专利名称：：图像检测器的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种图像检测器，该图像检测器具有有源矩阵衬底(activematrixsubstrate),在该有源矩阵衬底上设置多个开关元件。
背景技术：
：近来，平板检测器(FPD)已经投入实际应用。FPD包括有源矩阵衬底，该有源矩阵衬底上设置有多个开关元件和堆叠有X射线感应层，并且FPD能够将X射线信息直接转换成数字信息。FPD相对于传统的成像板的优点在于它允许确认运动图像以及图像的瞬间确认。该FPD的一个实例为日本专利公开公报No.3737343(专利文件1)提出的图像检测器，如图17所示。如图17所示，专利文件1提出的图像检测器包括TFT阵列衬底(TFTarraysubstrate)100，该TFT阵列衬底具有两维设置的多个TFT开关；半导体层116，该半导体层116根据入射到上面的电磁波产生电荷并且堆叠在TFT阵列衬底100上，从而利用TFT阵列衬底100读取电荷；上部电极117，该上部电极117堆叠在半导体层116上；保护基板118，该保护基板118堆叠在半导体层116和上部电极117上，以便覆盖半导体层116和上部电极117;和树脂材料119，该树脂材料119填充在半导体层116/上部电极117与保护基板118之间的空间中。当使用专利文件l执行图像检测时，给上部电极117施加高电压。这导致通过半导体层116的表面、从上部电极117向TFT阵列衬底100的线发生沿面放电(cre印ingdischarges),这可能会导致线损坏。但是，如图17所示，通过用树脂材料119覆盖半导体层116的端部，能够防止线损坏。然而，在专利文件1的图像检测器中，树脂材料119与TFT阵列衬底100之间的结合强度不够，当温度变化导致线性膨胀时，树脂材料与TFT阵列衬底100之间的结合面处会出现分离，这将导致沿面放电或线损坏。另外，在专利文件l的图像检测器中，如果树脂材料119与TFT阵列衬底100之间发生分离，保护基板118仅以接触面结合到TFT阵列衬底100，由于缺乏结合强度，这也导致保护基板118分离。通常，需要在TFT阵列衬底的电荷收集电极的下面，TFT阵列衬底的上面设置厚度为lum至2iim的有机材料制的有机绝缘层，以便使TFT阵列衬底的沉积表面平坦化。己经发现，如果TFT阵列衬底的最上表面由有机绝缘材料形成，那么树脂材料与有机绝缘材料之间的结合强度弱，当温度变化导致线性膨胀时，树脂材料与TFT阵列衬底100之间最终还会出现分离问题，然后这导致沿面放电或线损坏。鉴于上述问题，本发明的一个目的是提供一种能够防止树脂材料从有源矩阵衬底分离的图像检测器。
发明内容本发明的图像检测器包括有源矩阵衬底，所述有源矩阵衬底具有基板，在所述基板上设置多个幵关元件；半导体层，所述半导体层根据表示照射到半导体层上的图像信息的电磁波产生电荷并且堆叠在有源矩阵衬底上，从而利用有源矩阵衬底读取电荷；保护基板，所述保护基板设置成与有源矩阵衬底相对；和绝缘结合构件，所述绝缘结合构件把保护基板结合到有源矩阵衬底，其中所述绝缘结合构件通过无机绝缘膜结合到有源矩阵衬底，所述无机绝缘膜设置在围绕半导体层的周边的区域中。在本发明的图像检测器中，保护基板可通过有机绝缘膜结合到有源矩阵衬底。具体地，所述有源矩阵衬底可包括有机绝缘膜，所述有机绝缘膜在与绝缘结合构件的结合区域处具有多个开口，并且所述无机绝缘膜设置在有机绝缘膜的开口处。更具体地，所述有机绝缘膜的开口可形成为使得绝缘结合构件通过开口与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20%至80%。具体地，所述有源矩阵衬底可包括多个信号线，并且在所述信号线或信号线的相邻区域的上方设置有机绝缘膜，并且所述无机绝缘膜可设置在除了设置该有机绝缘膜的区域之外的区域中。更具体地，绝缘结合构件与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20%至80%。具体地，所述无机绝缘膜可以是SiNx膜。根据本发明的图像检测器，绝缘结合构件通过无机绝缘膜结合到有源矩阵衬底，无机绝缘膜设置在包围半导体层的周边的区域中，从而可提高绝缘结合构件与有源矩阵衬底之间的粘合性。因此，可防止温度变化时线性膨胀导致的绝缘结合构件的分离，因而可适当地防止沿面放电等导致的线损坏。此外，绝缘结合构件与有源矩阵衬底之间的粘合性的提高允许保护基板充分地结合到有源矩阵衬底，该保护基板通过绝缘结合构件结合到有源矩阵衬底。在本发明的图像检测器中，保护基板和有源矩阵衬底通过粘结剂暂时结合，当保护基板通过有机绝缘膜结合到有源矩阵衬底时，可减小对有源矩阵衬底的底层的影响。此外，有源矩阵包括有机绝缘膜，该有机绝缘膜在与绝缘结合构件的结合区域处具有多个幵口，并且在有机绝缘膜的开口处设置无机绝缘膜。与无机绝缘膜设置在绝缘结合构件与有源矩阵衬底的整个接触表面上的情况相比，通过幵口产生的不规则性会进一步提高粘合性。更进一步地，有源矩阵衬底包括多个信号线，并且在所述信号线或信号线的相邻区域的上方设置有机绝缘膜，并且无机绝缘膜设置在除了设置该有机绝缘膜的区域之外的区域中。可降低有源矩阵衬底的上部电极的沿面放电施加在信号线上的电压，同时，可提高绝缘结合构件与有源矩阵衬底之间的粘合性。图1是本发明的第一实施例的图像检测器的辐射图像检测器的剖视图，显示它的结构示意图；图2是辐射图像检测器的俯视图，显示一个像素的结构；图3是辐射图像检测器的剖视图，显示一个像素的结构；图4是根据第一实施例的辐射图像检测器的俯视图，显示设置无机绝缘膜的区域；图5是本发明的第二实施例的图像检测器的辐射图像检测器的剖视图，显示它的结构示意图6是根据第二实施例的辐射图像检测器的俯视图，显示设置无机绝缘膜的区域；图7A-7F显示制造根据第二实施例的辐射图像检测器的方法；图8是本发明的第三实施例的图像检测器的辐射图像检测器的剖视图，显示它的结构示意图9是根据第三实施例的辐射图像检测器的俯视图，显示无机绝缘膜与绝缘结合构件的接触区域；图10是本发明的第四实施例的图像检测器的辐射图像检测器的剖视图，显示它的结构示意图11显示根据第四实施例的辐射图像检测器的TFT阵列衬底的层间绝缘层图案；图12是本发明的第五实施例的图像检测器的辐射图像检测器的剖视图，显示它的结构示意图13是沿线切割的根据第五实施例的辐射图像检测器的局部剖视图；图14是在没有线的位置处切割的根据第五实施例的辐射图像检测器的局部剖视图15显示根据第五实施例的辐射图像检测器的TFT阵列衬底的层间绝缘层图案；图16显示根据另一实施例的层间绝缘层图案；和图17是传统的辐射图像检测器的剖视图，显示它的结构示意图。具体实施例方式下面，将参照附图来说明本发明的第一实施例的辐射图像检测器。图1显示辐射图像检测器的结构示意图。如图1所示，辐射图像检测器包括TFT阵列衬底(TFTarraysubstrate)10，该TFT阵列衬底10具有基板，在该基板上设置多个TFT开关；半导体层6，该半导体层6根据表示辐射到上面的辐射图像的电磁波产生电荷，并且该半导体层6堆叠在TFT阵列衬底IO上，从而利用TFT阵列衬底10读取电荷；上部电极7，该上部电极7堆叠在半导体层6上；绝缘结合构件25，该绝缘结合构件25设置成覆盖半导体层6的周边部分和上部电极7的上部，并且使保护基板18(稍后说明)与TFT阵列衬底10结合；和保护基板18，该保护基板18堆叠在绝缘结合构件25上。当用X射线等电磁波照射时，半导体层6中产生电荷(电子一孔(electrons-holes))。g卩，半导体层6具有电磁波导电性，并且用于把X射线表示的辐射图像信息转换成电荷信息。半导体层6例如由a-Se制成，a-Se是主要由硒构成的非晶体。这里的术语"主要由硒构成"是指硒的含量不小于50%。环境能够容易地降低半导体层6的特性，因此需要特定的盖子防止污染物、湿气等。还需要具有足够的耐电压性，因为上部电极7被施加了1kV至10kV的偏压。结果，在本实施例的辐射图像检测器中设置了保护基板18。优选地，保护基板18的制造材料与TFT阵列衬底10的基板相同，并且保护基板18的板厚度与TFT阵列衬底10的基板相同。在本实施例的辐射图像检测器中，使用厚度为O.7mm的无碱玻璃(non-alkaliglass)。然后，设置绝缘结合构件25，用于把保护基板18结合到TFT阵列衬底10，并且防止上部电极7与TFT阵列衬底IO之间沿面放电。绝缘结合构件25由环氧基材料制成。下面将参照图2和3来详细说明TFT阵列衬底10。TFT阵列衬底10包括两维设置的多个像素，每个像素具有TFT开关，但是，图2显示一个像素的俯视图，图3是沿图2的线3—3的剖视图。如图3所示，TFT阵列衬底10包括玻璃基板1、扫描线2、电荷存储电容器电极(Cs电极)14、门绝缘膜(gateinsulatingfilm)15、连接电极13、沟道层8、接触层9、数据线3、绝缘保护膜17、层间绝缘膜12和电荷收集电极11。此外，薄膜晶体管4由扫描线2、门绝缘膜15、数据线3、连接电极13、沟道层8、接触层9等形成，并且电荷存储电容器(Cs)5由Cs电极14、门绝缘膜15、连接电极13等形成。玻璃基板l是支撑基板，例如，它是无碱玻璃。如图2所示，扫描线s2and数据线s3是以网格图案形式设置的电极线，薄膜晶体管4(TFT开关)邻近每个交叉点形成。TFT开关4是开关元件，并且它的源极和漏极分别连接到数据线3和连接电极13。数据线3是源极电极，连接电极13是TFT开关4的漏极电极。g卩，数据线3包括作为信号线的直线部分和形成TFT开关4的延伸部分，连接线13设置成TFT开关4连接到电荷存储电容器5。门绝缘膜15由SiNx、Si0x等制成。门绝缘膜15设置成覆盖扫描线2和Cs电极14，并且门绝缘膜15在扫描线2之上的部分用作TFT开关4的门绝缘膜，门绝缘膜15在Cs电极14之上的部分用作电荷存储电容器5的介电层。g卩，电荷存储电容器5是与扫描线2形成在同一层的Cs电极14与连接电极13的重叠区域。请注意，门绝缘膜15的材料不局限于SiNx、Si0x，但是能够组合使用扫描线2和Cs电极14的阳极酸化膜(訓dizedfilm)。沟道层(i层)8是TFT开关4的沟道部分，是数据线3与连接电极13之间的电流通路。接触层(n+层)9在数据线3与连接电极13之间提供接触。绝缘保护膜17形成在数据线3和连接电极13之上，即，大致在玻璃基板1的整个表面之上(大致整个区域之上)。这可保护连接电极13和数据线3，并且在连接电极13和数据线3之间提供电绝缘隔离。绝缘保护膜17在预定位置处具有接触孔16，即，在横过电容器5与Cs电极14面对的连接电极13的部分之上的位置处。电荷收集电极U是透明导电无定形氧化膜。电荷收集电极U形成为填充接触孔16并且堆叠在数据线3和连接电极13之上。电荷收集电极11与半导体层6电连通，以便能够收集半导体层6产生的电荷。层间绝缘膜12是有机绝缘膜并且为TFT开关4提供电绝缘隔离。至于有机绝缘膜的材料，例如，可使用丙烯酸树脂(acrylicresin)。接触孔延伸通过层间绝缘膜12，并且电荷收集电极ll连接到连接电极13。这里，层间绝缘膜12是以上述方式构造的TFT阵列衬底10的最上层，层间绝缘膜12如上所述由有机绝缘膜形成。绝缘结合构件25在层间绝缘膜12上的直接堆叠将导致由有机绝缘膜形成的层间绝缘膜12与绝缘结合构件25之间结合强度不足，从而使得当温度变化时，由于TFT阵列衬底10、半导体层6和绝缘结合构件25之间的线性膨胀系数不同，绝缘结合构件25可能会从TFT阵列衬底IO上分离。例如，这导致扫描线2或数据线3的沿面放电和电线的损坏。此外，通过绝缘结合构件25结合到TFT阵列衬底IO的保护基板18可能从TFT阵列衬底IO分离。结果，在本实施例的辐射图像检测器中，如图1所示，TFT阵列衬底10和绝缘结合构件25通过无机绝缘膜19结合。至于无机绝缘膜19的材料，例如，优选SiNx，但是也可使用Si0x。本发明的发明人的评价结果显示:绝缘结合构件25与无机绝缘膜之间的粘合性大于绝缘结合构件25与有机绝缘膜之间的粘合性。评价结果显示在下面的表l中。因此，根据本实施例的结构可防止绝缘结合构件25从TFT阵列衬底10分离。因此，该结构还可防止通过绝缘结合构件25结合到TFT阵列衬底10的保护基板18从TFT阵列衬底IO分离。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>样品尺寸4X4cm(用粘性树脂施加在整个表面上)保护基板0.7mm厚的无碱玻璃绝缘结合构件lram厚的热固性环氧树脂(thermoset印oxyresin)TFT阵列衬底上面沉积有有机或无机绝缘膜的0.7mm厚的无碱玻璃样品(出于评价目的，没有TFT阵列)平坦膜(或所谓的层间绝缘膜)的实例包括HitachChemicalCo.,Ltd公司的HSG系列，HoneywellCorporation公司的ACCUGLASS。至于无机绝缘膜，典型地，为用等离子体CVD方法(plasmaCVDmethod)制造的SiNx。图4显示设置无机绝缘膜19的区域的俯视图。如图4所示，在根据第一实施例的辐射图像检测器中，无机绝缘膜19设置在绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10的整个结合区域处，并且以包围半导体层6的方式。接下来，将说明本发明的第二实施例的辐射图像检测器。图5是第二实施例的辐射图像检测器的剖视图。根据第二实施例的辐射图像检测器与根据第一实施例的辐射图像检测器的不同点在于保护基板18的形状不同。第二实施例的辐射图像检测器的保护基板18具有盒状，如图5所示，并且第二实施例的辐射图像检测器的保护基板18设置成覆盖半导体层6和上部电极7的整个侧面和上表面。然后，保护基板18和TFT阵列衬底10通过层间绝缘膜12么士A5口no同样，在第二实施例的辐射图像检测器中，无机绝缘膜19设置在绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10的整个结合区域处，以便提高绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10之间的粘合性。无机绝缘膜19设置成包围半导体层6。图6是显示设置无机绝缘膜19的区域的俯视图。第二实施例的辐射图像检测器的其它结构与第一实施例的辐射图像检测器相同。接下来，将参照图7A-7F来说明第二实施例的辐射图像检测器的制造方法。首先，如图7A所示，形成TFT阵列衬底10。这里，利用光刻通过图案化来形成层间绝缘膜12，以便层间绝缘膜12不会形成在设置像素的像素区的周围区域中。然后，无机绝缘膜19形成在没有设置层间绝缘膜12的环形区域中。此时，还形成金属图案22。然后，如图7B所示，利用真空淀积，通过把a-Se膜沉积在TFT阵列衬底IO的像素区上，来形成半导体层6。此外，如图7C所示，利用真空淀积，通过把Au沉积在半导体层6上，来形成上部电极7。接下来，如图7D所示，附接用于给上部电极7提供高压的电极23和端子24。电极23可由Au沉积膜或结合金属带形成。然后，如图7E所示，保护基板18放置在TFT阵列衬底10上。这里，保护基板18放置在层间绝缘膜12上，并且通过粘结剂结合到层间绝缘膜12上。最后，通过从保护基板18中设置的通孔(未显示)注射环氧树脂填充TFT阵列衬底IO与保护基板18之间的空间，来形成绝缘结合构件25。在第二实施例的辐射图像检测器中，保护基板18具有盒状，但不局限于此，例如，保护基板18的侧部可形成有肋构件，上部可形成有板状构件。接下来，将说明本发明的第三实施例的辐射图像检测器。图8显示根据第三实施例的辐射图像检测器的剖视图。根据第三实施例的辐射图像检测器与根据第二实施例的辐射图像检测器的不同点在于它还包括位于半导体层6下面的底层20。通常，出于几个目的，在Se层下面设置特定层。一个目的是防止从电荷收集电极的电荷(当给上部电极施加正电压时的电子，或当给电极施加负电压时的孔(holes))的注射。这会减少Se层中的噪音。另一个目的是控制上层的Se膜的膜质量。通常，底层会极大地影响沉积膜的成长，并且沉积膜的特性和缺陷极大地变化。本发明的发明人的评价结果显示通过在Sb2S3层上沉积Se能够获得稳定的Se层，而不是在TFT阵列衬底上沉积Se。在使用Sb2S3形成底层20的情况中，如上所述，当底层20与TFT阵列衬底10的结合部分是有机绝缘膜的层间绝缘膜12时，Sb2S3与有机绝缘膜之间的粘合性低，这可能导致分离的问题。本发明的发明人的评价结果显示Sb2S3与无机绝缘膜之间的粘合性大于Sb2S3与有机绝缘膜之间的粘合性。评价结果显示在下面的表2中。表2保护基板/绝缘结合构件(环氧树脂)/Sb2S3/TFT阵列粘合性<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>样品尺寸4X4cm(用粘性树脂/Sb2S3沉积在整个表面上)保护基板0.7raii厚的无碱玻璃绝缘结合构件lmm厚的热固性环氧树脂TFT阵列衬底上面沉积有有机或无机绝缘膜的0.7mm厚的无碱玻璃样品(出于评价目的，没有TFT阵列)实际上，Sb2S3位于Se层下面的整个区域上，但是该区域需要有机绝缘膜，因此不能使用无机绝缘膜。然而，实际的面板评价显示出现膜从周边部分分离。结果，通过强化周边部分的粘合性，能够提高整个板的粘合性。因此，在第三实施例的辐射图像检测器中，无机绝缘膜19形成在TFT阵列衬底10的整个表面上，底层20通过无机绝缘膜19结合到TFT阵列衬底10，如图8所示。通过以上述方式沉积无机绝缘膜19，底层20与TFT阵列衬底10之间的粘合性可提高。同样，在第三实施例的辐射图像检测器中，无机绝缘膜19设置在绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10的整个结合区域处，并且以包围半导体层6的方式，以便如第二实施例那样提高绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10之间的粘合性。图9显示无机绝缘膜19与绝缘结合构件25的接触区域的俯视图。如上所述，首先通过在TFT阵列衬底10的整个表面上形成无机绝缘膜19，然后利用光刻通过图案化在无机绝缘膜19上形成层间绝缘膜12，从而形成根据第三实施例的辐射图像检测器的TFT阵列衬底10。层间绝缘膜12被图案化以便不会形成在包围像素区的区域中，并且绝缘结合构件25和底层20设置在没有形成层间绝缘膜12的区域中。第三实施例的辐射图像检测器的其它结构与第二实施例的辐射图像检测器相同。接下来，将说明本发明的第四实施例的辐射图像检测器。图IO是第四实施例的辐射图像检测器的剖视图。在根据第四实施例的辐射图像检测器中，无机绝缘膜19形成在TFT阵列衬底io的整个表面上，然后，如同第三实施例，通过图案化将层间绝缘膜12形成在无机绝缘膜19上，但是该图案化方法不同于第三实施例。图11显示根据第四实施例的辐射图像检测器的TFT阵列衬底10的层间绝缘膜12的图案。如图11所示，根据第四实施例的辐射图像检测器的TFT阵列衬底10的绝缘膜12被图案化成多个开口12a形成在TFT阵列衬底10的像素区的周围。在图11中，用虚线表示半导体层6和上部电极7的区域。层间绝缘膜12以上述方式的图案化允许绝缘结合构件25通过开口12a接触无机绝缘膜19，因此绝缘结合构件25与无机绝缘膜19之间的粘合性可被提高。请注意，图11中的网格图案表示的部分是绝缘结合构件25接触无机绝缘膜19的区域。优选地，层间绝缘膜12的开口12a形成为绝缘结合构件25通过开口12a与无机绝缘膜19接触的接触面积对应于绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10接触的接触面积的20至80%，更优选地为30至80%。层间绝缘膜12的厚度为lum至3iim，如果层间绝缘膜12不设置在TFT阵列衬底10的像素区的整个周围区域中，如同在第三实施例的辐射图像检测器中，将形成具有l"m至3um的台阶(st印)的大沟槽。在形成这种大沟槽的情况中，在制造TFT中光刻工艺的抗蚀膜的厚度变得不均匀，导致ITO膜的图案化差。结果，通过如第四实施例那样在层间绝缘膜12中提供多个开口12a，可补偿差的图案化，而不是如第三实施例那样不在TFT阵列衬底10的像素区的整个周围区域中设置层间绝缘膜12。此外，在TFT阵列衬底10的最上部表面上提供深的不均匀图案可进一步提高结合强度。请注意，如同在第三实施例的辐射图像检测器中，可在第四实施例的辐射图像检测器中设置底层。接下来，将说明本发明的第五实施例的辐射图像检测器。图12是根据第五实施例的辐射图像检测器的俯视图。尽管在第一至第五实施例中没有显示，辐射图像检测器的线21，例如扫描线2和数据线3从像素区延伸到外部的四侧，如图12所示。几千伏数量级的高压施加到上部电极7，并且尽管高压不直接施加到没有设置半导体层6的区域，但是几千伏的电压通过沿面放电现象等被施加在该区域与线21之间。结果，在根据第五实施例的辐射图像检测器中，层间绝缘膜12被图案化成降低线21上的电压。更具体地，图13显示沿线21切割的根据第五实施例的辐射图像检测器的局部剖视图，图14显示在没有线21的位置切割的根据第五实施例的辐射图像检测器的局部剖视图。如图13和14所示，在根据第五实施例的辐射图像检测器的TFT阵列衬底10中，线21形成在玻璃基板1上，然后无机绝缘膜19形成在线21上，然后层间绝缘膜12形成在无机绝缘膜19上。然后，如图13所示，层间绝缘膜形成在线21之上，但不形成在线21不延伸的区域上。因此，根据第五实施例的辐射图像检测器的TFT阵列衬底IO的层间绝缘膜12具有如同图15所示的图案。这样，在第五实施例的辐射图像检测器中，层间绝缘膜12以图15所示的图案形成，从而使得层间绝缘膜12设置用于线21延伸的区域，以便降低施加在线21上的电压，同时，层间绝缘膜12不设置用于线21没有延伸的区域，以便允许TFT阵列衬底10、绝缘结合构件25和底层20通过无机绝缘膜19被结合，从而可提高绝缘结合构件25和底层20与TFT阵列衬底10的粘合性。请注意，图12中的网格图案表示的部分是绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10的接触区域。当如第五实施例的辐射图像检测器那样通过图案化形成层间绝缘膜12时，理想的是，绝缘结合构件25与无机绝缘膜19的接触面积对应于绝缘结合构件25与TFT阵列衬底10的接触面积的20至80%，优选地为25至65%，更优选地为大约45%。第五实施例的辐射图像检测器是线朝四侧延伸的检测器，如图12所示。但是，对于线朝两侧延伸的辐射图像检测器，层间绝缘膜可形成在线的上方，并且不形成在线不延伸的区域的上方。在该情况中，理想的是，绝缘结合构件与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与TFT阵列衬底的接触面积的50至80%。为了平衡粘合性，该范围可为25至65%，更优选地为大约73%。在第五实施例的辐射图像检测器中，层间绝缘膜12直接设置在TFT阵列衬底10的线21的上方，但是当线的间距很小时，层间绝缘膜12可以图16所示的图案形成，从而使得层间绝缘膜12设置在与线21相邻的区域之上。在根据上述实施例的辐射图像检测器中，使用具有基板的TFT阵列衬底，该基板上设置有多个TFT开关，但是本发明还可应用于具有有源矩阵衬底的辐射图像检测器，该有源矩阵衬底具有基板，在该基板上面设置多个开关元件，例如MOS开关(MOSswitches)。权利要求1.一种图像检测器，包括有源矩阵衬底，所述有源矩阵衬底具有基板，在所述基板上设置多个开关元件；半导体层，所述半导体层根据表示照射到半导体层上的图像信息的电磁波产生电荷，并且所述半导体层堆叠在有源矩阵衬底上，从而利用有源矩阵衬底读取电荷；保护基板，所述保护基板设置成与有源矩阵衬底相对；和绝缘结合构件，所述绝缘结合构件把保护基板结合到有源矩阵衬底，其中所述绝缘结合构件通过无机绝缘膜结合到有源矩阵衬底，所述无机绝缘膜设置在围绕半导体层的周边的区域中。2.根据权利要求1所述的图像检测器，其中所述保护基板通过有机绝缘膜结合到有源矩阵衬底。3.根据权利要求1或2所述的图像检测器，其中所述有源矩阵衬底包括有机绝缘膜，所述有机绝缘膜在与绝缘结合构件的结合区域处具有多个开口，并且所述无机绝缘膜设置在有机绝缘膜的开口处。4.根据权利要求3所述的图像检测器，其中所述有机绝缘膜的开口形成为使得绝缘结合构件通过开口与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20%至80%。5.根据权利要求1或2所述的图像检测器，其中所述有源矩阵衬底包括多个信号线，并且在所述信号线或信号线的相邻区域的上方设置有机绝缘膜，并且所述无机绝缘膜设置在除了设置该有机绝缘膜的区域之外的区域中。6.根据权利要求5所述的图像检测器，其中绝缘结合构件与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20%至80%。7.根据权利要求1所述的图像检测器，其中所述无机绝缘膜是SiNx膜。全文摘要一种图像检测器，包括有源矩阵衬底和通过绝缘结合构件结合到有源矩阵衬底的保护基板，其中绝缘结合构件(25)通过无机绝缘膜(19)结合到有源矩阵衬底(10)，所述无机绝缘膜(19)设置在围绕半导体层(6)的周边的区域中。文档编号H01L27/146GK101419976SQ20081017089公开日2009年4月29日申请日期2008年10月23日优先权日2007年10月23日发明者冈田美广申请人:富士胶片株式会社