用于制造接合基片的装置的制作方法

专利名称：用于制造接合基片的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于制造接合基片(面板)的装置和方法。更加 具体来说，本发明涉及一种用于制造液晶显示器(LCD)的接合基片 的装置和方法，该液晶显示器通过接合两块相距预定间距的基片而获 得。
背景技术：
现在，需要能够在大显示区域上提供精细显示的较大和较薄的液 晶显示器(LCD)面板，并且制造这种LCD面板的装置已经被开发。 LCD面板是通过把两个玻璃基片以极窄的间距(几微米)相互面对并 且在两个玻璃基片之间填充液晶而制造的。这两个玻璃基片例如是在 其上面以矩阵的形式形成多个TFT (薄膜晶体管)的一个阵列基片以 及在其上面形成有滤色器(红、绿和蓝)、遮光膜等等的滤色器基片。 该遮光膜用于提高对比度并且遮挡到达TFT的光线，以防止光泄漏电 流的产生。阵列基片通过包含热固树脂的密封材料(粘合剂)而接合 到滤色器基片。制造LCD面板的方法包括在两个玻璃基片之间密封液晶的液晶 密封步骤。该液晶密封步骤通过如下的真空注入方法而执行。首先， 形成TFT的阵列基片被通过密封材料接合到滤色器基片(相对基片)。 密封材料被固化。该接合基片和液晶被置于一个真空腔中，并且被提 供该密封材料的入口被浸入在该液晶中。在该腔内的压力被设置回大气压力，从而液晶从该入口被吸入。最近，人们的注意力转向取代真空注入方法的如下的滴注方法。 首先，按照这样一种方式形成密封材料的框架，以密封该阵列基片的 外围部分。预定剂量的液晶被滴到在密封材料框架中的阵列基片的表 面上。最后，在真空中，该阵列基片被接合到滤色器基片。该滴注方 法可以减少大量使用的液晶量并且可以缩短液晶密封步骤所需的时 间，因此导致面板制造成本的减少。因此可以促进大规模生产。根据滴注方法而工作的接合基片制造装置具有如下问题。1、由于基片的弯曲所产生的不适当的夹具通常，基片被真空夹具的吸力或者由静电所拾取。在真空夹具夹 持中，使用可以由真空吸力所保持的基片的夹持片。阵列基片由该支 承板所支承，并且密封材料的框架被形成在该阵列基片上。适当量的 液晶被从分配器滴在该阵列基片的表面上。最后，在真空环境中，把 该阵列基片接合到滤色器基片上。在静电夹具支承的情况中，使用具有电极的支承板。电压被施加 在支承板的电极与形成在玻璃基片上的导电膜之间，以在该玻璃和电 极之间产生库仑力。库仑力静电地把该玻璃基片保持在支承板上。在真空夹具支承的情况中，当处理腔的真空度变为超过特定的级 别时，真空夹具不能够工作。在这一方面中，在真空夹具的吸力停止 工作之前，该基片由静电夹具静电地支承。通常，两个基片分别地由上支承板和下支承板，并且被接合在一 起。具体来说，为了防止灰尘传递到该接合表面或者污染该表面，该 基片的外边缘区域(密封材料的框架向外的部分)由传送机构所保持， 并且移动到处理腔中。但是，大和薄的基片由于它们的自重而容易导 致弯曲(弯折)。支承板不能够稳定地支承该弯曲的基片。如果处理 腔被降压，以弯区该基片，因此可能出现该基片不对齐或者该基片与 支承板相分离的情况。在支承板(静电夹具)静电地保持该弯曲基片的情况中，在处理 腔的降压过程中出现辉光放电。这种情况导致形成在基片上的电路或TFT器件被破坏的问题，导致缺陷的产生。另外，当空气被保持在支 承板和该基片之间的情况中，当该处理腔降压时，基片可能从该静电 夹具上脱离。2. 由于基片的弯折而导致不正确的接合在接合步骤中，两个基片被压在一起，并且保持预定的基片间距。 在接合步骤中的重要因素是保持基片相互平行，并且用均匀的作用力 压住这两个基片。但是如果基片被弯折，则在接合步骤中，密封材料 的框架被不均匀地加压，从而液晶可能被排出该密封材料的框架。如 果处理压力不均匀，则密封该液晶所需的处理压力增加，从而对基片 的影响变大。这样难以制造稳定的产品。3. 灰尘导致的不正确夹具保持两个基片的支承板分别具有被高精度地平面化的夹具表面。 在灰尘或玻璃颗粒附着到该夹具表面的情况中，灰尘被传递到该基片 上，导致基片不对齐或者基片与支承板相分离。但是，当由于静电导 致少量的灰尘附着到该支承板时，难以从该支承板上除去该灰尘。4. 由于单元厚度的变化所导致的缺陷需要适当地调节被密封在极窄的基片间距(单元厚度)中的液晶 量。通过把衬垫设置在基片之间或者在一个基片上形成立柱上而确定 两个基片之间的间距。但是，衬垫和立柱具有微小的高度变化。这导 致基片间距的改变，从而被密封的液晶量被局部地变大或变小。这将 导致在基片被接合之后单元厚度变化这样的问题。在单元厚度中的变 化导致LCD面板的显示器不均匀。发明内容相应地，本发明的一个目的是提供一种可以抑制具有缺陷的接合 基片的产生的接合基片制造装置和制造方法。为了实现上述目的，本发明提供一种用于通过接合第一基片和第 二基片而制造一个接合基片的装置，每个第一基片和第二基片具有要 被接合的内表面以及与该内表面相反的外表面。该装置包括用于支承第一基片的第一支承板；第二支承板，其被设置为与第一支承板相对， 用于通过拾取第二支承板的外表面而支承第二基片；以及传送机构， 其分别把第一和第二基片传送到第一和第二支承板，并且包括一个支 承部件，用于通过支承第二基片并且把气体喷射到第二基片的内表面 上而水平地支承该第二基片。本发明的另一个方面是一种通过接合第一基片和第二基片而制 造一个接合基片的装置，每个第一基片和第二基片具有要被接合的内 表面以及与该内表面相反的外表面。该装置包括第一支承板，用于通 过拾取笫一支承板的外表面而支承该第一基片；第二支承板，其被设 置为与第一支承板相对，用于通过拾取第二支承板的外表面而支承该 第二基片；以及一个传送机构，其把第一和第二基片分别传送到第一 和第二支承板，并且包括一个支承部件，用于通过拾取第一和第二基 片的外表面而支承该第一和第二基片。本发明的另一个方面是一种通过接合第一基片和第二基片而制 造一个接合基片的装置，每个第一基片和第二基片具有要被接合的内 表面以及与该内表面相反的外表面。该装置包括一个传送机构，其用 于传送第一和第二基片，并且包括一个支承部件，用于通过拾取第一 和第二基片的外表面而支承第一和第二基片；第一支承板，用于支承 由传送机构所传送的第一基片；以及第二支承板，其被设置为与用于 支承由传送机构所传送的第二基片的第一支承板相对。至少第一和第 二支承板之一具有一个通道，用于在执行从该传送机构传送相关支承 部件时，保持相关的支承部件。本发明的另一个方面是一种通过接合第一基片和第二基片而制 造一个接合基片的装置。该装置包括一个传送机构，其用于传送第一 和第二基片，并且包括多个支承部件，用于水平地支承第一和笫二基 片；第一支承板具有用于拾取由传送机构所传送的第一基片的夹具表 面；以及第二支承板，其被设置为与第一支承板相对，并且具有用于 支承由该传送机构所传送的第二基片的夹具表面。至少一个第一和第 二支承板包括一个夹具机构，其与相关夹具表面相独立地上下移动，并且吸持和支承相关基片。该相关夹具表面通过至少吸力和静电力之 一而由该夹具机构支承相关基片。本发明的另一个方面是通过在一个处理腔中接合两个基片而制 造一个接合基片的方法。本方法包括吸住至少一个基片，并且使得该 支承板在大气压力下支承该基片，对该处理腔降压，停止至少一个基片的吸力，使得至少一个基片的背压(backpressure)基本上等于在 该处理腔中的压力，并且使得至少一个基片由该支承板静电地保持。本发明的另一个方面是一种通过在一个处理腔中接合两个基片 而制造一个接合基片的方法。本方法包括吸住至少一个基片，并且使 一个支承板在大气压力下保持该基片，对该处理腔降压，把该处理腔 中的压力改变为比大气压力高预定的压力的一个数值，并且停止至少 一个基片的吸力，以静电地支承该基片。从下文结合


本发明的原理的描述中，本发明的其他方面 和优点将变得更加清楚。

从下文参照附图对本发明的优选实施例的描述中，将更好地理解 本发明的目的和优点，其中图1为根据本发明的接合基片制造方法的方框2为根据本发明第一实施例的压力机的夹具机构的示意图；图3为示出在图2中的压力机的夹具机构；图4A、 4B和4C示出压板的夹具表面；图5为接合方法的流程图；图6为另一种接合方法的流程图；图7A为局部弯曲的基片的放大示图；图7B为防止局部弯曲的基片的放大示图；图8为用于说明通过使用粘合片而消除杂质的示意图；图9为示出其中密封有液晶的接合基片；图10为液晶量的控制方法的方框图；图IIA和图IIB为用于液晶量的控制方法的流程图；图12示出根据本发明第二实施例的传送机构的示意图；图13A为在图12中的传送机构的示意图；图13B和13C为在图12中的传送机构的机械手的放大示图；图14A为图12中的定位设备的平面示图；图14B为图14A中的定位设备的侧示图；图15A和15B示出根据第二实施例的压板；图16为根据本发明第三实施例的压力机的夹具机构的示意图；图17为由图16中的压力机所执行的接合方法的流程图；图18A和18B示出根据本发明的第四实施例的压板的夹具机构。
具体实施方式
下面将描述根据本发明的第一实施例的接合基片制造装置10。接合基片制造装置IO把液晶注入在第一基片Wl和第二基片W2 之间，并且接合该基片Wl和W2，以制造一个液晶显示器。该液晶 显示器例如是有源矩阵型液晶显示面板。第一基片Wl是具有TFT阵 列的玻璃阵列基片(TFT阵列)，并且该第二基片W2是具有滤色器 和遮光膜的滤色器(CF)基片。基片W1和W2被分别制造，并且被 提供到该接合基片制造装置10。如图1中所示，接合基片制造装置10包括控制单元11、密封构 图系统12、液晶滴注设备13和接合设备14。接合设备14包括压力机 15和固化i殳备16。控制单元11控制密封构图系统12、液晶滴注设备 13和接合设备14 (压力机15和固化设备16)。每个部件11至13, 15和16根据需要可以使用多个。该接合基片制造装置包括第一至第五传送装置17a至17e，其传 送第一基片Wl和第二基片W2。控制单元11控制在接合设备14中 提供的用于传送第一基片Wl和第二基片W2以及接合基片(集成基 片)的第一至第五传送装置17a至17e和传送机构31 (参见图2)。第一传送装置17a把第一基片Wl和第二基片W2传送到密封构图系统12。第一传送装置17a具有一个ID读取器18，用于读取识别 信息(基片ID)，以识别第一基片Wl和第二基片W2的类型。当第 一基片Wl和第二基片W2被提供到第一传送装置17a时，ID读取器 18响应来自控制单元11的控制信号读取基片ID，并且第一传送装置 17a把第一基片Wl和第二基片W2传送到密封构图系统12。控制单 元ll根据基片ID控制液晶的滴注量。密封构图系统12接收第一基片Wl和第二基片W2，并且把密封 材料沿着其外围施加到位于第一基片Wl和第二基片W2之一 (在第 一实施例中为第一基片Wl)的上表面上的预定位置处，从而形成密 封材料的框架。该密封材料最好为包括光固树脂的粘合剂。第二传送装置17b从密封构图系统12接收第一基片Wl和第二 基片W2，并且把第一基片Wl和第二基片W2作为一组传送到液晶 滴注i殳备13。在施加密封材料之后，液晶滴注设备13把液晶滴在第 一基片Wl 的上表面的预定位置处。在滴注之后，第一基片Wl和第二基片W2 被第三传送装置17c传送到接合设备14。接合设备14的压力机15被提供一个定位设备102(参见图12 )。 第一基片Wl和第二基片W2被传送到该定位设备102。第一基片Wl 和第二基片W2应当在精确对齐之后被接合。相应地，定位设备102 在基片Wl和W2被提供到压力机15之前执行第一基片Wl和第二基 片W2的预定位。被定位的第一基片Wl和第二基片W2被传送机构 传送到压力才几15。压力机15具有一个真空处理腔20 (参见图3 )。用于拾取第二 基片(上基片)W2的上夹具或压板24a以及用于拾取第一基片(下 基片)Wl的工作台24b被提供在真空处理腔20中。第一基片Wl和 第二基片W2被同时传送到压力机15，并且分别由工作台24b和压板 24a所支承。压力机15抽空真空处理腔20,并且把预定的气体注入到真空处 理腔20中，以在基片Wl和W2上执行预处理。预定气体是包括反应气体的代替气体，例如用于等离子体显示面板(PDP)的激励气体、 例如氮气这样的不反应气体或者清洁的干燥空气。在该预处理中，附 着到基片Wl和W2的表面或显示部件的表面的杂质或副产品在预定 气体中暴露预定的时间。该预处理稳定地保持在接合之后不能够^L分 离的接合表面的特性。通常，氧化膜形成在基片W1和W2的表面上， 从而，在空气中的物质被附着到该表面上。这改变基片W1和W2的 表面状态。当表面状态的改变程度在基片Wl和W2之间变化时，面 板的质量各不相同。在该方面中，通过执行抑制薄膜形成和杂质附着 的预处理并且处理该附着的杂质，而抑制在基片W1和W2表面中的 改变。压力机15使第一基片Wl与第二基片W2相对齐，并且光学地 检测对齐标志，按照这种方式，在第一基片Wl上的密封材料和液晶 不与第二基片W2的底部相接触。压力机15用预定的压力压住基片 W1和W2，以保证预定的单元厚度。在处理之后，压力机15释方文真 空处理腔20,以把在真空处理腔20中的压力i殳置为大气压力。监视从基片Wl和W2被传送到真空处理腔20时所经过的时间， 控制单元ll控制从传送时间点到接合时间点的时间段，使得基片Wl 和W2被暴露在提供到真空处理腔20的气体中的时间超过预定的时间 段。这稳定基片W1和W2的被接合表面，并且使该被接合表面具有 预定的特性。第四传送装置17d把接合基片(集成基片Wl、 W2或者液晶面 板)从压力机15上移开，并且传送到固化设备16。当从液晶面板被 加压的时间点之后经过的时间段达到预定时间段时，控制单元11驱动 第四传送装置17d，以把该液晶面板提供到固化设备16。被密封在液晶面板中的液晶由所施加压力和大气压力在基片Wl 和W2之间分布。需要在液晶到达密封材料的框架之前使该密封材料 固化。因此，固化设备16把具有预定波长的光线照射到该液晶面板上， 以在加压后经过预定时间段之后固化该密封材料。该预定时间通过预 先通过实验获得液晶的分布时间以及释放在基片Wl和W2上的剩余压应力所需的时间而确定。压力应力遗留在集成基片Wl、 W2上。由于当基片Wl和\￥2 被传送到第四传送装置17d时，密封材料不被固化，因此遗留在基片 Wl和W2上的应力被释放。由于当密封材料被固化时应力几乎不遗 留在该基片W1和W2上，位置偏移被减小。在密封材料被固化之后，第五传送装置17e从把液晶面板固化设 备16传送到执行随后步骤的设备。随后步骤例如是用于检查笫一基片 Wl和第二基片W2之间的位置偏移的检查步骤。检查结果被反馈回 压力机15,以纠正要被接着处理的基片的对齐。下面详细i寸论压力才几15。如图2中所示，真空处理腔20被分离到可上下分离的上容器20a 和下容器20b。上容器20 a由可上下移动的提升机构(未示出)所 支承。如图3中所示，当上容器20a向下移动时，真空处理腔20被紧 密地密封。被提供在下容器20b的上侧的封条21密封在上容器20a 和下容器20b之间。被提供在真空处瑝腔20中的是分别拾取基片Wl和W2的上支 承板22a和下支承板22b。在第一实施例中，第二基片W2由上支承 板22a所拾取，第一基片Wl由下支承板22b所拾取。上支承板22a 由可上下移动的提升机构(未示出)所支承。下支承板22b由可沿着 水平面(X轴和Y轴)滑动并且可水平旋转的未示出的驱动机构所支 承。上支承板22a具有上表面板23a、安装到上表面板23a的下表面 上的压板24a或静电拾取部分、以及用于真空拾取第二基片W2的真 空线25。真空线25包括多个在压板24a的下表面中开出的拾取孔以 及与该拾取孔连通并且水平地形成在该上表面板23a中的水平线。真 空线25通过主管道26a连接到第一真空泵27。主管道26a被提供有 一个拾取阀28a。第一真空泵27和拾取阀28a连接到控制单元11。控 制单元11控制真空泵27的驱动和阀门28a的开/闭。未示出的压力传 感器被提供在主管道26a中。ii主管道26a连接到在上表面板23a的底表面中具有一个开孔的管 道26b。管道26b被提供有一个背压释放阀门28b。阀门28b的开/闭 由控制单元所控制。当阀门28b被开启时，在真空线25中的压力基本 上与在真空处理腔20中的压力和第二基片W2的背压相等。主管道26a连接到空气管道26c。空气管道26c被提供有一个空 气阀门28c。空气阀门28c的开/闭由控制单元11所控制。当空气阀门 28c被开启时，空气通过空气阀门26c导入到主管道26a,使得第二基 片W2的背压基本上与大气压力相等。面上的静电拾取部分或工作台24b。尽管下支承板22b没有用于真空 拾取基片Wl的吸取机构，但是类似于上支承板22a,下支承板22b 可以被提供一个夹具机构(泵27、管道26a、 26b和26c、以及阀门 28a、 28b和28c)。下容器20b通过降压管道26d连接到第二真空泵29，用于使真 空处理腔20降压。降压泵26d被提供一个排气阀28d。第二真空泵 29和排气阀28d由控制单元11所控制。用于把预定气体提供到真空处理腔20的气体管道26e连接到上 容器20a。气体管道26e被提供一个气体进入阀28e，其开/关动作由 控制单元11所控制。控制单元11驱动第一真空泵27，并且打开拾取阀28a，以排空 真空线25和主管道26a并且真空拾取第二基片W2。控制单元11通 过把电压施加到压板24a和工作台24b所产生的库仑力静电地拾取该 基片Wl和W2。控制单元11根据在真空处理腔20中的压力(真空度)把用于第 一基片Wl的拾取模式切换到真空拾取或静电拾取。在第二基片W2 被传送到真空处理腔20时，例如控制单元11使得压板24a通过真空 拾取(压力差)而支承第二基片W2。当在真空处理腔20中的压力变 得小于主管道26a (和真空线25)中的压力时,另一方面，控制单元 11闭合拾取阀28a，以使得真空线25与真空泵27断开，并且使得该压板24a通过静电力支承该第二基片W2。接着，将参照图2讨论把基片Wl和W2运送到压力机15的步 骤。在下文的描述中，要被接合的表面，即与液晶相接触的表面(第 一基片Wl的上表面和第二基片W2的下表面)，被称为"内表面"， 并且相对表面(第一基片Wl的下表面和第二基片W2的上表面)被 称为"外表面"。第一基片Wl被传送机构31真空拾取，并且传送到压力机15。 传送机构31具有一个支承部件，其中包括拾取第二基片W2的机构或 机械手31a。传送机构31的机械手31a具有多个夹具垫32，用于拾取第二基 片W2的内表面的外边缘区域(在密封材料的框架与基片边缘之间的 部分)。夹具垫32通过形成于机械手31a中的拾取线33连接到未示 出的真空源。机械手31a具有至少一个空气注入喷嘴34，其被提供为与第二基 片W2的内表面的外边缘区域的向内部分相对。空气注入喷嘴34通过 形成在机械手31a中的气体提供线路34a和未示出的管道连接到气体 提供源(未示出)，从而来自气体提供源的气体被从空气注入喷嘴34 注入到第二基片W2的内表面。气体注入量(流速)被设置为产生与每单位面积上的第二基片 W2的重量相等的压力。首先通过根据该第二基片W2的面积、厚度 和特定的加速度、空气注入喷嘴34之间的间距以及喷嘴34和第二基 片W2的内表面之间的距离估计气体注入量而执行该设置，然后通过 实验来确定该数值。当通过气体注入压力避免由于自重导致第二基片 W2的弯曲时，第二基片W2被传送机构31保持在基片上水平的状态。要被喷射到第二基片W2上的气体例如是上述反应气体、氮气或 者清洁干燥的空气。当第二基片W2的内表面被暴露在这种气体中时， 附着到第二基片W2上的杂质或产物被除去。传送机构31使得第二基片W2接近压板24a的夹具表面，并且 使第二基片W2保持在平坦状态。压板24a通过产生吸力或静电力之一而支承第二基片W2。下面将描述传送第一基片Wl (该基片被支承在工作台24b上) 的情况。基片Wl -f皮传送到压力机15，并且被传送机构31的另一个才几械 手(未在图2中示出)所拾取和支承。工作台24b被提供有一个已有的提升销钉(未示出)，其被可垂 直移动的方式而支承。由传送机构31所传送的第一基片Wl被多个提 升的提升销钉所接收，并且当提升销钉向下移动时，第一基片Wl被 置于工作台24b上。当在该状态中静电力从工作台24b作用在第一基 片W1上时，第一基片Wl被支承在工作台24b上。下面将讨论压板24a。如图4B中所示，多个凹槽25a以预定的间距形成在压板24a的 夹具表面。第二基片W2由压板24a所支承，凹槽25a不与真空线25 相连通。凹槽25a沿着预定的方向延伸到压盘24a的端面(侧表面) (参见图4A和4C)。在对真空处理腔20降压时，保留在压板24a和第二基片W2之 间的气泡被通过凹槽25a移动到真空处理腔20。这防止在对真空处理 腔20降压时，气泡保留在压板24a和第二基片W2之间，从而防止第 二基片W2移动和脱离。凹槽25a使得夹具表面与第二基片W2之间的接触面积更小。当 保留在第二基片W2上的应力被释放时，防止第二基片W2的位置偏 移。类似于压板24a的凹槽25a的凹槽类似地形成在工作台24b的夹具表面上。因此，基片Wl被保持在平面状态，并且与压板24a相接触，从而防止基片Wl移动和分离。现在参见图5，下面将描述接合基片W1和W2的方法。 在步骤S41中，压力机15被初始化。也就是说，阀门28a至28e被完全地关闭，并且上容器20a向上移动，以开启真空处理腔20。第一和第二真空泵27和29被正常地驱动。在一个未示出的步骤中，密封材料(粘合剂)的框架预先形成在第一基片Wl，并且液晶滴在由该框架所确定的第一基片Wl的表面 上。基片Wl和W2被传送机构31传送到初始化的压力机15。具体 来说，传送机构31把第二基片W2置于压盘24a附近，并且使第二基 片W2保持在基本上水平的状态。在步骤S42，压力机15开启该拾取 阀28a，使得压板24a通过真空拾取来支承第二基片W2。在步骤S43 中，传送机构31把第一基片Wl置于工作台24b上。在步骤S43中， 压力机15把预定电压施加在工作台24b上。这使得基片Wl被静电地 保持在工作台24b上。在步骤S44中，压力机15放下真空处理腔20的上容器20a，使 其接近于真空处理腔20。在步骤S45中，压力机15开启背压释放阀 门28b。这使得真空线25和主管道26a通过管道26b与真空处理腔 20的内部相连通，从而第二基片W2的背压(在真空线25中的压力) 变为约等于在真空处理腔20中的压力(腔体压力)。也就是说，在第 二基片W2的内表面侧上的压力变为约等于在外表面側上的压力。这 防止第二基片W2被第二基片W2的上下表面之间的压力差局部地弯 折，从而第二基片W2可以被稳定地以基本上平坦的状态保持在压板 24a上。在步骤S46，压力机15关闭拾取阀28a。当这样释放作用在第二 基片W2上的吸力时，第二基片W2不会很快地脱离压板24a。这是 因为第二基片W2的外表面和压板24a的夹具表面几乎为平坦，并且 包含在空气中的潮气进入压板24a和第二基片W2之间，从而在压板 24a和第二基片W2之间保持粘合强度。在步骤S47中，压力机15把 电压施加到压板24a上，以在第二基片W2通过该粘合强度被静电地 保持在压板24a上的过程中，静电地拾取第二基片W2。在步骤S48中，压力机15打开排气阀门28d和气体入口阀门28e。 结果，当真空处理腔20被第二真空泵29降压时，用不反应气体执行 替换。由于在真空处理腔20的降压过程中，笫二基片W2被在几乎平 坦的状态中静电地吸附到压板24a上，因此不容易在第二基片W2和压板24a之间的接触表面上保留气泡。这抑制辉光放电的产生，因此 避免第二基片W2的位置偏移和分离。在经过预定的时间之后，在真空处理腔20中的气体替换完成。 在步骤S49中，压力机15在气体替换完成之后关闭气体入口阀门28e。 在步骤S50中，压力机15光学地检测对齐标志，并且使第一和第二基 片W1和W2相互对齐，使得在基片Wl上的密封材料和液晶不接触 基片W2的底部表面。在步骤S51，压力机15降低上表面板23a，并且把预定压力施加 到基片Wl和W2，以把基片Wl和W2压为预定的单元厚度，并且 在真空中把基片Wl和W2接合在一起。在接合基片Wl和W2之后，压力机15在步骤S52停止压板24a 的静电拾取。在步骤S53，压力机15关闭排气阀门28d，以开启空气 阀门28c。结果，真空处理腔20中的压力变为大气压力。在步骤S54，压力机15停止工作台24b的静电拾取，并且把上 表面板23a向上抬起。集成的基片Wl、 W2保持在工作台24b上。压 力机15把上容器20a移动到上端，以开启真空处理腔20。在步骤S55，传送机构31从工作台24b上除去集成基片Wl、 W2并且把它传送到执行后续步骤的设备。在步骤S56中，该处理返 回到步骤S41。当第二基片W2的局部接合被纠正并且第二基片W2被根据图5 中的接合方法通过静电力支承在压板24a上基本保持平面状态时，防 止在真空处理腔20的降压过程中第二基片W2的位置偏移和分离。在图5中的接合方法可以被更改为如图6中所示。图6中的步骤S61至S64与图5中的步骤S41至S44相同。也就 是说，在压力机15的初始化之后，笫二基片W2被支承在压板24a 上，基片Wl被支承在工作台24b上，并且真空处理腔20被关闭。在步骤S65中，压力机15打开空气入口阀门28e，使得气体进入 真空处理腔20。这例如把腔体压力升高剖:大气压力+2kPa (千帕)。压力机15通过关闭拾取阀门28a而停止真空处理腔20的抽空(步骤S66),并且打开大气阀门28c，以把在主管道26a和真空线25中 的气压设置为大气压力(步骤S67)。在此时，当气体入口阀门28e被打开时，气体被填充到真空处理 腔20中，从而腔体压力高于大气压力。因此，第二基片W2被腔体压 力和大气压力之间的压力差而保持在压板24a上。该压力差被以这样 一种方式而控制，使得它变为足以把笫二基片W2保持在压板24a上 的程度(例如，腔体压力-大气压力+2kPa)。相应地，第二基片W2 的局部弯曲被抑制，从而第二基片W2被稳定地以基本上平坦的状态 固定在压板24a上。压力机15把电压施加到压板24a上，以使得压板24a静电地支 承第二基片W2(步骤S68)，并且关闭空气阀门28c和气体入口阀门 28e，以打开背压释放阀门28b (步骤S69 )。打开背压释放阀门28b 消除第二基片W2的上下表面之间的压力差，从而防止出现第二基片 W2的局部弯折，以及第二基片W2的位置偏移和脱离。在步骤S70中，压力机15打开排气阀门28d和气体入口阀门28e。 相应地，真空处理腔20被真空泵29抽空，并且执行气体替换。在此 时，第二基片W2被静电地吸附在压板24a上，处于基本上平坦的状 态，并且气泡不容易保留在第二基片W2与压板24a的接触表面上。 这抑制辉光放电的产生，因此避免第二基片W2的位置偏移和分离。在步骤S71中，在真空处理腔20中的气体替换完成之后，压力 机15关闭气体入口阀门28e。步骤S72至S78与图5中的步骤S50至 S55相同。根据图6中的接合方法，防止第二基片W2的弯曲，并且在真空 处理腔20被抽空的过程中避免第二基片W2的位置偏移和分离。当第 二基片W2的真空夹具被停止并且第二基片W2被静电地支承时，第 二基片W2压在压板24a上，并且由气体源所产生的压力差稳定地支 承。另外，该方法使得气体有效地除去在真空处理腔20中以及在第二 基片W2的内表面上的杂质。现在将描述第二基片W2的局部弯曲。当压板24a通过吸力支承第二基片W2时，由于第二基片W2的 上下表面之间的压力差导致出现如图7A中所示的局部弯曲。第二基 片W2越薄，则由于压力差所导致的弯曲越显著。为了避免局部弯曲，最好在凹槽25a中提供多孔陶瓷等等这样具 有渗透性的多孔部件80。在凹槽25a中提供多孔部件80提高夹具表 面的刚性，并且使得夹具表面平整，因此避免第二基片W2的局部弯 曲。在基片Wl和W2的接合步骤中，进一步提高由于第二基片W2 的弯曲所导致第二基片W2的位置偏移并且从压板24a上脱离。为了避免废物保留在多孔部件80内部并且污染第二基片W2,需 要通过定期的气体(不反应气体)逆流来消除灰尘等等。现在将描述从压板24a和工作台24b上除去杂质的方法。例如基片Wl和W2的灰尘或玻璃颗粒这样的杂质容易附着到压 板24a和工作台24b上。杂质可能破坏压板24a或工作台24b的夹具 表面，或者可能在拾取基片Wl和W2时造成基片Wl和W2的位置 偏移和脱离。因此需要消除被附着到压板24a和工作台24b上的杂质。图8示出一个胶片81，其包括带基82以及通过把粘合剂施加在 带基82的两侧而形成的粘合层83。通过使用胶片81除去例如灰层或 玻璃颗粒这样附着到压板24a和工作台24b上的杂质84。具体来说， 首先杂质消除设备(薄膜传送器)800把胶片81传送到压力机15，并 且把胶片81粘到工作台24b的夹具表面。压力机15紧紧地关闭真空处理腔20，并且打开排气阀门28d， 以抽空真空处理腔20。在真空处理腔20被降压到预定的气压(几乎 为真空)时，上表面板23a下落到压板24a与胶片81紧密接触的位置。 排气阀门28d被关闭，并且空气入口阀门28e被打开，以把腔体气压 设置为接近大气压力。随着真空处理腔20被打开，上表面板23a被抬 起，从而在工作台24b上的胶片81被传送机构所分离。根据该杂质消除方法，胶片81被在真空中均匀和牢固地粘合到 压板24a和工作台24b上，例如灰层或玻璃颗粒这样的杂质84进入到 粘合层83中。因此，即使微小的颗粒也被有效地从夹具表面上除去。带基82的弹性使得灰尘等等被从压板24a和工作台24b的夹具 表面上除去，而不损坏夹具表面。为了增加杂质除去效果，最好使用被降压的真空处理腔20来执 行该方法。但是可以在大气压力中执行该方法，在这种情况中对真空 处理腔20降压的时间被缩短并且获得特定的杂质去除效果。除了把胶片81夹在压板24a和工作台24b间之外，胶片81可以 粘到每个压板24a和工作台24b，随后从其上面分离。在粘合层83紧 紧施加在带基82的側面的情况中，附着到压板24a和工作台24b上的 杂质可以被按照任意的次序而除去，或者胶片81可以分别粘合到压板 24a和工作台24b。在压板24a和工作台24b被从压力机15上拆下时，可以由胶片 81把杂质移到真空处理腔20之外(在接合基片制造装置IO之外)。下面将描述要被密封在基片W1和W2之间的液晶量。由于两个基片Wl和W2要被接合在一起并且相距非常小的间距 (单元厚度)，因此需要调节要被密封的液晶量为适当的量。如图9中所示，用于把基片W1和W2之间的间距(单元厚度) 限制为预定的数值的多个村垫或立柱85形成在一个基片上(在第 一实 施例中为被滴注液晶的第一基片Wl上)。在液晶LC被滴在密封材 料86的框架内之后，基片W1和W2被接合在一起。立柱85的高度(立柱高度)可以在预定数值附近变化。立柱高 度的变化导致基片Wl和W2之间的间距在预定数值附近变化。因此， 需要在接合基片Wl和W2之前根据立柱高度而调节液晶LC的滴注 量。下面将参照图IO描述液晶LC的滴注量的调节。图IO示出接合基片制造装置10，其具有多个密封构图系统12、 多个液晶滴注设备13、多个压力机15和多个固化设备16。 ID读取器 18被提供在第一传送装置17a中。立柱高度测量单元87通过网络连接到接合基片制造装置10。立 柱高度测量单无87测量形成在基片Wl和W2之一 (例如,阵列基片 Wl )上的立柱85的高度。测量单元87具有一个ID读取器88，用于读取基片ID,以识别基片Wl和W2的类型。在图11A中的步骤S91a中，ID读取器88读取基片Wl的基片 ID。在步骤S92a中，立柱高度测量单元87测量形成在基片Wl上的 立柱85的高度。在步骤S93a中，立柱高度测量单元87在立柱高度测 量单元87内的第一存储设备87a中存储与基片ID相关的测量结果或 立柱高度信息。立柱高度测量单元87在基片Wl被传送到接合基片制 造装置10之前预先执行步骤S91a至S93a。如图IIB中所示，当第一传送装置17a接收基片W1和W2时， 控制单元11 (参见图1)使得ID读取器18读取基片Wl的基片ID (步骤S91b)。具体来说，第一传送装置17a读取具有立柱85的基 片Wl的基片ID，并且根据来自控制单元11的指示把基片Wl和W2 传送到相关的密封构图系统12。控制单元ll从第一存储设备87a读取与基片Wl的基片ID相关 的立柱高度信息，并且把该立柱高度信息存储到控制单元11中的第一 存储设备87b (步骤S92b)。根据该立柱高度信息，控制单元11确 定滴注液晶LC的液晶滴注设备13 (步骤S93b)。在接合基片制造装 置10仅仅被提供一种液晶滴注设备13的情况中，省略步骤S93b，并 且第二传送装置17b把基片Wl和W2从密封构图系统12传送到液晶 滴注i殳备13。在步骤S94b中，控制单元ll计算液晶LC的滴注量。具体来说， 预先对每个液晶滴注设备13设置用于纠正在多个液晶滴注设备13中 的液晶LC的滴注量中的误差的纠正值。控制单元11根据预先通过经 验获得的用于立柱高度信息的液晶LC的滴注量以及用于该滴注量的 纠正值，计算液晶LC的正确滴注量。控制单元ll把液晶LC的正确滴注量指示给液晶滴注设备13(步 骤S95b),并且液晶滴注设备13把液晶LC的正确滴注量滴注到基 片Wl上(步骤S96b )。根据在图11A和11B中的控制方法，根据形成在基片Wl上的 立柱85的立柱高度以及所使用的液晶滴注设备13纠正液晶LC的滴注量。这减小集成基片Wl和W2的缺陷率，从而减小液晶LC的浪 费。测量立柱高度的立柱高度测量单元87的序列号信息可以被添加 到基片ID和立柱高度信息中，并且存储在第一存储设备87a中。在一些情况中，为了大规模生产以及稳定操作等目的，接合基片 制造装置IO可以具有多个立柱高度测量单元87。在这样一种情况中， 可以由于在立柱高度测量单元87中的变化而导致在立柱高度的测量 值中出现误差。因此决定哪一个立柱高度测量单元87被用于测量基片 Wl的立柱高度信息是重要的。把立柱高度测量单元87的序列号信息 添加到基片ID和立柱高度信息中，保证考虑到立柱高度测量单元87 和液晶滴注设备13中的变化而计算液晶LC的正确滴注量。一个批号可以被添加到基片ID和立柱高度信息中，并且存储在 第一存储设备87a中。该批号是给予被在预定的处理单元周期中处理 的预定数目的基片Wl的一个数值。由于根据该方法在一个时刻可以 获得具有相同批号的基片Wl的立柱高度信息，因此可以预先计算在 具有相同批号的基片Wl的上的液晶滴注量。这可以消除对每个基片 计算液晶滴注量的麻烦，从而可以缩短控制单元11的响应时间并且提高生产率。笫一实施例具有如下优点。(1) 当把气体注入到第二基片W2的内表面时，第二基片W2 被传送到压力机15，并且由拾取并支承内表面的外边缘区域的传送机 构31，或者由拾取并支承第二基片W2的外表面的外边源区域的传送 机构31传送到压力机15，并且保持在压板24a上。因此，即使容易 由于自重而导致弯曲的第二基片W2被支承在压板24a上，并且保持 水平。当第二基片W2被稳定地支承在压板24a上时，防止在压板24a 上的第二基片W2的位置偏移、第二基片W2从压板24a上分离、以 及在执行静电拾取时产生辉光放电。这导致提高大而薄的LCD面板 的成品率和生产率。(2) 当第二基片W2的背压保持基本上与真空处理腔20中的压力相等时，避免由于第二基片W2的上下表面之间的压力差而导致第 二基片W2的局部弯曲。另外，在真空处理腔20的降压过程中，避免 由于在压板24a的夹具表面和第二基片W2之间的接触表面上保留气 泡而导致第二基片W2的移动或分离。(3 )多个凹槽25a以预定的间距形成在压板24a的夹具表面中， 使得压板24a的端面(侧面)被切除。相应地，即使由于气泡保留在 压板24a和第二基片W2之间的接触表面上而导致第二基片W2的移 动或分离，在真空处理腔20的降压过程中，气泡也容易被移动到真空 处理腔20中。因此，也防止由于气泡的膨胀而导致第二基片W2的移 动或分离。(4 )具有渗透性的多孔部件80被提供在压板24a的凹槽25a中。 该结构确保避免在吸住第二基片W2时由于第二基片W2的上下表面 之间的压力差而导致第二基片W2的局部弯曲。该优点可以进一步增 强优点(2)。(5) 通过胶片81除去例如灰尘或玻璃颗粒这样附着到压板24a 和工作台24b上的杂质。在本实施例中，当胶片81在真空中均匀和牢 固地附着到压板24a和工作台24b上时，这些杂质被有效地除去。(6) 立柱高度测量单元87测量基片Wl的立柱85的高度。根 据立柱高度信息和在基片Wl上滴注液晶LC的液晶滴注设备13纠正 液晶LC的最佳滴注量。这可以减小集成基片Wl、 W2的废品率以及 减小液晶LC的浪费量。通过把测量立柱高度的立柱高度测量单元87 的序列号和批号添加到立柱高度信息中，液晶LC的滴注量可以被更 加精确和有效地纠正。当要被密封的液晶LC的量被优化时，液晶面 板的成品率得到提高，因此可以制造具有狭窄的基片间距的产品。下面讨论传送机构101和制造根据本发明第二实施例的接合基片 的方法。相同或近似的参考标号被给予在上文中参照图2所述的第一 实施例的相应部件，其详细描述纟皮部分地省略。图12示出接合设备14的布局(未示出的固化设备16)。传送机 构101被置于执行第一基片Wl和第二基片W2的定位的定位设备102、执行接合操作的压力机15以及放置位置103之间，并且可摆动 到分别面对定位设备102、压力机15和放置位置103的位置。在用于基片Wl和W2的第一接合步骤中，需要传送3种部件(第 一基片Wl、第二基片W2和集成基片Wl、 W2)。为了提高接合基 片的制造效率，需要提高这三种部件的传送效率。传送机构101具有旋转部分104、第一传送臂105和第二传送臂 106。如图13a中所示，以这样一种方式提供旋转部分104，使其大约 绕着主体104a旋转360度，并且可沿着主体104a的轴(Z轴)上下 移动。第一和第二传送臂105和106可相对于旋转部分104独立地伸 缩，并且可在Z轴方向上稍微地上下移动。因此，传送机构101摆动到每个定位设备102、压力机15和访文置 位置103的位置，并且伸缩至少一个第一和第二传送臂105和106以 传送基片Wl和W2。如图13B中所示，支承部件或第一和第二机械手105a和105b 被提供在第一传送臂105的未端。多个夹具垫107被提供在笫一机械 手105a的下表面上。夹具垫107支承第二基片W2。具体来说，夹具 垫107通过未示出的真空源吸住第二基片W2的外表面。多个夹具垫 108被提供在第二机械手105b的上表面上。多个夹具垫105吸住第一 基片Wl的外表面。如图13C中所示，支承部件或第三机械手106a被提供在第二传 送臂106的未端。多个夹具垫109被提供在第三机械手106a的上表面 上。夹具点109吸住集成基片Wl、 W2。传送机构101首先摆到面对定位设备102的位置，用第一机械手 105a支承一个被定位的基片(第二基片W2)，并且从该定位设备102 取出基片W2。接着，传送机构IOI用第二机械手105b支承其它被定 位的基片，并且从定位设备102取出基片Wl。执行这些操作，并且 压力机15接合先前的基片W1和W2。接着，传送机构101摆到面对压力机15的位置。当压力机15完 全接合先前的基片Wl和W2时，传送机构101用第三机械手106a支承集成的基片Wl、 W2，并且从压力机15取出该集成的基片Wl、 W2。然后，传送机构101把分别由第一和第二机械手105a和105b 所支承的基片Wl和W2传送到压力机15。然后，传送机构101摆到面对放置位置103的位置处，并且把由 第三机械手106a所支承的集成基片Wl、 W2放置在该放置位置103 中。从上文可以看出，传送机构101执行从定位设备102到放置位置 103的摆动操作，执行第一传送臂105的单次伸缩操作，以把一组基 片Wl和W2传送到压力机15,以及执行第二传送臂106的单次伸缩 操作，以把从压力机15传送该集成基片Wl、 W2。也就是说，传送 机构101可以通过单次摆动操作和两个伸缩操作而传送一组基片Wl 和W2。相反，常规的传送机构的第一传送臂具有第一机械手(单个)， 并且第二传送臂具有第二机械手(单个)。因此，常规的传送机构需 要从定位设备102执行两个摆动操作，并且总共执行第一和第二传送 臂的3次伸缩操作，以在执行基片Wl和W2到压力机15的单次传送 时，把基片Wl和W2置于压力机15中或者从压力机15取出。由于 使用图13A中的传送机构101减小操作次数，因此基片的传送时间被 缩短，从而缩短压力机15停止操作的时间。因此传送机构101保证有 效传送操作。在由第一机械手105a (被支承在压板24a上)把第二基片W2 运载到压力机15中的情况下，最好使用图15A和15B中所示的压板 Ul。压板111具有沿着第一机械手105a的移动路径形成的通道llla。 第一机械手105a在压板111下移动，并且支承第二基片W2的外表面， 向上移动到第二基片W2与如图15A和15B中所示的压板111的夹具 表面相接近的位置。当第一机械手105a在此时被保留在通道llla中 时，它不与压板lll相影响。在该状态中，压板lll通过吸力和静电 力中的至少一种作用力拾取并支承第二基片W2。在停止第二基片W2 的吸力之后，第一机械手105a向上移动为远离第二基片W2。最后，第一传送臂105被拉回。由于第一机械手105a吸住并支承第二基片W2的外表面，因此 即使第二基片W2大而薄，也能够防止第二基片W2的重力弯曲。在 基本上平坦的状态中，第二基片W2如此被吸在压板111的夹具表面 上。传送机构101的第一和第二传送臂105和106中的至少一个具有 两个机械手。相应地，第二传送臂106可以具有两个机械手。第一机械手105a可以用图2中的机械手31a所代替。在这种情 况中，例如传送第二基片W2的机械手31a被提供在第一传送臂105 上，并且传送基片Wl的第二机械手105b和传送集成基片Wl、 W2 的第三机械手106a被提供在第二传送臂106上。下面将讨论定位设备102。在接合基片Wl和W2的情况中，基片Wl和W2应当被高精度 地对齐(在几微米的误差范围内)。在这一方面，几微米大小的对齐 标志被形成在基片W1和W2上。通常，具有长焦距的透镜需要同时 对准两个分离的基片W1和W2的对齐标记。但是，这种透镜的结构 复杂并且昂贵。因此最好应当在压力机15接合基片Wl和W2之前执 行基片Wl和W2的预定位。如图14中所示，定位设备102具有底板121、附着到底板121 上的定位销122、用于支承第二基片W2的支承板123、支承基片Wl 的支承销124、夹具机构125、定位机构126和线性激励器127。支承板123可沿着在底板121上提供的线性导轨121a移动到用 于支承第二基片W2的内表面的外边缘区域的位置和与第二基片W2 相分离的位置。支承销124可上下移动。定位机构126可在由图14A 所示的箭头方向移动。支承板123、支承销124和定位机构126的驱 动由例如未示出的圆柱体等等这样的驱动源所控制。夹具机构125由线性激励器127所支承，使其可相对于底板121 上下移动。夹具机构125具有上板128a、下板128b、支承上板128a 使得上板128a可在X轴和Y轴方向上相对于下板128b水平移动的轴承129、以及把上板128a压向下板128b的参考位置(图14A中所示 的位置)的弹簧130。多个夹具部分121被以预定的间距平行地提供 在上板128a的下表面上。每个夹具部分131具有夹具垫132。 下面将讨论基片Wl和W2的定位。首先，如下放置第二基片W2。夹具机构125向上移动，并且支 承销124向下移动。第三传送装置17c (参见图1)把第二基片W2从 液晶滴注设备13传送到定位设备102。结果，第二基片W2被支承在 支承板123上，如图14A中的虚线所示。当第二基片W2被置于支承板123上时，夹具机构125向下移动， 并且通过夹具垫132吸住和支承第二基片W2的上表面(外表面)。 夹具机构125与第二基片W2—同向上移动，并且支承板123移动到 不影响第二基片W2的位置。第二基片W2由夹具机构125所支承。接着，定位机构126被向前移动，以把第二基片W2水平地移动 到相对于定位机构126对角提供的定位销122。定位机构126推动第 二基片W2的边缘(边角或接近该边角的侧边)，到达预定位置，或 者到达与定位销122相邻的第二基片W2的边角。在此时，支承第二 基片W2的夹具机构125也被移动。由轴承129平滑地执行夹具机构 125和第二基片W2的移动。传送机构101延伸第一传送臂105。笫一机械手105a吸住并支承 置于预定位置的第二基片W2的上表面。当传送机构101支承第二基 片W2时，夹具机构125停止吸住第二基片W2。在第二基片W2的 拾取停止之后，夹具机构125由线性激励器127向上移动，并且由弹 簧130的压力返回到参考位置。接着，第三传送装置17c (参见图1)把基片Wl从液晶滴注设 备13传送到定位设备102。在传送之前，夹具机构125应当被向上移 动，并且支承板123应当被移动到支承板123不影响基片Wl的位置 处。基片Wl由上抬的支承销124所支承。定位机构126推动基片 Wl的边缘，以把基片Wl移动到预定位置。传送机枸101延长第一 传送臂105，并且通过第二机械手105b吸住并支承基片Wl的下表面。26根据定位设备102,第二基片W2被具有夹具垫132的夹具机构 125所拾取，从而抑制由于自重所造成第二基片W2的弯曲，并且第 二基片W2被定位机构126定位在基本上平坦的状态。相反，常规的定位设备没有夹具机构125。在第二基片W2大而 薄的情况中，第二基片W2变得弯曲。因此，当弯曲的基片被定位时， 第二基片W2的弯曲程度变大，从而不能够保证精确的定位。根据第二实施例，第二基片W2被定位在基本上平坦的状态，因 此提高第二基片W2的定位精度。这导致提高压力机15的定位精度。该第二实施例除了优点(1)至(6)之外还具有如下优点。(7) 传送机构101包括具有第一和第二机械手105a和105b的 第一传送臂105,以及具有第三机械手106a的第二传送臂106。当传 送机构IOI可以一次把两个基片Wl和W2运载到压力机15时，传送 机构101的摆动操作和伸缩操作的次数减小，并且缩短传送时间。这 样可以缩短压力机15的传送空闲时间，从而提高接合基片的生产率。(8) 第一和第二机械手105a和105b吸住并支承基片Wl和W2 的外表面。这使得大而薄的基片Wl和W2被稳定地保持在基本上平 坦的状态，而不弯曲。因为第一和笫二机械手105a和105b以相对较 窄的间距附着到第一传送臂105，因此可以避免压力机15的增大。(9) 由于定位设备102定位以基本上平坦的状态支承在夹具机 构125上的第二基片W2,因此提高定位精度。这导致提高压力机15 的定位精度。由于定位设备102可以快速地定位笫二基片W2,因此 缩短压力机15的对齐时间，从而缩短用于接合基片的制造时间。(10) 当第一和第二机械手105a和105b不与基片Wl和W2的 内表面相接触时，避免基片Wl和W2的内表面的特性改变。下面将描述根据本发明第三实施例的压力机141和接合方法。相 同的参考标号被给予上文参照图2所述的第一实施例中的相同部件， 它们的详细描述将不被重复。如图16中所示，压力机141具有用于排空真空处理腔20的第一 排气阀门28d、把主管道26a连接到降压管道26d的旁路管道26f、以及在旁路管道26f中提供的笫二排气阀门28f，并且排空主管道26a和 真空线25。第二排气阀门28f的开/闭操作由未示出的控制单元所控制。 在压力机141被使用的情况中，在图17中的步骤S151至S153 被执行，以取代在图5中的步骤S48和图6中的步骤S70。也就是说，4t3j/碟SlDl T ， 乂工/V4Ai 141 7T^乖一，口芈q刊产飞fW!l Z8d ，口 281， ^T且开启气体入口阀门28e，以及开始在真空处理腔20中的气体替换。在真空处理腔20中的降压开始时，排气阀门28d和28f被打开 得相对较窄，从而在气压中的变化不变大。在气压中的变化可以通过 逐步地增加真空泵29的旋转速度而调节。在步骤S152中，压力机141逐步地增加第一和第二排气阀门28d 和28f的打开程度，使得第二基片W2的背压变为约等于或小于腔体 气压。当腔体气压和第二基片W2的背压到达预定数值时，压力机141 完全打开排气阀门28d和28f (步骤S153 )。随后的步骤与第一实施例相同。也就是说，在真空处理腔20中 的气体替换完成之后，气体入口阀门28e被关闭，并且基片Wl和 W2被对齐和加压。根据第三实施例，排气阀门28d和28f的打开程度(排气速度和 降压速度)被调节，从而即使当从压板24a的夹具表面到真空处理腔 20的流导(conductance,在真空线25和管道26a和26b中的真空度) 相对较小时，也可以调节第二基片W2的背压为约等于或小于腔体压 力。换句话说，即使当从压板24a的夹具表面到真空处理腔20的通道 较窄并且难以降压时，也可以获得类似于第一实施例的优点。请注意， 即使没有管道26b和背压释放阀门28b，该第三实施例也可以获得类 似的效果。下面将讨论根据本发明第四实施例用于接合基片的制造装置和方法。图18A示出根据第四实施例的上支承板161。上支承板161包括 一个上表面板162和压板163。按这样一种方式形成通道164,使其从 压板163的夹具表面延伸到上表面板162的上表面。上支承板161包括一个夹具机构165，其由未示出的驱动机构所 支承，可上下移动。夹具机构165包括顶板165a、支承在顶板165a 上的夹具部分165b和提供在各个夹具部分165b的未端(下端)的夹 具垫165c。夹具部分165b分别被插入到通道164。夹具垫165c :陂通 过未示出的通道连接到真空源。来自真空源的吸力使得第二基片W2 的外表面被吸到夹具部分165b上。如图18A中所示，夹具机构165被向下移动，使得夹具垫165c 置于压板163的夹具表面之下。由传送机构31 (图2)所支承的第二 基片W2被夹在夹具垫165c上。夹具机构165被向上抬到第二基片W2接近压板163的夹具表面 的位置处。当吸力或静电力作用在第二基片W2上，使得第二基片 W2被吸到压板163上，并且停止夹具机构165的夹持操作。结果， 第二基片W2被支承在压板163上(图18B )。根据第四实施例，当被夹具部分165b所吸住时，第二基片W2 被支承在压板163上。因此，即使明显弯曲的第二基片W2也被基本 上平坦地支承在压板163上，因此避免第二基片W2的位置偏移和分 离。如图18B中所示，在真空处理腔20中的气压通过通道164作用 在第二基片W2的上表面上。因此，在真空处理腔20的降压过程中， 第二基片W2的背压不高于腔体气压，因此防止第二基片W2脱离。夹具部分165b可以独立地上下移动。在这种情况中，明显弯曲 的基片被平滑地夹持。的形式，而不脱离本发明的精神或范围。尽管基片W2的传送在第一实施例中描述，但是当气体被注入到 下基片Wl的下表面时，下基片Wl可以类似地被传送。在图5中的接合方法中，可以在步骤S47之后执行步骤S44 (紧 密地闭合真空处理腔20)。传送机构31可以把除了不反应气体之外的其它气体喷射到第二基片W2的下表面。过滤器可以被提供在气体喷嘴34的上游，从而灰尘不会附着到 第二基片W2上。传送机构31可以被用这样的方式来更改，在第二基片W2较大 的情况下，使其具有夹持第二基片W2的上表面，并且把气体喷射到 第二基片W2的下表面。存储基片ID和立柱高度信息的第一存储设备87a和第二存储设 备87b可以被提供在通过网络连接到接合基片制造装置10的服务器 中。分别由第一至第三机械手105a、 105b和106a所支承的部分不限 于在上述实施例中讨论的类型。具体来说，基片Wl可以由第三机械 手106a所支承和传送，并且集成基片W1、W2可以;陂第二机械手105b 所支承和运载。在基片Wl和W2分别被该实施例中所述的第一传送 臂105的第一和第二机械手105a和105b所支承的情况中，防止灰尘 落在基片Wl的表面上。因此，本实施例被认为是说明性而非限制性的，并且本发明不限 于在此所述的具体细节，而是可以在所附权利要求的范围和等价表述 的范围内作出更改。
权利要求
1.一种通过接合第一基片和第二基片而制造一个接合基片的装置，其中包括传送机构(101)，其用于传送第一和第二基片，并且包括多个支承部件，用于水平地保持第一和第二基片；第一支承板(23a)，其具有用于夹持由传送机构所传送的第一基片的夹具表面；以及第二支承板(23b)，其被设置为与第一支承板相对，并且具有用于夹持由该传送机构所传送的第二基片的夹具表面，第一和第二支承板中的至少一个包括一个夹具机构(165)，其与相关夹具表面相独立地上下移动，并且吸持和保持相关基片，该相关夹具表面通过至少吸力和静电力之一而由该夹具机构保持相关基片。
2. 根据权利要求1所述的装置，其中第一基片和第二基片中的 每一个具有要被接合的内表面以及与该内表面相反的外表面，该支承 部件通过夹持该基片的外表面而保持第一和第二基片中的每一个。
3. 根据权利要求2所述的装置，其中第二支承板被置于第一支 承板之上，第二基片的外表面为第二基片的上表面，第二基片的内表 面为第二基片的下表面，第一基片的外表面为第一基片的下表面，以 及第一基片的内表面为第一基片的上表面。
全文摘要
在此公开一种能够减少有缺陷的接合基片的接合基片制造装置。一个传送机构(31)吸住基片(W2)的下表面的外边缘区，并且把气体喷向该基片的下表面，以把该基片运载到压力机(15)的真空处理腔(20)中，并且保持该基片为水平。压板(24a)通过吸力支承由该传送机构所支承的基片。
文档编号H01L21/683GK101241258SQ20081008650
公开日2008年8月13日 申请日期2003年2月27日 优先权日2002年3月19日
发明者大野琢也, 安立司, 宮岛良政, 小岛孝夫, 村本孝纪, 桥诘幸司 申请人:富士通株式会社