专利名称：太阳能电池的后制绒生产工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种太阳能电池的后制 绒生产工艺。
背景技术：
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90 %以上的份额，如何进一步提高 效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。
在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方 法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征1)在电极栅线下及其附近形成高 掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的 关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种， 最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只 能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。近 年来，也出现了用丝网印刷磷浆实现选择性发射区的方法，但由于丝网印刷带 来的污染等问题，该方法也没有得到广泛应用。
发明内容
本发明的目的是要提供一种可以提高晶体硅太阳能电池光电效率的，适用 于产业化生产的生产方法。
本发明采用的技术方案是 一种太阳能电池的后制绒生产工艺，硅片依次 通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背 面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池成品，制绒工艺在
扩散工艺之后。
进一步的，扩散工艺后进行去磷硅玻璃，然后进行制绒，再做一次扩散， 然后再去除磷硅玻璃。
本发明的有益效果是硅片在进行选择扩散后，形成高掺杂区和低掺杂区， 在理想状态，希望高掺杂区的截面形状是上下宽度一致，但是在实际生产中， 高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒 过程中，会使硅片表面一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区 的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的 转换效率更高。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的经过后制绒工艺后得到的硅片的结构示意图。
图中，l.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.绒层。
具体实施例方式
如图l所示一种太阳能电池的后制绒生产工艺，工艺步骤依次是清洗， 扩散，制绒，去磷硅玻璃，刻边，镀氮化硅、减反射薄膜，印刷背面电极，印 刷铝背场，印刷正面电极，烧结工艺制备，制绒工艺在扩散工艺之后。
如果是进行两次扩散以形成选择性发射极的扩散工艺，在第一次扩散工艺 后会在硅片1表面下形成上宽下窄的高掺杂区2，这次扩散为磷浆扩散，然后进
行去磷硅玻璃的工艺，为了使高掺杂区2的截面形状是上下宽度基本一致，在
这次扩散后进行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区表面一薄层被去除成为绒
层4，制得的硅片1还要进扩散炉再进行一次扩散，用以在硅片1上形成低掺杂
区3，然后再去磷硅玻璃。自此硅片l完成选择性扩散，完成选择性扩散后硅片 l进行下面的加工，依次是刻边，镀氮化硅、减反射薄膜，印刷背面电极，印刷 铝背场，印刷正面电极，烧结最终得到太阳能电池。
权利要求
1、一种太阳能电池的后制绒生产工艺，其特征在于硅片(1)依次通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池成品，制绒工艺在扩散工艺之后。
2、 根据权利要求l所述的太阳能电池的后制绒生产工艺，其特征在于在 所述的扩散工艺后进行去磷硅玻璃，然后进行制绒，再做一次扩散，然后再去 除磷硅玻璃。
全文摘要
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种太阳能电池的后制绒生产工艺。硅片依次通过清洗、扩散、制绒、去磷硅玻璃、刻边、镀氮化硅、减反射薄膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结工艺后成为电池成品，制绒工艺在扩散工艺之后。硅片在进行选择扩散后，形成高掺杂区和低掺杂区，在理想状态，希望高掺杂区的截面形状是上下宽度一致，但是在实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒过程中，会使硅片表面一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的转换效率更高。
文档编号H01L31/18GK101339966SQ20081014429
公开日2009年1月7日 申请日期2008年7月31日 优先权日2008年7月31日
发明者夏庆峰, 汪钉崇 申请人:常州天合光能有限公司