专利名称：有机场致发光器件的制作方法
有机场致发光器件本申请要求享有于2007年6月27日递交的韩国专利申请 No.10-2007-063637的权益，这里引入其全部内容作为参考。技术领域本文档涉及一种有机场致发光器件。
背景技术：
用作有机场致发光显示的有机场致发光器件是一种自发光器件，其具有 在基板上的两个电极之间形成的发光层。有机场致发光器件根据其发光的方向分为顶部发光型和底部发光型。而 且，有机场致发光器件根据驱动方法还可分为无源矩阵类型和有源矩阵类型。由于这样的有机场致发光器件不耐潮湿和氧气，为了保护器件需要提供 密封基板，执行密封基板的密封工艺和利用密封件密封基板，如密封剂。在密 封过程中，密封剂通常在紫外线的照射下硬化，从而密封地封住基板和密封基 板。在设置了密封剂且照射了紫外线的密封区，基板上形成的多个配线是接 有电线的(wired)。 一些电线抑制密封剂均匀应用到基板上，或抑制紫外线有 效地照射到密封剂上，从而在器件制造中产生反作用。此外，即使选择密封件而不是用密封剂进行密封时也会出现这个问题。 因此，此问题不仅适用于密封剂，也适用于利用密封件进行密封的工艺，因此 需要改进形成密封件的整个区域。发明内容本发明提供了一种有机场致发光器件，包括基板；位于基板上且包括 多个子像素的显示单元；位于显示单元外围并限定形成密封件的密封区；以及 连接到显示单元并设置在显示单元侧面的多条配线，该多条配线中位于密封件形成区的大部分配线具有窄线宽，其只有位于其它区域的配线线宽的10%到50%。具有窄线宽的配线的宽度约为10 //m到50 ^m。 具有窄线宽的配线可以为电力线。从距离密封件形成区域边界线200 //m到300 /"m的地方开始，电力线逐渐 变窄。电力线可以朝配线内部倾斜110°到175。的角度逐渐变窄。 电力线可以朝配线内部倾斜150°到175。的角度逐渐变窄。
附图提供对本发明的进一步理解并构成本说明的一部分，描述了本发明 的实施例，并与描述一起解释了本发明的原理。图1是根据本发明的一个实施例的有机场致发光器件的示意性平面图； 图2是包含在图1的显示单元中的子像素的截面图； 图3是图1中"Z"区域的放大图； 图4是第二电力线的结构图。
具体实施方式
下面将详细描述附图中所示的本发明的实施例。下面参考附图详细描述本发明的一个实施例的具体实施方式
。如图1所示，根据本发明的一个实施例的有机场致发光器件具有包括多个位于基板110上的子像素120的显示单元130。在包含于显示单元130中的子像素120中，有机发光层位于连接到驱动晶体管的源极或漏极的阳极和阴极之间，驱动晶体管包含在位于基板110上的晶体管阵列中。作为参考，上述晶体管阵列包括对应于子像素120的区域中的一个或多个晶体管和电容器。包含于显示单元130中的所述子像素包括三个子像素120R、 120G和120B，分别发射红、绿和蓝光，这些子像素可以定义为一个像素单元。附图中，子像素120只包括红、绿和蓝色，这只是本实施例的一个示例，子像素120可由四种或更多包括诸如白色的发光色彩组成。此外，也可发射出其它的色彩(例如，橙色，黄色等)。作为参考，子像素120包括至少一个有机发光层、至少一个发光层，还 可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。此外，还可包括 缓冲层、阻挡层以调节阳极和阴极之间的空穴或电子的流动。形成密封件180的密封件形成区域S位于显示单元130外围的基板110 上，以便执行密封工艺来保护器件不受外部损坏。这里，密封件形成区域S 是定义用来形成密封件180的虚拟区域，且如附图所示，也是实际上形成密封 件180的位置。同时，连接到子像素120的多条配线140连接(wire)在显示单元130的 侧面的基板110上。尤其是，该多条配线中的大部分在密封件形成区域具有窄 线宽，其只有其它区域中配线线宽的10%到50%。这里，所述多条配线140包括给子像素120提供正电压的第一电力线(例 如，VDD) 146、提供低于正电压的低压的第二电力线(例如，GND) 144、 向子像素120提供数据信号的数据线142，以及提供扫描信号的扫描线(图中 未示出)。同时，驱动单元160位于显示单元130侧面的基板110上，焊盘单元170 位于临近驱动单元160的基板110的外围上。这里，焊盘单元170用来连接外 部器件，驱动单元160用来驱动焊盘单元170提供的信号，并将其提供给位于 显示单元130内的子像素120。在上述多条配线140中，扫描线(图中未示出)和数据线142连接到驱 动单元160，将外部器件提供的信号传输到显示单元130。作为参考，驱动单元160可分为扫描驱动单元和数据驱动单元，扫描驱 动单元向包含在显示单元130中的各子像素120R、 120G和120B提供扫描信 号，数据驱动单元向扫描后的子像素120R、 120G和120B提供数据信号。尽 管没有详细的描述扫描驱动单元和数据驱动单元的位置，扫描驱动单元可安置 在显示单元侧面的左边或右边，数据驱动单元可安置在显示单元130侧面的上 部或下部。本发明将作为有机场致发光器件为有源矩阵型的例子进行描述。图1中 显示单元130中子像素的结构将参考图2进行更详细的描述。参考图2，玻璃基板、金属基板、陶瓷基板或塑胶基板(聚碳酸酯树脂、压克力树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙烯对苯二酸盐树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂、氟树脂等)可用作第一基板iio。缓冲层111位于第一基板110上。形成缓冲层1U以保护下面工艺中将要形成的薄膜晶体管不受杂质的损坏，如从第一基板no中渗漏出的碱离子，且缓冲层可选择性的由二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)等形成。半导体层112位于缓冲层111上。半导体层112可包括非晶硅层或通过结 晶非晶硅层形成的多晶硅层。尽管图中未示出，包导体层112可包括信道区、 源极区和漏极区，源极区和漏极区可掺杂P型或N型杂质。栅绝缘膜113位于包括半导体层112的第一基板110上。栅绝缘层113 可选择性的由二氧化硅层Si02或氮化硅层SiNx形成。栅极114位于栅绝缘层113上，以对应半导体层的预定区域，g卩，信道区。 栅极114可从由铝(Al)、铝合金、钛(Ti)、钼(Mo)、钼合金、钨(W)和 硅化鹆(WSi2)组成的组中选择至少一种材料形成。夹层绝缘层115位于包括栅极340的第一基板110上。夹层绝缘层115 可为有机层、无机层或两者的组合。如果夹层绝缘层115为无机层，其可包括 二氧化硅(Si02)、氮化硅SiNx或SOG (硅酸盐玻璃)。如果夹层绝缘层115 为有机层，其可包括压克力树脂、聚酰亚胺树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂。暴露部分半导体层112的第一和第二接触孔115a和115b可位于夹层绝缘 层115和栅绝缘层113内。第一电极116a位于夹层绝缘层115上。第一电极116a可为阳极，并可包 括透明导电层，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。第一电极116a 可具有层压结构，如ITO/Ag/TI0。源极116b和漏极116c位于夹层绝缘层115上。源极116b和漏极116c经 由第一和第二接触孔115a和115b电连到半导体层112，部分漏极116c位于第 一电极116a上，并电连到第一电极116a。源极116b和漏极116c可包括低阻抗材料以降低电路阻抗，并可能为由钼 鸽(MoW)、钛(Ti)、铝(Al)或铝合金(Al合金)组成的多层薄膜。层压 结构的Ti/Al/Ti或MoW/Al/MoW可用作该多层薄膜。暴露第一电极116a的一部分的堆层(banklayer) 117位于第一电极116a 上。堆层117可包括有机材料，如苯并环丁烯(BCB)树脂、压克力树脂或聚酰亚胺树脂。发光层118位于暴露的第一电极116a上，第二电极119位于发光层118 上。第二电极119可用于向发光层118提供电子的阴极，可包括镁(Mg)、银 (Ag)、钙(Ca)、铝(Al)或它们的合金。再次参考图1，在上述多条配线140中，密封件形成区域S中具有窄线宽 的配线用作第二电力线144。下面，将参考图3和图4进行更详细的描述。如图3中的"Z"区域所示，可看出位于密封件形成区域内的第二电力线144 具有比其它区域中更窄的线宽。"180"代表密封件。下面，参考图4更详细的介绍配线结构，其中位于关于密封件形成区域S 的内外边缘处的第二电力线144的宽度在靠近密封件形成区域S时逐渐变小。参考图4，如果位于密封件形成区域S的外侧的第二电力线144a的宽度 "L"为，例如，100岸，则位于密封件形成区域S内的第二电力线144b的宽度 "L2"约为10至U50〃m。 "180"代表密封件。如上所述，这是由于位于密封件形成区域S内的第二电力线144b的宽度 比位于外侧的配线的宽度窄10%到50%。如果配线的宽度"L2"小于范围5 //m到50 ，，则线路阻抗增加，因此功率 消耗也增加，并由于信号的恶化将导致发光度降低。此外，如果配线的宽度"L2" 大于范围5 ，到50岸，在密封线S上形成的密封件180将不会硬化。同时，位于密封件形成区S的外侧的第二电力线144a的宽度相对于密封 件形成区域S的边界线逐渐变窄。此时，第二电力线144a变窄的区域"L"位于 200到300淨外。此处，考虑到线路阻抗问题和信号恶化，配线的宽度"L3"从距离相对于 密封件形成区域S的边界线200到300 ^处开始逐渐变窄。这里，第二电力线144以朝配线内部倾斜110°到175。的角度逐渐变窄。 此时，第二电力线倾斜的角度r与线路宽度"Ll"和"L2"成比例，角度r的最小 值范围为150°到175°。在一个示例中，如果第二电力线144的"Ll"-100岸、"L2"-10〃m、"L3，^200 垌，则角度r约为167°，如果第二电力线144的'11，,=100 〃m、 "L2，，=50艮 "L3"=300 /a，则角度r约为175。。此外，如果"L1"固定为100/^1，则配线在 最小值为167。到最大值为175。的角度范围内逐渐变窄。综上所述，在本发明中，为了得到有效的密封工艺，在多条配线140中 具有最大的线路宽度的第二电力线144以线路宽度通过密封件形成区域S时变 窄的方式形成。随着通过密封件形成区域S的第二电力线144的线宽如上所述变窄，在 密封剂作为密封件180的情况下，照射到密封件上的紫外线的量增加。因此， 在密封过程中，器件的密封得到了很大的改进，从而缓和了有机场致发光器件 不耐从外部渗入的潮湿和氧气的缺陷，可进一步延长器件的使用寿命。综上所述，本发明能更密封地密封器件，并通过区分有机场致发光器件 的配线结构提高器件的使用寿命。上述实施例和优势仅为示意性的，不应理解为对本发明的限制。本说明 可方便的应用与其它类型的装置。前述实施例的描述是说明性的，不限制权利 要求的范围。许多备选、修改和变型对本领域的技术人员来说是显而易见的。 在权利要求中，方法加功能条款意在覆盖这里描述的执行引用功能的结构，不 仅包括所述结构的等价体，也包括类似的结构。而且，除非在权利要求的限制 下明确的陈述术语"方法(means)"，例如，不能根据35USC112 (6)解释该 限制。
权利要求
1、一种有机场致发光器件，包括基板；位于所述基板上且包括多个子像素的显示单元；位于所述显示单元外围并限定以形成密封件的密封区；以及连接到所述显示单元并设置在所述显示单元的侧面的多条配线，所述多条配线中位于密封件形成区域的配线的大部分具有窄线宽，其只有位于其它区域的配线宽度的10％到50％。
2、 根据权利要求1所述的有机场致发光器件，其特征在于，具有窄线宽 的配线的宽度为10到50^。
3、 根据权利要求1所述的有机场致发光器件，其特征在于，具有窄线宽 的配线为电力线。
4、 根据权利要求3所述的有机场致发光器件，其特征在于，所述电力线 从距离密封件形成区域的边界线200到300 //m处开始逐渐变窄。
5、 根据权利要求3所述的有机场致发光器件v ，其特征在于，所述电力 线以朝配线内部倾斜110到175。的角度逐渐变窄。
6、 根据权利要求3所述的有机场致发光器件，其特征在于，所述电力线 以朝配线内部倾斜150到175。的角度逐渐变窄。
7、 根据权利要求1所述的有机场致发光器件，其特征在于，所述子像素 包括一个或多个电容器和晶体管。
全文摘要
本发明公开了一种有机场致发光器件，包括基板；位于基板上且具有多个子像素的显示单元；位于显示单元外围并定义为形成密封件的密封区；以及连接到显示单元并设置在显示单元侧面的多条配线，该多条配线中位于密封件形成区内的大部分配线具有只有其它区域配线宽度的10％到50％的窄线宽。
文档编号H01L27/32GK101335290SQ20081009758
公开日2008年12月31日 申请日期2008年5月15日 优先权日2007年6月27日
发明者朴洪基, 权承虎 申请人:乐金显示有限公司