专利名称：混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法。
技术背景在特开2004—342876号公报(图6)中，公开了一种被称为CSP(chip size package,芯片尺寸组装)的半导体装置，其在半导体基板上设置多 个布线，在布线的连接垫块部上表面上设置有柱状电极，在包括布线的 半导体基板上将由环氧类树脂等形成的密封膜设置为其上表面与柱状电 极的上表面在同一个面上，并在柱状电极的上表面上设置有焊料球。然而，在特开2004—342876号公报(图6)中，通过由环氧类树脂 等形成的密封膜，能够保护半导体基板的上表面侧免受来自于外部气氛 的污染和破损，但存在的问题是不能抑制从半导体基板的上表面侧到 外部、或者与其相反地从外部到半导体基板上表面侧的干扰电磁辐射噪 音另夕卜，在特许第3540729号公报中，公开了在CSP(chip size package, 芯片尺寸组装)中具有螺旋形状的薄膜电感元件。但是，在特许第3540729号公报中，因为在保护膜的上表面上设置 了螺旋形状的薄膜电感元件，所以存在的问题是在半导体基板中产生 的涡流的作用下，在薄膜电感元件中产生涡流损耗，从而使薄膜电感元 件的特性劣化(Q值减少)。发明内容于是，本发明的目的在于提供一种能够抑制从半导体基板上表面侧 的集成电路到外部、或者与其相反地从外部到半导体基板上表面侧的集 成电路的干扰电磁辐射噪音的半导体装置及其制造方法。另外，本发明的目的还在于在半导体基板上具有薄膜电感元件的 半导体装置中，降低由半导体基板中产生的涡流所引起的薄膜电感元件的涡流损耗。根据本发明，因为由在树脂中混入了磁性体粉末的材料形成密封膜， 所以借助于密封膜中的磁性体粉末，能够抑制从半导体基板上表面侧的 集成电路到外部、或者与其相反地从外部到半导体基板上表面侧的集成 电路的干扰电磁辐射噪音。另外，通过在包括螺旋形状薄膜电感元件的 被称为CSP的半导体装置中，在半导体基板和薄膜电感元件之间设置由 在树脂中混入了磁性体粉末的材料所形成的磁性膜，能够降低由半导体 基板中产生的涡流所引起的薄膜电感元件的涡流损耗。
图1是作为本发明第1实施方式的半导体装置的剖面图。图2是制造图1中示出的半导体装置时最初准备的组件的剖面图。图3是接着图2的工序的剖面图。图4是接着图3的工序的剖面图。图5是接着图4的工序的剖面图。图6是接着图5的工序的剖面图。图7是接着图6的工序的剖面图。图8是接着图7的工序的剖面图。图9是接着图8的工序的剖面图。图10是作为本发明第2实施方式的半导体装置的剖面图。图11 (A)是作为本发明第1实施方式的半导体装置的主要部分的 透视平面图，图ll (B)是沿其B—B线的剖面图。图12是在图11中示出的半导体装置的制造方法的一个例子中，最 初准备的组件的剖面图。图13是接着图12的工序的剖面图。图14是接着图13的工序的剖面图。图15是接着图14的工序的剖面图。图16是接着图15的工序的剖面图。图17是接着图16的工序的剖面图。图18是接着图17的工序的剖面图。图19是接着图18的工序的剖面图。 图20是接着图19的工序的剖面图。 图21是接着图20的工序的剖面图。图22 (A)是作为本发明第2实施方式的半导体装置的主要部分的 透视平面图，图22 (B)是沿其B—B线的剖面图。图23是作为本发明第3实施方式的半导体装置的主要部分的剖面图。图24是作为本发明第4实施方式的半导体装置的主要部分的剖面图。图25是作为本发明第5实施方式的半导体装置的主要部分的剖面图。
具体实施方式
(第1实施方式)图1示出了作为本发明第1实施方式的半导体装置的剖面图。该半 导体装置一般被称为CSP，包括硅基板(半导体基板)1。在硅基板l的 上表面上设置有规定功能的集成电路(未图示)，在上表面周边部上与 集成电路连接设置由铝类金属等形成的多个连接垫块2。在除了连接垫块2的中央部以外的硅基板1的上表面上设置由氧化 硅等形成的绝缘膜3，连接垫块2的中央部经由在绝缘膜3中设置的开口 部4而露出。在绝缘膜3的上表面上设置由聚酰亚胺类树脂、环氧类树 脂等热固性树脂形成的保护膜5。在与绝缘膜3的开口部4相对应的部分 上，在保护膜5中设置有开口部6。在保护膜5的上表面上设置由含铜金属形成的基底金属层7。在基底 金属层7的整个上表面上设置由铜形成的布线8。包括基底金属层7的布 线8的一个端部经由绝缘膜3和保护膜5的开口部4、 6与连接垫块2连 接。在布线8的连接垫块部的上表面上设置由铜形成的柱状电极(突起 电极)9。在包括布线8的保护膜5的上表面上将密封膜10设置为其上表面与 柱状电极9的上表面在同一个面上。在此情形下，密封膜10由在由聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂等形成的热固性树脂10a中混入了由NiCuZn、 FeCoBN、 CoHfTaPd等形成的软磁性体粉末10b的材料形成。在柱状电 极9的上表面上设置焊料球11。如上所述，在本半导体装置中，因为由在由聚酰亚胺类树脂、环氧 类树脂等形成的热固性树脂10a中混入了由NiCuZn、FeCoBN、CoHfTaPd 等形成的软磁性体粉末10b的材料形成密封膜10，所以借助于密封膜10 中的软磁性体粉末10b,能够抑制从硅基板1上表面侧(集成电路)到外 部、或者与其相反地从外部到硅基板1的上表面侧(集成电路)的干扰 电磁辐射噪音。接下来，说明本半导体装置的制造方法的一个例子。首先，如图2 所示，准备在晶片状态的硅基板(下面称为半导体晶片21)的上表面上 形成由铝类金属等形成的连接垫块2、由氧化硅等形成的绝缘膜3和由聚 酰亚胺类树脂、环氧类树脂等形成的保护膜5，连接垫块2的中央部是经 由在绝缘膜3和保护膜5中形成的开口部4、 6而露出的组件。在此情形下，在半导体晶片21的上表面上，在形成各半导体装置的 区域中形成规定功能的集成电路(未图示)，连接垫块2与各自对应的 区域中形成的集成电路电连接。此外，在图2中，用符号22表示的区域 是与划线相对应的区域。接下来，如图3所示，在包括经由绝缘膜3和保护膜5的开口部4、 6而露出的连接垫块2的上表面的保护膜5的整个上表面上形成基底金属 层7。在此情形下，基底金属层7既可以仅是通过化学镀形成的铜层，也 可以仅是通过溅射形成的铜层，还可以是在通过溅射等形成的钛等薄膜 层上通过溅射等形成了铜层的结构。接下来，在基底金属层7的上表面上布线形成电镀抗蚀剂膜23。在 此情形下，在与布线8形成区域相对应的部分上，在电镀抗蚀剂膜23中 形成开口部24。接下来，通过进行以基底金属层7为电镀电流通路的铜 的电镀，在电镀抗蚀剂膜23的开口部24内的基底金属层7的上表面上 形成布线8。接下来，剥离电镀抗蚀剂膜23。接下来，如图4所示，在包括布线8的基底金属层7的上表面上形 成电镀抗蚀剂膜25。在此情形下，在布线8的连接垫块部也就是与柱状电极9形成区域相对应的部分上，在抗蚀剂膜25中形成开口部26。接下 来，通过进行以基底金属层7为电镀电流通路的铜的电镀，在电镀抗蚀 剂膜25的开口部26内的布线8的连接垫块部上表面上形成柱状电极9。 接下来，剥离电镀抗蚀剂膜25，接下来，以布线8为掩模蚀刻除去基底 金属层7的不需要的部分时，如图5所示，仅在布线8下残存基底金属 层7。接下来，如图6所示，在包括布线8和柱状电极9的保护膜5的上 表面上，通过丝网印刷法和旋涂法等，形成由在由聚酰亚胺类树脂、环 氧类树脂等形成的热固性树脂10a中混入了由NiCuZn、 FeCoBN、 CoHfTaPd等形成的软磁性体粉末10b的材料所形成密封膜10，以使其厚 度比柱状电极9的高度还稍厚。因此，在该状态下，柱状电极9的上表 面被密封膜10所覆盖。在此情形下，因为可以通过丝网印刷法和旋涂法 等涂布在热固性树脂10a中混入了软磁性体粉末10b的材料，所以不会 增加制造工序数。接下来，通过适当地研磨除去密封膜10的上表面侧，如图7所示， 使柱状电极9的上表面露出，同时将包括该露出的柱状电极9的上表面 的密封膜10的上表面平坦化。接下来，如图8所示，在柱状电极9的上 表面上形成焊料球11。接下来，如图9所示，沿着划线22在密封膜10、 保护膜5、绝缘膜3和半导体晶片21上划线时，得到多个图l中示出的 半导体装置。(第2实施方式)图10示出了作为本发明第2实施方式的半导体装置的剖面图。该半 导体装置与图1中示出的半导体装置的不同之处在于由在由聚酰亚胺 类树脂、环氧类树脂等形成的热固性树脂5a中混入了软磁性体粉末5b 的材料形成保护膜(绝缘膜)5。在该半导体装置中，在密封膜10和保护膜5中的软磁性体粉末10b、 5b的作用下，能够比图1中示出的半导体装置的情形进一步抑制从硅基 板1上表面侧(集成电路)到外部、或者与其相反地从外部到硅基板1 的上表面侧(集成电路)的干扰电磁辐射噪音。另外，因为在形成保护 膜5时，可以通过丝网印刷法和旋涂法等涂布在热固性树脂5a中混入了软磁性体粉末5b的材料，所以不会增加制造工序数。 (第3实施方式)图11 (A)是作为本发明第3实施方式的半导体装置的主要部分的 透视平面图，图11 (B)是沿其B—B线的剖面图。该半导体装置一般被 称为CSP，包括平面方形的硅基板(半导体基板)1。在硅基板1的上表 面上设置规定功能的集成电路(未图示)，在上表面周边部上与集成电 路连接设置由铝类金属等形成的多个连接垫块2a、 2b、 2c。在此情形下， 用符号2b、 2c表示的连接垫块与后述的螺旋形状薄膜电感元件13的两 端部连接，在图ll (A)中被配置为相互邻接。在除了连接垫块2a、 2b、 2c中央部以外的硅基板l的上表面上设置 由氧化硅等形成的绝缘膜3，连接垫块2a、 2b、 2c的中央部经由在绝缘 膜3中设置的开口部4a、 4b、 4c而露出。在绝缘膜3的上表面上设置由 铝类金属等形成的薄膜电感元件用布线18。薄膜电感元件用布线18的一 个端部经由绝缘膜3的开口部4b与连接垫块2b连接。在包括薄膜电感元件用布线18的绝缘膜3的上表面上设置磁性膜 19。在此情形下，磁性膜19由在由聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂等形成 的热固性树脂19a中混入了由NiCuZn、 FeCoBN、 CoHfTaPd等形成的软 磁性体粉末1%的材料形成。另外，在与绝缘膜3的开口部4a、 4c和薄 膜电感元件用布线18的连接垫块部相对应的部分上，在磁性膜5中设置 开口部20a、 20c、 29。在磁性膜19的上表面上设置由铜等形成的基底金属层30、螺旋形状 的薄膜电感元件用基底金属层IO和薄膜电感元件用布线用基底金属层11 (在图11 (B)中未示出)。在基底金属层30、薄膜电感元件用基底金属 层10和薄膜电感元件用布线用基底金属层11的各整个表面上设置由铜 等形成的布线12、螺旋形状的薄膜电感元件13和薄膜电感元件用布线 14。包括基底金属层30的布线12的一个端部经由绝缘膜3和磁性膜19 的开口部4a、 7a与连接垫块2a连接。包括薄膜电感元件用布线用基底金 属层11的薄膜电感元件用布线14的一个端部经由绝缘膜3和磁性膜19 的开口部4c、 20c而与连接垫块2c连接。包括薄膜电感元件用基底金属层10的薄膜电感元件13的内端部经由磁性膜19的开口部29与薄膜电 感元件用布线18的连接垫块部连接，外端部与包括薄膜电感元件用布线 用基底金属层11的薄膜电感元件用布线14的另一个端部连接。在布线12的连接垫块部上表面上设置由铜形成的柱状电极15。在包 括布线12和薄膜电感元件13的磁性膜19的上表面上将由环氧类树脂等 形成的密封膜16形成为其上表面与柱状电极15的上表面在同一个面上。 在柱状电极15的上表面上设置焊料球17。如上所述，在该半导体装置中，因为在薄膜电感元件13下硅基板1 上的绝缘膜3的上表面上，设置由在热固性树脂19a中混入了软磁性体 粉末19b的材料所形成的磁性膜19，所以能够降低由在硅基板1中产生 的涡流所引起的薄膜电感元件13的涡流损耗，进而能够抑制薄膜电感元 件13的特性劣化(Q值降低)。接下来，说明该半导体装置的制造方法的一个例子。首先，如图12 所示，准备在晶片状态的硅基板(下面称为半导体晶片21)的上表面上 形成由铝类金属等形成的连接垫块2a、 2b和由氧化硅等形成的绝缘膜3， 连接垫块2a、 2b的中央部是经由在绝缘膜3中形成的开口部4a、 4b而 露出的组件。在此情形下，在半导体晶片21的上表面上，在形成各半导体装置的 区域中形成规定功能的集成电路(未图示)，连接垫块2a、 2b与分别对 应的区域中形成的集成电路电连接。此外，对于图11 (A)中示出的连 接垫块2c和与其付随的结构，省略其说明。另外，在图12中，用符号 22表示的区域是与划线相对应的区域。接下来，如图13所示，在绝缘膜3的上表面上，通过采用光刻法对由采用溅射法等成膜的铝类金属等形成的金属膜进行布图，形成薄膜电 感元件用布线18。在该状态下，薄膜电感元件用布线18的一个端部经由 绝缘膜3的开口部4b与连接垫块2b连接。接下来，如图14所示，在包括薄膜电感元件用布线18的绝缘膜3 的上表面上，通过丝网印刷法和旋涂法等形成由在聚酰亚胺类树脂、环 氧类树脂等形成的热固性树脂19a中混入了由NiCuZn、 FeCoBN、 CoHfTaPd等形成的软磁性体粉末19b的材料所形成的磁性膜19。接下来，在与绝缘膜3的开口部4a和薄膜电感元件用布线18的连接垫块部相对 应的部分上，在磁性膜19中通过照射激光束的激光加工或者光刻法形成 开口部20a、 29。
接下来，如图15所示，在包括经由绝缘膜3和磁性膜19的开口部 4a、 7a而露出的连接垫块2a的上表面和经由磁性膜19的开口部29而露 出的薄膜电感元件用布线18的连接垫块部上表面的磁性膜19的整个上 表面上形成基底金属层23。在此情形下，基底金属层23既可以仅是通过 化学镀形成的铜层，也可以仅是通过溅射法形成的铜层，还可以是在通 过溅射法形成的钛等薄膜层上通过溅射法等形成了铜层的结构。
接下来，在基底金属层23的上表面上布图形成电镀抗蚀剂膜44。在 此情形下，在与布线12形成区域和薄膜电感元件13形成区域相对应的 部分上，在电镀抗蚀剂膜44中形成开口部45、 26。接下来，通过进行以 基底金属层23为电镀电流通路的铜的电镀，在电镀抗蚀剂膜44的开口 部45、26内的基底金属层23的上表面上形成布线12和薄膜电感元件13。 接下来，剥离电镀抗蚀剂膜44。
接下来，如图16所示，在包括布线12和薄膜电感元件13的基底金 属层23的上表面上布图形成电镀抗蚀剂膜27。在此情形下，在布线12 的连接垫块部也就是与柱状电极15形成区域相对应的部分上，在电镀抗 蚀剂膜27中形成开口部28。接下来，通过进行以基底金属层23为电镀 电流通路的铜的电镀，在电镀抗蚀剂膜27的开口部28内的布线12的连 接垫块部上表面上形成柱状电极15。
接下来，剥离电镀抗蚀剂膜27，接下来，以布线12和薄膜电感元件 13为掩模蚀刻除去基底金属层23的不需要的部分时，如图17所示，仅 在布线12和薄膜电感元件13下残存基底金属层30和薄膜电感元件用基 底金属层10。
接下来，如图18所示，在包括布线12、薄膜电感元件13和柱状电 极15的磁性膜19的上表面上，经由丝网印刷法和旋涂法等，形成由环 氧类树脂等形成的密封膜16，以使其厚度比柱状电极15的高度还厚。因 而在该状态下，柱状电极15的上表面被密封膜16所覆盖。
接下来，适当地研磨密封膜16的上表面侧，如图19所示，使柱状电极15的上表面露出，同时将包括该露出的柱状电极15上表面的密封 膜16的上表面平坦化。接下来，如图20所示，在柱状电极15的上表面 上形成焊料球17。接下来，如图21所示，沿着划线22切断密封膜16、 磁性膜19、绝缘膜3和半导体晶片21时，得到多个图11中示出的半导 体装置。
(第4实施方式)
图22 (A)是作为本发明第4实施方式的半导体装置的主要部分的 透视平面图，图22 (B)是沿其B—B线的剖面图。在该半导体装置中， 与图11 (A) 、 (B)中示出的半导体装置的不同之处在于，在薄膜电感 元件13下，在包括薄膜电感元件用布线18的绝缘膜3的上表面上设置 磁性膜31，在包括除了磁性膜31的配置区域的薄膜电感元件用布线18 的绝缘膜3的上表面上设置由聚酰亚胺类树脂等形成的保护膜(绝缘膜) 32。
在此情形下，通过贴付磁性片(磁性体片或者含有磁性体粉末的树 脂片)，或者通过溅射等采用掩模形成磁性体的膜来形成磁性膜31。另 外，包括薄膜电感元件用基底金属层10的薄膜电感元件13的内端部经 由磁性膜31中采用激光加工等形成的开口部33与薄膜电感元件用布线 18的连接垫块部连接。包括基底金属层30的布线12的一个端部经由绝 缘膜3和保护膜32中采用激光加工等形成的开口部4a、 34而与连接垫 块2a连接。
在该半导体装置中，因为在薄膜电感元件13下，在硅基板l上的绝 缘膜3的上表面上设置磁性片或者由磁性体膜形成的磁性膜31，所以能 够降低由硅基板1中产生的涡流所引起的薄膜电感元件13的涡流损耗， 进而能够抑制薄膜电感元件13的特性劣化(Q值的降低)。
另外，在该半导体装置中，因为在薄膜电感元件13下设置磁性膜31 ， 在布线12下设置由树脂形成的保护膜32，所以能够抑制薄膜电感元件 13的特性劣化(Q值的降低)，例如，还能够以低电阻的硅基板1为假 想接地在其上经由保护膜32而形成布线12，能够实现对薄膜电感元件 13和布线12的最佳高频特性。
(第5实施方式)图23示出了作为本发明第5实施方式的半导体装置的主要部分的剖 面图。该半导体装置与图22 (B)中示出的半导体装置的不同之处在于: 在磁性膜31和保护膜32的上表面上设置由聚酰亚胺类树脂等形成的上 层保护膜(上层绝缘膜)35。在此情形下，包括薄膜电感元件用基底金 属层10的薄膜电感元件13的内端部经由在磁性膜31和上层保护膜35 中采用激光加工等形成的开口部33、 36而与薄膜电感元件用布线18的 连接垫块部连接。包括基底金属层30的布线12的一个端部经由在绝缘 膜3、保护膜32和上层保护膜35中采用激光加工等形成的开口部4a、 34、 37而与连接垫块2a连接。
在该半导体装置中，在对于薄膜电感元件用基底金属层10的磁性膜 31的密合性不良的情形下，通过在它们之间插入由聚酰亚胺类树脂等形 成的上层保护膜35，能够消除那样的不良情况。另外，因为薄膜电感元 件13与硅基板1仅间隔上层保护膜35的膜厚部分，所以能够进一步降 低薄膜电感元件13的特性劣化，从而使Q值增大。
(第6实施方式)
图24示出了作为本发明第6实施方式的半导体装置的主要部分的剖 面图。该半导体装置与图23中示出的半导体装置的不同之处在于不分 别形成保护膜32和上层保护膜35，而是釆用与聚酰亚胺类树脂等相同的 树脂材料通过1次丝网印刷和旋涂法等同时形成保护膜32和上层保护膜 35，由此降低制造工序数。
(第7实施方式)
图25示出了作为本发明第7实施方式的半导体装置的主要部分的剖 面图。该半导体装置与图ll (B)中示出的半导体装置的不同之处在于 在磁性膜19的上表面上设置由聚酰亚胺类树脂等形成的保护膜(绝缘膜) 41。在此情形下，包括薄膜电感元件用基底金属层10的薄膜电感元件13 的内端部经由在磁性膜19和保护膜41中采用激光加工等形成的开口部 29、 42与薄膜电感元件用布线18的连接垫块部连接。包括基底金属层 30的布线12的一个端部经由在绝缘膜3、磁性膜19和保护膜41中采用 激光加工等形成的开口部4a、 7a、 43与连接垫块2a连接。在这样的情形 下，因为薄膜电感元件13仅与硅基板1间隔保护膜41的膜厚部分，所以能够进一步降低薄膜电感元件13的特性劣化，从而使Q值增大。
此外，在所有上述实施例中，也可以在热固性树脂10a、 19a、密封 膜16、保护膜5中的任何一个中混入软磁性体粉末10b、 19b。
权利要求
1.一种半导体装置，包括具有多个连接垫块的半导体基板；在所述半导体基板上设置的集成电路；在除了所述多个连接垫块以外的所述半导体基板上设置的绝缘膜；设置为经由连接垫块与所述集成电路电连接的多个布线；在所述布线的连接垫块部上设置的突起电极；覆盖所述集成电路的上表面，并且在所述突起电极的周围设置的密封膜；其特征在于所述绝缘膜或者所述密封膜中的至少一个包含树脂和混入到所述树脂中的磁性体粉末。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述布线 设置于在所述半导体基板上设置的绝缘膜上，所述绝缘膜由在树脂中 混入了磁性体粉末的材料形成。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述磁性体粉末包含NiCuZn、 FeCoBN、 CoHfTaPd中的任何一种软磁性体粉 末。
4. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于在所述突 起电极上设置焊料球。
5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于在所述绝 缘膜中混入有磁性体粉末。
6. 根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于在所述绝缘膜上形成有薄膜电感元件。
7. —种半导体装置，包括半导体基板和在该半导体基板上的同一个层上设置的多个布线和螺旋形状的薄膜电感元件，其特征在于至少在所述薄膜电感元件之下的所述半导体基板上设置有磁性 膜。
8. 根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于在所述磁 性膜之下的所述半导体基板上设置薄膜电感元件用布线，所述薄膜电 感元件的内端部经由在所述磁性膜中设置的开口部与所述薄膜电感元件用布线的连接垫块部连接。
9. 根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于所述磁性 膜设置在所述半导体基板上的整个表面上，由在树脂中混入了磁性体 粉末的材料形成。
10. 根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于所述布线 和所述薄膜电感元件由相同的材料形成。
11. 根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于在所述布 线和所述薄膜电感元件与所述磁性膜之间设置由树脂形成的绝缘膜。
12. 根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于所述磁性 膜由在所述薄膜电感元件之下的所述半导体基板上设置的磁性片形 成，在除了所述磁性片的配置区域的所述半导体基板上设置由树脂形 成的绝缘膜。
13. 根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于所述磁性 膜由在所述薄膜电感元件之下的所述半导体基板上成膜的磁性体膜 形成，在除了所述磁性体膜的配置区域以外的所述半导体基板上设置 由树脂形成的绝缘膜。
14. 根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于在所述 布线和所述薄膜电感元件与所述磁性膜和所述绝缘膜之间设置由树 脂形成的上层绝缘膜。
15. 根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于所述绝 缘膜和所述上层绝缘膜由相同的材料同时形成。
16. 根据权利要求l所述的半导体装置，其特征在于在所述布 线的连接垫块部上设置柱状电极。
17. 根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于在所述 柱状电极的周围设置密封膜。
18. 根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于在所述 柱状电极上设置焊料球。
19. 一种半导体装置，包括半导体基板和在该半导体基板上的同 一个层上设置的多个布线和螺旋形状的薄膜电感元件；其特征在于 还包括至少在所述薄膜电感元件之下的所述半导体基板上设置的磁性膜；在所述布线的连接垫块部上设置的柱状电极； 在所述柱状电极的周围设置的密封膜；其中，所述磁性膜设置在所述半导体基板上的整个表面上，由在 树脂中混入了磁性体粉末的材料形成。
20. —种半导体装置的制造方法，包括在主面上形成了多个连接垫块和多个集成电路的半导体晶片上， 在除了所述多个连接垫块以外的所述半导体晶片上形成绝缘膜的工 序；形成经由连接垫块与所述集成电路电连接的多个布线的工序； 在所述布线的连接垫块部上形成突起电极的工序； 在所述集成电路的上表面上，并且在所述突起电极的周围形成密封膜的工序；和在所述半导体晶片和所述密封膜上划线，得到多个半导体装置的工序；其特征在于形成所述绝缘膜的工序和形成密封膜的工序中的至少一个工序 采用在树脂中混入了磁性体粉末的材料来形成。
21. 根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其特征在 于所述布线在所述半导体基板上形成的、由在树脂中混入了磁性体 粉末的材料形成的绝缘膜上形成。
22. 根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其特征在 于所述磁性体粉末包含NiCuZn、 FeCoBN、 CoHfTaPd中的任何一 种软磁性体粉末。
23. 根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在形成所述密封膜之后，具有在所述突起电极上形成焊料球的工 序。
24. 根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其特征在 于在所述绝缘膜中，采用混入了磁性体粉末的材料来形成。
25. 根据权利要求24所述的半导体装置的制造方法，其特征在 于在所述绝缘膜上形成薄膜电感元件。
26. —种半导体装置的制造方法，该半导体装置在半导体基板上 的同一个层上设置多个布线和螺旋形状的薄膜电感元件，该制造方法的特征在于具有至少在应该形成所述薄膜电感元件的区域下的所述半导体基板上形成磁性膜的工序。
27. 根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在所述半导体基板上形成薄膜电感元件用布线，在包括所述薄膜电感元件用布线的所述半导体基板上的至少一部分上，形成在与所述 薄膜电感元件用布线的连接垫块部相对应的部分中具有开口部的磁 性膜，在所述磁性膜上形成所述薄膜电感元件，使得其内端部经由所 述磁性膜的开口部而与所述薄膜电感元件用布线的连接垫块部相连 接。
全文摘要
本发明涉及混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法。根据本发明，因为由在树脂中混入了磁性体粉末的材料形成密封膜，所以借助于密封膜中的磁性体粉末，能够抑制从半导体基板上表面侧的集成电路到外部、或者与其相反地从外部到半导体基板上表面侧的集成电路的干扰电磁辐射噪音。另外，通过在包括螺旋形状薄膜电感元件的被称为CSP的半导体装置中，在半导体基板和薄膜电感元件之间设置由在树脂中混入了磁性体粉末的材料所形成的磁性膜，能够降低由半导体基板中产生的涡流所引起的薄膜电感元件的涡流损耗。
文档编号H01L21/00GK101320726SQ200810088198
公开日2008年12月10日 申请日期2008年2月13日 优先权日2007年2月13日
发明者青木由隆 申请人:卡西欧计算机株式会社