专利名称：电子部件和显示装置及所述电子部件和显示装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种通过利用图案成形方法形成的电子部件，其中第二抗 蚀图案通过转印形成于第一抗蚀图案上，且具体地，涉及一种具有通过利 用上述图案成形方法形成的薄膜晶体管(TFT)的显示装置。
背景技术：
一种制造诸如半导体装置的电子部件的方法，具体地， 一种制造TFT 的方法已经由诸如膜形成技术、光刻加工技术和蚀刻技术的技术开发支 持。在TFT制造过程中，该过程的持续存在的问题是用于提高该过程的生 产率、性能和产量的方法的开发。
用于解决上述问题的方法是将抗蚀剂掩模成形和蚀刻有效地结合在 一起。
上述有效结合的概念在于，在构成TFT所需的薄膜上形成抗蚀图案， 通过利用此抗蚀图案作为第一掩模蚀刻膜，然后当将抗蚀图案以一些方式 转变以用作第二掩模后进一步蚀刻膜。
因此，通过分别在转变抗蚀图案的步骤之前和之后蚀刻用于TFT的
膜，不同的图案形成于膜上。通过设计这种过程，可以降低诸如抗蚀剂涂 敷、曝光和显影的光刻加工步骤的数量。
在最近几年，为了降低光刻加工步骤的数量，还考虑了通过利用转印 方法直接在基板上形成抗蚀图案。根据此转印方法，因为抗蚀图案可以只 通过印刷技术形成，所以可以省略诸如抗蚀剂涂敷步骤、曝光步骤和显影 步骤的所需步骤。因此，可以提高生产率。
首先，将说明在本发明者的知识范围内利用光刻加工技术的公知实 例。为了容易理解实例，将其分成如下三个技术组。
第一现有技术是通过将抗蚀剂溶解转变抗蚀剂。此技术称为回流技 术。有两种方法属于此回流技术。其一为凭借加热，其二为凭借化学溶液 或该化学溶液的蒸发。
第二现有技术是抗蚀剂经过体积膨胀(即，通过使抗蚀剂溶胀将该抗 蚀剂转变)的一种技术。事实上，这种溶胀技术也称为甲硅烷基化处理
(silylization)。
第三现有技术是其中去除一部分抗蚀剂、然后转变剩余的抗蚀剂的技 术。此方法利用具有三级或更多级的透光因数的受到控制的曝光掩模。通 过此掩模将抗蚀剂暴露到光线，至少将三种不同的膜厚度同时设置到抗蚀 剂中，使得厚部分、薄部分和无抗蚀剂部分形成于基板上，然后在接下来 的步骤中适当地去除薄部分。对于去除方法，无论是利用显影过程的溶剂 方法还是利用灰化过程的干燥方法都适用。
下面将通过参照形成诸如漏电极、源电极、数据焊盘(端子电极)、 配线图案以及通道的过程详细说明根据上述技术分类的现有技术。
在此，上述第一现有技术通过将其分成第一传统实例和第二传统实例 进行说明。
第一传统实例([专利文献l:日本专利申请公开出版物第2000-131719
号])属于根据热处理溶解和转变抗蚀图案的技术。
图11A到图11C是每个都显示用于上述第一传统实例的反交错式TFT
的制造步骤的横截面视图。在下文中，将按步骤的顺序说明。
首先，通过使在绝缘玻璃基板101上形成的金属膜形成图案，形成包 括栅极线102、栅电极103和栅极焊盘104的栅极图案。金属膜可以是单层，
或如果需要也可以是层叠状态。
接下来，栅极绝缘膜105、诸如非晶硅膜的半导体层106、诸如n-型非 晶硅膜的接触层107以及金属膜层叠，以便以该顺序覆盖栅极图案。在形 成图案的步骤中，使金属膜形成图案，以便如下形成数据线108、漏电极 109、源电极110以及数据焊盘111。
如图11A所示，当在金属层的所需区域上布置预转变抗蚀图案112后，
蚀刻金属层以形成包括数据线108、漏电极109、源电极110以及数据焊盘 lll的数据图案。
此后，如图11B所示，通过用热处理回流预转变抗蚀图案112，获得转 变后的抗蚀图案113。并且，通过利用转变后的抗蚀图案113作为掩模蚀刻 接触层107和半导体层106并从基板选择地去除接触层107和半导体层106。
如图11C所示，当从基板上去除转变后的抗蚀图案113后，通过利用数 据图案作为掩模去除部分接触层107和半导体层106形成TFT的通道区域。
此后，没有显示的绝缘膜层叠在如图11C所示的基板上。接触孔(未 显示)设置在将连接到形成于这些部分上的上层膜的栅极焊盘104、数据 焊盘111以及漏电极109的相应部分上。
此后，氧化铟锡(ITO)或类似材料的透明电极形成于基板上，以形 成与漏电极电连接的像素电极和用于保护栅极焊盘和数据焊盘的保护层， 然后完成TFT基板。
第二传统实例([专利文献2:日本专利出版物第3616584号])是通过 回流以及第一传统实例转变抗蚀膜的技术。然而，在第二传统实例中，通 过将抗蚀剂浸在具有溶解功能的化学溶液中或将抗蚀剂暴露到化学溶液 蒸汽中转变抗蚀剂，因此该实例与凭借热处理的第一传统实例不同。
下面将参照在第一传统实例中使用的图ll说明第二传统实例的详细 的制造方法，使得与第一传统实例的不同点可以变得清晰。通过利用预转 变抗蚀图案112作为掩模，将变成数据图案的金属层与接触层107—起蚀 刻。此后，通过将预转变抗蚀图案112浸在具有溶解抗蚀剂的功能的化学 溶液中或将其暴露到化学溶液蒸汽中回流预转变抗蚀图案112，以形成转 变后的抗蚀图案113。通过利用转变后的抗蚀图案113作为掩模去除半导体 层106。
在此传统的实例中，也公开了其它技术，使得形成于抗蚀剂表面上的 变质层(deterioration layer)在回流抗蚀剂之前被去除。用于变质层的去 除处理方法既可以是等离子处理也可以是紫外线(UV)臭氧处理。对于 等离子处理，根据氧气(02)系统或含氟素的气体系统(fluoric gas system) 进行处理，但也公开了各种气体及其分类。
具有涉及关于回流的端点控制作为第二传统实例的应用的另一传统
实例([专利文献3:日本专利公开出版物第3415602号])。此传统实例公开 了一种方法，所述方法用于保持在首先遇到抗蚀剂的阻挡部分处的己回流 的抗蚀剂。此阻挡部分为不平坦的结构，而且也公开了其具体的结构。
接下来，用于分类为第二现有技术的抗蚀剂的这种转变技术将作为第 三传统实例说明([专利文献4:日本专利公开出版物第3236266号])，其中 抗蚀剂经过体积膨胀，即，抗蚀剂通过溶液溶胀。
下面将参照图12A、图12B和图12C说明第三传统实例。非晶硅膜202 和n-型非晶硅膜203层叠在绝缘基板201上，并进一步形成预溶胀图案204。 通过利用预溶胀图案204作为掩模形成n-型非晶硅膜203的图案(图12A)。
接下来，通过将预溶胀图案204浸在有机硅垸溶液中，或通过使预溶 胀图案204暴露到有机硅垸蒸汽中，对预溶胀图案204进行甲硅烷基化处理 并使其体积膨胀以使其转变。通过此操作，隔离的预溶胀抗蚀剂204彼此 形成为一个整体，因此形成溶胀后的抗蚀图案205 (图12B)。
通过利用溶胀后的抗蚀图案205作为掩模蚀刻非晶硅膜202，形成岛部 (island) 206 (图12C)。
接下来，分类为第三现有技术的部分去除抗蚀剂并转变该蚀刻剂的其 它技术将分别作为第四传统实例和第五传统实例说明。
第四传统实例([专利文献5:日本专利公开出版物第3756363号])使
用适用于光线以三级透射的曝光掩模。通过曝光掩模将抗蚀剂暴露到光 线，将至少三个不同的膜厚度同时设置到抗蚀剂中，使得厚部分、薄部分 和无抗蚀剂部分形成于基板上。下层膜通过利用抗蚀图案作为掩模蚀刻， 此后，通过去除其薄部分转变抗蚀图案，然后通过利用转变后的抗蚀图案 作为掩模进一步蚀刻下层膜。
下面将参照图13说明曝光处理。抗蚀膜302涂敷在设置有膜的基板301
上，并将抗蚀膜通过利用包括狭缝部分305的狭缝掩模303暴露到为对抗蚀 膜敏感的波长的光线304。
在狭缝掩模303的狭缝部分305中，布置微小图案使得所述图案小于由
抗蚀剂的特性、曝光波长和曝光透镜的性能或类似特性确定的分辨极限。 因此，通过狭缝部分305传输的光线量将是与阴影部分和无阴影部分之间 的中间光线量相对应的光线量。通过用这种掩模曝光抗蚀膜，在抗蚀膜中
可以产生曝光部分306和非曝光部分307 (图13A)。如图13B所示，通过显 影上述曝光的抗蚀膜，具有厚部分、薄(中间)部分和无抗蚀剂部分的抗 蚀图案同时形成于基板上。
虽然己经说明了采用狭缝掩模的曝光掩模的实例，但也公开了关于利 用格状掩模来代替狭缝掩模的掩模，以及具有半透明膜来代替具有小于曝 光分辨率的尺寸的微小图案掩模的掩模。
接下来，通过参照图14A、图14B和图14C说明利用此传统实例制造 TFT基板的方法。
栅电极311形成于绝缘基板310上，而栅极绝缘膜312、半导体膜313、 接触膜314和金属膜315顺序层叠在该栅电极上。此后，抗蚀剂通过利用适 用于上述三级光透射的曝光掩模被曝光，具有厚部分、薄(中间)部分和 无抗蚀剂部分的抗蚀图案同时形成于基板上。金属层315通过利用此抗蚀 图案作为掩模被蚀刻(图14A)。
接下来，通过蚀刻接触膜314和半导体膜313形成接触层图案317和半 导体图案318 (图14B)。
接下来，抗蚀膜316通过利用灰化处理去除抗蚀膜的大约对应于其薄 部分或更多的厚度进行转变。在此灰化去除过程中，使用等离子气体或微 波。通过利用转变的抗蚀图案作为掩模再次蚀刻金属膜，并因此形成源电 极319和漏电极320。进一步蚀刻接触层图案317和半导体图案318的一部分 以形成晶体管的通道部分(图14C)。此后，形成绝缘膜和像素电极以完成 TFT，其中绝缘膜的目的是保护晶体管，并起到分离配线和像素电极的间 层绝缘膜的作用。
第五传统实例([专利文献6:日本专利申请公开出版物第2005-159294
号])是利用显影转变抗蚀图案的技术。将参照通过第四传统实例的实例 的说明所采用的图14说明在此情况和第四传统实例之间的不同。通过以与 第四传统实例相似的方式形成抗蚀膜316，以及用抗蚀膜316作为掩模去除 金属层315 (图14A)，并蚀刻接触膜314和半导体膜313，形成接触层图案 317和半导体图案318 (图14B)。
接下来，如果需要，将去除过程应用到抗蚀膜316的表面，以去除形 成于该表面上的沉积层或变质层。无论是湿式方法还是干式方法都可施用页
于此过程；湿式方法使用诸如显影溶液和剥离溶液的溶解抗蚀剂的化学溶 液，而干式方法包括紫外线(UV) /臭氧(02)过程和灰化过程。然后， 转变的抗蚀剂通过利用显影过程形成，其中去除抗蚀剂的薄部分以显露出 基板。
第四传统实例和第五传统实例之间的不同是用于抗蚀图案的消除方 法。即，前者为使用灰化方法的方法，而后者为使用显影方法的方法。
金属膜通过利用转变的抗蚀图案作为掩模被再次蚀刻，并因此分离源
电极319和漏电极320。蚀刻接触层膜314和半导体膜313的一部分并形 成通道部分(图14C)。此后，设置绝缘膜和像素电极以完成TFT，其中 绝缘膜的目的是保护晶体管并使间层绝缘膜起到分离配线和像素电极的 作用。
在上述说明中，虽然作为第一到第五传统实例说明了分类成第一到第 三现有技术的公知技术，但由第二传统实例发展的技术以下将作为第六传 统实例进行说明。此传统实例公开在专利文献2以及第二传统实例中。
对于在第一现有技术中说明的第一和第二传统实例的共同技术问题 是甚至回流抗蚀剂的多余部分。
多余部分114表示在图11中。第六传统实例表示减少这些多余部分 的技术。
下面将参照图15A和图15B说明此传统实例。图15A和图15B的上 侧是平面视图，而表示在下侧的图15A-X和图15B-X分别是沿图15A和 图15B的线X-X'剖开的横截面视图。第六传统实例和第二传统实例之间 的不同在于在回流过程之前，抗蚀图案通过利用适用于在第四和第五传统 实例中说明的三级光线透射的曝光掩模形成。
根据图15A和图15A-X，应该变换和回流的相邻于通道部分401的抗 蚀剂部分制作得很厚，而该抗蚀剂部分的周围区域制作得很薄。也就是说， 通过将抗蚀剂的厚度在相邻于不希望有的回流区域的部分处制作成薄厚 度，使得朝向该不希望有的回流区域的回流区域制作得很小(图15B和图 15B-X表示回流过程后的阶段)。
在前述中，已经采用形成源电极、漏电极和通道的实例详细说明了有 效结合抗蚀剂掩模的形成和蚀刻的公知实例。下面将进一步说明有效结合的抗蚀剂掩模的形成和蚀刻的另一公知 实例。此技术涉及使配线边缘具有向前的锥形。
首先，具有其中向前的锥形通过溶剂回流抗蚀剂设置在配线边缘处的
技术。此技术公开在专利文献2以及第二传统实例中。此技术还将参照图 16进行说明。
铝(Al)和铜(Cu)的单合金层膜502形成于绝缘基板501上，并将 抗蚀剂施加到该单合金层膜上。接下来，抗蚀图案503利用光刻法形成(图 16A)。
接下来， 一部分单合金层膜502通过利用抗蚀图案503作为掩模被蚀 刻。此后，抗蚀图案膨胀以通过有机溶剂回流抗蚀图案形成回流后的抗蚀 图案504 (图16B)。
接下来，通过利用回流后的抗蚀图案504作为掩模蚀刻单合金层膜 502 (图16C)。
通过前述处理，配线边缘可以制作类似楼梯的向前锥形。在此专利文 献2中，进一步公开了两种或更多种金属膜层叠用于配线的情况。
接下来，将说明用于将向前锥形提供给配线边缘的技术，其中抗蚀剂 经历体积膨胀。此技术公开在上述专利文献4以及第三传统实例中，并将 参照图17进行说明。
单Al-Cu合金层膜602形成于绝缘基板601上，并将抗蚀剂施加到该 合金层膜上。接下来，抗蚀图案603利用光刻法形成(图17A)。
接下来，当通过利用抗蚀图案603作为掩模蚀刻单合金层膜602的所 述部分后，抗蚀图案603被暴露到有机硅烷气体以将该抗蚀图案溶胀，并 因此形成溶胀后的抗蚀图案604 (图17B)。
接下来，通过利用溶胀后的抗蚀图案604作为掩模蚀刻单合金层膜 602 (图17C)。
通过采用上述处理，配线边缘可以制作为具有类似楼梯的向前锥形。 在前述中，已经说明了通过有效地结合抗蚀剂掩模的形成和蚀刻制造 TFT的公知实例。在前述说明中，分别说明两个过程， 一个过程是形成源 电极、漏电极和通道的过程，而另一个过程是用于将向前锥形提供给配线 边缘的过程。
在以下说明中，将主要说明涉及图案转印的公知实例。 对于通过转印将抗蚀图案布置在基板上的方法有凸版反转式胶印
(relief reversal offset printing)。
作为第七传统实例([专利文献7:日本专利公开出版物第3730002 号])，将说明通过凸版反转式胶印的图案形成方法。根据此传统实例，虽 然其主要涉及彩色滤光片的生产，但其使用的限制不局限于上述。
图18显示了第七传统实例，而图18A表示整个设备的运动，图18B 表示阶梯图像拉出，而图18C表示转印步骤。
1) 将用硅片(未显示)巻绕的橡皮滚筒(blanket cylinder) 701安装 在可移动框架705中。可移动框架705沿配备有玻璃基板台702和印刷模 压台703的固定框架704移动。玻璃基板706位于玻璃基板台702上，而 印模707位于印刷模压台703上(图18A)。
2) 将预定量的墨水利用分配器708滴落到巻绕橡皮滚筒701的硅片上。
3) 刮刀(blade) 709和墨水通过旋转橡皮滚筒701接触，使得墨水 在硅片的表面处具有均匀的厚度。
4) 将印模707被挤压到硅片(滚筒包衬(blanket))上的墨水膜710 上，在对应于印模部分的部分中的墨水711被从滚筒包衬去除(图18B)。
5) 保留在滚筒包衬中的具有所需形状的墨水膜712转印到玻璃基板 706上(图18C)。这样，具有所需形状的墨水转印到玻璃基板上。
根据此传统实例，公开了硅作为巻绕橡皮滚筒的薄片(滚筒包衬)的 材料。
在以下第八传统实例([专利文献8:日本专利公开申请第2006 — 124546号])中，将说明具有由第七传统实例表示的凸版反转式胶印获得 的精确的精确的图案精度和抗蚀剂材料(墨水)的转印技术。
第八传统实例中的抗蚀剂包括可溶解到有机溶剂(A)以及有机溶剂 (B)的树脂。
对于所述树脂，公开了诸如酚醛清漆树脂、丙烯酸树脂和这些树脂的 混合物的碱溶性树脂。
作为有机溶剂的实例，公开了具有不小于60%的毛重％ (在下文中，
12表示为"Wt^")的异丙醇、丙醇和乙醇。进一步公开了该有机溶剂能够与
丙二醇甲醚醋酸酉旨(propylene glycol monomethyl ether acetate)混合。
为了可靠地进行转印，理想地，转印图案应该包括沿垂直或倾斜方向 的大量线和沿水平方向的少量线。这是因为转印趋向于对水平方向的线较 差。例如，在栅格图案的情况下，转印其图案使得栅格旋转为具有菱形的 形状。
还公开了当转印后在100-15(TC下加热和干燥抗蚀剂1-15分钟。作为 抗蚀剂材料，公开了能够采用光固化铸模材料和/或热硬化铸模材料。
根据此传统实例，公开了通过利用具有上述抗蚀剂的凸版反转式胶 印，在基板上形成用于TFT的50 pm的栅极图案宽度。在基板上，预先形 成Mo (钼)上层膜和A1-Nd (钕)合金下层膜。
接下来，作为第九传统实例([专利文献9:公开的PCT申请的日本译 文公告第2006 — 512757号])，下面将说明图案形成技术，与第二现有技术 的情况一样，其中具有厚部分、薄部分和无抗蚀剂部分的三个区域的抗蚀 图案通过在第一抗蚀图案上形成第二抗蚀图案而形成。
下面将参照图19说明形成源电极、漏电极和通道的方法。
首先，栅极绝缘膜802、半导体膜803、接触层804和上层金属膜805 接连形成于设置有栅极图案的绝缘基板801上。此后，将第一抗蚀图案806 布置在绝缘基板上(图19A)。
接下来，第二抗蚀图案8O7布置为使得至少第一抗蚀图案806和通道部 分的一部分被该第二抗蚀图案覆盖。通过利用第一抗蚀图案806和第二抗 蚀图案807作为掩模，上层金属膜805、接触膜804和半导体膜803通过第一 蚀刻步骤被去除以露出栅极绝缘膜802 (图19B)。此时，上层金属膜/接触 膜/半导体膜保留在通道部分上。也就是说，虽然形成岛状周边图案，但 源电极和漏电极没有分离。
接下来，去除通道部分的第二抗蚀剂807 (图19C)。
接下来，通过第二蚀刻步骤，去除通道部分的部分上层金属膜805、 接触膜804和半导体膜803，并形成通道部分(图19D)。
这样，第九传统实例是当去除布置在通道部分上的抗蚀剂后形成通道 的方法(通过从上层膜去除部分半导体膜)。
然而，由背景技术说明的现有技术具有几个难题和问题。下面将通过
说明液晶显示(LCD)装置的实例说明常规的问题。
首先，将说明回流抗蚀剂的第一现有技术，即，将说明第一传统实例 和第二传统实例的问题。
第一问题如下
转变之前的抗蚀剂布置在具有与数据图案相似的形状的基板上，艮口， 源电极、漏电极和数据配线为几乎相同的形状。下层的膜通过利用转变前 的抗蚀图案作为掩模被蚀刻并形成数据图案。
接下来，转变前的抗蚀图案通过回流过程转变。
抗蚀图案回流的目的是用抗蚀剂覆盖通道部分。为此，所需的回流长
度至少为通道宽度的1/2。
除了LCD面板的细度外，通常的非晶硅TFT的通道宽度为大约接近6 ^m。因此，所需的回流长度至少为3]im。
在回流之前，抗蚀图案覆盖整个数据图案。因此，通过上述回流处理， 抗蚀剂将不仅在通道部分中回流并散布，而且还在源电极、漏电极和数据 配线的所有区域上回流并散布。不必说，其所需的距离也至少为3 pm。
在这种回流后，当半导体膜通过利用抗蚀图案作为掩模被蚀刻时，将 以使半导体膜在源电极、漏电极和数据配线的周围形成边缘的方式执行图 案成形。(已经由具有"多余部分"的背景技术的说明表示，并己经进行了 说明)。因此，形成数据图案的边缘的半导体膜产生不希望有的影响，结 果造成LCD装置的显示质量下降。
一个原因在于其涉及留下而可能使得对数据配线形成边缘的半导体 膜。由于半导体膜留在数据配线周围，所以在配线为锥形时是有效的。然 而，问题在于其宽度宽于通道宽度宽的大约1/2。
例如，其通过利用在一般LCD面板中分成粗细度等级的VGA面板校 验。即，由栅极配线和数据配线环绕的一个像素的尺寸沿栅极配线为大约 100 pm，而沿数据配线为大约300 pm。栅极配线的宽度为大约25 (im，数 据配线的宽度为大约8pm。当考虑到产量等时，数据配线和像素电极之间 的距离需要大约大于5 pm。
从上述可知，在不采用回流过程的情况下，可以在相邻的数据配线之
间形成的像素电极的宽度为大约接近82 pm。另一方面，采用回流，像素 电极的宽度将为76 iim。因此，与不采用回流的情况相比，采用回流可以 获得只有76/82=92.7%的孔径比。孔径比的差异直接影响面板的亮度。
目前，虽然许多LCD面板变为高清晰度，但细度越高，上述问题则变 得越明显，将更加增加了LCD面板亮度的降低比。这是因为除了更高的细 度外，主要固定通道宽度。
第二原因涉及环绕通道部分形成源电极和漏电极的边缘的半导体膜。
在通常的LCD面板中，该LCD面板具有设计成使得环境光不施加到以 与通道部分形成为一体的方式形成的半导体膜上。
具体地，通过将光遮蔽层安装到相对TFT的彩色滤光片基板上，可防 止环境光施加到半导体膜。采用这种补救措施是为了抑制当半导体膜暴露 到光线中时，由于在通道部分中产生的泄漏电流造成的TFT的截止特性 (off characteristic )变差。
当进行回流时，留下半导体膜，以便通过环绕通道部分形成源电极和 漏电极的边缘。因此，当残留的半导体膜的边缘部分暴露给光线时，泄漏 电流不可避免地流动，且该泄漏电流将使TFT的截止特性变差。
为了抑制晶体管特性变差，布置在彩色滤光片上的光遮蔽层的面积应 该制作得较宽。然而，这种结构遇到了在上述第一原因中说明的降低孔径 比的问题。
根据由第六传统实例说明的方法，环绕数据线、源电极和漏电极的半 导体膜的这种边缘区域可以降低到某些程度。然而，当利用预回流抗蚀图 案形成数据图案后，必须对抗蚀剂进行回流，为此，在第六传统实例中说 明的方法理论上不是很好的措施。
第六传统实例是利用控制三级光线透射的曝光掩模的技术，且还具有 许多其它的问题。这点将以后在第三现有技术的问题说明中说明。
第二问题说明如下
第二问题涉及形成于抗蚀剂表面上的损坏层。损坏层通过诸如显影处 理、诸如预焙烤和后焙烤的热处理、诸如干蚀刻和湿蚀刻的蚀刻处理、以 及大气中的保留(leaving)的各种处理形成于预回流抗蚀图案的表面上。 此损坏层以化学方式和/或物理方式形成。
形成于预回流抗蚀图案的表面上的损坏层不必均匀形成。即，对于每 个部分具有不同的损坏。这种损坏层的不均匀性导致抗蚀剂的回流距离不 均匀。
为了解决此问题，将在形成数据图案之前去除形成于预回流抗蚀图案 的表面上的损坏层。然而，此去除处理要求具有高精度的均匀性，且此处 理本身将造成过程数量的增加。
第三问题说明如下
第三问题涉及抗蚀图案回流的基础基板的表面能量。理论地，抗蚀剂 的回流状态由基础基板的表面条件(即，表面能量)控制。
下面将作为实例说明在数据线上回流3iim抗蚀剂的情况。假定具有数 据线的边缘部分的一个点暂时用"A"表示，其在垂直方向远离点"A"1 pm 的点设定为al，而远离点"A"2pm的点设定为a2，远离点"A"3 pm的点设定 为a3。此外，具有相同数据线的边缘部分的远离点"A"的另一点暂时用"B" 表示。在垂直方向远离点"B"1 pm的点设定为bl，而远离点"B"2pim的点设 定为b2，远离点"B"3pm的点设定为b3。
为了在垂直于数据线的延伸方向的方向上回流抗蚀剂，点al、 a2和a3 不用必须要求为相同的表面能量。同样也适用于点bl、 b2和b3。对于al、 bl、 a2、 b2、 a3和b3这些点也类似。
在此，为了转变抗蚀剂使得回流后的转变后的抗蚀图案的边缘可以变 为平行于预转移抗蚀图案，即，平行于数据配线。为此，影响达到点"A" 到点a3和点"B"到点b3的回流距离的表面能量程度必须相同。
然而，表面能量在设置有预回流抗蚀图案的基板的每个部分上都不 同。§卩，这是因为各种处理的历史都保留在基板上，例如，显影处理、诸 如预焙烤和后焙烤的热处理、诸如干蚀刻和湿蚀刻的蚀刻处理、以及大气 中的保留。
当预转变抗蚀图案在这种条件下回流时，转变后的抗蚀图案变为波状图案。
因此，在这种波状图案的情况下，考虑到其安全性，与不使用回流的 情况相比，数据配线和像素电极之间的间隔必须设定的宽一些。结果，孔 径比的下降将不可避免。
此外，在这种状态下，为了通过回流抗蚀剂稳定地覆盖通道部分，考
虑到其安全速率，上述间隔必须设定为小于3pm。因此，环绕数据配线、 源电极和漏电极的半导体膜的剩余边缘部分的宽度变宽。因此，由于孔径 比进一步下降和晶体管的截止特性变差造成这种恶性循环。 第四问题如下
第四问题涉及抗蚀剂回流终点的控制。当使用热处理时，需要通过加 热抗蚀剂对抗蚀剂给出大于其软化点的流动性。另一方面，在使用溶液和 蒸汽的情况下，需要溶解抗蚀剂并规定其流动性。
抗蚀剂的回流依赖于诸如抗蚀剂的体积、上述基板的表面能量和抗蚀 剂的流动性的因素。
因此，为了由具有高精度的所需形状控制抗蚀剂的回流端，需要用于 停止回流的终端控制技术。
因此，这种想法需要提供一种在基板上的阶梯，以在如背景技术中说 明的回流处理之前停止抗蚀剂的流动。在基础基板上提供这种阶梯保持回 流的抗蚀剂，不可避免地增加制造步骤的数量。剥夺了对于图案布置的设 计的自由度。
第五问题如下
第五问题涉及形成于基板上的抗蚀剂厚度。用于生产TFT基板的抗蚀 剂厚度在不采取回流过程的通常情况下，通常为大约1.0-1.5 )am。另一方 面，当回流时，要求超过通常膜厚度的抗蚀剂厚度。
为此，当然，在曝光步骤中，光亮的曝光必须制作的很大。因此，导 致生产率下降。此外，厚抗蚀剂膜还同时导致图案尺寸的精度下降。
接下来，将说明技术问题，即，溶胀和转变关于由第二现有技术说明 的进行抗蚀剂的体积膨胀的抗蚀剂，即，将说明第三传统实例。
第二现有技术中的第一问题与第一现有技术中的第一问题为同样的 问题。在溶胀处理期间，预溶胀的抗蚀剂各向同性地溶胀。因此，当基膜 通过在溶胀后利用溶胀后的抗蚀剂作为掩模被蚀刻时，该基膜留下半导体 膜环绕源电极、漏电极和数据配线形成边缘的形状，并形成边缘状图案。 这造成LCD面板的亮度下降和晶体管的截止特性变差。
第二现有技术中的第二问题与第一现有技术中的第二问题为同样的
问题。当在溶胀处理之前，损坏层存在于抗蚀剂表面上时，溶胀本身将受 到阻碍。由于损坏层的去除处理不可避免地增加制造过程的数量。
接下来，将说明关于在第三现有技术中说明的去除和转变部分抗蚀剂 的技术问题，即，将说明第四传统实例和第五传统实例。
第三现有技术中的第一问题与第一现有技术中的第一问题为同样的 问题。即使这样，因为半导体膜环绕源电极、漏电极和数据配线形成边缘
且残留而形成边缘图案，所以在LCD面板中仍然存在亮度下降和晶体管截 止特性变差的问题。
下面将具体说明第三现有技术中的第一问题。
在TFT的制造过程中，鉴于生产成本的降低，通常使用第三现有技术 的方法，这是因为该方法有利于处理数据图案湿蚀刻的金属膜。
在此现有技术中，诸如漏电极、源电极和数据配线的数据图案由金属 膜的第一蚀刻步骤形成。接下来，将通过如在背景技术中己经说明的灰化 和显影去除设置通道部分上的薄抗蚀剂膜。
通常，在布置在基板上的减少之前(转变之前)的抗蚀剂具有向前的 锥形。因此，不仅通道部分，而且诸如漏电极、源电极和数据配线的金属 膜也都被曝光，以便通过利用这种各向同性蚀刻作为灰化和显影形成边 缘。
为了曝光通道部分，将去除的抗蚀剂厚度通常为大约1200-1500nm。 接下来，为了去除曝光的通道部分的金属膜，进行第二各向同性湿蚀刻。 同时，还蚀刻具有形成漏电极、源电极和数据配线边缘的形状的曝光部分 (框架状半导体膜)，此外也进行侧面蚀刻。
结果，半导体膜残留在诸如源电极、漏电极和数据配线的数据图案周 围，以便使上述数据图案形成具有如本发明者确认的大约1.4-2.0 iam的边
缘宽度的边缘。
在第一现有技术和第二现有技术中，半导体膜延伸并留下类似的边 缘，而不改变数据图案的原始成形尺寸。相反，在此现有技术中，金属膜 减少，而不改变首先形成的半导体膜的尺寸，因此半导体膜留下类似的边缘。
这样，存在数据图案由半导体膜形成边缘的具有相反关系的不同原
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因，且TFT设计为使得数据配线的线宽制作为以便不会造成信号传输延迟 的这种问题。对于通道，根据考虑开-关特性的最终产品的特性设计。以 这种方式设计，实际上存在在第一、第二和第三现有技术中的由半导体膜 形成边缘的数据图案的问题。
第三现有技术中的第二问题涉及用于去除布置在通道部分上的薄抗 蚀剂膜的过程，例如，部分在第一问题中已经说明的灰化(第四传统实例) 和显影(第五传统实例)的过程。
在减少之前的抗蚀剂(或预减少抗蚀剂)通过灰化或显影各向同性地 减少。而曝光的金属膜倾向于在减少后(或后减少抗蚀剂)形成抗蚀图案 的边缘。此曝光宽度依赖于预减少抗蚀剂的边缘锥角。然而，与抗蚀图案 的面积控制或厚度控制的控制技术相比，在光刻加工技术中，边缘锥角的 控制需要更完善的技术。
为了使此形成边缘的宽度减至最小，抗蚀剂的边缘锥角应该设定为大 约卯°，但其要求很难的技术。
TFT基板的放大使得在基板表面中的锥角的均匀性的控制进一步复杂。
第三现有技术中的第三问题涉及光线的规定透射为三级的光线量的 曝光掩模的问题。
对于此种类型的曝光掩模具有两种类型，其一是利用小于曝光分辨率 的微小图案，而另一种是利用半透明膜。下面将按顺序说明两种类型的问题。
首先，对于利用小于曝光分辨率的微小图案的掩模，对于形成狭缝或 栅格存在困难。位于通道部分上的薄抗蚀剂膜应该平坦地形成于整个通道 部分上。然而，实际上，由于直接位于狭缝或栅格下方的区域处的曝光量 (luminous exposure)变为小于在其周边区域的曝光量，所以抗蚀剂膜变 为锥形或凸起形。
变为这种形状的原因是基于没有设计布置具有各种形状和尺寸的狭 缝和栅格的自由度，因为用于TFT生产的平版印刷术的曝光分辨率极限为 大约3.5-4.5 ,，而普通TFT的通道部分宽度为大约6 nm。
当具有薄通道部分的抗蚀剂形成为锥形或凸起形时，为了保证要求的
通道宽度，将通过随后的灰化或显影去除的膜厚度必须设定的很大。因此， 形成数据图案边缘的半导体膜在此将依然是一个问题。
接下来，将说明使用半透明膜的掩模问题。此处的问题是制造掩模的 方法。首先，对于稳定形成具有所需透射因数的半透明膜是一个很难的事 情。其次，因为此种掩模需要两次图案绘图过程，所以具有与第一和第二 次绘图之间的精度相匹配的对准的问题，以及对于第二次绘图处的掩模缺 陷的修补方法的问题。
第三现有技术中的第四问题涉及曝光过程。在利用通常的曝光掩模的 曝光过程中，光线施加到抗蚀剂上，当使该抗蚀剂准确地曝光到光线后， 将光线连续地施加到该抗蚀剂上以进行过度曝光。
过度曝光的目的之一是起到用于完全消除未曝光部分的类似边缘的 作用。过度曝光的另一目的是起到当灰尘与抗蚀剂混合时防止抗蚀剂的膜 厚度变大的此缺陷的类似修补作用，甚至使此缺陷的抗蚀剂曝光到光线。
然而，当使用具有三级光线透射量的曝光掩模时，不容易进行过度曝 光。这是因为相对薄的抗蚀剂膜必须以高精度形成于通道部分上。当过度 曝光进行的太多时，也去除了通道部分上的抗蚀剂。
因此，存在由于抗蚀剂不能充分曝光并作为曝光过失留下的这种缺陷 造成的产量下降的问题，并趋向于由于灰尘出现不足。
第三现有技术中的第五问题是关于布置在已经曝光给光线到特定程 度的通道部分上的薄抗蚀剂的显影稳定性的问题。因为布置在通道部分上 的薄抗蚀剂是曝光到光线特定程度的膜，因此不可避免地具有溶解在碱中 特定程度的性质。
因此，与厚抗蚀剂部分(没有暴露到光线的部分)的厚度相比，显影 后设置在通道部分上的薄抗蚀剂膜的厚度具有较大的波动。
此外，在通道部分上的抗蚀剂剩余膜量的不稳定性也使得抗蚀剂的锥 形角不稳定。
当预减少抗蚀剂通过灰化或显影转变时，由于这些处理是如前所述各
向同性蚀刻，因此影响通道的宽度。结果，TFT特性变差，这是因为造成 了LCD面板中的通道宽度的不稳定，并从而造成晶体管特性的不稳定。 第三现有技术中的第六问题涉及曝光不均匀。在用于TFT生产的曝光 机中，光线的施加通常通过移动平台或透镜进行。因为由于平台或透镜的 运动造成振动，所以不能精确地固定抗蚀剂和透镜之间的距离。从曝光平 台和曝光透镜等反射的散射光也施加到抗蚀剂上。从这些原因可知，对于 抗蚀剂的光辐射量在整个基板表面上不是必须均匀。
在本设备的水平中，当利用通常的掩模曝光时，这种事情不是考虑的 问题。然而，当暴露到光线特定程度的抗蚀剂膜留在基板上时，上述问题 不可忽视。这种曝光的不均匀造成与第三现有技术中的第五问题类似的通
道部分上的抗蚀剂的残余膜量不稳定，结果降低了LCD面板的TFT特性。 第三现有技术中的第七问题涉及生产率。在此实例中，抗蚀剂必须设
置有厚部分、薄部分以及无抗蚀剂部分。因此，此实例的厚部分的抗蚀剂
厚度必须制作的超过大约2.0-2.5 nm厚，这就比当采用普通方法的情况厚。
因此，由于如在第一现有技术的第五问题中说明的曝光量的增加和抗蚀剂
的尺寸精度的下降造成生产率的下降。
接下来，将说明关于第七传统实例和第八传统实例的胶印的问题。 在第七传统实例和第八传统实例中，公开了一种通过凸版反转式胶印
制造电子部件的方法。然而，该实例没有公开用于通过利用转印重叠精细
图案的技术，也没有公开关于该精细图案的对准。
用于转印的抗蚀剂材料只有单个抗蚀剂层在背景技术的说明中进行
了公开说明。然而，其没有公开关于布置和重叠抗蚀剂材料的材料。
公开的抗蚀剂材料的树脂为可溶于有机溶剂的树脂，但没有公开导电
金属材料。
接下来，将说明第九传统实例的问题。
除了利用胶印方法代替光刻法外，第九传统实例具有与在第三现有技 术中主要利用灰(半透明)色调掩模的问题类似的上述第一问题、第二问 题和第五问题。
第九传统实例中的第一问题是如在第三现有技术中的第一问题说明 的同样问题。即，具有在LCD面板中亮度下降和晶体管特性变差的问题， 这是因为半导体膜环绕源电极、漏电极和数据配线形成边缘，且该半导体 膜残留而形成具有边缘的图案。
第九传统实例中的第二问题是如在第三现有技术中的第二问题说明
的同样问题，且其涉及通过灰化或溶解去除第二抗蚀图案的技术问题。与 抗蚀图案的面积控制或厚度控制的这种控制技术相比，边缘锥角的控制需 要更完善的技术。
具体地，在当使用转印的情况下，为了设定当转印到基板上后的抗蚀 剂的锥角为接近大约90°的高值的范围，形成于滚筒包衬上的抗蚀剂的形 状必须具有接近其相同的形状。虽然在此实例中公开了凹版胶印，但其必 须具有在滚筒包衬上拉紧抗蚀图案的状态的此形状。
为了形成具有这种形状的图案，当抗蚀剂被从负片印刷板(negative printing plate)拉紧到滚筒包衬上时，抗蚀剂必须拥有相当大程度的触变 性。具有高触变性的材料通常对负片印刷板具有良好的粘接，因此很难拉 紧滚筒包衬上的抗蚀剂，且趋向于出现拉紧缺陷。
第九传统实例中的第三问题与在第三现有技术中的第五问题说明的 问题相似。
当去除布置在第一抗蚀图案上的第二抗蚀图案后，此实例(第三现有 技术也相同)去除上层金属膜、接触层和通道部分上的部分半导体膜。
晶体管的导通/截止特性由通道的宽度和长度(W/L)确定，而在此实 例中，通过去除第二抗蚀图案后的第一抗蚀图案去除。
因此，当去除第二抗蚀图案时，除非选择不去除第一抗蚀图案的材料 或选择过程条件，否则该第二抗蚀图案将偏离W/L的初始设定值。为了避 免这种问题，在去除第二抗蚀图案时要考虑去除第一抗蚀图案的量，但也 可以认为W/L的值应该通过第一抗蚀图案确定。然而，由第二问题说明的 "抗蚀图边缘的锥角的控制"变成问题，且在这种情况下不容易解决。用于 LCD装置的生产的样品玻璃和显示屏尺寸趋向于变为大尺寸。因此，为了 影响通道尺寸的工艺性和均匀性，上述问题紧密涉及大尺寸LCD装置的显 示不均匀的问题。
当去除第二抗蚀图案后，如果发现没有去除第一抗蚀图案的材料和条 件，则当第二抗蚀图案至少布置在布置在基板上的第一抗蚀图案上后，需 要其为彼此不混合的结构。
发明内容
本发明的示例目的是为了提供一种电子部件，具体地，提供一种通过 利用有效的图案成形方法制造的显示装置。
为了获得上述目的，本发明的电子部件可以通过利用以下图案成形方 法提供在用第一抗蚀图案作为第一掩模的第一蚀刻处理的基板上，第二 抗蚀图案转印在第一抗蚀图案上，以便连接第一抗蚀图案之间的间隙，然 后通过利用第一抗蚀图案和第二抗蚀图案作为掩模进行第二蚀刻。第一抗 蚀图案用于形成晶体管的源电极部分和漏电极部分，而第二抗蚀图案用于 保护晶体管的通道部分。
本发明的电子部件可以通过利用以下图案成形方法提供在用第一抗 蚀图案作为第一掩模进行第一蚀刻所处理的基板上，第二抗蚀图案转印在 第一抗蚀图案上，以便与第一抗蚀图案部分重叠并从第一抗蚀图案部分延 伸出来，然后通过利用第一抗蚀图案和第二抗蚀图案作为掩模进行第二蚀 刻。第一抗蚀图案和第二抗蚀图案用于形成配线和/或端子，而第二抗蚀 图案的延伸部分用于使配线具有阶梯状边缘形状的横截面。
本发明的显示装置可以通过利用薄膜晶体管(TFT)的以下制造方法 提供对基板进行蚀刻，所述基板设置有栅极图案和以绝缘膜、半导体膜、 接触膜和上层金属膜层叠在该基板上的膜，以便至少去除上层金属膜和接 触膜，从而形成晶体管的通道部分和包括漏电极、源电极、数据端子和数 据配线的数据图案；至少将第二抗蚀图案转印在位于通道部分的两侧部分 上的第一抗蚀图案上，并覆盖通道部分；以及通过利用第一抗蚀图案和第
二抗蚀图案作为第二掩模进行第二蚀刻，以去除半导体膜，用于露出绝缘 膜，从而将半导体膜处理成岛状图案。
本发明的显示装置可以通过利用TFT的以下制造方法提供用第一抗 蚀图案作为第一掩模进行第一蚀刻，以部分去除形成数据图案的膜；至少 转印第二抗蚀图案以覆盖第一抗蚀图案的一部分，并从第一抗蚀图案延伸 出来；以及通过利用第一抗蚀图案和第二抗蚀图案作为第二掩模进行第二 蚀刻，以去除用于数据图案的整个膜，从而使数据图案具有阶梯形状的横 截面。
本发明的显示装置可以通过利用TFT的以下制造方法提供用第一抗 蚀图案作为第一掩模进行第一蚀刻，以部分去除形成栅极图案的膜；至少 转印第二抗蚀图案以覆盖第一抗蚀图案的一部分，并从第一抗蚀图案延伸 出来；以及通过利用第一抗蚀图案和第二抗蚀图案作为第二掩模进行第二 蚀刻，以去除用于栅极图案的整个膜，从而使栅极图案具有阶梯形状的横 截面。
因此，电子部件(具体地，显示装置)可以通过利用根据本发明的图 案成形方法以高质量和高生产率生产。
参照相应的附图进行以下具体说明，将使本发明的示例特征和优点变 得清晰，其中
图1A是显示根据本发明的第一实施例的制造反交错式TFT的一个步 骤的平面视图iA-i，图iA-ii和图iA-in是分别表示沿图iA的i-r线、ii-n'线以及 m-nr线的截面的横截面视图1B是显示图1A所示的步骤的后处理的平面视图iB-i，图iB-n和图iB-m是分别表示沿图iB的i-r线、n-ir线以及 in-nr线的截面的横截面视图1C是显示图1B所示的步骤的后处理的平面视图ic-i，图ic-n和图ic-ni是分别表示沿图ic的i-r线、n-ir线以及 ni-nr线的截面的横截面视图1D是显示图1C所示的步骤的后处理的平面视图iD-i，图iD-ii和图iD-ni是分别表示沿图iD的i-r线、n-n'线以及 in-nr线的截面的横截面视图1E是显示图1D所示的步骤的后处理的平面视图iE画i，图iE-n和图iE-iii是分别表示沿图iE的i-r线、n-ir线以及 in-in'线的截面的横截面视图1F是显示图1E所示的步骤的后处理的平面视图iF-i，图iF-n和图iF-m是分别表示沿图iF的i-r线、n-n'线以及 ni-in'线的截面的横截面视图1G是显示图1F所示的步骤的后处理的平面视图iG-i，图iG-n和图iG-ni是分别表示沿图iG的i-r线、n-ir线以及 m-nr线的截面的横截面视图2A是显示通过根据本发明的反交错式TFT的第二示例实施例生产 的中间部分的一个步骤的平面视图2A-i，图2A-n，图2A-in和图2A-iv是分别表示沿图2A的i-r线、n-ir 线、ni-nr线以及iv-iv'线的截面的横截面视图2B是显示图2A所示的步骤的后处理的平面视图2B-i，图2B-n，图2B-m和图2B-iv是分别表示沿图2B的i-r线、n-ir 线、in-iir线以及iv-iv'线的截面的横截面视图2C是显示图2B所示的步骤的后处理的平面视图2c-i，图2c-n，图2C-m和图2C-iv是分别表示沿图2C的i-r线、n-ir 线、ni-nr线以及iv-iv'线的截面的横截面视图3是表示根据本发明的第三示例实施例的重叠标记的平面视图4A是显示本发明的第五示例实施例的平面视图4A-I是显示沿图4A的I-r线的截面的横截面视图4B是显示本发明的第五示例实施例的平面视图4B-I是显示沿图4B的I-I'线的截面的横截面视图5A是显示本发明的第七示例实施例的平面视图5A-I是显示沿图5A的I-r线的截面的横截面视图5B是显示本发明的第七示例实施例的平面视图5B-I是显示沿图5B的I-r线的截面的横截面视图6A是显示本发明的第八示例实施例的平面视图6A-i、图6A-n、图6A-ni和图6A-iv是分别表示沿图6A的i-r线、n-ir 线、ni-iir线以及iv-iv'线的截面的横截面视图6B是显示本发明的第八示例实施例的平面视图6B-I、图6B-I1、图6B-III和图6B-IV是分别表示沿图6B的I-r线、II-ir
线、in-nr线以及iv-iv'线的截面的横截面视图6C是对应于图6B-IV的横截面视图6C-IV是放大用图6C所示的环包围的部分的放大截面视图； 图7A是显示本发明的反交错式TFT的第八示例实施例的第一改进方
式的平面视图7A-V是显示沿图7A的V-V'线的截面的横截面视图； 图7B是显示图7A所示的步骤的后处理的平面视图； 图7B-V是显示沿图7B的V-V'线的截面的横截面视图； 图8是表示本发明的第九示例实施例的凸版反转式胶印机的横截面视
图9A是表示本发明的第九示例实施例的凸版反转式胶印机的印刷模
压台部分的侧视图9B是图9A所示的印刷模压台部分的平面视图； 图9C是图9B所示的对准标记的放大平面视图10A是表示本发明的第九示例实施例的凸版反转式胶印机的基板 表面板部分的剖面侧视图10B是图10A所示的基板表面板部分的平面视图IOC是图IOB所示的对准标记的放大平面视图11A到图11C是分别表示制造用于说明第一传统实例的实例的反交 错式TFT的步骤的横截面视图12A到图12C是显示用于说明第三传统实例的制造步骤的步骤的横 截面视图13A和13B是说明控制第四传统实例中的三级光线透射的曝光步骤 的横截面视图14A到图14C是显示制造用于说明第四传统实例的反交错式TFT的
步骤的横截面视图15A是显示制造用于说明第六传统实例和第二传统实例之间的不 同的反交错式TFT的一个步骤的平面视图15A-X是沿图15A的X-X'线的横截面视图15B是显示图15A的后处理的平面视图15B-X是沿图15B的X-X'线的横截面视图16A到图16C是说明用于第二传统实例的配线形状控制的步骤的横 截面视图17A到图17C是说明用于第三传统实例的配线形状控制的步骤的横
截面视图18A是显示用于说明第七传统实例的整个设备的概念图18B是显示图18A的滚筒包衬和印模之间的相应关系的放大概念
图18C是显示图18B的滚筒包衬和图18A的玻璃基板之间的相应关系 的放大概念图；以及
图19A到图19D是显示用于说明第九传统实例的反交错式TFT的制造 步骤的横截面视图。
具体实施例方式
下面将根据相应的附图详细说明本发明的示例实施例。 下面将参照附图详细说明本发明的实施例。 [第一示例实施例]
图1显示了本发明的第一示例实施例。图1A到图1G顺序表示在此 示例实施例中制造反交错式TFT的过程。位于图1的上部的图1A到图1G
的每个都是每个TFT基板的平面视图，而沿图iA到图lG中的i-r、n-ir 和in-nr的线的其横截面视图显示在图i的下部中。更具体地，沿i-r线 的横截面视图显示将连接到外电路的各栅极端子部分(在下文中，称为栅
极端子)，而栅极端子通过栅极配线由液晶显示(LCD)面板的栅电极获
得。沿n-ir线的横截面视图说明了各晶体管部分。沿m-nr线的横截面视 图显示将连接到外电路的数据端子部分(在下文中，称为数据端子)，而 数据端子通过数据配线由LCD面板的源电极获得。
首先，由铬(Cr)制成具有300 nm厚度的下层金属膜通过公知的溅 镀法形成在由诸如玻璃基板的透明基板制造的绝缘基板1上。此后，通过 利用公知的光刻加工方法(涂敷抗蚀剂、曝光和显影涂敷的抗蚀剂)、蚀 刻方法和剥离方法(图1A和图1A-I到图IA-III)使金属膜形成图案，以 形成包括栅电极2、栅极端子3和栅极配线4的栅极图案。
接下来，通过利用诸如CVD (化学气相沉积)的公知的方法，设置 有栅极图案的绝缘基板1覆盖有300 nm厚度的氮化硅的栅极绝缘膜5、 具有200 nm厚度的非晶硅膜的半导体膜6、以及掺杂有30 nm厚度的磷
的n-型非晶硅膜的接触膜7，上述膜以此顺序形成。由300nm厚度的Cr 制成的上层金属膜8通过公知的磁控管溅镀法形成。在此，栅极绝缘膜5、 半导体膜6和接触膜7可以在相同的膜形成室中接连形成。
此后，第一抗蚀图案9通过利用包括涂敷感光抗蚀剂、曝光感光抗蚀 剂和显影感光抗蚀剂的公知的光刻加工方法形成(图1B和图1B-I到图 IB-III)。
接下来，通过利用第一抗蚀图案9作为掩模，上层金属膜8用硝酸铈 铵系统的蚀刻剂经过第一次的第一蚀刻过程，以形成包括漏电极10、源电 极11、数据端子12和数据配线13并露出接触层7的数据图案。然后，通 过诸如PE (等离子蚀刻)方法的干蚀刻(第二次的第一蚀刻)利用 HCl/SF6/He/02的混合气体去除露出的接触层7，以露出半导体膜6(图1C 和图1C-I到图IC-III)。
接下来，制作具有降低到保持形状到一定程度(保持形状的触变性程 度)的流动性的抗蚀图案(在下文中称为"预转移抗蚀图案")形成于具有 弹性和柔性的硅件薄片(在下文中称为"滚筒包衬")上。预转移抗蚀图案 接触到绝缘基板1，使得第二抗蚀图案14转印到通道部分上，以便与用第 一抗蚀图案9覆盖的漏电极和源电极部分重叠。(关于在滚筒包衬上形成 预转移抗蚀图案和将该图案转印在绝缘板1上的方法将在后面进一步详细 说明。)然后，第二抗蚀图案14的溶剂通过加热绝缘基板1蒸发，以进一 步降低该第二抗蚀图案的流动性。
提供第二抗蚀图案14的目的是保证覆盖和保护完成TFT时变为通道 的部分(在下文中称为"通道部分")。因此，第二抗蚀图案14不仅设置在 通道部分上，而且也设置在第一抗蚀图案9上(即，第一抗蚀图案9布置 在与通道部分相邻的源电极11和漏电极10上)，使得第一抗蚀图案9和 第二抗蚀图案14分别相邻于通道部分彼此重叠2 pm的宽度。
在此，第二抗蚀图案14不设置在数据配线、数据端子上，而源电极 11和漏电极10的另一侧不相邻于通道部分定位(即，远离通道部分的侧 面2pm或更多的距离)(图1D和图1D-I到图ID-III)。
在此示例实施例中，当TFT的通道宽度(由图1C中的字母L表示) 为6pm和通道长度(由图1C中的字母M表示)为25pm时，第二抗蚀图
案14设计为具有在L方向为10pm的尺寸，而在W方向为25pm的尺寸。
接下来，利用HCl/SF6/He/02的混合气体的PE系统的干蚀刻(第二蚀 刻)通过利用抗蚀图案作为掩模进行，以通过去除半导体膜6露出栅极绝 缘膜5，并形成岛状图案15。利用诸如二甲亚砜和单乙醇胺或类似材料的 剥离溶液从绝缘基板1去除抗蚀图案(图1E和图1E-I到图m-m)。
具有200nm厚度的氮化硅膜的保护绝缘膜16通过在设置有栅极绝缘 膜5和暴露在其上的数据图案的绝缘基板1上利用CVD方法形成。然后， 抗蚀图案通过光刻加工方法形成，所述光刻加工方法包括通过公知的蚀刻 方法的形成及去除保护绝缘膜16和栅极绝缘膜5、以及剥离抗蚀图案并从 而形成栅极端子孔17、数据端子孔18和像素连接孔19的接触孔的这种 过程(图1F和图1F-I到图IF-III)。
最后，当通过溅镀法形成具有40nm厚度的氧化铟锡(ITO)的导电 透明膜后，像素电极20和端子保护图案21通过利用光刻加工方法和蚀刻 方法形成，从而完成TFT基板(图1G和图1G-I到图IG-III)。
相对基板设置有光线遮蔽层以防止至少入射到岛状图案15 (通道部 分)的光线。完成的TFT基板布置有具有预定间隙的相对基板。相对基 板可以进一步设置有为红色、蓝色和绿色的彩色层，用于使该相对基板能 够进行彩色显示。(在下文中，将相对基板称为彩色滤光片基板)。然后， 通过将液晶填充在两个基板之间的间隙获得LCD面板，且进一步在两个 基板的外表面上设置诸如相位差板和偏光板的光学膜。
下面将更详细地说明制造LCD面板的方法。配向膜设置在TFT基板 和接触液晶的彩色过滤器基板的内表面上。配向膜由例如聚酰亚胺树脂制 成且用人造纤维布摩擦，用于对准处理。上述两个基板的对准角度在扭转 向列(TN)模式的情况下为大约90°，而在共面转换(IPS)模式的情况 下为大约0°。此外，在垂直配向(VA)模式下不需要执行对准过程。此 示例实施例的图1A到图1G显示了TN模式的情况。
在对准处理后，与密封间隔件混合的密封剂在LCD面板的框架区域 处设置在TFT基板或彩色滤光片基板上，而内间隔件和液晶设置在显示 区域处。然后，两个基板与填充有液晶的间隙重叠，光学膜设置在两个基 板的外表面上以制作LCD面板。因此，完成的LCD面板与外电路连接，用于通过栅极端子接触孔17 和数据端子接触孔18驱动LCD面板。布置光源件，然后布置用于保持和 保护这些构件的底板以形成LCD装置。
在此示例实施例的说明中，虽然在布置第二抗蚀图案14之前通过去 除接触层7露出半导体膜6后设置了第二抗蚀图案14，但在布置第二抗蚀 图案14之前，第二抗蚀图案14也可以在进一步去除部分半导体膜后设置。 这样，通过进一步去除部分半导体膜，可以进一步降低在通道部分处的泄 漏电流量，因此提高晶体管性能。
在此示例实施例中，虽然覆盖与通道相邻的漏电极IO和源电极11的 第二抗蚀图案14和第一抗蚀图案9的重叠宽度设定为2pm，但不局限于 此值。第一和第二抗蚀图案的此重叠宽度可以通过使第二抗蚀图案14与 第一抗蚀图案9接触实现本发明的该目的。因此，在本发明的说明中的术 语"重叠"包括第一抗蚀图案9和第二抗蚀图案14彼此接触的情况。
在此示例实施例中，不在数据配线13上设置第二抗蚀图案14的原因 是为了保证孔径比。
第二抗蚀图案14不设置在不与通道部分相邻的源电极和漏电极11和 10上的原因是为了通过抑制泄漏电流保证晶体管的特性。
因此，根据此示例实施例，因为第二抗蚀图案通过与绝缘基板接触进 行布置，所以第二抗蚀图案可以容易地设置有在任意尺寸、任意形状以及 任意位置的高自由度。
因此，本发明可以解决由于在传统实例的问题(第一现有技术的第一 问题、第二现有技术的第一问题以及第三现有技术的第一问题)中说明的 孔径比的下降和晶体管的截止特性问题造成面板亮度下降的这种问题。
此外，在本发明中，由于第一抗蚀图案在转印预转移抗蚀图案后转变， 其中所述预转移抗蚀图案具有达到保持形状的程度的低流动性，使得该预 转移抗蚀图案可以与第一抗蚀图案重叠，因此可以解决以下问题，即，控 制与第一现有技术相关的抗蚀剂的回流的问题(第二问题损坏层去除以
及第三问题基础基板的表面能量以及第四问题回流终点控制)以及关
于第二现有技术的第二问题的损坏层的溶胀阻碍问题。
此外，在本发明中，由于预转移抗蚀图案作为与第一抗蚀图案不同的
第二抗蚀图案转印在第一抗蚀图案上，所以不存在对于在第三现有技术的 第二问题中说明的抗蚀剂的锥角控制的问题、以及关于第三现有技术的第 三问题或第六问题中说明的曝光的问题。
本发明的第二抗蚀图案的所需膜厚度对于具有可以保持第二蚀刻的 耐久性的膜厚度是足够的，因此该膜厚度可以设定为薄抗蚀剂厚度。因此， 不存在如第一现有技术的第五问题和第三现有技术的第七问题中说明的 生产率的下降和抗蚀图案尺寸的下降的问题。
虽然以上已经详细说明了第一示例实施例，但具体结构不局限于此示 例实施例，且即使在不偏离本发明的发明点的范围内的设计中存在改变 等，这些改变也包括在此发明中。
本发明的第一示例实施例的内容是通过转印方法将第二抗蚀图案布 置在第一抗蚀图案上以有效地形成图案，使得至少该图案的一部分延伸到 使该第一抗蚀图案和该第二抗蚀图案在基板上彼此重叠的程度，其中所述 基板已经经过用第一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻并在此后进行第二蚀
在此实例实施例中，虽然铬(Cr)膜的实例通过用于下层金属膜和上 层金属膜的磁控管溅镀技术形成，但该膜的材料不局限于Cr，而诸如Mo、 Al、 Ti、 Cu和Ag的具有导电性的其它金属膜都适用。此外，与上述金属 混合或添加Nd、 N、 Nb、 V和C的成分的合金的这种膜的其它实例也适 用。此外，具有多于两种金属和合金的层叠膜也适用。膜形成方法也不局 限于磁控管溅镀。
此外，对于诸如栅极绝缘膜、半导体膜和接触膜的膜，本发明也不局 限于膜的种类、膜的厚度和膜形成的方法的所示实例，只要膜实现其要求 的目的即可。
由于只要获得本发明的目的，此示例实施例都是切实可行的，所以除 了数据图案、栅极绝缘膜、半导体膜以及接触膜的结构外都适用。 [第二示例实施例]
图2说明了本发明的第二示例实施例。说明图式的方式与第一示例实 施例的说明方式相同。
此示例实施例与第一示例实施例之间的不同点是第二抗蚀图案的布
置。在下文中，将详细说明第一示例实施例和此示例实施例之间的技术点 的不同。
在已经经过如形成诸如漏电极10、源电极11、数据端子12和数据配
线13的数据图案的这种过程的基板上(图2A和图2A-I到IV),通过利 用第一抗蚀图案9作为掩模去除接触膜7以露出半导体膜6，接触形成于 滚筒包衬上的预转移抗蚀图案，使得第二抗蚀图案14转印在基板上，此 后加热基板。
在第一示例实施例中，第二抗蚀图案14设置为被进行转印，以便与 漏电极和源电极的设置有第一抗蚀图案9的一部分重叠，并通过预转移抗 蚀图案与绝缘基板1接触覆盖通道部分。另一方面，在此示例实施例中， 第二抗蚀图案(框架形第二抗蚀图案24)延伸布置成使得LCD像素区域 22从而被包围在除了通道部分外的LCD像素区域22和密封材料的框架密 封区域23之间。
在通道部分上的第二抗蚀图案14的布置与第一示例实施例相同。框 架形第二抗蚀图案24延伸和布置的宽度为大约25pm，使得从而环绕LCD 像素区域22。
通过去除半导体膜6并露出栅极绝缘膜5进行第二蚀刻以形成岛状图 案15 (图2B和图2B-I到IV)。此后，剥离抗蚀图案并从基板去除该抗蚀 图案。
根据上述处理，由半导体膜制成的凸出结构形成于LCD像素区域22 和框架密封区域23之间。
在此实例实施例中，因为框架形第二抗蚀图案24在LCD像素区域22 和框架密封区域23之间延伸，所以第二抗蚀图案24延伸为与覆盖数据配 线的第一抗蚀图案9重叠。
这样，当将凸出结构安装在LCD像素区域22和框架密封区域23之 间时，该凸出结构可以抑制低分子成分和包含在流出到LCD像素区域22 中的有机树脂密封材料或类似材料(例如，在环氧树脂的密封材料中为低 分子重量组成和环氧的硅氧垸)中的杂质。因此，可以防止由溶解在液晶 中的物质造成液晶的电压持续下降，也可以防止偏振配向膜，并防止由于 将这些杂质吸收或粘附到配向膜造成降低对准约束力。结果，可以避免面 板显示的不均匀性。
当要求更高的显示不均匀抑制效果时，应该在LCD像素区域22和框 架密封区域23之间进行多个框架形第二抗蚀图案24的布置，以形成多个 凸出结构。通过布置多个凸出结构，用于杂质的阻挡物在三维尺寸上变得 复杂，因此能够阻止杂质散布到LCD区域中。
鉴于使LCD像素区域22和框架密封区域23之间的平面距离长的技 术考虑，还可以防止杂质散布进LCD区域。g卩，如图2C和图2C-I到图 2C-IV所示，布置了多个具有间隙的框架形第二抗蚀图案24，使得相邻图 案24的间隙交替布置，以便不会放置在水平方向或垂直方向延伸的相同 线上。第二隔离的抗蚀图案不需要与第一抗蚀图案重叠。
接下来将说明第二示例实施例的修改例。
框架形第二抗蚀图案24以700)im的宽度布置在框架密封区域23中， 而半导体膜6的凸出结构23通过利用上述方法形成。
因此，框架密封区域23和LCD像素区域22的膜的高度差可以制作 得最小化。
因此，在密封剂中的混合密封间隔件的尺寸和在显示区域中的间隔件 的尺寸可以接近。结果，可以避免由于相邻于框架的面板间隙和LCD像 素区域22的面板间隙之间的差异沿框架密封部出现框架形不平度(在下 文中，称为"框架不平度")。
因此，当将框架形第二抗蚀图案24布置在布置密封材料的LCD像素 区域22和框架密封区域23之间时，可以抑制面板显示不均匀性，且当在 框架密封区域23中形成时可以抑制框架点。当两个上述框架形第二抗蚀 图案24以单独方式布置在一起时，可以同时抑制更高的显示不均匀度和 更多的框架点。
虽然已经参照图式详细说明了以上本发明的第二示例实施例和改进 例，但具体结构不局限于此示例实施例，且即使在设计中具有改变等，其 范围也不偏离本发明点，都包含在此本发明中。
本发明的第二示例实施例和改进例的内容为通过适当地形成凸出结 构以抑制显示不均匀性和框架点，并通过转印方法将第二抗蚀图案布置在 第一抗蚀图案上有效地形成图案，使得该图案的至少一部分延伸到使该第
一抗蚀图案和该第二抗蚀图案在基板上彼此重叠的程度，其中所述基板已 经经过用第一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻，并通过同时布置不是必须与 第一抗蚀图案重叠的隔离的第二抗蚀图案在此后经过第二蚀刻。
因此，在传统的实例中，因为不与第一抗蚀图案重叠，不能形成隔离 的第二抗蚀图案，所以不能只形成由这种半导体膜制成的凸出结构。
接下来，将说明本发明的第三示例实施例。图3是此示例实施例的平 面视图。
此示例实施例与第一示例实施例之间的不同点是第一抗蚀图案和第 二抗蚀图案之间的布置关系。其它都与第一示例实施例相同。在下文中， 在此将详细说明第一示例实施例和此示例实施例之间的不同点。
虽然此示例实施例在第一抗蚀图案和第二抗蚀图案重叠以及一部分 布置为在绝缘基板上突出的此点上与第一示例实施例相同，但在形成隔离 的第一抗蚀图案而不与第二抗蚀图案重叠且也形成隔离的第二抗蚀图案 而不与第一抗蚀图案重叠的此点上不同。
图3表示隔离的第一抗蚀图案9和隔离的第二抗蚀图案14的状态。
显示在图3中的圆形为设置用于确认第一抗蚀图案9和第二抗蚀图案 14的重叠精度的标记(重叠标记)。
在此示例实施例中，第一抗蚀图案9具有类似环形的形状，而第二抗 蚀图案14以类似圆形的形状布置在该第一抗蚀图案的内部。
设计为使得当第一抗蚀图案9和第二抗蚀图案14的布置位置正确对， 第二抗蚀图案14可以位于第一抗蚀图案9的中心。
在此，第一抗蚀图案9设计为具有15pm的内径以及25pm的外径， 而第二抗蚀图案14设计为具有10|_im的直径。
因此，第一抗蚀图案9和第二抗蚀图案14之间的布置关系可以通过 在绝缘基板上适当地设置重叠标记来确认。
此外，当将第二抗蚀图案14转印在绝缘基板上时，通过测量重叠标 记的相对位置关系，并将该重叠标记的差异量作为偏移量反馈给转印设 备，然后将该偏移量应用到后面的基板上，可以改进第一抗蚀图案和第二 抗蚀图案之间的重叠精度。
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虽然第一抗蚀图案布置在外部，而第二抗蚀图案布置在内部，但该第 一抗蚀图案和该第二抗蚀图案的位置也可以颠倒。在此，虽然显示了环形 重叠标记，但该重叠标记的形状也可以为除环形以外的例如方形、三角形 和十字形的形状。上述环形标记通过假设重叠精度的测量由自动测量设备 得出而设计，但在依赖于利用显微镜或类似设备的视觉观察的情况下，该 标记应该制作为游标标记。
虽然已经参照附图详细说明了以上本发明的第三示例实施例，但具体 结构不局限于此示例实施例，且即使在设计中具有改变等，其范围也不偏 离本发明点，其都包括在此本发明中。
本发明的第三示例实施例的内容为通过转印方法将第二抗蚀图案布 置在第一抗蚀图案上有效地形成图案，使得该图案的至少一部分延伸到使 该第一抗蚀图案和该第二抗蚀图案在基板上彼此重叠的程度，其中所述基 板已经经过用第一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻，并通过同时布置不与第 一抗蚀图案重叠的隔离的第二抗蚀图案，从而露出作为第一和第二抗蚀图 案的重叠且突出部分的这种部分、不与第一抗蚀图案重叠的一部分隔离的 第二抗蚀图案、以及在转印后不与第二抗蚀图案在基板上重叠的一部分第 一抗蚀图案，且在此后经历第二蚀刻。
接下来，将说明第四示例实施例。
虽然此示例实施例与第一示例实施例的相同之处在于，通过转印方法 将第二抗蚀图案布置在第一抗蚀图案上，使得至少一部分所述图案延伸到 使该第一抗蚀图案和该第二抗蚀图案在基板上彼此重叠的程度，其中所述 基板己经经过用第一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻，且第一和第二抗蚀图 案的重叠且突出的部分在转印后布置在绝缘基板上，但不同点是布置不与 第二抗蚀图案重叠的隔离的第一抗蚀图案的一部分。
如前所述，由于上层金属膜8由诸如Cr或类似材料的不透明膜制成， 因此通过将第一抗蚀图案9布置在隔离的图案中以便不与第二抗蚀图案重 叠，该上层金属膜不仅可以作为许多产品的产品识别标记和操作号码有效 地使用，而且也可以作为重叠标记用在数据图案形成步骤和其它步骤中， 例如，用于数据图案形成步骤和栅极图案形成步骤的形成步骤的重叠标
记；用在数据图案形成步骤和接触孔图案形成步骤中；以及用在数据图案 形成步骤和像素电极图案形成步骤中。
将第一抗蚀图案9以隔离的形状布置而不与第二抗蚀图案14重叠的 原因在于在第二蚀刻后，第一蚀刻图案不通过第二蚀刻图案被形成边缘。 当第一蚀刻图案被形成边缘时，由于由第二蚀刻去除的半导体膜为半透明 膜，在自动识别测量设备的测量中造成错误判断。
通过以此方式布置第一抗蚀图案9，可以有效地形成产品识别标记和 重叠标记或类似标记。
在上述说明中，由于第一蚀刻图案案不通过第二蚀刻图案被形成边 缘，所以第二蚀刻图案不布置在第一抗蚀图案上。但如果在基板上可以保 留一些空间，则第二抗蚀图案可以重叠在第一蚀刻图案上，且该第二抗蚀 图案可以形成为突出。然而，在此情况下，需要保证突出部分的量，以便 不在自动识别测量设备的测量中造成错误判断。
虽然已经对以上本发明的第四示例实施例进行了详细说明，但具体结 构不局限于此示例实施例，且即使在设计中具有改变等，其范围也不偏离 本发明点，其都包含在此本发明中。
本发明的第四示例实施例的内容为通过转印方法将第二抗蚀图案布 置在第一抗蚀图案上有效地形成图案，使得至少一部分所述图案延伸到使 该第一抗蚀图案和该第二抗蚀图案在基板上彼此重叠的程度，其中所述基 板已经经过用第一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻，并露出第一和第二抗蚀 图案的重叠且突出的部分、以及在转印后不与第二抗蚀图案在基板上重叠 的一部分隔离的第一抗蚀图案，且在此后进行第二蚀刻。
接下来，作为本发明考虑的第二技术，将说明控制蚀刻图案的横截面 形状的技术。
下面将参照图4说明采用在制造例如LCD装置的步骤中的栅极图案 成形过程的第五示例实施例。位于图4的上部的图4A和图4B的每个都 是TFT基板的平面视图，而位于图4下部的图4A-I和图4B-I分别是沿图 4A和图4B所示的I-r线剖开的横截面视图。
首先，当在由诸如玻璃的透明基板制成的绝缘基板上用溅镀方法形成
300nrn厚度的Cr膜26后，第一抗蚀图案9通过光刻加工方法布置。
接下来，只有150nm厚度的Cr膜26通过利用第一抗蚀图案9作为 掩模的蚀刻方法的第一蚀刻去除。之前测量的去除300nm厚度的Cr膜的 情况的时间控制由第一蚀刻去除的膜厚度，并只在一半的测量时间期间进 行第一蚀刻处理。更详细地，第一蚀刻方法为利用硝酸铈铵系统的蚀刻剂 进行湿蚀刻，因为用于去除所有Cr膜26的之前的测量时间为具有相关的 停滞时间(deadtime)的160秒，所以处理时间设定为85秒(图4A和图 4A-I)。第一抗蚀图案9设定为使得栅极配线宽度(在图4A中用"W1表示") 为20(im，而栅电极宽度(图4B中表示)为25pm。
接下来，已经在滚筒包衬上形成所需图案的预转移抗蚀图案和绝缘基 板1彼此接触，从而转印第二抗蚀图案14，使得该第二抗蚀图案与覆盖有 第一抗蚀图案9的栅极图案重叠并从其突出，此后加热基板。第二抗蚀图 案14覆盖第一抗蚀图案9的整个表面，且该第二抗蚀图案从第一抗蚀图 案9的左右侧突出1.5pm。
为了去除残留在基板上的Cr膜26，通过利用抗蚀图案作为掩模进行 第二蚀刻，以形成栅极图案(图4B和图4B-I)。第二蚀刻条件确定为使得 其蚀刻剂为与第一蚀刻相同的硝酸铈铵系统溶液，而蚀刻时间设定为具有 增加的额外蚀刻时间的90秒。
因此，栅极图案的边缘可以形成为具有阶梯状向前的锥形。当形成栅 极图案后，LCD装置将以与第一示例实施例相同的方法完成(图4B和图 4B-I)。
因此，根据此示例实施例，当通过利用第一抗蚀图案作为掩模进行第 一蚀刻后，当在第一抗蚀图案上重叠第二抗蚀图案以通过转印突出并在此 后进行第二蚀刻时，蚀刻后的图案边缘的形状可以制作为类似阶梯的向前
锥形。、
在通过如第一现有技术中说明的加热或化学溶液、并通过在第二现有 技术中说明的溶胀使配线具有类似阶梯状的向前锥形的回流的传统技术 中，转变后最终的抗蚀剂膨胀面积依赖于预转变的抗蚀剂的厚度(准确地 说为体积)。
在通过如第三现有技术中说明的重新显影和灰化的诸如使类似阶梯
状的配线逐渐变小的另一传统技术中，因为预转变抗蚀剂面积通过通常所
说的各向同性蚀刻来确定，所以转变后的抗蚀剂面积依赖于比转变前的抗
蚀剂面积和厚度更难控制的预转变的抗蚀剂的锥角。
然而，另一方面，根据此示例实施例，因为此示例实施例只依赖于第
二抗蚀图案的平面形状(涂敷面积)，所以当与上述现有技术相比时，具
有使蚀刻后的图案边缘的形状可以通过如转印的便利方法被高度稳定的特征。
接下来，将说明第六示例实施例。通过使用与第五示例实施例中相同 的栅极图案成形来说明。第六示例实施例公开了本发明应用到层叠膜的情 况。
因为第一抗蚀图案9和第二抗蚀图案14的形状、尺寸和布置与第五 示例实施例相同，所以将不参照图式说明此示例实施例。
首先，通过利用公知的溅镀方法将Al-Nd合金膜和Mo-Nb合金膜分 别以270nm和30nm的厚度层叠和形成在绝缘基板1上。接下来，通过利 用形成于基板上的第一抗蚀图案9作为掩模进行第一蚀刻以去除所有的 Mo-Nb合金膜。
作为蚀刻剂的实例，使用能够一起蚀刻Al-Nd合金膜和Mo-Nb合金 膜的包括磷酸、硝酸和醋酸的这种混合酸。在此示例实施例中，虽然只有 对Mo-Nb合金膜进行了第一蚀刻，但除了Mo-Nb合金膜外，如果需要， 部分Al-Nd合金膜也可以通过第一蚀刻去除。
接下来，已经在滚筒包衬上形成所需图案的预转移抗蚀图案和绝缘基 板1彼此接触，从而转印第二抗蚀图案14，且此后加热基板。第二抗蚀图 案14覆盖第一抗蚀图案9的整个表面，并且该第二抗蚀图案从第一抗蚀 图案9的左侧和右侧突出1.5pm。
通过利用包括用上述抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻的相同成分的相 同的混合酸进行第二蚀刻，因此去除Al-Nd合金膜以露出绝缘基板1。
因此，通过进行第二蚀刻，栅极图案的边缘部分可以形成为具有类似 阶梯状的向前锥形的形状。当形成栅极图案后，LCD装置将以与第一示例 实施例同样的方式完成。
在此示例实施例中，如果需要，可以改变第一蚀刻剂和第二蚀刻剂的 组成比。图案边缘的锥角可以通过改变其组成比控制在所需的值内。
因此，根据此示例实施例，即使在层叠膜中，当通过利用第一抗蚀图 案作为掩模进行第一蚀刻后，当将第二抗蚀图案重叠在第一抗蚀图案上以 通过转印突出，并且随后用上述抗蚀图案作为掩模进行第二蚀刻时，蚀刻 后的图案边缘的形状可以制作为类似阶梯状的向前锥形形状。
接下来，将参照图5说明第七示例实施例。位于图5的上部上的图5A 和图5B的每个为TFT基板的平面视图，而位于该图5的下部上的图5A-I 和图5B-I分别为沿图5A和图5B所示的I-r线的横截面视图。
在第六示例实施例中，虽然通过利用用于第一蚀刻剂和第二蚀刻剂的 相似的化学溶液进行层叠膜的蚀刻，但在此实施例中，层叠膜通过利用不 同的蚀刻剂被蚀刻。
首先，当分别层叠270nm和30nm厚度的Al-Nd合金膜和Cr膜26后， 通过在诸如玻璃基板的透明基板的绝缘基板1上的溅镀方法形成第一抗蚀 图案9，使得所需的栅极图案可以通过利用光刻加工方法形成。然后，通 过利用硝酸铈铵系统的蚀刻剂的第一蚀刻去除Cr膜26(图5A和图5A-I)。 第一抗蚀图案9设定为制作2(Hirn的栅极配线宽度和25pm的栅电极宽度。
接下来，已经在滚筒包衬上形成所需形状的预转移抗蚀图案和基板1 彼此接触，从而在基板上转印第二抗蚀图案14，此后加热基板。第二抗蚀 图案14覆盖第一抗蚀图案9，且该第二抗蚀图案被设计为从第一抗蚀图案 9的左侧和右侧突出1.5pm。
此后，通过利用包括磷酸、硝酸和醋酸的混合酸以上述抗蚀图案作为 掩模进行第二蚀刻，以去除残留在基板上的Al-Nd合金膜25，从而在栅 极配线上形成类似阶梯状的向前锥形(图5B和图5B-I)。
因此，根据此示例实施例，即使在很难通过一种蚀刻剂蚀刻的层叠膜 中，当通过利用第一蚀刻图案作为掩模进行第一蚀刻并将第二抗蚀图案重 叠在第一抗蚀图案上以从其突出后，通过利用不同于第一蚀刻剂的其它蚀 刻剂，用上述抗蚀图案作为掩模进行第二蚀刻，蚀刻后的图案边缘的形状 可以以制作成类似阶梯状的向前锥形。虽然已经具体说明了本发明的第五示例实施例到第七示例实施例，但 具体的结构不局限于此示例实施例，且即使在不偏离本发明点的范围内， 设计中具有改变等，其都包括在此本发明中。
接下来，将参照图6说明第八示例实施例。位于图6的上部的图6A 和图6B的每个都表示TFT基板的平面视图。位于该图6的下部的图6A-I 到图6A-IV和图6B-I到图6B-IV为沿I-I'至U IV-IV'线的横截面视图。图 6C-IV为图6C所示的边缘部分中的放大剖视图。
此示例实施例同时执行在第一示例实施例中说明的数据图案形成方 法和控制在第五示例实施例到第七示例实施例中说明的蚀刻图案的横截 面形状的技术。
此示例实施例与第一示例实施例之间的不同点是与第二抗蚀图案的 布置关系。其它都与第一示例实施例相同。在下文中，将说明第一示例实 施例和此示例实施例之间的技术构思的不同点。
其中通过利用第一抗蚀图案9作为掩模暴露半导体膜6的绝缘基板1、
以及已经在滚筒包衬上形成所需图案的预转移抗蚀图案彼此接触，从而将 第二抗蚀图案14转印在基板上，此后加热基板。
第二抗蚀图案14被布置为使得该第二抗蚀图案覆盖分别具有2pm的 重叠宽度的通道部分和漏电极10以及相邻通道部分的源电极11 (在图 6A-II中用"a"表示)。该第二抗蚀图案在其两侧处以0.5pm的突出宽度覆 盖数据配线13 (在图6A-IV中用"b"表示)，且该第二抗蚀图案还在其两侧 处以2pim的突出宽度覆盖数据端子12 (在图6A-III中用"c"表示)。
在此示例实施例中，当TFT的通道宽度(在图6A中用字母"L"表示) 为6(im，通道长度(在图6A中用字母"W"表示)为25pm，第二抗蚀图案 14设计为在L方向具有10pm的尺寸，在"W"方向具有25jmi的尺寸。 数据配线13的宽度(在图6A中用字母"D"表示)为8pm。
接下来，作为利用HCl/SF6/He/02的混合气体的第二蚀刻的PE系统的 干蚀刻通过利用上述抗蚀图案作为掩模来执行，以通过去除半导体膜6露 出栅极绝缘膜5，并形成岛状图案15 (图6B和图6B-I到图6B-IV)。
对于蚀刻过程后由数据图案和半导体膜形成的边缘的形状，虽然数据
端子12为阶梯形状的向前锥形，但数据配线13为向前锥形，而没有如为 图6C中所示的边缘的放大视图的图6C-IV中所示的半导体膜的平坦部分 (层叠膜为以一体形式的向前锥形的形状)。
因此，根据此实例实施例，通过任意控制布置在用于每个突出部分的 第一抗蚀图案9的突出量，在图案边缘处的平坦距离可以控制在所需的长 度内。
在第一到第三现有技术中，不可能为各部分不同地设定和设置图案边 缘的平坦距离。
在此示例实施例中制作这种结构的原因如下。在数据配线部分中，通 过将配线端子的形状制作成一体的向前锥形保证了孔径比。对于数据端子 部分，设置阶梯状的向前锥形，以便鉴于可能暴露到空气的端子金属的腐 蚀，改进保护绝缘膜16的涂敷，且部分是由于设计方面，此部分不是必 须考虑孔径比，因此提供了一些设计的自由度。因为通过制作图案边缘的 形状为阶梯状的向前锥形使得外观上的阶梯变小，所以可以改进保护绝缘 膜16的涂敷。从而改进端子金属的耐腐蚀性。
因此，根据本发明，第二抗蚀图案从第一抗蚀图案的突出度可以根据 基板表面中的需要任意和自由设定。
通过任意设定突出区域的量并进行第二蚀刻，可以形成诸如阶梯状或 在平坦部分处具有任意长度的一体的向前锥形的任意图案。
由于在形成岛状图案15后制造TFT基板、LCD面板和LCD装置的 方法与在第一示例实施例中相同，所以在此省略该方法的说明。
虽然已经对本发明的第八示例实施例进行了详细说明，但具体的结构 不局限于此示例实施例，且即使在不偏离本发明点的范围内在设计中具有 改变等，其都包括在此本发明中。
本发明的第八示例实施例的内容为通过转印方法将第二抗蚀图案布 置在第一抗蚀图案上，使得至少一部分所述图案延伸到使该第一抗蚀图案 和该第二抗蚀图案在基板上彼此重叠的程度，其中所述基板已经经过用第 一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻，且此后进行第二蚀刻，从而使己蚀刻的 图案的横截面形状成为诸如阶梯状或在平坦部分处具有各种长度的一体 形状的向前锥形。
接下来，将参照图7说明第八示例实施例的第一改进方式(改进方式
一)。位于图7的上侧的图7A和图7B的每个都表示TFT基板的平面视图。 位于图7的下部的图7A-V和图7B-V的每个表示沿为栅极配线4和数据 配线13的相交部分的平面视图上所标示的V-V'线的横截面视图。
首先，在分别用于说明第一和第八示例实施例的图1和图6的横截面 视图中，为容易理解本发明，布置在栅极图案上的栅极绝缘膜5的表面以 平坦形状说明，而不涉及栅极图案的位置。然而，事实上，当栅极绝缘膜 5形成于栅极图案上时，该栅极绝缘膜的膜表面形状反映栅极图案的凸起 形状。因此，在图7中，起初就会注意，其横截面视图根据实际条件显示， 而此示例实施例的说明也根据此条件进行。
第一示例实施例与此示例实施例之间的不同是与第二抗蚀图案的布 置关系。其它都与第一示例实施例相同。下面将详细说明第一示例实施例 和此示例实施例之间的技术不同点。
图7A的平面视图表示已经完成第一示例实施例中的第二蚀刻的状态 (该状态对应于图1D的步骤)。参照沿V-V'部分(栅极配线4和数据配 线13之间的相交部分)的线的横截面视图，数据配线13的表面和栅极绝 缘膜5的表面之间的垂直间隔(该垂直间隔为图7A中表示的"a")接近等 于栅极配线4、半导体膜6、接触膜7和数据配线13的膜厚度的总和。在 此示例实施例中，当这些膜厚度在普通TFT中设定成使得栅极配线4为 300nm、半导体膜6为200nm、接触膜7为30nm且数据配线13为300nm 时，垂直间隔大约为830nm。
如上所述，在TFT的制造步骤中，虽然保护绝缘膜16布置在数据图 案上，但此保护绝缘膜16的厚度为大约150-250nm。
因此，因为在栅极配线4和数据配线13之间的相交部分处的阶梯 (830nm)的厚度为布置在其上的保护绝缘膜16的厚度(150-200nm)的 几倍，所以为了很好地以保护绝缘膜覆盖阶梯部分，具有许多技术问题。
当在不能充分地将保护绝缘膜16涂敷在栅极配线4和数据配线13的 相交部分上的状态下驱动LCD面板时，由于在液晶中的离子分布的不均 匀性导致出现显示不均匀性，所以由于略微存在于液晶中的水造成诸如配 线腐蚀的缺陷。
42 为了解决这种问题，在如图7B和图7B-V所示的此实例实施例中， 第二抗蚀图案14布置为大于栅极配线4和数据配线13的相交面积2pm。
这样，通过将第二抗蚀图案14布置在栅极配线4和数据配线13的相 交部分上，数据配线13和栅极绝缘膜5的表面之间的垂直间隔(该垂直 间隔由图7B-V中的"a"表示)被分成由数据配线13、接触膜7和栅极配 线4形成的第一垂直间隔(该第一垂直间隔由图7B-V中的"b"表示)、以 及由半导体膜6形成的第二垂直间隔(该第二垂直间隔由图7B-V中的"c" 表示)，因此表面的垂直间隔变为很小，从而改进保护绝缘膜的涂敷。
上述垂直间隔的情况与栅电极2的一部分相似。
因此，在此示例实施例中，如图7B和图7B-V所示，覆盖布置在源 电极11和漏电极IO上的第一抗蚀图案的一部分并延伸到通道部分的第二 抗蚀图案形成为分别大于源电极11和栅电极2的相交部分2pm、以及大 于漏电极10和栅电极2的相交部分2pm。
通过依此方式进行，也可以在一部分栅电极2处提供阶梯状的向前锥 形，因此可以明显减小相交部分的垂直间隔。
在此，虽然布置在栅极配线4和数据配线13的相交部分、源电极ll 和栅电极2之间的相交部分、以及漏电极10和栅电极2之间的相交部分 上的第二抗蚀图案设定为大于以上每个相交部分2pm，但第二抗蚀图案也 可以设定为大于以上每个相交部分0.5pm，以便如第八示例实施例中所述 形成一体的向前锥形。通过执行该操作，虽然外表的垂直间隔不会变小， 但改进了阶梯覆盖。
如上所述，根据此示例实施例，因为当第二抗蚀图案14布置在栅极 图案和数据图案之间的相交位置上并从第一抗蚀图案9突出时，可以减小 相交部分中的明显阶梯，所以可以改进保护绝缘膜16的涂敷。
虽然已经在上面说明了第一示例实施例到第八示例实施例(包括改进 方式)，但根据本发明可以将第二抗蚀图案以任意位置、任意尺寸和任意 形状转印在绝缘基板上。
如在第一示例实施例或第八示例实施例(包括改进方式)中说明的转 印在绝缘基板上的第二抗蚀图案可以通过利用由凸版印刷表示的胶印、或 印刷版设置有孔的凹版印刷或密封印刷形成。当使用密封印刷方法时，排
除在上述实施例中说明的关于滚筒包衬的问题。
在第一示例实施例至第八示例实施例(包括改进方式)的说明中，虽 然公开了第一抗蚀图案利用公知的光刻加工方法形成时的情况，但该第一 抗蚀图案也可以通过利用用于形成第二抗蚀图案的转印进行布置。
第一示例实施例至第八示例实施例(包括改进方式)可以组合并适当 地执行。
在第一示例实施例至第八示例实施例(包括改进方式)的说明中，虽
然已经集中说明了TN系统的LCD装置，但不局限于TN系统，也可以应 用到诸如IPS系统和VA系统的其它LCD系统。此外，也不局限于LCD 装置，而是可以应用到诸如电子部件的制造方法。
虽然已经详细说明了第一示例实施例至第八示例实施例(包括改进方 式)，但具体的结构不局限于这些示例实施例，且即使在不偏离本发明点 的范围内在设计中具有改变等，其都包括在此本发明中。
接下来，参照图8到图10，对于第九示例实施例，将详细说明公开在 第一示例实施例至第八示例实施例(包括改进方式)的将第二抗蚀图案14 转印在基板上以及加热已印刷的基板的技术。用于此示例实施例的凸版反 转式胶印机显示在图8中。
用于本发明的印刷机包括印刷模压台63、基板表面板部分70以及抗 蚀剂涂敷部分88。印刷模压台部分63包括至少沿固定框架51平直移动 的可移动框架52 (此可移动框架的平直运动的方向为X-轴向)、安装在垂 直于X-轴向的方向(使此方向为Y-轴向，g卩，此图纸的深度方向)上的 圆筒状橡皮滚筒53、巻绕橡皮滚筒53的滚筒包衬54、以及在Y-轴向上延 伸用于在滚筒包衬54上形成抗蚀膜55的涂布机56。
印刷模压台部分63包括固定在固定框架51上的第二印刷模压台57、 第一印刷模压台58 (相对位置的改变方向可以总共为五个轴向，S口， X-方向、Y-方向、XY-方向的面内旋转的e方向、垂直于XY-方向的Z-方向、 以及XY-平面的倾斜方向的a方向)、固定在第一印刷模压台58上的负片 印模(用于从滚筒包衬上去除抗蚀剂墨水膜的凸版印模)59、以及用于进 行负片印模59的粗对准的三个板对准设备63-65。
基板表面板部分70配备有固定在固定框架51上的第二基板表面板 60、第一基板表面板61 (相对位置的改变方向可以总共为五个轴向，艮口， X-方向、Y-方向、XY-方向的面内旋转的e方向、垂直于XY-方向的Z-方 向、以及XY-平面的倾斜方向的a方向)、固定在第一基板表面板61上的 印刷基板62、以及用于进行印刷基板62的粗对准的三个基板对准设备 73-74。
此实施例的一系列处理步骤包括以下步骤
1) 对准负片印模；
2) 对准印刷基板
3) 将抗蚀剂墨水膜形成于滚筒包衬上；
4) 通过使抗蚀剂墨水膜与负片印模接触，在滚筒包衬的表面上形成 预转移抗蚀图案；
5) 通过使形成于滚筒包衬的表面上的预转移抗蚀图案与印刷基板接 触，将第二抗蚀图案14转印在印刷基板上；以及
6) 加热基板。
一系列步骤将顺序说明如下。
1)负片印模的对准步骤
板和印刷模压台的对准步骤将参照图9A、图9B和图9C说明。图9A 是显示在图8中的印刷模压台部分63的侧视图，图9B是其俯视图，图 9C表示对准标记的图案。负片印模59固定在具有大尺寸的第一印刷模压 台58上，使得负片印模59的整个表面位于该第一印刷模压台上。负片印 模59和第一印刷模压台58的固定方法通过在印刷模压台中切出凹进狭槽 并将该狭槽连接到真空系统(未显示)进行。
在负片印模59上，凹进和凸出图案设置为使得凹进图案对应于第二 抗蚀图案14的将转印在印刷基板62上的部分，而凸出图案对应于不转印 的部分。掩模等级的钠钙玻璃用作负片印模59，所述负片印模在X-方向 具有500mm的尺寸，在Y-方向具有400mm的尺寸，而在Z-方向(厚度 方向)具有4.8mm的尺寸。通过在上述钠钙玻璃的整个表面上形成Cr膜， 将抗蚀剂施加在该Cr膜上，通过利用激光选择地去除抗蚀剂以形成对应 于第二抗蚀图案的去除图案，通过利用抗蚀剂作为掩模蚀刻Cr膜，剥离
蚀刻剂，通过利用Cr作为掩模蚀刻玻璃板以形成具有6pm深度的凹进图 案，此后通过蚀刻去除Cr膜以提供负片印模59来制造负片印模59。
板对准设备66-68为设置为利用相机图像确定板的安装位置的公知设 备。这些板对准设中备的每个都设置有识别图像的照相机、放置在照相机 前面的照相机侧对准标记65、以及根据用照相机识别的图像移动第一印刷 模压台58的控制机构部分(未显示)。如图9B所示，两个远侧的板对准 设备67和68以及近侧的板对准设备66分别连接到固定框架51。
每个板侧对准标记64设置在负片印模59的三个位置上，而每个照相 机侧对准标记65设置在板对准设备66-68上，使得相对的两个标记布置 为满足预定的位置关系。
此外，优选形成板侧对准标记作为负片印模上的凹进图案。通过将该 板侧对准标记形成凹进图案，上述对准标记可以转印到基板上。因此，可 以实现第三示例实施例。
如图9C所示，负片印模59的对准通过移动印刷模压台58的轴线进 行，使得板侧对准标记64位于照相机侧对准标记65的中心位置处。因此， 通过对准负片印模59，可以确定负片印模59到设备的位置。
形成远侧的板对准设备67的照相机侧对准标记的对应部分的板侧对 准标记和形成近侧的板对准设备66的照相机侧对准标记的对应部分的板 侧对准标记从X-轴的方向来看位于相同的位置上。形成远侧的板对准设 备67的照相机侧对准标记的对应部分的板侧对准标记和形成板对准设备 68的照相机侧对准标记的对应部分的板侧对准标记从Y-轴的方向来看位 于相同的位置上。这些对准标记布置在将在后面变成LCD面板的TFT图 案部分69。
因此，通过将板侧对准标记布置在负片印模59的三个位置上，可以 在X-轴、Y-轴和e-轴的方向上进行对准。通过在TFT图案部分69的外部 布置对准标记，当抗蚀图案布置在基板上时，在TFT图案中的对准差异 可以很小。因此，抗蚀图案可以以高位置精度转印在印刷基板62上。虽 然在以上实例中使用三个对准标记，但多于三个的标记也适用。
2)印刷基板的对准步骤
下面将参照图IOA、图10B和图10C说明印刷基板62和基板表面板
的对准的说明。图IOA是图8中的基板表面板部分70的侧视图，图10B 是俯视图，图IOC表示对准标记图案。印刷基板62固定在基板表面部分 61上。基板表面板61具有大于印刷基板62的尺寸，而印刷基板62的整 个表面布置在基板表面板61上。印刷基板62和基板表面板61的固定方 法通过将凹进狭槽切进印刷模压台中并将狭槽连接到真空系统(未显示) 进行。无碱玻璃基板用作印刷基板62，所述印刷基板在X-方向具有470mm 的尺寸，在Y-方向具有360mm的尺寸，而在Z-方向(厚度)具有0.7mm 的尺寸。
基板对准设备72-74为设置为利用相机图像确定印刷基板的安装位置 的公知设备。这些基板对准设备中的每个都设置有识别图像的照相机、放 置在照相机前面的照相机侧对准标记71、以及根据用照相机识别的图像移 动第一基板表面板61的控制机构部分(未显示)。如图IOB所示，两个远 侧的基板对准设备73和74以及近侧的基板对准设备72分别连接到固定 框架51。
近侧的基板对准设备72和近侧的板对准设备66、远侧的基板对准设 备73和远侧的板对准设备67、以及基板对准设备74和板对准设备68应 该分别相同地布置到印刷基板。
每个基板侧对准标记75设置在印刷基板62的三个位置上，而每个照 相机侧对准标记71设置在基板对准设备72-74上，使得相对的两个标记 布置为满足预定的位置关系。
在第二抗蚀图案14被转印之前，此基板侧对准标记75可以使用通过 任意层或第一抗蚀图案9形成的标记。然而，在此实例实施例中，第一抗 蚀图案9用作基板侧对准标记。当采用第一抗蚀图案9作为对准标记时， 因为该第一抗蚀图案可以直接布置有第二抗蚀图案14，所以改进了印刷的 位置精度。
这样，可以实际使用第三实例实施例(参照图3)。
如图10C所示，移动基板表面板61，执行印刷基板62的对准使得基 板侧对准标记75和照相机侧对准标记71彼此调节。印刷基板62到设备 的位置以此方式确定。
形成远侧的基板对准设备73的照相机侧对准标记的对应部分的基板
侧对准标记和形成近侧的基板对准设备72的照相机侧对准标记的对应部 分的基板侧对准标记从X-轴的方向来看位于相同的位置上。形成远侧的 基板对准设备73的照相机侧对准标记的对应部分的基板侧对准标记和形 成基板对准设备74的照相机侧对准标记的对应部分的基板侧对准标记从 Y-轴的方向来看位于相同的位置上。这些对准标记布置在将在后面变成 LCD面板的TFT图案部分76的外部。
因此，通过将基板侧对准标记布置在印刷基板62的三个位置上，对 准可以在X-轴、Y-轴和e-轴的方向上进行。通过在TFT图案部分76的外 部布置对准标记，当第二抗蚀图案布置在基板上时，在TFT图案中的对 准差异可以很小。因此，抗蚀图案可以以高位置精度转印在印刷基板62 上。虽然在以上实例中使用三个对准标记，但多于三个的标记也适用。
为了保证印刷的精度，固定在印刷模压台58上的负片印模59和固定 在基板表面板61上的印刷基板62的表面高度制作的相同，且可以保证更 好的印刷精度。
3) 在滚筒包衬上形成抗蚀剂墨水膜的步骤
由本发明使用的涂布机56为沿Y-轴方向伸长和安装的毛细管(CAP) 涂布机。CAP涂布机的长度制作为350nm。 CAP涂布机的盖制作为具有 通过毛细管现象引起大约0.2mm的抗蚀剂墨水的宽度。安装在可移动框 架52中的橡皮滚筒53在Z-轴方向上下降以与抗蚀剂墨水接触。此后，橡 皮滚筒53升起大约0.4mm，以在滚筒包衬54和盖之间形成抗蚀剂的流道 (bead)。接下来，橡皮滚筒53通过滚筒包衬表面的移动速度以20mm/s 的速率旋转，而抗蚀剂墨水膜55形成于滚筒包衬54上。所述流道通过抗 蚀剂墨水膜成形后更多地向上移动盖被破坏。形成于滚筒包衬上的抗蚀剂 墨水膜55保留1分钟以蒸发溶剂，以提供使得在图像拉出时保持该抗蚀 剂墨水膜的形状的触变度。在此使用的抗蚀剂墨水为酚醛清漆树脂，但不 具有感光性，而粘度为10cp，成分由树脂组成PGMEA (l-甲氧基-2-醋 酸丙酯)IPA (异丙醇)=15wt%: 25wt%: 60wt% 。滚筒包衬54由硅 树脂制成。
4) 通过抗蚀剂墨水膜与负片印模接触在滚筒包衬表面上形成预转移
抗蚀图案的步骤(图像拉出的步骤)
可移动框架52移动到图像拉出开始位置，且橡皮滚筒53也旋转以到 达图像拉出开始位置，从而使该橡皮滚筒到达图像拉出的开始点。接下来， 橡皮滚筒53在Z-轴方向上下降到负片印模59和滚筒包衬54的夹住宽度 (nip width)变为10mm的位置。通过使负片印模59和抗蚀剂墨水膜55 接触，并在保持可移动框架52的移动速度和滚筒包衬54的表面的旋转速 度相同的同时移动该负片印模和该抗蚀剂墨水膜，在滚筒包衬54上形成 预转移抗蚀图案。此后，橡皮滚筒53在Z-轴向上升高到不接触负片印模 59的位置。
优选滚筒包衬54的表面在图像拉出过程和抗蚀剂墨水膜形成过程中 的两个移动速度相同。
因此，通过图像拉出过程在抗蚀剂墨水膜成形过程期间，形成于滚筒 包衬54上的抗蚀剂墨水膜55在滚筒包衬的每个位置上以相等的周期产 生。
通过使两个过程周期以此方式相等，因为抗蚀剂墨水膜55的干燥条 件(触变度)在每个位置都相同，所以可以在滚筒包衬54上形成稳定的图案。
在此实例实施例中，滚筒包衬54的表面的移动速度为20mm/s。 5)通过使抗蚀剂墨水膜与印刷基板接触，在滚筒包衬表面上形成预 转移抗蚀图案的步骤(转印的步骤)
可移动框架52移动到转印开始位置，且橡皮滚筒53也旋转以到达转 印开始位置，从而使其到达转印的开始点。转印开始点和图像拉出开始点 之间的位置关系储存在设备的控制系统中。且由于负片印模59和印刷基 板62的基板位置分别通过对准确定，所以形成于印刷基板62上的第一抗 蚀图案9和第二抗蚀图案14可以重叠。接下来，橡皮滚筒53在Z-轴向上 下降到负片印模59和滚筒包衬54的夹住宽度变为10mm的位置。通过使 印刷基板62和抗蚀剂墨水膜55接触，并在保持可移动框架52的移动速 度和滚筒包衬54的表面的旋转速度相同的同时移动该印刷基板和该抗蚀 剂墨水膜，.在滚筒包衬54上形成预转移抗蚀图案。此后，橡皮滚筒53在 Z-轴向上升高到不接触印刷基板62的位置。滚筒包衬54的表面的移动速 度在此设定为20mm/s。
优选滚筒包衬54的表面在图像拉出过程和抗蚀图案转印过程中的移 动速度相同。
因此，在图像拉出到进行转印的基板后的滚筒包衬的每个位置上以相 等的过程周期产生形成于滚筒包衬54上的预转移抗蚀图案。
通过使过程周期相等，因为预转移图案的干燥条件(触变度)在每个 位置都相同，所以可以在基板上形成稳定的图案。
接下来，将说明用于获得良好的转印图案的在图像拉出方向和转印方 向的决定程序。
良好的抗蚀图案可以通过以其对于图像拉出和转印的方向的优先顺 序选择以下决定制作项目(1)到(3)，布置在印刷基板上。
这种优先顺序的原因在于很难在胶印的印刷方向上形成小图案。
(1) 在转移图案包括具有小于lOpm宽度的窄图案的情况下，根据 在具有不大于l(Him宽度的这些窄图案之中的最长图案，通过将图像拉出 方向和转印方向设置为最长图案的伸长方向的相同方向执行图像拉出和 转印。
(2) 在转移图案不包括具有不大于10pm宽度的图案的情况下，根 据在具有不大于30pm宽度的这些图案之中的最长图案，通过将图像拉出 方向和转印方向设置成与最长图案的伸长方向的方向倾斜大约20度来执 行图像拉出和转印。
(3) 在转移图案不包括具有不大于30pm宽度的图案的情况下，根 据与其宽度尺寸无关的最长图案，通过将图像拉出方向和转印方向设置成 与最长图案的伸长方向的方向倾斜大约45度来执行图像拉出和转印。
待确定的图像拉出方向和转印方向涉及以下因素[l]由抗蚀剂材料及 其膜厚度以及橡皮滚筒的旋转速度产生的剪切力，[2]在图像拉出过程中的 负片印模相对抗蚀剂的粘附力量和抗蚀剂相对滚筒包衬的粘附力量之间 的力量关系，以及在转印过程中的抗蚀剂相对滚筒包衬的粘附力量和印刷 基板相对抗蚀剂的粘附力量之间的力量关系。
然而，因为溶剂随着时间从抗蚀剂蒸发，所以不可能测量上述粘附性 和弹性，且其不能数字化。因此，上述决定程序被确定为经验法则。
上述经验法则通过改变以下各种因素由本发明者确定改变诸如酚醛
清漆树脂、丙烯酸树脂、以及酚醛清漆树脂和丙烯酸树脂的混合物的抗蚀
剂的种类；在10-30wt^的范围内改变抗蚀剂的树脂密度；在0.5pm-1.5pm 的范围内改变抗蚀剂膜厚度；在15-50mm/s的范围内改变滚筒包衬54的 表面的移动速度，用玻璃或Cr改变负片印模的凸出部分的材料；以及改 变在图像拉出和转印时由滚筒包衬、负片印模和印刷基板形成的7-20mm 的范围内的夹住。
例如，应该在与第一示例实施例的图1D中所示的大的白色箭头表示 的通道宽度"W"方向的相同的方向上，进行用于第二抗蚀图案14的图像 拉出过程或转印过程的方向。在第二示例实施例中，如图2B中的大的白 色箭头所示，这些处理所需的方向沿着同第一示例实施例一样的数据线的 伸长方向。在第五示例实施例中，如图4B中的大的白色箭头所示，虽然 这些处理所需的方向沿着栅极线的伸长方向，S卩，垂直于栅电极的伸长方 向的方向，但考虑到上述优先顺序，最好倾斜基板。在第八示例实施例中， 如图6B中的大的白色箭头所示，这些处理所需的方向沿着数据配线的伸 长方向。在第八示例实施例的一个改进方式中，如图7B中的大的白色箭 头所示，这些处理所需的方向沿着数据线的伸长方向。
6)加热印刷基板的步骤
将其上已经转印第二抗蚀图案的印刷基板在120'C下加热5分钟，以 通过蒸发其中的溶剂干燥抗蚀剂。干燥后的抗蚀图案14的膜厚度为 l.Opm。通过此干燥过程，也改进了抗蚀剂膜和基础膜(ground film)之
间的粘附。
在此示例实施例中，由于抗蚀图案通过转印形成，所以使用的抗蚀剂 材料没有感光性，但也可以使用感光树脂。
在此示例实施例中，第一抗蚀图案通过利用公知的光刻加工方法形 成，因此使用具有感光性的正性酚醛清漆树脂。对于第二抗蚀图案，使用 无感光性的酚醛清漆树脂。
当设置有第二抗蚀图案的基板在转印后立即用上述条件加热后，检查 印刷基板为破裂，从而在此后在第一抗蚀图案和第二抗蚀图案之间确认边 界。
然而，当设置有第二抗蚀图案的基板在转印后在2分钟后用上述条件
加热时，检査印刷基板为破裂，从而确认第一抗蚀图案和第二抗蚀图案之 间没有这种边界。
对于这两种干燥的印刷基板62，虽然在第一示例实施例中说明的样品 (图1D和图1D-I到III)用硝酸铈铵系统的蚀刻剂处理180秒，但在其 之间的蚀刻结构中不能确认具体的差异。然后，进行相似的蚀刻处理500
秒并观察。
结果，在转印后立即加热的样品中的第一抗蚀图案和第二抗蚀图案之 间的重叠边界区段中确认楔形异常蚀刻结构。这种异常蚀刻结构被认为是 由第一抗蚀图案和第二抗蚀图案之间的粘附造成。
因此，需要选择材料和过程条件，使得用于第一抗蚀图案的抗蚀剂材 料形成为与用于第二抗蚀图案的抗蚀剂材料混合。
在此情况下，优选将第一抗蚀图案材料和第二抗蚀图案材料以下述方 式混合，该方式为使两种抗蚀剂材料略微混合到无法区分两种抗蚀剂材料 的相界的程度，同时保持第二抗蚀图案的形状不被破坏。因此，两种抗蚀 剂材料不需要为相似的抗蚀剂树脂，而是例如可以为酚醛清漆树脂和丙烯 酸树脂的化合物，或者环氧化物和聚酰亚胺或类似材料的混合。
自然地，在抗蚀剂材料中要求很高的抗蚀刻性。由于特别是第一抗蚀 图案曝光为至少蚀刻两次，因此与第二抗蚀图案材料相比，抗蚀刻性最好 很咼。
在此示例实施例中，虽然当第一抗蚀图案通过利用公知的光刻法提 供，但第一抗蚀图案也可以通过利用转印以及第二抗蚀图案提供。
为了提高抗蚀刻性，可以使抗蚀剂材料具有热固特性或照相排字特性 (photosettingproperty)。当给出热固特性或照相排字特性时，改进了抗蚀 剂材料与基板的粘附，且当蚀刻过程后可以形成良好的图案。
酚醛清漆树脂具有高的膜特性(膜密度小)。另一方面，丙烯酸树脂 具有进入到酚醛清漆树脂的分子之间的特性。因此，通过将丙烯酸树脂加 入到酚醛清漆树脂中形成混合材料，提高了膜密度，并可以提高蚀刻的阻 力。
在此示例实施例中，近侧的基板对准设备72和近侧的板对准设备66、 远侧的基板对准设备73和远侧的板对准设备67、以及基板对准设备74
52
和板对准设备68分别同样地布置到印刷基板上。此外，因为板侧对准标 记64转印在印刷基板62上，而基板侧对准标记75制作为第一抗蚀图案， 所以当第二抗蚀图案的转印位置正确时，第一抗蚀图案位于外部，而第二 抗蚀图案位于该第一抗蚀图案的中心处。第二抗蚀图案相对第一抗蚀图案 的布置关系可以通过观察此状态确认。通过在设备中反映出上述布置关系 的这种观察结构作为图像拉出开始点或转印开始点的偏移值，可以提高第 二抗蚀图案相对第一抗蚀图案的转印位置精度。
考虑第一示例实施例到第五示例实施例以及第八示例实施例，因为栅 极图案己经形成于印刷基板62上，所以印刷基板62的对准通过利用栅极 层设置的基板侧对准标记进行。
当通过利用相同的凸版反转式胶印机在朝向基板的相同方向上转印 第一抗蚀图案和第二抗蚀图案时，可以忽略由固定框架的直接前进等造成 的图案变形，并可以提高第一抗蚀图案和第二抗蚀图案的重叠精度。
此外，通过利用橡皮滚筒的相同位置转印第一抗蚀图案和第二抗蚀图 案，可以忽略由橡皮滚筒的粗糙度等造成图案变形。通过利用相同的滚筒 包衬的相同位置的转印，也可以忽略由滚筒包衬的厚度变化的粗糙度等造 成变形。这样，可以进一步提高重叠精度。
虽然已经通过以上第九示例实施例的说明详细说明了凸版反转式胶 印机，但具体的结构不局限于此示例实施例，且即使在不偏离本发明点的 范围内在设计中具有改变等，其都包括在此本发明中。
本发明总体上可以应用到胶印。本发明也可以应用到例如凸版印刷和 凹版印刷或类似应用。
接下来，作为第十示例实施例，以下将说明预先处理技术，其在完成 第一蚀刻后布置第二抗蚀图案14之前进行。
此示例实施例的目的是解决用于制造在最近几年变为大屏幕的整个 LCD面板表面上的完美面板的这种生产问题。
理想地，第二抗蚀图案14以及第一抗蚀图案9或图案14之间作为曝 光基础基板的粘附较高。
为了提高粘附性，这些处理制作为例如去除诸如由于形成于第一抗蚀图案9的表面以及用于清洗的被曝光的基础基板的表面上的物理和/或化 学状态造成的变质层或沉积层的这些损坏层，或进行粘附改进过程而不用 采用损坏层的去除。
首先，去除损坏层的方法为轻微地蚀刻形成于第一抗蚀图案9上的损 坏层。
在此示例实施例中，如同在第一现有技术的第二问题中说明的问题一 样，不需要在整个表面上均匀地去除损坏层。在此示例实施例中，当包含 在抗蚀剂中的溶剂通过使溶剂可以被去除到从剩余损坏部分的间隙进入 的程度时，其中所述抗蚀剂被干燥到使得尽管其包含溶剂也会保持其形状 的程度，可能在第一抗蚀图案和第二抗蚀图案之间失去边界。
对已经在第一示例实施例中完成第一蚀刻的基板进行预处理，通过以 下过程进行通过以0.6XTMAH (稍微蚀刻)喷淋30秒稍微去除包括损 坏层的第一抗蚀图案的去除过程、在水中的洗涤过程、以及用N2气的干 燥过程。然后，第二抗蚀图案通过利用凸版反转式胶印被转印，并在120°C 下加热5分钟而没有保留时间。
作为破裂和观测样品的结果，确认与上述没有预处理的情况相比，在 利用酚醛清漆树脂、丙烯酸树脂以及酚醛清漆树脂和丙烯酸树脂的混合树 脂中的任何一个的各样品中，第一抗蚀图案和第二抗蚀图案的边界变得不 清楚。
虽然TMAH作为预处理溶液用于此示例实施例中，但当可以稍微蚀 刻抗蚀剂时，也可使用其它蚀刻剂。当抗蚀剂由酚醛清漆树脂、丙烯酸树 脂以及酚醛清漆树脂和丙烯酸树脂的混合树脂成分中的任何一个构成时， 碱性溶液都适用。除了TMAH夕卜，作为碱性溶液的实例，胺系统溶液和 羟基化碱金属水溶液或类似溶液都适用。
当碱性溶液与表面活性剂材料混合时，提高了抗蚀剂和预处理液体之 间的润湿性，从而能够更有效地进行轻微蚀刻。
轻微蚀刻不局限于湿蚀刻系统，而是可以为利用02气体或类似气体 和UV灯或类似物的灰化的干燥方法。
为了提高粘附性而不采用这种处理作为损坏层和表面清洗的去除，例 如，最好将抗蚀图案暴露到HMDS (六甲基二硅垸基胺)的蒸汽中。 [第十一示例实施例]
接下来，作为第十一示例实施例，将说明在布置第二抗蚀图案后在第 二蚀刻之前进行的后处理。
此示例实施例的目的是解决用于制造在最近几年变为大屏幕的整个
LCD面板表面上的完美面板的生产问题。
在第九示例实施例中说明的凸版反转式胶印中，当第二抗蚀图案转印 到印刷基板上时，滚筒包衬和印刷基板接触。
理想地，虽然抗蚀剂不粘附到滚筒包衬的多余部分上，即，抗蚀图案 只转印到指定区域上，但当同样的滚筒包衬在大量的生产中使用多个小时 后时，具有薄膜形状的抗蚀剂残渣(漂泥)残留在滚筒包衬上，且漂泥有 时转印在印刷基板上。
很少地，在图像拉出和转印期间，抗蚀剂造成拉丝，因此薄丝状抗蚀 剂转印在这些不必要的部分(错误图案)上。当这种漂泥和错误图案转印 在印刷基板62上时，将形成不需要的图案。
为了解决该问题，漂泥和错误图案应该在用于转印在印刷基板上的抗 蚀剂图案的蚀刻过程之前去除。
漂泥和错误图案可以通过轻微蚀刻在第十示例实施例中说明的损坏 层的同样过程去除。
在以上第十示例实施例和第十一示例实施例的说明中，虽然其已经公 开了将抗蚀图案布置基板上之后或之前的其它技术，但具体的结构不局限 于此示例实施例，且即使在不偏离本发明点的范围内在设计中具有改变 等，其都包括在此本发明中。
利用根据需要的图，虽然已经在以上第一示例实施例到第十一示例实 施例的说明中公开了本发明，但是为了使本发明更清晰做出了其它的说 明。
首先，使本发明中的"抗蚀图案"的定义更清晰。在本发明中，"抗蚀 图案"定义为"起到保护作用使得下层膜在蚀刻位于具有抗蚀图案的下层 中的膜时的情况下不蚀刻下层膜的图案(掩模)"。因此，当蚀刻下层膜 后，不是必须要求通过剥离从基板去除抗蚀图案。
作为抗蚀图案的实例，不仅有诸如包含上述有机溶剂的酚醛清漆树
脂、丙烯酸树脂和聚酰亚胺的有机树脂材料，而且有具有包含金、银或镍 纳米颗粒、或ITO浆的纳米颗粒墨水的溶剂的导电墨水材料。
参照在第一示例实施例的说明中使用的图l进行说明，当首先在诸如 玻璃基板的透明基板的绝缘基板1上形成下层金属膜后，通过光刻加工方 法、蚀刻方法和剥离方法使该下层金属膜形成图案，并形成诸如栅电极2、
栅极端子3和栅极配线4的栅极图案(图1A和图IA-I到III)。
接下来，栅极绝缘膜5、半导体膜6和接触膜7形成设置有栅极图案 的绝缘基板1的整个表面。在此，不用在基板上形成上层金属膜8， Ag 纳米颗粒的导电墨水材料用作抗蚀剂，并通过利用凸版反转式胶印转印在 绝缘基板1上，然后将其加热以蒸发溶剂等，以设置第一抗蚀图案9。(导 电墨水材料意思是至少在TFT基板已经完成后表示出具有导电性的材料， 即使其不需要在墨水状态下具有导电性也如此。)此后，半导体膜6通过 用第一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻去除曝光的接触膜7露出。(图1C和 图IC-I到III，然而，假定没有上层金属膜8。在下文中，采用同样的假 设。)
由酚醛清漆树脂制成的第二抗蚀图案14通过凸版反转式胶印转印在 绝缘基板1上并被加热(图1D和图1D-I到III)。
接下来，去除半导体膜6，并暴露栅极绝缘膜5以形成岛状图案15。
通过利用包括二甲亚砜和单乙醇胺或类似材料的剥离溶液从绝缘基 板去除第二抗蚀图案。此时，不去除第一抗蚀图案(图1E和图1E-I到m)。
下面将通过在第一示例实施例中说明的相似方法完成TFT基板、LCD 面板和LCD装置。
下面将详细说明本发明。
配线电阻的电阻下降技术的发展随着目前的LCD装置的高清晰度和 大屏幕的发展而发展，纯A1或合金材料(此后，称为A1)为作为配线材 料的主流。
然而，为两性金属的Al具有通过酸溶液和碱溶液容易溶解的特征。 因此，在TFT基板的制造步骤中，因为诸如用于用抗蚀图案进行的显 影的TMAH的溶液为碱性，问题是A1容易被溶解。
当通过在第三现有技术之中的第五传统实例中说明的这种方法，Al
用于数据图案的一个区域(层叠膜)或整个区域(单层膜)时，当基板抗 蚀膜通过去除抗蚀膜的薄部分转变时，将露出配线的A1。
因此，可以用于基板相关技术的显影溶液进一步要求具有防止Al的
腐蚀性质的功能，因此在执行的情况下还具有许多问题。
由此原因，在最近几年，虽然已经坚持不懈地处理具有不溶解Al的 抗腐蚀功能的基板显影溶液，然而根据本发明，可以完全地解决由于在显 影中Al溶解造成的问题。
原因在于当第一抗蚀图案和第二抗蚀图案通过利用本发明的转印形 成时不需要显影过程。
下面将参照在第一示例实施例的说明中使用的图1说明方法。
首先，下层金属膜形成于诸如玻璃基板的透明基板的绝缘基板1上， 该下层金属膜通过光刻加工方法、蚀刻方法和剥离方法形成图案，并形成 诸如栅电极2、栅极端子3和栅极配线4的栅极图案(图1A和图1A-I到 III )。
接下来，栅极绝缘膜5、半导体膜6和接触膜7形成为覆盖设置有栅 极图案的绝缘基板l的整个表面，此后，作为上层金属膜8，能与ITO膜 电连接的Al合金膜形成于其上。作为能与ITO膜电连接的Al合金膜的实 例为，诸如由Kobelco研究院制作的三井矿业&熔炼(Mitsui Mining & Smelting)及Al-Ni系统耙标的ACX (ver.3)耙标的A1合金材料。
通过利用凸版反转式胶印将ITO浆的导电墨水材料转印在作为抗蚀 剂的绝缘基板1上，并将其加热以形成第一抗蚀图案9 (图IB和图1B-I 到III)。
接下来，通过利用第一抗蚀图案9作为掩模，用包括磷酸/硝酸/醋酸 的混和酸液体蚀刻上层金属膜8以形成数据图案(第一次第一蚀刻)。然 后，曝光的接触膜7通过蚀刻(第二次第一蚀刻)去除，以露出半导体膜 6。(参照图1C和图IC-I到III，但假定没有上层金属膜8。此后，采用同 样的假设。)
由酚醛清漆树脂构成的第二抗蚀图案14通过利用凸版反转式胶印转 印在绝缘基板l上，并加热绝缘基板l (图1D和图1D-I到in)。
然后，去除半导体膜6，以通过进行第二蚀刻露出栅极绝缘膜5，并
形成岛状图案15。
利用由二甲亚砜和单乙醇胺或类似材料组成的剥离溶液将上述抗蚀 图案从绝缘基板1去除。在此去除的抗蚀剂只是第二抗蚀图案(图1E和 图1E-I到III)。
通过在第一示例实施例中说明的相似方法完成TFT基板、LCD面板 和LCD装置。
在此，不是必须剥离布置在漏电极上、源电极部分和与通道部分相邻 的通道部分上的第二抗蚀图案。
通过留下为基板上的绝缘树脂的墨水材料的第二抗蚀图案，而不将该 第二抗蚀图案剥离，可以防止这些问题，即，由于离子杂质等被拉到通道 部分而变为固定的电荷并影响该通道部分而造成变差的晶体管特性、以及 由于通道部分和内间隔件之间的摩擦造成的充电所产生的显示不均匀等 的问题。作为绝缘树脂的墨水材料的实例，除了酚醛清漆树脂之外，丙烯 酸树脂、聚酰亚胺以及这些混合树脂等也适用。
虽然以上已经详细说明了本发明的示例实施例，但这些示例实施例可 以根据需要组合和执行。具体的结构不局限于此示例实施例，且即使在不 偏离本发明点的范围内在设计中具有改变等，其都包括在此本发明中。
对于制造LCD装置的TFT的方法，本发明可以使用电子部件的图案 成形方法、以及特别是利用制造TFT的方法的生产单元。
在本发明的电子部件中，第二抗蚀图案的突出长度可以制作为具有两 种或更多种长度。
在本发明的电子部件中，这些结构适用于没有重叠第一抗蚀图案的第 二抗蚀图案的隔离图案，和/或没有重叠第二抗蚀图案的第一抗蚀图案的 隔离图案。
在本发明的电子部件中，第一抗蚀图案可以制作成通过转印形成的结构。
在本发明的显示装置中，第二抗蚀图案覆盖上述覆盖有第一抗蚀图案 的数据配线的至少一部分，并布置为使得该第二抗蚀图案可以伸出，且该 第二抗蚀图案可以制作为在其之外数据配线和半导体膜在伸出的部分处 形成阶梯状的结构。
在本发明生产的显示装置中，栅极图案或数据图案可以制作为层叠膜。
在本发明生产的显示装置中，这种结构适用于显示像素区域由其中形 成薄膜晶体管的显示像素区域与框架密封区域之间的第二抗蚀图案包围， 或第二抗蚀图案包括在框架密封区域中。
在本发明生产的显示装置中，重叠标记由两个隔离图案形成，使得一 个隔离图案为不与第一抗蚀图案重叠的第二抗蚀图案，而另一个隔离图案 为不与第二抗蚀图案重叠的第一抗蚀图案。
在本发明生产的显示装置中，第一抗蚀图案包括不与第二抗蚀图案重 叠的隔离图案，而用于识别产品的标记可以由隔离图案形成。
由本发明生产的显示装置包括的结构为，第一抗蚀图案包括不与第二 抗蚀图案重叠的隔离图案，而用在后面步骤中的重叠标记通过隔离图案形 成。
在本发明生产的显示装置中，当第二蚀刻已经完成后，第一抗蚀图案 和第二抗蚀图案可以一起被去除。
在本发明生产的显示装置中，当已经完成第二蚀刻后，可以保留第一 抗蚀图案，而去除第二抗蚀图案，且第一抗蚀图案可以制作为导电膜，用 于组成数据图案。
在本发明生产的显示装置中，当已经完成第二蚀刻后，第一抗蚀图案 和第二抗蚀图案可以一起保留，且第一抗蚀图案为用于数据图案的导电 膜，而第二抗蚀图案可以制作为布置在通道部分上的绝缘膜。
在本发明生产的显示装置中，第二抗蚀图案材料为可以与第一抗蚀图 案混合的有机树脂材料，而第一和第二抗蚀图案的材料是酚醛清漆树脂、 丙烯酸树脂以及这些混合树脂中的任何一种。
在本发明生产的显示装置中，第一抗蚀图案材料可以由导电墨水材料 制成。作为导电墨水材料的实例，可以为金纳米颗粒墨水、银纳米颗粒墨
水、镍纳米颗粒墨水以及ITO浆中的任何一种。
在本发明生产的显示装置中，第一抗蚀图案材料或第二抗蚀图案材料 可以由设置有热固性或光固化性(photocurabilityproperty)的这种结构制 成。
在本发明生产的显示装置中，可以在完成第一蚀刻后，在布置第二抗 蚀图案之前，作为预处理轻微蚀刻第一抗蚀图案。此预处理包括碱性溶液
处理、由02气体进行的灰化处理和YV灯处理中的任何一个。碱性溶液 包括TMAH (氢氧化四甲基铵(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide))、胺
系统溶液和羟基化碱金属水溶液中的任何一种。上述碱性化学溶液可以制 作为混合表面活性材料的结构。
在本发明生产的显示装置中，第一抗蚀图案可以在完成第一蚀刻后， 在布置第二抗蚀图案之前暴露到HMDS的蒸汽中。
在本发明生产的显示装置中，当布置第二抗蚀图案后，去除漂泥或错 误图案的后处理甚至可以在第二蚀刻之前进行。此后处理包括碱性溶液处 理、由02气体进行的灰化处理和YV灯处理中的任何一个。碱性溶液包 括TMAH、胺系统溶液和羟基化碱金属水溶液中的任何一种。
在本发明生产的显示装置中，需要通过利用胶印或密封印刷至少形成 第二抗蚀图案。
在本发明的胶印方法中，优选具有以下特征三个或更多的板侧对准 标记布置在印刷板上，而板侧对准标记布置在产品的图案部分的外部；基 板对准设备和板对准设备布置在印刷基板的相同位置上；对于用于确定第 二抗蚀图案的转印位置的对准标记，使用由第一抗蚀图案形成的基板侧对 准标记；以及三个或更多的基板侧对准标记布置在印刷板上，并且基板侧 对准标记布置在产品的图案部分的外部。
在本发明生产的显示装置中，理想地使滚筒包衬的表面移动速度在胶 印中接近相同，即，在滚筒包衬上形成抗蚀剂的膜时的滚筒包衬的表面移 动速度、在滚筒包衬上形成预转移抗蚀图案时的滚筒包衬的表面移动速 度、以及通过将预转移抗蚀图案接触到印刷基板将第二抗蚀图案转印在印 刷基板上时的滚筒包衬的表面移动速度制作为接近相等。
在本发明生产的显示装置中，理想地在胶印中，图像拉出和转印的这 些处理通过从(1)到(3)的以下点的优先顺序进行
(1)在转移图案包括具有小于10pm宽度的窄图案的情况下，根据 在具有不大于l(Vm宽度的这些窄图案之中的最长图案，通过将图像拉出 方向和转印方向设置为最长图案的伸长方向的相同方向来执行图像拉出 和转印。
(2) 在转移图案不包括具有不大于lO)im宽度的图案的情况下，根 据在具有不大于30)tim宽度的这些图案之中的最长图案，通过将图像拉出 方向和转印方向设置为与最长图案的伸长方向的方向倾斜大约20度来执 行图像拉出和转印。
(3) 在转移图案不包括具有不大于30pm宽度的图案的情况下，根 据不考虑其宽度尺寸的最长图案，通过将图像拉出方向和转印方向设置为 与最长图案的伸长方向的方向倾斜大约45度来进行图像拉出和转印。
在本发明生产的显示装置中，在胶印中，理想地，朝向基板在相同的 方向上转印第一抗蚀图案和第二抗蚀图案，或者朝向基板在相同的方向上 和橡皮滚筒的相同位置上转印第一抗蚀图案和第二抗蚀图案。
在本发明生产的显示装置中，胶印为凸版反转式胶印，且这种结构可 以制作为使板侧对准标记通过利用转印布置在印刷基板上，使得标记形成 于具有凹进图案的负片印模上。
根据本发明的示例优点，通过利用转印方法将第二抗蚀图案布置在第 一抗蚀图案上可以有效地形成高品质图案，以便与设置有第一抗蚀图案的 漏电极和源电极的一部分重叠，且当通过进行第二蚀刻去除半导体膜后， 覆盖设置有通过用第一抗蚀图案作为掩模进行的第一蚀刻形成的数据图 案和接触膜的基板的通道部分。
根据本发明的示例优点在于图案可以通过容易的方法形成，因为抗蚀 图案通过利用转印而不是传统的光刻加工方法形成，所以这些诸如抗蚀剂 涂敷、曝光和显影的传统要求的操作就变为不是必须的。
根据本发明的示例优点在于，通过利用转印方法将第二抗蚀图案布置 在第一抗蚀图案上，以便与设置有第一抗蚀图案的漏电极和源电极的一部 分重叠，且覆盖设置有通过用第一抗蚀图案作为掩模进行的第一蚀刻形成 的数据图案和接触膜的基板的通道部分，且当通过进行第二蚀刻去除半导 体膜后，同时布置伸长为环绕LCD像素区域和框架密封区域之间的LCD 像素区域的第二抗蚀图案，可以生产抑制面板显示不均匀性的高显示质量 的LCD装置。
根据本发明的示例优点在于，通过利用转印方法将第二抗蚀图案布置
在第一抗蚀图案上，以便与设置有第一抗蚀图案的漏电极和源电极的一部 分重叠，并覆盖设置有通过用第一抗蚀图案作为掩模进行的第一蚀刻形成 的数据图案和接触膜的基板的通道部分，且当通过进行第二蚀刻去除半导 体膜后，同时将第二抗蚀图案布置在框架密封区域上，可以生产避免框架
不平整的高显示质量的LCD装置。
根据本发明的示例优点在于，第一隔离抗蚀图案部分不仅可以用作产 品识别标记，而且也可以以其它步骤作为覆盖标记。通过利用转印方法将 第二抗蚀图案布置在第一抗蚀图案上，以便与设置有第一抗蚀图案的漏电 极和源电极的一部分重叠，并覆盖设置有通过用第一抗蚀图案作为掩模进 行的第一蚀刻形成的数据图案和接触膜的基板的通道部分，并通过在转印 后将重叠的抗蚀图案和隔离抗蚀图案设置在基板上，可以产生这些优点。 重叠的抗蚀图案通过将第一抗蚀图案和第二抗蚀图案重叠在通道部分上 获得，而隔离抗蚀图案为第一抗蚀图案不与第二抗蚀图案重叠的一部分。
根据本发明的示例优点在于，第一抗蚀图案和第二抗蚀图案的高重叠 精度可以通过重叠这些隔离抗蚀图案部分并利用其作为掩模来实现。通过 利用转印方法将第二抗蚀图案布置在第一抗蚀图案上，以便与设置有第一 抗蚀图案的漏电极和源电极的一部分重叠，并覆盖设置有通过用第一抗蚀 图案作为掩模进行的第一蚀刻形成的数据图案和接触膜的基板的通道部 分，且同时布置不与第一抗蚀图案重叠的隔离的第二抗蚀图案，从而当转 印后，在基板上提供重叠的抗蚀图案、第二抗蚀图案的隔离部分以及第一 抗蚀图案的隔离部分，可以产生该优点。重叠的抗蚀图案通过将第一抗蚀 图案和第二抗蚀图案重叠在通道部分上获得，而第二抗蚀图案的隔离部分 为第二抗蚀图案不与第一抗蚀图案重叠的一部分，而第一抗蚀图案的隔离 部分为第一抗蚀图案不与第二抗蚀图案重叠的一部分。
根据本发明的示例优点在于，通过用第一蚀刻部分蚀刻形成于基板上 的单层膜或层叠膜，以便通过利用第一抗蚀图案作为掩模保留部分膜，并 当剩余膜用第二蚀刻蚀刻后，通过利用转印方法将第二抗蚀图案布置在第 一抗蚀图案上，以便与部分第一抗蚀图案重叠并从其延伸出来，可以将图 案的边缘形状制作成阶梯状的向前锥形。
根据本发明的示例优点在于，通过利用第一抗蚀图案作为掩模，用第
一蚀刻蚀刻在基板上形成的层叠层膜的上层，并当层叠层膜的下层利用与 第一蚀刻中使用的蚀刻剂不同的蚀刻剂的化学溶液通过第二蚀刻蚀刻后， 通过利用转印方法将第二抗蚀图案布置在第一抗蚀图案上，以便与部分第 一抗蚀图案重叠并从其延伸出来，可以将图案的边缘形状制作成阶梯状的 向前锥形。
根据本发明的示例优点在于，图案的边缘形状可以制作为阶梯状的向 前锥形，以便通过将第二抗蚀图案布置在基板上的第一抗蚀图案上，在平 坦部分处具有不同的长度(其长度包括为零的情况)，其中该基板经过利 用第一抗蚀图案作为掩模的第一蚀刻，且当进行第二蚀刻后，通过利用转 印方法以便与第一抗蚀图案的部分重叠并从其延伸两个或更多个不同的 长度。
根据本发明的示例优点在于，通过采用包含有机溶剂的导电墨水材料 作为第一抗蚀图案材料简化制造步骤，这是因为抗蚀图案可以用作用于数 据图案和栅极图案的金属。
根据本发明的示例优点在于，通过利用包含有机溶剂的导电墨水材料 作为第一抗蚀图案材料形成数据图案，并通过转印布置具有绝缘材料的第 二抗蚀图案，并完成第二蚀刻，此后，不用剥离绝缘材料，使得通道部分 覆盖有第二抗蚀图案，从而用保留在通道部分上的绝缘树脂材料容易地保 护通道部分，可以提高晶体管特性。
根据本发明的示例优点在于，可以通过提高第二抗蚀图案和第一抗蚀 图案以及曝光的基础膜之间的粘附性形成没有蚀刻缺陷的图案。粘附性的 提高可以通过在将第二抗蚀图案布置在基板上之前将基板经过各种处理 来实现。用诸如去除第一抗蚀图案的损坏层、清洗基板表面、以及将基板 的整个表面改变成一致的表面状态而不是去除过程或清洗过程的任何一 个的这种处理，通过利用诸如碱性溶液处理、由02气体进行的灰化处理、 用通过UV灯处理进行的第一轻微抗蚀图案的蚀刻处理、表面活性剂处理
以及对HMDS (六甲基二硅烷基胺)蒸汽的曝光过程的过程，可以处理基 板表面。
根据本发明的示例优点在于，通过利用如碱性溶液处理、由02气体
进行的灰化处理以及uv灯处理的这种处理，通过在蚀刻之前但在转印抗
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蚀图案之后，去除基板上的漂泥和错误图案，可以形成没有蚀刻缺陷的图 根据本发明的示例优点在于，通过在负片印模上提供三个或更多的板
侧对准标记，使得对准可以对x-轴、Y-轴和e-轴的方向进行，同时当将
第二抗蚀图案布置在基板上时，将对准标记布置在TFT图案部分的外部， 以使TFT图案的对准偏差小，可以将第二抗蚀图案以其位置精确地布置。
根据本发明的示例优点在于第一抗蚀图案和第二抗蚀图案的重叠精 度可以通过其上转印第二抗蚀图案的基板确认。通过将板侧对准标记设置 到具有凹进图案的负片印模上以将其转印到印刷基板上，并进一步将基板 对准设备和板对准设备的安装位置设置到关于相同位置的印刷基板上，从 而结合由第一抗蚀图案形成的基板侧对准标记，可以获得该优点。
根据本发明的示例优点在丁，通过利用由作为用于确定第二抗蚀图案 的转印位置的对准标记的第一抗蚀图案制成的基板侧对准标记，第二抗蚀 图可以与第一抗蚀图案以高位置精度重叠。
根据本发明的示例优点在于，通过在印刷基板上提供三个或更多的基 板侧对准标记，使得对准可以关于X-轴、Y-轴和e-轴的方向进行，同时 当将第二抗蚀图案布置在基板上时，将对准标记布置在TFT图案的外部， 以使TFT图案的对准偏差小，可以将第二抗蚀图案以其位置精确地布置。
根据本发明的示例优点在于在基板的整个表面上实现稳定的转印。通 过使滚筒包衬的表面移动速度以每个步骤都接近相同地进行获得该优点， 即，在滚筒包衬上形成抗蚀剂的膜时的滚筒包衬的表面移动速度、在滚筒 包衬上形成预转移抗蚀图案时的滚筒包衬的表面移动速度、以及通过将预 转移抗蚀图案接触到印刷基板将第二抗蚀图案转印在印刷基板上时的滚 筒包衬的表面移动速度制作为接近相等。因为在滚筒包衬的每个位置上的 抗蚀图案存在有相同的周期，因此溶剂量和抗蚀剂的粘性变得相等，并因 此使转印变得稳定。
根据本发明的示例优点在于，微细图案可以通过对于图像拉出和转印 方向以其优先顺序选择以下决定制作项目[1]到[3]进行印刷。在转移图案包括具有小于10pm宽度的窄图案的情况下，根据在具 有不大于l(Hmi宽度的这些窄图案之中的最长图案，通过将图像拉出方向
和转印方向设置为最长图案的伸长方向的相同方向来执行图像拉出和转印。在转移图案不包括具有不大于l(Him宽度的图案的情况下，根据在 具有不大于30pm宽度的这些图案之中的最长图案，通过将图像拉出方向 和转印方向设置为与最长图案的伸长方向的方向倾斜大约20度来执行图 像拉出和转印。在转移图案不包括具有不大于30pm宽度的图案的情况下，根据不 考虑其宽度尺寸的最长图案，通过将图像拉出方向和转印方向设置为与最 长图案的伸长方向的方向倾斜大约45度来进行图像拉出和转印。
根据本发明的示例优点在于，当待转印在基板上的抗蚀剂材料没有被 给出感光性时，与当使用感光树脂时相比，因为材料的过程参数可以降低， 所以图案成形可以以便于操作的稳定性进行。
根据本发明的示例优点在于通过选择待混合的抗蚀剂材料以及过程 条件，使得第一抗蚀图案的抗蚀剂材料和第二抗蚀图案的抗蚀剂材料彼此 混合，可以提高抗蚀性。
根据本发明的示例优点在于，因为可以忽略由固定架的直接前进等造 成的图案变形，所以通过利用胶印机朝向基板在相同的方向上转印第一抗 蚀图案和第二抗蚀图案，可以提高第一抗蚀图案和第二抗蚀图案的重叠精 度。
根据本发明的示例优点在于，因为除了可以忽略由固定架的直接前进 等造成的图案变形外，还可以忽略由橡皮滚筒的粗糙度等造成的图案变 形，所以通过利用胶印机以及进一步利用橡皮滚筒的相同位置在相同的方 向上朝着基板转印第一抗蚀图案和第二抗蚀图案，可以提高第一抗蚀图案 和第二抗蚀图案的重叠精度。
根据本发明的示例优点在于，因为除了可以忽略由橡皮滚筒的粗糙度 等造成的图案变形和由固定架的直接前进等造成的图案变形外，还可以忽 略由滚筒包衬的厚度变化的粗糙度等造成的图案变形，所以通过利用胶印 机以及进一步利用橡皮滚筒的相同位置、且同时利用相同的滚筒包衬的相 同位置，朝向基板在相同的方向上转印第一抗蚀图案和第二抗蚀图案，可 以提高第一抗蚀图案和第二抗蚀图案的重叠精度。
根据本发明，如前所述，因为第二抗蚀图案通过转印布置在基板上， 所以不通过背景技术说明的各种技术布置的隔离的第一抗蚀图案和第二 抗蚀图案可以容易地以可选尺寸、可选形状和可选位置的高自由度布置。 因此，通过有效地结合用于抗蚀剂掩模的成形和蚀刻、并通过利用这种图 案成形方法可以形成具有高自由度的图案，并且可以提供电子部件，具体 地，提供以高生产率和质量生产的显示装置。
虽然已经参照其示例实施例具体显示和说明了本发明，但本发明不局 限于这些实施例。应当理解在不脱离由权利要求所限定的发明的范围和精 神的前提下，本领域的熟练技术人员可以在此做出形式和细节上的各种改 变。
此外，即使在申请期间修改权利要求，本发明者的发明也保留主张的 发明的等效形式。
权利要求
1. 一种电子部件的制造方法，包括步骤通过利用第一抗蚀图案作为第一掩模进行第一蚀刻；转印第二抗蚀图案，以便重叠在所述第一抗蚀图案的至少一部分上，并从该第一抗蚀图案延伸出来；以及通过利用所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案作为第二掩模进行第二蚀刻。
2. 根据权利要求l所述的电子部件的制造方法，其中转印所述第二抗 蚀图案，以连接两个或更多个所述第一抗蚀图案。
3. —种通过利用薄膜晶体管的制造方法制造显示装置的方法，包括 步骤对设置有栅极图案的基板和绝缘膜、半导体膜、接触膜和上层金属膜 以此顺序层叠在该基板上的膜进行第一蚀刻，以便至少去除所述上层金属 膜和所述接触膜，从而形成所述晶体管的通道部分和包括漏电极、源电极、数据端子和数据配线的数据图案；至少将第二抗蚀图案转印在位于所述通道部分的两侧部分上的所述 第一抗蚀图案上，并覆盖所述通道部分；以及通过利用所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案作为第二掩模进行 第二蚀刻，以去除所述半导体膜，用于露出所述绝缘膜，从而将所述半导 体膜处理成岛状图案。
4. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中所述第二抗蚀图案布置为覆盖至少一部分所述数据配线和/或所述数据端子并从其延伸出 来，并进行所述第二蚀刻，以使所述数据配线和/或所述数据端子以及所 述半导体膜的横截面形成为阶梯状形状。
5. —种通过利用薄膜晶体管的制造方法制造显示装置的方法，包括步骤用第一抗蚀图案作为第一掩模进行第一蚀刻，以部分去除组成数据图 案的膜；转印第二抗蚀图案，以至少覆盖一部分所述第一抗蚀图案，并从所述第一抗蚀图案延伸出来；以及通过利用所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案作为第二掩模进行 第二蚀刻，以去除组成所述数据图案的所述膜，从而使所述数据图案具有 阶梯状形状的横截面。
6. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中所述第二抗蚀图 案布置为在所述薄膜晶体管的显示像素区域和所述显示像素区域周围的 框架密封区域之间延伸，以环绕所述显示像素区域。
7. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中所述第二抗蚀图 案形成于环绕所述薄膜晶体管的显示像素区域的框架密封区域中。
8. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中所述第二抗蚀图 案包括不与所述第一抗蚀图案重叠的第一隔离图案，而所述第一抗蚀图案 包括不与所述第二抗蚀图案重叠的第二隔离图案，从而形成具有所述第一 和第二隔离图案的一对重叠标记。
9. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中所述第一抗蚀图 案包括不与所述第二抗蚀图案重叠的隔离图案，以及用于识别产品的标记 通过所述隔离图案形成。
10. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中在完成所述第 二蚀刻后，所述第一抗蚀图案保留在所述薄膜晶体管上，而将所述第二抗 蚀图案从所述薄膜晶体管去除。
11. 根据权利要求10所述的制造显示装置的方法，其中所述第一抗蚀图案为用于组成至少一部分所述数据图案的导电膜。
12. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中在完成所述第 二蚀刻后，所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案一起保留在所述薄膜晶 体管上。
13. 根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其中所述第一抗蚀 图案为用于组成至少一部分所述数据图案的导电膜，而所述第二抗蚀图案 为布置在所述通道部分上的绝缘膜。
14. 根据权利要求ll所述的制造显示装置的方法，其中所述第一抗蚀 图案为导电墨水材料。
15. 根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其中所述第一抗蚀 图案材料为导电墨水材料，而所述第二抗蚀图案材料为绝缘树脂的墨水材料。
16. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，进一步包括进行后 处理的步骤，所述后处理包括碱性溶液处理、通过02气体进行的灰化处理 和UV灯处理中的至少一个。
17. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中所述第一抗蚀 图案通过利用所述转印形成。
18. 根据权利要求3所述的制造显示装置的方法，其中所述转印步骤 包括胶印或密封印刷。
19. 根据权利要求18所述的制造显示装置的方法，其中执行所述胶 印，使得由所述第一抗蚀图案形成的基板侧对准标记用作对准标记，所述 对准标记用于确定所述第二抗蚀图案的转印位置。
20. 根据权利要求18所述的制造显示装置的方法，其中执行所述胶 印，使得所述第一抗蚀图案和所述第二抗蚀图案朝向所述基板在相同的方 向上被转印。
全文摘要
本发明的一种电子部件或显示装置可以通过利用以下图案成形方法提供。在用第一抗蚀图案作为第一掩模的第一蚀刻所处理的基板上，第二抗蚀图案转印在第一抗蚀图案上，以便与第一抗蚀图案部分重叠，并从第一抗蚀图案部分延伸。然后，通过利用第一抗蚀图案和第二抗蚀图案作为第二掩模进行第二蚀刻。第一抗蚀图案和第二抗蚀图案用于形成配线和/或端子，而第二抗蚀图案的延伸部分用于使配线具有阶梯状边缘形状的横截面。
文档编号H01L21/00GK101378012SQ20081021513
公开日2009年3月4日 申请日期2008年9月1日 优先权日2007年8月31日
发明者铃木圣二 申请人:Nec液晶技术株式会社