专利名称：发光显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光显示器件，尤其涉及一种防止由在制造发光二极管 显示面板时形成的微粒导致的缺陷以提高制造效率和图像显示效率的发光 显示器件及其制造方法。
背景技术：
近来，作为用作个人计算机、个人数字助理和各种信息设备的监视器的 图像显示器件，主要使用重量轻且薄的平板显示器件。在平板显示器件中， 液晶显示器件、发光显示器件、等离子体显示器件、场发射显示器件等正在 增长。
在平板显示器件中，由于使用自身发光的发光显示面板，发光显示器件 具有较大的对比度，能制造超薄的显示器件，且由于几微秒ns的响应时间周 期，很容易产生运动画面。
为此，近来正对AMOLED (有源矩阵有机发光二极管)面板，即自身 发光的发光显示面板进行积极研究。AMOLED面板设置有具有多个像素的 矩阵的一个基板，每个像素都具有3色R， G和B的子像素，AMOLED面 板还设置有封装具有这些子像素的该基板的另一个基板。每个子像素都具有 有机场发光单元和用于独立驱动发光单元的单元驱动器。为此，近来正对发 光单元和单元驱动器分别形成在不同的基板上、并且基板彼此面对粘结在一 起的双面板型AMOLED面板进行积极研究。
然而，因为发光显示面板具有顺序沉积在其上并被构图的至少一个导电 金属层、无机绝缘层和有机物质层，所以发光显示面板常常具有由于在沉积 和构图时产生的许多微粒造成的缺陷。详细地说，如果在基板上形成导电金属层，则其上形成有导电金属层的基板就被移到另一个工艺线并经历用于形 成有机或无机层的处理。因为重复进行这种处理，直到完成发光显示面板为 止，所以许多微粒存在在无机绝缘层或有机绝缘层与导电金属层粘结的表面 上。尤其是，如果微粒存在于有机物质层与导电金属层之间，则由于微粒， 粘结力很容易变差，或者发生有机物质层的断裂。为此，因为形成在有机物 质层的相对侧上的导电金属层会与微粒电连接而形成暗点，所以会降低产品 的可靠性。
发明内容
因此，本发明涉及一种发光显示器件及其制造方法。
本发明的一个目的是提供一种防止由在制造发光二极管显示面板时形 成的微粒导致的缺陷以提高制造效率和图像显示效率的发光显示器件及其 制造方法。
在下面的描述中将部分列出本发明其它的优点、目的和特征，且根据下 面的分析，这些优点、目的和特征的其它部分对于本领域普通技术人员来说 将变得显而易见，或者可从本发明的实施获悉。说明书、权利要求书以及附 图特别指出的结构可实现和获得本发明的目的和其它优点。
如这里具体表示和广泛描述的，为了获得这些和其它的优点，并根据本 发明的目的，发光显示器件包括在第一基板的发光区域处形成的第一电极、 在所述发光区域处的所述第一电极的整个表面上形成用于完全覆盖在所述
第一电极的整个表面上存在的微粒的厚度为lA 200A的透明氧化物薄膜、
在所述氧化物薄膜的整个表面上形成的用于发光的有机发光层、和在包括所 述有机发光层的所述第一基板的整个表面上形成的第二电极。
所述氧化物薄膜由从被构图并被自然氧化的铝Al、铝合金AlNd、铜Cu、 银Ag、钛Ti和铬Gr中选择的至少一种导电金属形成。
所述器件进一步包括至少一个开关器件，该开关器件具有栅极电极、源 极/漏极电极、半导体层、欧姆接触层、栅极绝缘膜和保护膜，所述第一或第 二电极与所述开关器件的漏极电极电连接。
所述器件进一步包括在所述第一基板的非发光区域处形成的辅助电 极、在包括所述辅助电极的所述第一基板的所述非发光区域处由无机绝缘材料形成的缓冲层、在第二基板的接触电极之上在所述第一基板的所述非发光 区域上形成的接触衬垫料、在所述辅助电极下面形成用于将所述发光区域分 为子像素单元的隔离体，其中所述第一电极与所述辅助电极电连接，所述有 机发光层和所述第二电极通过所述隔离体分为所述子象素单元，且所述第二 电极利用所述接触衬垫料与所述第二基板上的所述开关器件的漏极电极电 连接。
在本发明的另一个方面中，制造发光显示器件的方法包括下述步骤在 第一基板的发光区域处形成第一电极、在所述发光区域处的所述第一电极的 整个表面上形成用以完全覆盖在所述第一电极的整个表面上的微粒的厚度 为1A 200A的透明氧化物薄膜、在所述氧化物薄膜的整个表面上形成用于 发光的有机发光层、和在包括所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上 形成第二电极。
所述氧化物薄膜通过构图和自然氧化由从铝A1、铝合金AlNd、铜Cu、
银Ag、钛Ti和铬Ge中选择的至少一种导电金属形成。
所述方法进一步包括形成至少一个开关器件的步骤，该开关器件包括栅 极电极、源极/漏极电极、半导体层、欧姆接触层、栅极绝缘膜和保护膜，所 述第一或第二电极与所述开关器件的漏极电极电连接。
所述方法进一步包括下述步骤在所述第一基板的非发光区域处形成辅
助电极、在包括所述辅助电极的所述第一基板的所述非发光区域处由无机绝 缘材料形成缓冲层、在与第二基板的接触电极相对的所述第一基板的所述非 发光区域上形成接触衬垫料、形成与所述辅助电极相对的用于将所述发光区 域分为子像素单元的隔离体，其中所述第一电极与所述辅助电极电连接，所 述有机发光层和所述第二电极通过所述隔离体分为所述子象素单元，且所述 第二电极利用所述接触衬垫料与所述第二基板上的所述开关器件的漏极电 极电连接。
应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性的和 解释性的，意在提供对要求保护的本发明的进一步的解释。
给本发明提供进一步理解并结合组成本申请一部分的附解了本发
7明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中
图1图解了在根据本发明优选实施方式的发光显示器件中的子像素的等 价电路；
图2图解了在根据本发明优选实施方式的发光显示器件中的子像素的截
面；
图3A和3B分别图解了用于制造发光显示器件的下基板的方法的制造 步骤；
图4图解了显示图3B中的A部分的放大图的截面； 图5图解了在根据本发明另一个优选实施方式的发光显示器件中的子像 素的截面；
图6图解了显示图5中的B部分的放大图的截面。
具体实施例方式
现在将详细描述本发明的优选实施方式，优选实施方式的例子在附图中 示出。如果可能，在所有附图中使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。
图1图解了在根据本发明优选实施方式的发光显示器件中的子像素的等 价电路。
参照图l，子像素包括与栅极线GL、数据线DL和电源线PL连接的单 元驱动器DRV和与单元驱动器DRV和第二电源信号GND连接的表示为与 二极管等价的发光单元OEL。
单元驱动器DRV包括与栅极线GL和数据线DL连接的第一开关器件 Tl、与第一开关器件T1、电源线PL和发光单元OEL连接的第二开关器件 T2、以及与电源线PL和第一开关器件Tl连接的存储电容器C。
第一开关器件Tl包括与栅极线GL连接的栅极电极、与数据线DL连接 的源极电极、和与第二开关器件T2的栅极电极连接的漏极电极。当在栅极 线GL处接收到栅极开信号时，第一开关器件T1导通，从而将在数据线DL 处接收到的数据信号供给到存储电容器C和第二开关器件T2的栅极电极。
第二开关器件T2包括与电源线PL连接的源极电极和与发光单元OEL 连接的漏极电极。第二开关器件T2响应于来自第一开关器件的数据信号， 控制从电源线PL供给到发光单元OEL的电流I，用于控制发光单元OEL的发光量。
存储电容器C与电源线PL和第二开关器件T2的栅极电极连接。即使 第一开关器件T1断开，由于在存储电容器C处所充的电压，第二开关器件 T2仍保持导通状态，从而将发光单元OEL的光发射一直保持到接收到下一 帧的数据信号为止。在此，尽管第一和第二开关器件Tl和T2可以是PMOS 或NMOS晶体管，但将仅描述使用NMOS晶体管的情形。
图2图解了在根据本发明优选实施方式的发光显示器件中的子像素的截面。
参照图2，发光显示器件包括发光显示面板，该发光显示面板具有一起 形成在第一基板、例如下基板上的单元驱动器DRV和发光单元OEL。在下 基板10上形成有上基板(没有示出)，用于封装单元驱动器DRV和发光单 元OEL。
下基板10具有用于显示图像的多个发光区域和不显示图像的多个非发 光区域。非发光区域具有用于提供驱动发光区域处的发光单元OEL所需的 各种信号的单元驱动器DRV。下基板IO用涂覆到上基板和下基板10的外围 的密封剂粘结到上基板(没有示出)。
非发光区域形成暴露发光区域的格子形。详细地说，发光区域是用于发 出发光单元OEL的光的像素区域，非发光区域是其上形成有用于驱动发光 单元OEL的开关器件Tl和T2的区域。同时，在发光单元OEL的光通过上 基板发射的上侧发光结构中，开关器件可形成在下基板10的发光区域处。
参照图2，下基板10上的开关器件具有无定形硅a-Si的底栅结构，尽 管没有示出，但开关器件也可具有多晶硅的顶栅结构。
将更详细地描述根据本发明优选实施方式的下基板10。
下基板IO包括形成在下基板10的非发光区域处的栅极电极11、形成在 包括栅极电极11的下基板10的整个表面上的栅极绝缘膜12、形成在栅极绝 缘膜12上与栅极电极11重叠的半导体层13、分别与半导体层13的相对边 缘重叠而形成的欧姆接触层14、形成在欧姆接触层14上的源极/漏极电极15，
16、 和形成在包括源极/漏极电极15， 16的下基板10的整个表面上的保护膜
17。 栅极电极ll、源极/漏极电极15， 16、半导体层13、欧姆接触层14、栅 极绝缘膜12和保护膜17形成开关器件。保护膜17具有在每个子像素区域处穿过保护膜17以暴露漏极电极16
的接触孔18，每个接触孔18都具有在其上形成与漏极电极电接触的第一电 极19。为此，下基板IO包括在包含接触孔18的下基板的非发光区域处形成 的像素限定层23、在发光区域处的第一电极19表面上形成的用于防止由微 粒导致的缺陷的氧化物薄膜20、在发光区域处的氧化物薄膜20上形成的有 机发光层21、和在包括有机发光层21的下基板10的整个表面上形成的第二 电极22。第一电极19、氧化物薄膜20、有机发光层21、第二电极22形成 发光单元OEL。
同时，尽管没有示出，但电源线PL形成在下基板10外部上的非显示区 域处的栅极绝缘膜上。电源线PL传输第一电力信号和第二电力信号。第一 电力信号和第二电力信号是供给到发光单元OEL的第一和第二电极19和22 的电力。电源线PL由与源极/漏极电极15和16的材料相同的材料形成。就 是说，电源线PL和源极/漏极电极15和16都由同一掩模工序同时形成。电 源线PL通过焊盘电极(没有示出)与发光单元OEL的第一或第二电极19 或22电连接。因此，除与漏极电极16连接的接触孔18之外，保护膜17还 额外地具有形成在其中的与电源线PL连接的接触孔。
第一电极19在每个子像素区域中的包括接触孔18的发光区域的整个表 面上形成。第一电极19用作阳极或阴极，且如果打算具有下侧光发射，则 由从ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、AZO (掺杂铝的氧化锌)选择的 至少一种透明导电材料形成。ITO是具有相对均匀功函数的透明导电膜，从 而具有对于有机发光层21的下部空穴注入阻挡。与此相反，如果打算具有 上侧光发射，则第一电极19可由从ITO/Ag、 ITO/Ag/ITO、 ITO/Ag/IZO (氧 化铟锌)、铝A1、铝合金AlNd、铜Cu、银Ag和铜合金中选择的至少一种 金属形成。
像素限定层23是在非发光区域处包围每个子像素的用于提高发光区域 的开口率的阻挡层，其与开关器件的位置相对形成。像素限定层23清楚地 限定了发光区域处的发光单元OEL之间的边界，用于使发光区域之间的发 光边界区域更清楚。像素限定层23包括形成在第一电极19处的倾斜表面。 该倾斜表面具有与第一电极19的角，即10 20度的锥形角。像素限定层23 可由氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、感光压克力、苯并环丁烯BCB的绝缘材料形成并构图。
在第一电极19的表面上形成面对第一电极19的氧化物薄膜20，从而覆 盖第一电极19上存在的所有微粒。如之前所述，因为第一电极19由诸如ITO、 IZO、 AZO这样的导电材料形成，所以通过其中沉积并构图金属的工艺线形 成第一电极19。然而，因为之后形成的像素限定层23或有机发光层21由有 机或无机材料形成，所以其上形成有第一电极19的下基板10移动到用于处 理有机或无机材料的工艺线。因为在沉积并构图无机绝缘材料时形成像素限 定层23，所以在通过所述工艺线移动的工序中第一电极19变为具有许多粘 附的微粒，并在沉积和构图无机绝缘材料的工序中具有更加多的粘附的微 粒。为了防止由微粒导致的缺陷，在第一电极19的表面上形成氧化物薄膜 20。氧化物薄膜20用于使与之后形成的有机发光层21的电接触面积变大， 并提高与有机发光层21的粘结力。氧化物薄膜20由从构图并自然氧化的铝 Al、铝合金AlNd、铜Cu、银Ag、钛Ti和铬Gr中选择的至少一种导电金属 形成。在该情形中，为了最大地防止光透射率受到损害，氧化物薄膜20形 成为具有1A 200A的厚度。
尽管图中没有详细示出，但有机发光层21包括空穴注入层HIL、空穴 传输层HTL、发光层OEL、电子注入层EIL和电子传输层ETL。空穴注入 层HIL形成在第一电极19的表面上的氧化物薄膜20上，空穴传输层HTL 形成在空穴注入层fflL上侧的整个表面上。发光层OEL形成在发光区域处 的空穴传输层HTL上，电子注入层EIL形成在发光层OEL上侧的整个表面 上。电子传输层ETL形成在电子注入层EIL的上侧表面上。
发光层OEL包括用于显示红色像素的红色发光层、用于显示绿色像素 的绿色发光层和用于显示蓝色像素的蓝色发光层。每个发光区域处的发光层 OEL是红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层中的一个。
就是说，红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层形成一个单位像素。同 时，当单位像素包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层时， 该单位像素进一步包括白色发光层。
如此选择性地构图发光层OEL，使其在发光区域处形成。作为用于构图 发光层的方法，如果发光层由小分子有机材料形成，则可使用利用遮光掩模 的方法，如果发光层由大分子有机材料形成，则可使用喷墨印刷或激光诱导
ii热成像。激光诱导热成像能对发光层进行微型构图，可用于较大的面积，对 于高分辨率来说是优选的，且与喷墨印刷的湿型相反，是干型的。
第二电极22形成为覆盖包括像素限定层23和有机发光层21的下基板 IO的整个表面。第二电极22用作阴极或阳极，且如果打算具有下侧光发射， 可由从具有较低功函数值的铝Al、铝合金ALNd、铜Cu、铜合金、ITO、 ITO/Ag/ITO、 ITO/Ag/IZO (氧化铟锌)、或与它们等价的材料中选择的至少 一种材料形成。与此相反，如果打算具有上侧光发射，第一电极19可由从 ITO、 IZO和AZO选择的至少一种透明导电材料形成。
图3A和3B分别图解了用于制造图2中发光显示器件的下基板的方法 的制造步骤。
图4图解了显示图3B中的A部分的放大图的截面。 将参照图3A， 3B和4描述制造下基板的方法。
参照图3A，在用于下基板10的玻璃基板上沉积栅极金属材料，并进行 构图，从而形成栅极电极11。然后，在包括栅极电极11的下基板10的整个 表面上沉积栅极绝缘膜12，并在栅极绝缘膜12上连续沉积半导体层形成材 料、欧姆接触层形成材料和源极/漏极形成材料。
然后，同时或连续将半导体层形成材料、欧姆接触层形成材料、和源极 /漏极形成材料构图，从而形成具有半导体层12、欧姆接触层14和源极/漏 极电极15和16的开关器件。然后，在包括开关器件和栅极绝缘膜12的下 基板10的整个表面上形成保护模17，并进行构图，从而形成暴露开关器件 的漏极电极16的预定区域的接触孔18。
通过PECVD (等离子体增强化学气相沉积)或溅射在下基板IO上沉积 ITO、 IZO、 AZO或与它们等价的材料，并进行构图，从而形成第一电极19。 第一电极19与开关器件的漏极电极16电接触。
接下来，参照图3B，通过PECVD、旋涂或非旋涂在其上形成有第一电 极19的下基板10的整个表面上沉积诸如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、感光 压克力、苯并环丁烯BCB这样的绝缘材料，并进行构图，从而在其中形成 有幵关器件的非发光区域上形成像素限定层23。
然后，再次通过PECVD、旋涂、非旋涂或溅射沉积厚度为1A 200A的 从铝Al、铝合金AlNd、铜Cu、银Ag、钛Ti和铬Cr中选择的至少一种导
12电金属，并进行构图，从而在除像素限定层23之外的第一电极19上形成导
电金属薄膜，将导电金属薄膜自然氧化，从而形成氧化物薄膜20。
然后，通过印刷、遮光掩模方法或激光诱导热成像，在其上形成有氧化
物薄膜20的发光区域的第一电极19的整个表面上形成有机发光层21。就是 说，尽管没有详细示出，但连续通过遮光掩模方法、激光诱导热成像等连续 沉积空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层OEL、电子注入层EIL和 电子传输层ETL，形成有机发光层21。尤其是在形成发光层OEL的情形中， 激光诱导热成像能对发光层进行微型构图，可用于较大的面积，对于高分辨 率来说是优选的，且与喷墨印刷的湿型相反，是干型的。
然而，通过PECVD或溅射在其上形成有有机发光层21的下基板10的 整个表面上形成第二电极22，该第二电极22是从具有相对较低功函数的铝 Al、铝合金AlNd、铜Cu和铜合金中选择的至少一种金属和银/转Ag/Ca的 叠层。第二电极22形成为覆盖包括像素限定层23的有机发光层21的整个 表面。
图5图解了在根据本发明另一个优选实施方式的发光显示器件中的子像 素的截面，图6图解了显示图5中的B部分的放大图的截面。
参照图5，发光显示器件包括具有彼此面对粘结在一起的下基板和上基 板10和30。
下基板和上基板10和30具有用于显示图像的多个发光区域和不显示图 像的多个非发光区域。非发光区域具有用于提供驱动发光区域处的发光单元 OEL所需的各种信号的单元驱动器DRV。下基板和上基板10和30用涂覆 到下基板和上基板10和30的外围的密封剂粘结在一起。
除第一电极19和接触电极25之外，根据本发明另一个实施方式的下基 板10与图3A中的下基板10相同。因此，除了代替图2中的第一电极19， 在图5中的下基板10上形成具有相同形状的接触电极25之外，对于下基板 10的构造和制造方法的描述，参照图2和3A的描述。
将参照图5和6详细描述其上形成有发光单元OEL的上基板30的结构。
在上基板30上形成有在非发光区域处形成的辅助电极31、在包括辅 助电极31的上基板30的下侧整个表面上形成的第一电极31、在其上形成有 第一电极31的上基板30的非发光区域处由无机绝缘材料形成的缓冲层33、在下基板10的接触电极25之上在上基板30的非发光区域上形成的接触衬 垫料35、在辅助电极31下面形成用于将发光区域分为子像素单元的隔离体 34、在发光区域处的第一电极31表面上形成用于防止由微粒导致的缺陷的 氧化物薄膜36、在上基板30的下侧整个表面上形成以覆盖氧化物薄膜36、 隔离体34和接触衬垫料35的有机发光层37、和在有机发光层37的下侧整 个表面上形成的第二电极38。
辅助电极31由用于补偿第一电极31的电阻成分的低电阻金属形成，用 于更有效地施加电压。辅助电极31形成在上基板30的非发光区域处，辅助 电极31的低电阻金属可以是从铝Al、铝合金AlNd、铜Cu、银Ag和铜合 金中选择的至少一种金属。
第一电极32形成在上基板30的下侧整个表面上，以完全覆盖辅助电极 31。第一电极用作阳极，并可由从ITO、 IZO和AZO中选择的至少一种透 明导电材料形成。因为第一电极32在非发光区域处具有通过焊盘电极(没 有示出)与公共电源线连接的一侧，所以第一电极32和辅助电极31具有从 公共电源线供给的公共电力。
缓冲层33由在其上形成有辅助电极31的非发光区域处的无机材料形 成。缓冲层33可由从SiNx、 SiOx、 SiON、 SiOy中选择的一种无机材料形 成，用于补偿厚度、高度和接触衬垫料35和隔离体34的粘结力。
接触衬垫料35在其中需要上基板30上的第二电极38与下基板10之间 的电接触的区域处以柱形形成。接触衬垫料35具有倒锥形，即倒梯形。详 细地说，接触衬垫料35在下基板10的接触电极25之上的一部分位置处以 倒梯形的形状形成，从而形成在上基板30的最低表面上的第二电极38与下 基板10上的接触电极25接触。接触衬垫料35可通过构图由从聚苯乙烯、 聚2-乙烯基噻吩和聚乙烯基咔唑中选择的具有可见光波段的折射率的至少 一种透明有机材料形成。
隔离体34以包围每个子像素的阻挡层的形状形成在辅助电极31下面， 并可根据辅助电极31的位置的不同形成在下基板10上的栅极线GL和数据 线DL之上。隔离体34可通过涂敷和构图由诸如光致抗蚀剂PR、感光压克 力和苯并环丁烯BCB这样的光敏有机材料形成。
氧化物薄膜36形成在第一电极32的下侧整个表面上，以完全覆盖第一电极19上存在的微粒EO。如所述的，氧化物薄膜36形成为防止由第一电 极19表面上存在的微粒EO导致的缺陷，并用于使与将要形成的有机发光 层37的电接触面积变大，并提高与有机发光层37的粘结力。氧化物薄膜36 由从铝A1、铝合金AlNd、铜Cu、银Ag、钛Ti和铬Gr中选择的至少一种 导电金属形成。在该情形中，为了最大地防止光透射率受到损害，氧化物薄 膜36形成为具有lA 200A的厚度。
有机发光层37包括空穴注入层fflL、空穴传输层HTL、发光层OEL、 电子注入层EIL和电子传输层ETL。空穴注入层HIL形成在例如包括阳极 和接触衬垫料35的上基板30的下侧整个表面上，空穴传输层HTL形成在 包括空穴注入层HIL的上基板30的下侧整个表面上。发光层OEL形成在发 光区域处的空穴传输层HTL上，电子注入层EIL形成在包括发光层OEL和 空穴传输层HTL的上基板30的下侧表面上。电子传输层ETL形成在包括电 子注入层EIL的上基板30的整个表面上。
发光层OEL包括用于显示红色像素的红色发光层、用于显示绿色像素 的绿色发光层和用于显示蓝色像素的蓝色发光层。每个发光区域处的发光层 OEL是红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层中的一个。就是说，红色发光 层、绿色发光层和蓝色发光层形成一个单位像素。同时，当单位像素包括红 色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层时，该单位像素进一步包 括白色发光层。
第二电极38形成为覆盖由隔离体34以子像素为单位分离的有机发光层 37。第二电极38用作阴极或阳极，并可由从具有较低功函数值的铝A1、铝 合金ALNd、铜Cu、铜合金、ITO、 ITO/Ag/ITO、 ITO/Ag/IZO (氧化铟锌)、 或与它们等价的材料中选择的至少一种材料形成。在上侧发光方法中，银 Ag将来自有机发光层37的光向上反射。
如上所述，发光显示器件及其制造方法通过在第一电极19或32的表面 上形成自然氧化的金属薄膜20或36，可防止由第一电极19或32上存在的 微粒导致缺陷。最终，本发明的发光显示器件可使有机发光层21或37与第 一电极19或32之间的电接触面积变大，提高与有机发光层的粘结力，从而 提高处理效率，可提高图像的显示效率并可减小暗点，从而提高产品可靠性。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落 入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。
1权利要求
1.一种发光显示器件，包括在第一基板的发光区域处形成的第一电极；在所述发光区域处的所述第一电极的整个表面上形成用于完全覆盖在所述第一电极的整个表面上存在的微粒的厚度为 id="icf0001" file="A2008101829870002C1.tif" wi="19" he="4" top= "53" left = "128" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>的透明氧化物薄膜；在所述氧化物薄膜的整个表面上形成的用于发光的有机发光层；和在包括所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上形成的第二电极。
2. 根据权利要求1所述的器件，其中所述透明氧化物薄膜由从被构图并被自然氧化的铝A1、铝合金AlNd、铜Cu、银Ag、钛Ti和铬Gr中选择的至少一种导电金属形成。
3. 根据权利要求1所述的器件，进一步包括至少一个开关器件，该开关器件包括栅极电极、源极/漏极电极、半导体层、欧姆接触层、栅极绝缘膜和保护膜，所述第一或第二电极与所述开关器件的漏极电极电连接。
4. 根据权利要求1所述的器件，进一步包括在所述第一基板的非发光区域处形成的辅助电极；在包括所述辅助电极的所述第一基板的所述非发光区域处由无机绝缘材料形成的缓冲层；在第二基板的接触电极之上在所述第一基板的所述非发光区域上形成的接触衬垫料；在所述辅助电极下面形成用于将所述发光区域分为子像素单元的隔离体；其中所述第一电极与所述辅助电极电连接；所述有机发光层和所述第二电极通过所述隔离体分为所述子象素单元，且所述第二电极利用所述接触衬垫料与所述第二基板上的所述开关器件的漏极电极电连接。
5. —种制造发光显示器件的方法，包括下述步骤 在第一基板的发光区域处形成第一电极；在所述发光区域处的所述第一电极的整个表面上形成用于完全覆盖在所述第一电极的整个表面上的微粒的厚度为1A 200A的透明氧化物薄膜；在所述氧化物薄膜的整个表面上形成用于发光的有机发光层；和在包括所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上形成第二电极。
6. 根据权利要求5所述的方法，其中所述透明氧化物薄膜由从铝、铝合金、铜、银、钛和铬中选择的至少一种导电金属形成。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中形成所述透明氧化物薄膜的步骤包括通过PECVD方法、旋涂方法、非旋涂方法或溅射方法在所述发光区域处的所述第一电极的整个表面上沉积从铝、铝合金、铜、银、钛和铬中选择的至少一种金属，从而形成所述透明氧化物薄膜，将沉积在所述发光区域处的所述第一电极的整个表面上的所述至少一种金属构图，将所述被构图的至少一种金属自然氧化。
8. 根据权利要求5所述的方法，进一步包括形成至少一个开关器件的步骤，.该开关器件包括栅极电极、源极/漏极电极、半导体层、欧姆接触层、栅极绝缘膜和保护膜，所述第一或第二电极与所述开关器件的漏极电极电连接。
9. 根据权利要求6所述的方法，进一步包括下述步骤在所述第一基板的非发光区域处形成辅助电极；在包括所述辅助电极的所述第一基板的所述非发光区域处由无机绝缘材料形成缓冲层；在与第二基板的接触电极相对的所述第一基板的所述非发光区域上形成接触衬垫料；形成与所述辅助电极相对的用于将所述发光区域分为子像素单元的隔离体，其中所述第一电极与所述辅助电极电连接，所述有机发光层和所述第二电极通过所述隔离体分为所述子象素单元，且所述第二电极利用所述接触衬垫料与所述第二基板上的所述开关器件的漏极电极电连接。
全文摘要
本发明涉及一种发光显示器件，尤其涉及一种防止由在制造发光二极管显示面板时形成的微粒导致的缺陷以提高制造效率和图像显示效率的发光显示器件及其制造方法。该发光显示器件包括在第一基板的发光区域处形成的第一电极、在所述发光区域处的所述第一电极的整个表面上形成用于完全覆盖在所述第一电极的整个表面上存在的微粒的厚度为1～200的透明氧化物薄膜、在所述氧化物薄膜的整个表面上形成的用于发光的有机发光层、和在包括所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上形成的第二电极。
文档编号H01L51/50GK101645489SQ20081018298
公开日2010年2月10日 申请日期2008年12月15日 优先权日2008年8月8日
发明者姜炅旼, 李凤锦, 梁斗锡, 郑荣孝, 金珉秀 申请人:乐金显示有限公司