喷嘴4 (4A 4C)液体50从液体供 给装置1被供给到投影光学系统PL与基片P之间，同时经由回收喷嘴5(5A、 5B)及回收管6液体50被回收到液体回收装置2，为了充满透镜 60与基片P之间液体50在-X方向进行流动。另一方面，在朝箭头Xb 所示的扫描方向(十X方向)使基片P移动来进行扫描曝光的情况下， 使用供给管IO、供给喷嘴8A 8C、回收管11及回收喷嘴9A、 9B，借 助于液体供给装置l及液体回收装置2来进行液体50的供给以及回收。 即，在基片P朝十X方向移动之际，经由供给管10及供给喷嘴8 (8A~ 8C )液体50从液体供给装置1被供给投影光学系统PL与基片P之间，同时经由回收喷嘴9 (9A、 9B)及回收管11液体50#皮回收到液体回收 装置2,为了充满透镜60与基片P之间液体50在+ X方向进行流动。这 样，控制装置CONT使用液体供给装置l及液体回收装置2沿基片P的移 动方向流过液体50。在该情况下，例如从液体供给装置l经由供给喷嘴 4所供给的液体50，由于伴随向基片P的-乂方向的移动被引入空间56 这样进行流动，所以即便液体供给装置l的供给能量较小也能够将液体 50容易地供给空间56。而且，通过依照扫描方向来切换使液体50流动 的方向，在沿十X方向或-X方向任一方向扫描基片P的情况下都能够 用液体50充满透镜60的前端面7与基片P之间，并能够获得较高的析像 度及较广的聚焦深度。接着， 一边参照图5—边就第1实施方式的曝光装置中所用的液体 除去装置100进行说明。液体除去装置100设置于搬送系统H的搬送路 径的途中、将由于浸液法而附着在经过曝光处理后的基片的P液体50 除去。在本实施方式中，液体除去装置100被设置于第2搬送装置H2与 第3搬送装置H3之间。液体除去装置100具有工作台装置20，设置于工 作台装置20、保持基片P的下面中央部的支架部21，和使保持基片P的 支架部(holder) 21进行旋转的旋转机构22。在支架部21的上面设置 着保持真空装置的一部分的真空吸附孔，支架部21吸附保持基片P的 下面中央部。旋转机构22由设置于工作台装置20内部的马达构成，通 过使连接到支架部21的轴部23旋转来使支架部21进行旋转。而且，工 作台装置20、支架部21以及旋转机构22被设置于作为盖壳机构的腔室 25内部，在腔室25中经由流路28设置有液体吸引装置(liquid-sucking ) 29。在流路28上设置有阀28A。支架部21与轴部(shaft )23—起相对于工作台装置20的上面可升 降地进行设置。在保持基片P的支架部21相对于工作台装置20上升时， 基片P自工作台装置20离开，借助于旋转机构22的驱动可进行旋转。 另一方面，在支架部21下降时基片P由设置于工作台装置20的上面的 第2支架部24进行保持。腔室25具有形成于第2搬送装置H2侧的第1开口部26和形成于第3搬送装置H3侧的第2开口部27。在第l开口部26上设置有使该第l开口 部26进行开闭的第1挡板26A,在第2开口部27上设置有使该第2开口部 27进行开闭的第2挡板27A。第l、第2挡板26A、 27A的开闭动作由控 制装置CONT进行控制。若第1挡板26A被开放则第2搬送装置H2可经 由第1开口部26访问液体除去装置100的工作台装置20。即，第2搬送装 置H2可经由第l开口部26将基片P对液体除去装置100的工作台装置20 进行搬送(搬入)。第3搬送装置H3经由第2开口部27可访问液体除去 装置100的工作台装置20。即，第3搬送装置H3可经由第2开口部27将 基片P对液体除去装置100的工作台装置20进行搬送(搬出)。另一方 面，通过将笫l、第2挡板26A、 27A关闭使腔室25内部密封起来。接着，利用图1及图2就具备上述的曝光装置本体EX及液体除去 装置100的器件制造系统SYS的动作进行说明。在曝光装置本体EX中，基片台PST1上所保持的基片P利用浸液 法进行曝光，与其并行对基片台PST2上所保持的基片P，进行对准标 记的检测或表面信息(AF (自动聚焦)/AL (自动调整)信息)的 测量。图l表示基片台PST1在曝光装置本体(曝光位置)EX中进行曝 光动作，基片台PST2在测量位置上进行测量动作的情形。在曝光装置 本体中，进行液体供给装置1的液体供给与液体回收装置2的液体回收， 投影光学系统PL的像面侧的曝光光的光路用液体50充满。若基片台 PST1上所保持的基片P的啄光处理完成，则停止液体供给装置1的液体 供给，由液体回收装置2进行液体回收。若利用液体回收装置2的液体 回收结束，则基片台PST1从膝光装置本体EX进行退避，同时已结束 各种测量的基片台PST2被放入啄光装置本体(曝光位置)EX。在基 片台PST1上结束了曝光处理的基片P借助于基片台PST1被装载到第2 搬送装置H2。结束了曝光处理后的基片P卸载的基片台PST1从第1搬 送装置H1接受未曝光的基片P，开始测量位置上的各种测量。在第2 搬送装置H2所卸栽的基片P上稍微附着有未被液体回收装置2所回收 完了的液体50，由笫2搬送装置H2搬送到液体除去装置100。这样，并 列进行基片台PST2所保持的基片P的曝光处理以及基片台PST1所保持的未曝光的基片P的各种测量，并用液体除去装置100进行在紧前面结束了曝光处理的基片p上所残留的液体的除去。此外，在对基片台PST2所保持的基片P上从液体供给装置1开始 供给液体之际，在基片台PST1不进行实质的测量动作，而是仅进行基 片台PST1的移动，或者单单使基片台PST1停止为好。通过这样进行 处理，就能够防止在基片台PST2上从液体供给装置1开始液体供给之 际所产生的振动对测量位置中的基片台PST1的测量动作带来影响。另 外，当在停止向基片台PST2上供给液体时，测量位置上的基片台PST1 的测量动作尚未结束的情况下，也可以在停止液体供给时，在基片台 PST1不进行实质的测量动作，而是仅仅进行基片台PST1的移动，或 者单单使基片台PST1停止。控制装置CONT伴随着对第2搬送装置H2的液体除去装置100的 接近将第1挡板26A开放(参照图5)。此时，第2挡板27A关闭。第2 搬送装置H2经由第l开口部26将基片P送给液体除去装置100的工作台 装置20。此时，支架部21下降，基片P被保持于工作台装置20上的支 架部21及第2支架部24。一旦将基片P送到工作台装置20，第2搬送装置H2就经由第l开口 部26自腔室25退避。如果第2搬送装置H2自腔室25进行退避则控制装 置CONT关闭第l挡板26A。由此，腔室25内部被密封。如果腔室25内 部被密封，则控制装置CONT将支架部21上升。在支架部21上升的同 时，吸附保持于该支架部21的基片P也相对于工作台装置20进行上升。 然后，控制装置CONT驱动旋转机构22，使支架部21与基片P—起朝eZ 方向进行旋转。通过旋转机构22使基片P旋转，附着在基片P的上下两 面的液体50就借助于离心力的作用从基片P飞散。由此，附着在基片P 的液体50就从基片P除去。这里，由于基片P被配置在作为盖壳机构的 腔室25内部，所以从基片P飞散的液体5不会飞溅在周围。从基片P飞散的液体50由连接到腔室25的液体吸引装置29进行回 收。液体吸引装置29通过将腔室25内部的气体与飞溅的液体50—起吸 引来回收从基片P飞散的液体50。这里，液体吸引装置29继续进行腔室25内部的气体及飞溅的液体50的吸引动作。据此，由于液体50不会 存留在腔室25的内壁或底等腔室25内部，所以腔室25内部的湿度不会 变动太大。另外，即使在开放挡板26A、 27A时，腔室25内潮湿的气体 也不会流出到腔室25外。一旦基片P旋转了规定时间(或者规定旋转数)，控制装置CONT 就停止旋转机构22的驱动，将基片P与支架部21—起下降。接着，控 制装置CONT开放第2挡板27A。 一旦第2挡板27A被开放，第3搬送装 置(第2搬送部件)H3就经由第2开口部27访问工作台装置20，保持工 作台装置20上的液体50被除去的基片P。保持由液体除去装置100除去 了液体50的基片P的第3搬送装置H3，自腔室25内部经由第2开口部27 将基片P搬出。如图1所示，借助于液体除去装置100除去了液体50的基片P，经 由接口部IF被运到涂敷器.显影器本体C/D。涂敷器.显影器本体C /D (显影装置D)对所送来的基片P实施显影处理。这样，在本实施 方式的曝光装置EX - SYS经由接口部IF将基片P搬出到涂敷器■显影 器装置CD-SYS之前，借助于液体除去装置100除去附着于基片P的液 体50。如以上说明那样，由于将在膝光装置本体EX中实施了曝光处理 的基片P搬送到涂敷器.显影器装置C / D - SYS (显影装置D )之前， 用液体除去装置100除去附着于基片P的液体50，所以能够消除液体50 对于显影处理的影响。另外，通过由液体除去装置100除去附着于基片 P的液体50,就能够防止在基片P的搬送中液体从基片P落下、造成第l 腔室装置CH1内部的湿度变化(环境变化)，或者使搬送路径上的各 装置或部件生锈等的良情形的发生。另外，由于将附着有液体50的基片P用第2搬送装置H2进行搬送， 将除去了液体50的基片P用与第2搬送装置H2不同的第3搬送装置H3 进行搬送，所以第3搬送装置H3不会被液体50淋到。从而，在第3搬送 装置H3所搬送的基片P上不会附着液体50，另外，能够可靠地防止第3 搬送装置H3的搬送路径上的液体50的飞溅。另外，由于将液体除去装置100设置于搬送系统H的搬送路径的 途中，所以能够同时进行利用曝光装置本体EX的膝光处理和利用液体 除去装置100的液体除去处理。从而，能够不使生产能力降低地执行各 处理。而且，由于是在腔室25内部进行液体除去处理，所以能够防止 液体50飞濺到周围。此外，虽然在本实施方式中，在将曝光处理后的基片P搬送到作 为处理装置的涂敷器.显影器装置C/D-SYS之际，经由作为连接部 的接口部IF进行搬送如此进行了说明，但例如在涂敷器.显影器装置 C/D-SYS中具备接口部IF的情况下、或者在涂敷器.显影器装置C / D - SYS不经由接口部IF直接连接到曝光装置EX - SYS的情况下， 或者，处理装置为基片收纳装置且不经由接口部IF将膝光处理后的基 片P搬送到基片收纳装置的情况下，第1腔室装置CH1的开口部就成为 膝光装置EX-SYS的连接部。如上述那样，本实施方式中的液体50由纯水构成。纯水在半导体 制造工厂等能够容易地大量获得，同时还具有没有对于基片P上的光 致抗蚀剂(光刻胶)或光学元件(透镜)等的不好影响的优点。另夕卜， 纯水没有对于环境的不好影响，同时不纯物的含有量极其低，所以还 能够期待对基片P的表面以及设置于投影光学系统PL的前端面的光学 元件的表面进行洗净的作用。而且，纯水(水)相对于波长为193nm程度的膝光光EL的折射率 n被认为在l. 44~1. 47左右，在利用ArF激态复合物激射光(波长 193nm )作为啄光光EL的光源的情况下，在基片P上以1 / n、即约131 ~ 134nm程度被短波长化而得到较高的析像度。进而，聚焦深度与空气 中相比以约n倍、即约l. 44~1. 47倍程度被扩大，所以在能够确保与 在空气中使用的情况同程度的聚焦深度即可的情况下，就能够使投影 光学系统PL的数值口径进一步增加，在这一点上析像度也将改善。虽然在本实施方式中，在投影光学系统PL的前端安装了透镜60， 但作为安装于投影光学系统PL的前端的光学元件，还可以是在投影光 学系统PL的光学特性、例如像差(球面像差、彗形像差等)的调整中所用的光学片。或者也可以是可透过曝光光EL的平行平面板。通过将 与液体50接触的光学元件设为比透镜廉价的平行平面板，即使在曝光 装置EX的搬运、组装、调整时等将使投影光学系统PL的透射系数、 基片P上的膝光光EL的照度以及照度分布的均 一性降低的物质(例如 硅族有机物等)附着于该平行平面板，仅在供给液体50之前更换该平 行平面板即可，具有比将与液体50接触的光学元件设为透镜的情况其 更换成本低之类的优点。即，由于因爆光光EL的照射而从抗蚀剂发生 的飞'减粒子、或起因于液体50中的不纯物的附着等而弄脏与液体50接 触的光学元件的表面，所以需要定期地更换该光学元件，通过将该光 学元件设为廉价的平行平面板，与透镜相比就能够使更换部件的成本 变低，且能够使更换所要的时间变短，还能够抑制维修成本(运转成 本)的上升或生产能力的低下。此外，在因液体50的流动所产生的投影光学系统PL的前端的光 学元件与基片P之间的压力较大的情况下，还可以不是可更换该光学 元件而是牢固地固定光学元件以使其不会因该压力而活动。此外，虽然在本实施方式中，是在投影光学系统PL与基片P表面 之间用液体50充满的构成，但也可以是例如在基片P的表面上安装由 平行平面板组成的玻璃盖片的状态下充满液体50的构成。此外，在上述各实施方式中，上述喷嘴的形状并不特别进行限定， 例如对于前端部60A的长边也可以用两对喷嘴进行液体50的供给或者 回收。此外，由于在此情况下从+ X方向或-x方向的任一方向均能够 进行液体50的供给及回收，所以也可以在上下并列配置供给喷嘴和回 收喷嘴。第2实施方式接着， 一边参照图6—边就本发明的第2实施方式的曝光装置中所 用的液体除去装置100进行说明。这里，在下面的说明中，关于液体除 去装置100以外，由于与第l实施方式相同或等同故简略或者省略其说 明。在图6中，液体除去装置IOO，为了在进行附着于基片P的液体50 的除去时不使液体50飞賊，而具备构成覆盖基片P周围的盖壳机构的 一部分的盖壳部(cover) 30。本实施方式中的液体除去装置100不具 有腔室25。盖壳部30平面看大致呈圆环状形成，在该圆环内部具有凹 槽(pocket)部30A。在盖壳部30的凹槽部30A中连接着液体吸引装置 29。另外，盖壳部30可配置在形成于工作台装置20的凹部31，借助于 升降机构32可相对于工作台装置20升降地(可出没地)进行设置。在 进行液体除去处理之际，在支架部21上升的同时盖壳部30也上升。由 于盖壳部30被设置成覆盖基片P的周围，所以因基片P的旋转而飞散的 液体50被回收到盖壳部30的凹槽部30A。被回收到凹槽部30A的液体50 由液体吸引装置29进行回收。如以上说明那样，作为盖壳机构还能够使用覆盖基片P的周围的 盖壳部30。由此，与第1实施方式中说明过的腔室25相比能够以简易的 构成防止液体50向周围飞'减。第3实施方式接着， 一边参照图7—边就第3实施方式的爆光装置中所用的液体 除去装置100进行说明。本实施方式的特征部分为构成液体除去装置 100的旋转机构22及盖壳部30设置于进行曝光处理的曝光装置本体EX 的基片台PST这一点。由于曝光装置本体EX的构造与第1实施方式相 同所以省略其说明。在图7(a)中，基片台PST具有保持基片P的支架部21及第2支架 部24和可收容盖壳部30的凹部31。然后，如图7(a)所示，对支架部 21及第2支架部24上所保持的基片P经由投影光学系统PL及液体50转 印图案像。 一旦对于基片P的曝光处理结束，控制装置CONT，如图7 (b )所示，停止对于投影光学系统PL与基片P之间的从液体供给装置 l的液体50的供给，同时借助于液体回收装置2回收基片P上的液体50。 若该回收作业结束，则使基片台PST从投影光学系统PL的正下方退 避。接着，控制装置CONT在使保持基片P的支架部21上升的同时将盖壳部30上升，驱动旋转机构22使基片P进行旋转。由此，用液体回收 装置2未回收完了而附着于基片P的液体50就从基片P被除去。然后， 一旦将附着在基片P的液体50除去，第2搬送装置H2就自基片台PST将 基片P搬出。如以上说明那样，还可以将液体除去装置100设置于基片台PST。 而且，通过在将基片P从进行膝光处理的基片台PST搬出之前，除去附 着于基片P的液体，就能够防止在基片P的搬送中液体50从基片P落下 之类的不良情形的发生。另外，在本实施方式中，由于曝光装置本体 EX釆用双工作台系统，所以能够同时进行第l基片台PST1中的曝光处 理和第2基片台PST2中的液体除去处理，并能够不使生产能力降低地 执行全体处理。另外，虽然在第3实施方式中，为了在将曝光处理后的基片P从基 片台PST搬送之前除去附着于基片P的液体而釆用使基片P旋转的机 构，但既可以设置吹掉液体的吹风机(blower)、或者与液体回收装 置2不同另行设置对基片P上的残留液体进行吸引的机构，也可以并用 它们。第4实施方式接着， 一边参照图8—边就第4实施方式的曝光装置中所用的液体 除去装置IOO进行说明。图8所示的液体除去装置IOO为设置于搬送系统 H的搬送路径的途中，即第2搬送装置H2与第3搬送装置H3之间、具备 腔室25的构成。由于膝光装置本体EX的构造与第1实施方式相同所以 省略其说明。在图8中，液体除去装置100具备通过对基片P的表面(上面) 吹喷气体使附着于该基片P的表面的液体50飞散来进行除去的第1吹 刮部(blow section) 33,和通过对基片P的背面(下面)吹喷气体使 附着于该基片P的背面的液体50飞散来进行除去的第2吹刮部34。笫l、 第2吹刮部33、 34分别经由流路连接到气体供给装置35。在流路上设置 有将对基片P吹喷的气体中的异物(灰尘或油雾)除去的过滤器。而且，气体供给装置35将经过干燥的气体供给第1、第2吹刮部33、 34。 在本实施方式中，气体供给装置35供给干燥空气。图9是从上方观看图8的腔室25内部的图。如图9所示，基片P其下 面的Y轴方向两端部由保持装置36进行保持(此外，在图8中保持装置 36未被图示)。保持装置36通过第2搬送装置H2传送基片P、并保持所 传送的基片P。另外，保持装置36上所保持的基片P被传给第3搬送装 置H3。第1吹刮部33具备设Y轴方向为长度方向的喷嘴本体部33A、和 在喷嘴本体部33A的长度方向排列多个而设置的喷嘴孔33B。从气体供 给装置35供给的干燥空气从多个喷嘴孔33B分别吹出。第2吹刮部34也 具有与第1吹刮部33等同的构成，具有设Y轴方向为长度方向的喷嘴本 体部和多个喷嘴孔。保持装置36上所保持的基片P与第1、第2吹刮部33、 34可相对移 动地进行设置。在本实施方式中，第l、笫2吹刮部33、 34对保持装置 36上所保持的基片P在X轴方向上进行扫描移动。此外，既可以在保持 装置36上设置驱动装置，使基片P相对于第1、第2吹刮部33、 34进行 移动，也可以使第l、第2吹刮部33、 34和保持装置36两者进行移动。接着，就具有上述构成的液体除去装置100的动作进行说明。第2 搬送装置H2将附着有液体50的基片P送给保持装置36。控制装置 CONT利用第l、第2吹刮部33、 34对保持装置36所保持着的基片P吹喷 气体。这里，由第l、第2吹刮部33、 34所吹喷的气体相对于基片P的 表面及背面从倾斜方向进行吹喷。控制装置CONT—边使第l、第2吹 刮部33、 34在X轴方向相对于保持装置36所保持的基片P进行移动一边 吹喷气体。这里，由于第l、第2吹刮部33、 34各自的喷嘴本体部的长 度远远大于基片P，所以没有遗漏地对基片P的表背面全体吹喷气体。 通过吹喷气体使附着在基片P的液体50飞散、除去。分散的液体50被 回收到液体吸引装置29。除去了液体50的基片P被传送到第3搬送装置 H3。第5实施方式接着， 一边参照图10—边就第5实施方式的曝光装置中所用的液 体除去装置100进行说明。在图10中，液体除去装置100具备经由流 路连接到液体吸引装置29、对分别附着于基片P的表面及背面的液体 50进行吸引的第1、第2吸引部37、 38，和对腔室25内部进行干燥的干 燥装置39。第l、第2吸引部37、 38相对于基片P在X轴方向可相对移动 地进行设置。在除去附着在基片P的液体50之际，控制装置CONT在使 第l、第2吸引部37、 38接近到基片P的状态下，驱动液体吸引装置29。 由此，附着在基片P的液体50经由第1、第2吸引部37、 38被吸引到液 体吸引装置29。然后， 一边使第l、第2吸引部37、 38相对于基片P在X 轴方向进行移动一边进行利用液体吸引装置29的吸引动作，由此除去 附着在基片P的液体50。此时，干燥装置39对腔室25内部供给经过干 燥的气体(干燥空气)。借助于干燥装置39的驱动使腔室25内部进行 干燥，由此就能够促进液体50从基片P除去。由于曝光装置本体EX的 构造与第l实施方式相同所以省略其说明。此外，也可以同时执行利用图10所说明过的、吸引基片P上的液 体50的吸引(sucking)动作，和利用图8所说明过的、自吹刮部的气 体吹刮(gas-blowing)动作。或者，也可以在执4亍吸引动作及气体吹 刮动作中的某一个后，执行另一个。另外，还能够并列进行利用干燥 装置39的干燥动作，也能够在吸引动作或气体吹刮动作的前后进行干 燥动作。即，能够使吸引动作、干燥动作以及气体吹刮动作(液体吹 掉动作)适宜组合起来执行。第6实施方式接着， 一边参照图11一边就第6实施方式的曝光装置的液体除去 装置100进行说明。此外，由于曝光装置本体EX的构造与第1实施方式 相同所以省略其说明。在图11中，液体除去装置100具备第l、第2 吹刮部33、 34和收容该第1、第2吹刮部33、 34的腔室40。本实施方式 中的腔室40具有在Z轴方向错位形成的第1、第2开口部41、 42。此外， 虽然在本实施方式中的第l、第2开口部41、 42上未设置挡板，但也可以设置挡板。而且，本实施方式中的第2搬送装置H2具有在保持基片P 的状态下经由第1开口部41可插入腔室40内部的臂部(第l搬送部件) 43。臂部43在将利用浸液法经过曝光处理、附着有液体50的基片P相 对于水平面(XY平面)倾斜了规定角度的状态下进行搬送、插入该腔 室40内。这里，保持附着有液体50的基片P的臂部43所插入的第1开口 部41,自第2开口部42在Z轴方向形成于下方侧，臂部43使相对于腔室 40的插入方向前方侧(搬送方向前方侧)朝上方进行搬送。然后，臂部43在维持基片P的倾斜的状态下使基片P相对于第1、 第2吹刮部33、 34进行移动。第l、第2吹刮部33、 34对进行移动的基片 P吹喷气体。附着在基片P液体50借助于气体的吹喷而被除去。此时， 由于基片P倾斜，所以液体50因自重而容易移动到基片P的倾斜方向下 方侧，将促进自基片P的液体50的除去。从基片P除去的液体50积存于 腔室40内部、被回收到作为回收装置的液体吸引装置29。此外，也可 以在使基片P倾斜的状态下借助于自重使液体50移动到基片P的倾斜 方向下方侧，对汇集于此倾斜方向下方侧的液体50吹喷气体。另外， 还可以与上述干燥动作进行并用。即，作为液体除去装置100的液体除 去，既可以使用基片P旋转、基片P倾斜、吸引动作、干燥动作以及气 体吹刮动作(液体吹掉动作)中的某一种方法，也可以将它们适宜组 合起来。液体50被除去后的基片P的一端部自第2开口部42伸出到腔室40 外部。在第2开口部42附近设置有作为第3搬送装置H3的臂部(第2搬 送部件)44。除去液体50后的基片P从臂部43被直接送给臂部44。此外，虽然在这里，是在插入到腔室40之际使基片P倾斜进行搬 送如此进行了说明，但也可以在腔室40以外的位置，以使附着有液体 50的基片P相对于水平面倾斜规定角度的状态继续搬送。由此，附着 于基片P的液体50在搬送中因自重而从基片P落下。此外，在此时的搬 送路径中设置有对因自重而从基片P离开的液体50进行回收的回收装 置。另外，在搬送基片P之际相对于水平面的倾斜角度可任意进行设 定，还可以是90度。即，还可以在使基片P垂直竖立的状态下进行搬在上迷各实施方式中，搬送附着有液体50的基片P的第2搬送装置 H2或臂部43的表面，最好是防液性。由此，即便在搬送基片P时附着 于该基片P的液体50附着到第2搬送装置H2 (臂部43)，也能够立即且 容易地将该液体50自第2搬送装置H2 (臂部43)除去。从而，就能够 防止附着于第2搬送装置H2 (臂部43)的液体50附着(再附着)到基 片P之类的不良情形的发生。作为使第2搬送装置H2 (臂部43)的表面 成为防液性的防液处理(防水处理)，例如列举出使用具有防液性的 材料的涂层处理。作为具有防液性的材料，例如列举出氟族化合物或 硅化合物、或者聚乙烯或聚丙烯树脂等合成树脂。另外，用于表面处 理的薄膜既可以是单层膜也可以是由多层组成的膜。另外，既可以对 第2搬送装置H2 (臂部43)的表面全部实施防液处理，也可以对一部 分进行实施。第7实施方式虽然在参照图ll所说明的实施方式中，在使基片P倾斜的状态下 进行搬送，用设置于该搬送路径的途中的液体除去装置IOO使基片P倾 斜，但如图12所示，也可以在基片P的曝光结束后、对基片P进行搬送 (卸载)之前，使保持附着有液体50的基片P的基片台PST (Z工作台 51)倾斜，由此来进行液体50的除去。在图12中，基片台PST(Z工作 台51)在其上面大致中央部保持基片P，在基片P的周围形成可回收液 体50的圆环状的液体回收口 (回收槽)73,在该回收槽73上配置着液 体吸引部件71。在Z工作台51内部形成有将其一端部与回收槽73进行 连接，另 一端部连接到设置于Z工作台51外部的液体回收机构的流路。 液体回收机构具有真空泵等真空系统(吸引装置)、收容所回收的液 体的容器等。液体吸引部件71例如由多孔陶瓷或海绵等多孔材料所构 成，可保持规定量的液体50。另外，在Z工作台51上、Z工作台51所保 持的基片P与液体吸引部件71 (回收槽73)之间，设置有将此基片P的 外周以规定宽度进行包围的环状的辅助板片部(auxiliary plate ) 79。辅助板片部79的表面高度被设定成与Z工作台51所保持的基片P的表 面高度大致一致。然后，被配置成以规定宽度包围此辅助板片部79的 外周的液体吸引部件71 (回收槽73 )起到将用液体回收装置2未回收完 了的液体50进行吸引(回收)的作用。此外在图12中，在Z工作台51 的+乂侧端部设置在￥轴方向延伸的移动镜54乂，在Y侧端部设置在X 轴方向延伸的移动镜54Y，激光干涉仪将激射光照射到这些移动镜 54X、 54Y对基片台PST的X轴方向及Y轴方向上的位置进行检测。在基片P的曝光完成后，将基片P从图12所示的Z工作台51 (基片 台PST)搬送(卸载)之前，Z工作台51利用设置于该Z工作台51的调 整机构进行倾斜，伴随于此Z工作台51上的基片P也倾斜，由此在曝光 结束后残存在基片P上的液体50借助于重力作用(自重)流到回收槽 73得以回收。此外，在进行曝光完成后且搬送前的作为液体回收动作 的Z工作台51的倾斜动作之际，担心例如因使Z工作台51倾斜而使投影 光学系统PL的前端部与Z工作台51 (基片P)碰撞的情况下，也可以使 Z工作台51 (基片台PST)自投影光学系统PL的正下方退避、在与投 影光学系统PL离开的位置进行上述倾斜动作。在该实施方式情况下， 基片台及其倾斜控制作为液体除去装置发挥功能。此外，虽然在上述实施方式中，借助于基片台PST (Z工作台51) 的倾斜使基片P进行倾斜、以除去基片P上的液体，但也可以如日本专 利公开特开平l - 214042号公报中所公开那样，在将用于基片P的装载况下，也可以借助于该基片支承部件的倾斜来使基片P进行倾斜。另 外，也可以在将基片P从基片台PST搬出之前，吹喷干燥空气或暖风使 其干燥。即，作为将基片P从基片台PST搬出之前的液体除去，既可以 使用基片P的旋转、液体的吹掉、液体的吸引，基片P的倾斜、利用气 体的吹喷的干燥中的某种方法也可以适宜组合起来使用。第8实施方式接着， 一边参照图13—边就本发明的第8实施方式的曝光装置进行说明。本实施方式的特征部分是在具备液体除去装置100的同时，在 曝光装置本体EX与液体除去装置100的搬送路径的途中、设置使用洗 净液将曝光处理后的基片P洗净的洗净装置150这一点。此外，在本实 施方式中除了利用单一基片台PST以外，曝光装置本体与实施方式l 相同。在图13中，洗净装置150具有腔室151，和设置在腔室151内部、 对被搬送到腔室151内部的基片P供给洗净液的洗净液供给装置152。 洗净液供给装置152，在基片P的上面及下面分别供给洗净液。腔室151 具有在爆光装置本体EX侧开口的第l开口部153和在液体除去装置100 侧开口的第2开口部154。在第l、第2开口部153、 154上分别设置有使 第l、第2开口部153、 154开闭的挡板153A、 154A。在曝光装置本体 EX中经过膝光处理后的基片P由第5搬送装置(未图示)经由第l开口 部153被搬送到洗净装置150的腔室151内部。在腔室151内部设置有保 持基片P的保持装置，基片P在由保持装置所保持的状态下使用洗净液 进行洗净处理。经过洗净处理的基片P由第2搬送装置H2被搬送到液体 除去装置IOO。液体除去装置100除去附着于基片P的洗净液。这里，在基于浸液法的曝光装置本体EX的曝光处理中，作为液 体50可以使用水以外的液体。在本实施方式中，^^用氟族油作为液体 50。例如，在曝光光EL的光源为F2激光器的情况下，由于该F2激射光 不会透过水，所以通过4吏用可透过F2激射光的例如氟族油作为液体50 来进行曝光处理。这样，作为液体50，就可使用除水以外的液体，另 外作为液体50，还可以使用具有对于曝光光EL的透过性且折射率尽可 能高、对在投影光学系统PL或基片P表面所涂敷的光致抗蚀剂稳定的 例如洋杉油。然后，在作为液体50使用了与水不同的液体的情况下， 就能够用洗净装置150对基片P进行洗净处理后再进行液体除去处理。 这样，通过将基片P洗净，就能够将在浸液曝光中、或者基片P的搬送 中附着于基片P的异物等洗掉，之后的液体除去也可顺利地进行、就 能够将未附着液体或异物的干净的基片P从曝光装置送出。液体除去装置100也可以使用设置于实施方式1 ~6中的任一曝光装置的液体除去装置100。另外，基片P的洗净与附着于基片P的液体 的除去也可以在同一场所进行。例如，还可以在腔室25之中进行洗净 与液体除去。第9实施方式接着， 一边参照图14一边就本发明的第9实施方式的曝光装置及 器件制造系统进行说明。本实施方式的特征部分是在将基片P搬送至 液体除去装置100的搬送系统H的搬送路径下，设置对从曝光后的基片 P落下的液体进行处理的液体处理机构160这一点。此外，在本实施方 式中，基片台设置PST1、 PST2两个，曝光装置本体与实施方式l同样。在图14中，液体处理机构160具有配置于搬送系统H的搬送路径 下的槽部件161，和将经由槽部件161所回收的液体50自槽部件161进行 排出的液体吸引装置162。在本实施方式中，槽部件161设置于基片台 PST(PST1、 PST2)与液体除去装置100之间，亦即第2搬送装置H2 的搬送路径之下。槽部件161设置于腔室装置CH1内部，液体吸引装置 162设置于腔室装置CH1外部。槽部件161与液体吸引装置162经由管路 163进行连接，在管路163中设置有使该管路163的流路进行开闭的阀 163A。虽然在用第2搬送装置H2搬送曝光后的附着有液体50的基片P之 中、有液体50从基片P落下的可能性，但该落下的液体50能够用槽部 件161进行回收。通过将落下的液体50用槽部件161进行回收，就能够 防止液体50在搬送路径的周围飞溅等不良情形。而且，通过液体吸引 装置162对设置于腔室装置CH1内部的槽部件161上的液体50进行吸引 就能够使液体50排出到腔室装置CH1外部，而不存留在腔室装置CH1 内部的槽部件161，并能够防止在腔室装置CH1内部发生湿度变动(环 境变动)的不良情形。这里，液体吸引装置162既可以连续进行被回收 到槽部件161的液体50的吸引动作，也可以仅仅在预先设定的规定期间 中断续地进行吸引动作。由于通过连续进行吸引动作，液体50就不会 存留在槽部件16中，所以能够进一步防止腔室装置CH1内部的湿度变动。另一方面，例如在曝光装置本体EX的基片P的曝光中，不进行利 用液体吸引装置162的吸引动作(排出动作)而是仅仅在曝光以外的期 间进行吸引动作，由此就能够防止因吸引动作而发生的振动对啄光精 度带来影响之类的不良情形。此外，虽然希望槽部件161设置在对有可能附着液体的基片P进行 搬送的搬送路径下的全部，但是也可以在易于受到从基片P落下的液 体的影响的场所部分地、离散地进行设置。另外，作为搬送路径下的 液体处理机构160，并不限于槽部件161及液体吸引机构162,只要是能 够回收从基片P等落下的液体的构成即可。液体除去装置100也可以使用设置于第1 6实施方式中任一曝光 装置的液体除去装置IOO。另外，还能够将第1 6实施方式中所用的洗 净装置设置在搬送路径中。另外，虽然在上述的实施方式中，液体除去装置100是为了除去 用液体回收装置2未回收完了 、而附着(残存)于基片P的液体而设置， 但也未必一定需要液体回收装置2。作为上述各实施方式的基片P，不仅是半导体器件制造用的半导 体晶片，还可适用显示器件用的玻璃基片或、薄膜磁头用的陶质片、 或者在曝光装置中所用的掩模或网线的原版(合成石英、硅晶片)等。另外，虽然在上述的实施方式中，采用在投影光学系统PL与基 片P之间局部用液体充满的膝光装置，但对于使保持曝光对象的基片 的保持工作台在液槽之中进行移动的浸液曝光装置或，在工作台上形 成规定深度的液体槽并在其中保持基片的浸液曝光装置也可以适用本 发明。作为使保持曝光对象的基片的工作台在液槽之中进行移动的浸 液曝光装置，例如在日本专利公开特开平6 - 124873号7>报中进行了公 开，另外，作为在工作台上形成规定深度的液体槽并在其中保持基片 的浸液曝光装置，例如在日本专利公开特开平IO - 303114号公报或美 国专利第5， 825, 043号中分别详细进行了公开，在本国际申请所指定 或选定的国家的法令所允许的范围内，援引这些公报并作为本文记载 的一部分。作为曝光装置(曝光装置本体)EX，除了同步移动掩模M与基 片P对掩模M的图案进行扫描曝光的步进扫描(step-and-scan )方式的 扫描型啄光装置(扫描逐次移动式膝光装置)以外，还能够适用于在 使掩模M与基片P静止的状态下对掩模M的图案进行总括曝光，使基片 P依次步进移动的步进重复(step-and-repeat)方式的投影啄光装置(逐 次移动式曝光装置)。另外，本发明还能够适用于在基片P上将至少2 个图案部分重叠进行转印的步进缝合(step-and-stitch )方式的曝光装 置。作为曝光装置EX的种类，并不限于在基片P上曝光半导体元件图 案的半导体元件制造用的曝光装置，在液晶显示元件制造用或显示器 制造用的啄光装置或者用于制造薄膜磁头、摄像元件(CCD)或者网 线或掩模等的曝光装置等中也能够广泛适用。在基片台PST或掩模台MST中使用线性马达的情况下，也可以使悬浮型中的某一种。另外，各工作台PST、 MST既可以是沿导轨移动 的类型，也可以是不设置导轨的无导向类型。利用线性马达的例子在 美国专利5， 623， 853以及5， 528， 118中进行了公开，在本国际申请 所指定或选定的国家的法令中所允许的范围内，分别援引这些文献的 记载内容并作为本文记载的一部分。作为各工作台PST、 MST的驱动机构，还可以使用将二维配置了 磁铁的磁铁单元、二维配置了线圏的电枢单元对置借助于电磁力来驱 动各工作台PST、 MST的平面马达。在该情况下，将磁铁单元和电枢 单元中的某一方连接到工作台PST、 MST，将磁铁单元和电枢单元的 另一方i殳置于工作台PST、 MST的移动面侧即可。为了使因基片台PST的移动而发生对反力，不传给投影光学系统 PL，也可以使用框架部件以机械方式释》文到地面(大地)。该反力的 处理方法，例如，在美国专利5， 528， 118 (日本专利公开特开平8-166475号公报)中详细地进行了公开，在本国际申请所指定或选定的 国家的法令中所允许的范围内，援引此美国专利的公开并作为本文记载的一部分。另外，为了使因掩模台MST的移动而发生对反力，不传给投影光学系统PL，也可以使用框架部件以机械方式逃逸到地面(大地)。该反力的处理方法，例如，在美国专利第5， 874， 820 (日本专利公开特开平8-330224号公报)中详细地进行了公开，在本国际申请所指定或选定的国家的法令中所允许的范围内，援引该美国申请的公 开并作为本文记载的一部分。如以上那样，本申请实施方式的膝光装置EX通过組装包含本申 请专利要求的范围中列举的各构成要素的各种子系统以确保规定对机 械精度、电气精度、光学精度来进行制造。为了确保这些各种精度， 在此组装前后，对于各种光学系统进行为了达到光学精度的调整、对 于各种机械系进行为了达到机械精度的调整、对于各种电气系统进行 为了达到电气精度的调整。从各种子系统到啄光装置的组装工序，包 含各种子系统相互的机械连接、电气电路的配线连接、气压电路的配 管连接等。不言而喻在从此各种子系统到曝光装置的组装工序之前， 有各子系统各自的组装工序。 一旦各种子系统向膝光装置的组装工序 结束，就进行综合调整，确保作为膝光装置全体的各种精度。此外， 希望曝光装置的制造在管理了温度以及清洁度等的清洁室中进行。半导体器件等的微器件，如图15所示经以下步骤来进行制造，即， 进行微器件的功能.性能设计的步骤201，制作基于该设计步骤的掩模 (网线)的步骤202、制造作为器件的基材的基片的步骤203、通过前 述实施方式的曝光装置EX将掩模的图案在基片上进行啄光的膝光处 理步骤204、器件组装步骤(包含切割工序、键合工序、封装工序)205、 检查步骤206等。此外，在曝光处理步骤204中，包含在曝光前为了对 基片与液体的亲水性进行调整而进行基片的表面处理的步骤。产业上的可利用性根据本发明，就能够防止曝光处理环境变动或液体向周围飞溅。 从而，就能够防止基于该环境变动或液体飞溅的曝光处理精度的低下， 并制造具有所希望的性能的器件。另外，由于能够将未附着液体或异 物的基片从曝光装置送出，所以能够制造具有所希望的性能的器件。
权利要求
1.一种经由液体将图案像投影到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备将图案像投影到基片的投影光学系统；以及在基片向着处理已被曝光的基片的处理装置被搬出之前，将已被曝光的基片洗净的洗净装置。
2. 按照权利要求l所述的曝光装置，其特征在于 上述洗净装置使用洗净液来进行上述基片的洗净。
3. 按照权利要求l所述的啄光装置，其特征在于 上述洗净装置设置在上述啄光后的基片的搬送路径中。
4. 按照权利要求1 3中的任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体不同于水。
5. 一种器件制造方法，其特征在于 利用权利要求l所述的曝光装置。
6. —种膝光系统，具备权利要求l所述的曝光装置；以及 上述处理装置。
7. 按照权利要求6所述的曝光系统，其特征在于 上述处理装置包括对已被啄光的基片进行显影的显影装置。
8. —种器件制造方法，其特征在于，具备以下步骤 经由液体将图案像投影到由基片台保持的基片上并对基片进行啄光；以及在对上述被啄光的基片进行显影之前，使用洗净液来洗净上述被 曝光的基片。
9. 按照权利要求8所述的器件制造方法，其特征在于还包括 从上述被曝光的基片上除去上述洗净液。
10. 按照权利要求9所述的器件制造方法，其特征在于洗净上述被啄光的基片和从上述被啄光的基片上除去洗净液是 在同一场所进行的。
11.按照权利要求IO所述的器件制造方法，其特征在于 洗净上述被曝光的基片和从上述被曝光的基片上除去洗净液是在同一腔室内进行的。
12，按照权利要求9或10所述的器件制造方法，其特征在于除去上述洗净液包括吸入上述基片上的洗净液。
13. 按照权利要求9或10所述的器件制造方法，其特征在于 除去上述洗净液是使用干燥空气来进行的。
14. 按照权利要求9或IO所述的器件制造方法，其特征在于 除去上述洗净液包括散去上述基片上的洗净液。
15. 按照权利要求14所述的器件制造方法，其特征在于除去 上述洗净液包括使上述基片进行旋转。
16. 按照权利要求14所述的器件制造方法，其特征在于除去 上述洗净液包括吹去上述基片上的洗净液。
17. 按照权利要求10所述的器件制造方法，其特征在于除去 上述洗净液包括使上述基片倾斜。
18. 按照权利要求8或9所述的器件制造方法，其特征在于 在洗净上述被曝光的基片之前，从上述基片台卸载上述被曝光的基片。
19. 按照权利要求18所述的器件制造方法，其特征在于 还包括回收从自上述基片台卸载的上述基片落下的液体。
20. 按照权利要求19所述的器件制造方法，其特征在于 从上述基片落下的液体是使用槽部件来回收的。
21. 按照权利要求18所述的器件制造方法，其特征在于 在从上述基片台卸载上述被膝光的基片之前，使上述基片倾斜以除去残留在上述基片上的液体。
全文摘要
本发明提供一种在将液体充满于投影光学系统与基片之间来进行曝光之际，能够抑制起因于附着于基片的液体的器件的劣化的曝光装置。器件制造系统(SYS)具备在投影光学系统(PL)与基片(P)之间用液体(50)充满，经由投影光学系统(PL)和液体(50)将图案像投影到基片(P)上的曝光装置本体(EX)；曝光装置本体(EX)与进行基片(P)曝光后的处理的涂敷器·显影器本体(C/D)的接口部(IF)；以及在基片(P)曝光后、经由接口部(IF)将基片(P)搬出至涂敷器·显影器本体(C/D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100)。
文档编号H01L21/027GK101231477SQ20081008227
公开日2008年7月30日 申请日期2003年12月5日 优先权日2002年12月10日
发明者荒井大, 马込伸贵, 高岩宏明 申请人:株式会社尼康