共模扼流圈及其制造方法

专利名称：共模扼流圈及其制造方法
技术领域：
本发明涉及共模扼流圈及其制造方法，更具体地说，涉及一种增大 了针对差分模式信号的截止频率的共模扼流圈及其制造方法。
背景技术：
近来，作为高速信号传输接口， USB 2.0标准和IEEE 1394标准已变 得很普及。这些接口被用在诸如个人计算机和数字摄像机的各种数字设 备中。USB 2.0标准和正EE 1394标准接口采用了与迄今为止通常使用的 单端传输系统不同的差分信号系统，在这种差分系统中，使用一对数据 线来传输差分信号(差分模式信号)。
这种差分传输系统具有良好的特性，使得从数据线生成的辐射电磁 场小于单端传输系统中的辐射电磁场，并且其几乎不受外源噪声的影响。 因此，容易最小化信号的幅度，并且可以通过因小幅度而縮短上升时间 和下降时间，而按照比单端传输系统更高的速度进行信号传输。
图12是常规差分传输电路的电路图。
图12所示的差分传输电路包括 一对数据线2和4;用于向这一对 数据线2和4供应差分模式信号的输出缓冲器6;以及用于从这一对数据 线2和4接收差分模式信号的输入缓冲器8。依据这种构造，要提供给输 出缓冲器6的输入信号IN经由数据线2和4被传输至输入缓冲器8，并 且再现为输出信号OUT。该差分传输电路具有使数据线2和4所生成的 辐射电磁场较小的特性。然而，当公共噪声(共模噪声)叠加在数据线2 和4上时，就生成了相对较大的辐射电磁场。为了减小因共模噪声而生 成的辐射电磁场，如图12所示，在数据线2和4中插入共模扼流圈10 是很有效的。
共模扼流圈10具有针对在数据线2和4上传输的差分分量(差分模
4式信号)的阻抗较低，而针对同相分量(共模噪声)的阻抗较高的特性。 因此，通过在数据线2和4中插入共模扼流圈10，可以在基本上不衰减
该差分模式信号的情况下，拦截在这一对数据线2和4上传输的共模噪 声。已知一种例如在日本专利申请特开No. H8-203737中描述的层压共模 扼流圈。
近来，对于共模扼流圈来说，需要高速低损耗的信号传输特性。为 了实现这种特性，加宽构成共模扼流圈的螺旋导体的导体宽度非常有效。 然而，如果螺旋导体的导体宽度变宽，则一对螺旋导体之间的寄生电容 会相应地增大。随着要传输的信号的频率增大，螺旋导体之间的寄生电 容对信号质量的影响显著。因此，当要传输的信号的频率较高时，必须 要减小螺旋导体之间的寄生电容。
减小螺旋导体之间的寄生电容的最简单方法是增大螺旋导体之间的 距离，并使用低介电常数的树脂作为设置在螺旋导体之间的绝缘层的材 料。然而，如果简单地增大螺旋导体之间的距离，则芯片的高度会增大， 这与低高度要求是矛盾的。而且，在使用树脂材料作为绝缘层的材料时， 树脂绝缘层是根据旋涂方法来形成的。因此，为了增大螺旋导体之间的 距离，同时确保足够的平坦度，需要在螺旋导体之间进行多次旋涂，从 而增加了步骤数。
因此，要增大螺旋导体之间的距离时，最好采用在螺旋导体之间设 置引出导体的结构，如在日本专利申请特开No. H8-203737中的图14中 所描述的。即，通过将一直以来设置在螺旋导体的上方和下方的引出导 体设置在螺旋导体之间，可以增大螺旋导体之间的距离，而不会增加绝 缘层数。
然而，如果将引出导体设置在螺旋导体之间，则一对引出导体之间 的距离变短并且这些引出导体彼此相邻，造成耐压降低，并且在某些情 况下可能发生短路。这种问题在螺旋导体为圆形时变得尤其显著。图13 是说明示意平面图，其中，图13A表示了当螺旋导体为方形时形成引出 电极的位置，而图13B和13C表示了当螺旋导体为圆形时形成引出电极 的位置。如图13所示，螺旋导体102经由位于其内周端102a处的通孔(未 示出)连接至引出导体112。同样，螺旋导体104经由位于其内周端104a 处的通孔(未示出)连接至引出导体114。为了足够地增大引出导体112 与114之间的距离，螺旋导体102和104的内周端102a和104a的位置需 要彼此足够远离。这时，如图13A所示，当螺旋导体102和104为方形 时，通过将内周端102a与104a之间的距离设置成与螺旋导体102和104 的内周直径相对应的距离D1，螺旋导体102和104的内周中的匝数差变 为1/4匝。
另一方面，如图13B所示，当螺旋导体102和104为圆形时，如果 将内周端102a与104a之间的距离设置成与螺旋导体102和104的内周 直径相对应的距离D2，则螺旋导体102和104的内周中的匝数差变为1/2 匝。即，与螺旋导体102和104为方形的情况相比，匝数差增大了。
因而，当螺旋导体102和104为圆形时，对称特性很可能由于内周 端102a与104a之间的平面位置差而被破坏。因此，当螺旋导体102和 104为圆形时，更加需要使内周端102a和104a的平面位置彼此靠近。例 如，为了将螺旋导体102和104的内周中的匝数差设置成与图13A中相 同(1/4)，如图13C所示，需要显著减小内周端102a与104a之间的距离。 结果，不可避免地减小了引出导体112与114之间的距离D3，由此很可 能发生耐压降低和短路。
这种问题不限于弓I出导体设置在螺旋导体之间的情况，而通常在一 对引出导体形成在同一绝缘层上时发生。

发明内容
为解决上述问题而完成本发明，因此，本发明的一个目的是提供一 种共才莫扼流圈及其制造方法，其中，同一绝缘层上形成有一对引出导体， 同时增大其间的耐压。
本发明的上述和其它目的可以通过一种共模扼流圈来实现，该共模 扼流圈包括第一端电极和第二端电极；包括至少第一绝缘层到第三绝 缘层的多个层压绝缘层；形成在第一绝缘层上的第一螺旋导体；形成在第二绝缘层上的第二螺旋导体；第一引出导体，其形成在第三绝缘层上， 用于将第一螺旋导体的内周端连接至第一端电极；以及第二引出导体， 其形成在第三绝缘层上，用于将第二螺旋导体的内周端连接至第二端电 极。在第三绝缘层的覆盖有第一引出导体的第一部分与第三绝缘层的覆 盖有第二引出导体的第二部分之间设置有一凹部，并且该凹部嵌入有与 第三绝缘层不同的另一绝缘层。"另一绝缘层"可以是第一绝缘层或第二 绝缘层，或者是与第一绝缘层到第三绝缘层不同的第四绝缘层。
根据本发明，因为在形成有第一引出导体和第二引出导体的部分中 第三绝缘层是不平坦的，所以，第一引出导体与第二引出导体之间的沿 第三绝缘层的表面的距离增大。因此，由于很难形成因沿第三绝缘层的 表面的离子迁移而生成的电流路径，所以即使引出导体之间的平面距离 很短，也可以获得高耐压。
在本发明中，优选的是，第三绝缘层被定位在第一绝缘层与第二绝 缘层之间。依据这种构造，可以增大螺旋导体之间的距离，而不会增加 绝缘层数。
在本发明中，优选的是，该凹部被设置在第一引出导体与第二引出 导体之间的平面距离变为最短的至少一部分中。依据这种构造，可以增 大耐压最不足的部分中的耐压。
在本发明中，优选的是，第一螺旋导体和第二螺旋导体是圆形的。 当螺旋导体是圆形时，引出导体趋于彼此邻近，因此，本发明的应用意 义很大。在本发明中，"圆形"是包括近似正圆形、椭圆形以及带有直线 部分的大体圆形的概念。
在本发明中，优选的是，至少第三绝缘层由感光性绝缘树脂制成。 依据这种构造，可以容易地将该凹部形成在第一部分与第二部分之间。 具体来说，当采用在第一绝缘层到第三绝缘层中设置有开口并且在该开 口内部设置有磁性材料的结构时，需要用于形成该开口的曝光和显影步 骤。因此，可以在不增加步骤的情况下形成该凹部。
根据本发明的共模扼流圈优选地还包括连接在第一端电极与第一
引出导体之间的第三螺旋导体；以及连接在第二端电极与第二引出导体之间的第四螺旋导体。依据这种构造，可以消除因传输线路中插入电容 性元件而造成的阻抗失配。而且，第一螺旋导体和第三螺旋导体经由第 一引出导体串联连接，而第二螺旋导体和第四螺旋导体经由第二引出导
体串联连接。因此，可以减少第三螺旋导体与另一螺旋导体之间的磁耦 合以及第四螺旋导体与另一螺旋导体之间的磁耦合。
根据本发明的制造方法是一种共模扼流圈的制造方法，该共模扼流 圈包括层压的第一螺旋导体和第二螺旋导体、第一端电极和第二端电 极、用于将第一螺旋导体的内周端连接至第一端电极的第一引出导体， 以及用于将第二螺旋导体的内周端连接至第二端电极的第二引出导体。 该制造方法包括以下步骤形成感光性绝缘树脂；通过对该感光性绝缘 树脂进行曝光和显影来形成具有开口和凹部的绝缘层；将第一引出导体 和第二引出导体形成在该绝缘层上，使它们经由该凹部彼此相对；用另 一绝缘层嵌入该凹部；以及在该开口中设置磁性材料。
根据本发明，因为该凹部是利用用于形成开口的曝光和显影同时形 成的，所以可以制造出增大了耐压的共模扼流圈，而不会增加步骤。
如上所述，根据本发明，因为可以增大这一对引出导体之间的耐压， 所以可以提供非常可靠的共模扼流圈。


通过结合附图来参照本发明的下列详细描述，本发明的上述和其它 目的、特征以及优点将变得更清楚，附图中
图1是示出根据本发明第一实施方式的共模扼流圈的构造的示意立 体图2是层结构的示意分解立体图3是示出图2所示区域X的示例的示意截面图4是示出图2所示区域X的另一示例的示意截面图5是示出图2所示区域X的另一示例的示意截面图6是示出图2所示区域X的另一示例的示意截面图7是示出图2所示区域X的另一示例的示意截面图；图8是示出图2所示区域X的另一示例的示意截面图9是示出根据本实施方式的共模扼流圈100的制造步骤的流程图;
图IO是示出层结构的修改例的示意分解立体图11是示出层结构的另一修改例的示意分解立体图12是常规差分传输电路的电路图；而
图13是说明性示意平面图，其中图13A表示当螺旋导体为方形时形 成引出电极的位置，而图13B和13C表示当螺旋导体为圆形时形成引出 电极的位置。
具体实施例方式
下面将参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。 图1是示出根据本发明第一实施方式的共模扼流圈100的构造的示 意立体图。
如图1所示，根据第一实施方式的共模扼流圈为薄膜型，并且包括 第一和第二磁性基板(磁性层)IIA和IIB，和介于第一和第二磁性基板 11A禾n IIB之间的层结构12。在由第一磁性基板IIA、层结构12以及第 二磁性基板11B形成的层压主体的外周上形成有端电极14a到14d。
第一和第二磁性基板11A和11B物理地保护了层结构12并且还扮 演了共模扼流圈的闭合磁路的角色。作为第一和第二磁性基板IIA和11B 的材料，可以使用烧结铁素体、合成铁素体(包含粉状铁素体的树脂) 等。
图2是层结构12的示意分解立体图。
如图2所示，层结构12是通过根据薄膜形成技术层压多个层而形成 的，并且包括第一到第四树脂绝缘层15A到15D、充当实际共模扼流圈 的第一和第二螺旋导体21和22，以及第一到第四引出导体31到34。第 一实施方式中的层结构12具有设置在第一树脂绝缘层15A到第四树脂绝 缘层15D之间的三层构造导电层。
第一到第四树脂绝缘层15A到15D使各个导体之间或导体图案与磁 性基板之间绝缘，并且还有确保形成有该导体图案的平面的平坦度的作用。具体来说，第一和第四树脂绝缘层15A和15D缓和了第一和第二磁 性基板11A和11B的表面粗糙度，从而增大了导电图案的粘度 (adhesiveness)。尽管没有特别限定，但优选的是使用具有卓越的电和磁 绝缘性质和良好加工性能的树脂材料，如聚酰亚胺树脂和环氧树脂，作 为树脂绝缘层15A到15D。
在第一和第二螺旋导体21和22的内部中心区中设置有贯穿第一到 第四树脂绝缘层15A到15D的开口 25。在开口 25内部设置有磁性材料 制成的用于在第一磁性基板11A与第二磁性基板11B之间形成闭合磁路 的磁体26。可以将诸如合成铁素体的磁性材料用于磁体26。
第一螺旋导体21设置在第二树脂绝缘层15B上。第一螺旋导体21 由诸如Cu的金属材料制成。第一螺旋导体21的外周侧上的一端经由引 出导体连接至端电极14a。另一方面，第一螺旋导体21的内周侧上的一 端经由贯穿第二树脂绝缘层15B的接触孔24a和引出导体连接至端电极 14c。
第二螺旋导体22设置在第三树脂绝缘层15C上。第二螺旋导体22 也由诸如Cu的金属材料制成，并且具有与第一螺旋导体21相同的平面 形状。因为第二螺旋导体22设置在与第一螺旋导体21相同的位置上， 如在平面图中看到的，并且完全交叠在第一螺旋导体21上，所以在第一 螺旋导体21与第二螺旋导体22之间发生了强烈的磁耦合。第二螺旋导 体22的外周侧的一端经由引出导体连接至端电极14b。另一方面，第二 螺旋导体22的内周侧的一端经由贯穿第三树脂绝缘层15C的接触孔24b 和引出导体连接至端电极14d。
如图2所示，第一和第二引出导体31和32形成在同一树脂绝缘层 15B上。因此，第一和第二引出导体31和32彼此靠近，从而它们之间 的平面距离不可避免地变得非常短，造成了不足的耐压。具体来说，在 靠近接触孔24a和24b的区域X中，第一和第二引出导体31和32不能 彼此远离，因此，这个区域中的耐压变得最不足。
图3是图2所示区域X的示意截面图。图3中省略了螺旋导体21 和22 (图4到8中也省略了)。如图3所示，在树脂绝缘层15B的覆盖有第一引出导体31的第一部 分51与树脂绝缘层15B的覆盖有第二引出导体32的第二部分52之间形 成有凹部(或切口) 53。上树脂绝缘层15C嵌入在凹部53内，因此在第 一部分51与第二部分52之间出现了另一绝缘层。
因而，形成有引出导体31与32的部分中的树脂绝缘层15B不是平 坦的，而是具有凹凸形状。结果，因为引出导体31与32之间沿树脂绝 缘层15B的表面的距离变长，所以很难形成因沿树脂绝缘层15B的表面 的离子迁移而生成的电流路径。因此，尽管平面距离非常短，但也可以 获得高耐压。
凹部53可以形成在引出导体31与32之间的整个区域上方；然而， 优选的是，将该凹部至少设置在引出导体31与32之间的平面距离变得 最短的部分中。依据这种结构，可以增大耐压最不足的部分中的耐压。
在图3所示示例中，仅在第一部分51与第二部分52之间形成了一 个凹部53。然而，如图4所示，它们之间可以存在两个凹部53。依据这 种构造，因为引出导体31与32之间沿树脂绝缘层15B的表面的距离变 得更长，所以可获得更高的耐压。
而且，在图3所示示例中，凹部53的宽度比引出导体31与32之间 的距离要窄；然而，如图5所示，凹部53的宽度可以和引出导体31与 32之间的距离近似相等。可以通过以引出导体31和32作为掩模回蚀(etch back)树脂绝缘层15B来获得这种结构。
而且，在图3所示示例中，树脂绝缘层15C被嵌入凹部53内；然而， 如图6所示，可以是这样的结构，即，将另一树脂绝缘层15E置于树脂 绝缘层15B与15C之间，并且将树脂绝缘层15E嵌入凹部53内。依据 这种结构，因为在树脂绝缘层15C的表面上很难反映出因凹部53而造成 的凹凸形状，所以可增大其上形成有螺旋导体22的树脂绝缘层15C的平 坦度。
而且，在图3所示示例中，凹部53没有贯穿树脂绝缘层15B;然而， 如图7所示，在树脂绝缘层15B下面设置了另一树脂绝缘层15F，并且 凹部53可以贯穿树脂绝缘层15B。依据这种结构，可以进一步增大引出导体31与32之间沿树脂绝缘层15B(和树脂绝缘层15F)的表面的距离， 而不会影响形成在树脂绝缘层15A上的螺旋导体21 。
在这种情况下，如图8所示，在树脂绝缘层15F中也设置有凹部54， 由此能够作为整体增大凹部53和54的深度。依据这种结构，可以进一 步增大引出导体31与32之间沿树脂绝缘层15B (和树脂绝缘层15F)的 表面的距离，由此能够获得更高的耐压。
因而，尽管引出导体31与32之间的平面距离非常短，但根据本发 明的共模扼流圈100也可以获得高耐压。而且，在第一螺旋导体21与第 二螺旋导体22之间设置有多个树脂绝缘层15B和15C (以及树脂绝缘层 15E和15F (参见图6到8))。因此，确保了第一螺旋导体21与第二螺 旋导体22之间的距离。因此，减小了第一螺旋导体21与第二螺旋导体 22之间生成的寄生电容，由此能够增大针对差分模式信号的截止频率。
尽管没有特别限定，但优选的是，置于第一螺旋导体21与第二螺旋 导体22之间的树脂绝缘层15B和15C (以及树脂绝缘层15E和15F)的 总厚度大于等于10pm,更优选的是，大约为20jim。因此，由于充分减 小了寄生电容，所以例如截止频率可以大于等于5GHz。
接下来，对根据本实施方式的共模扼流圈100的制造方法进行说明。 图9是示出根据本实施方式的共模扼流圈100的制造步骤的流程图。 首先，制备第一磁性基板11A (步骤S1)。作为第一磁性基板11A， 优选的是，使用能够同时形成多个芯片的圆片状基板。在磁性基板11A 上旋涂感光性树脂(例如，感光性聚酰亚胺树脂)(步骤S2)，随后对其 进行曝光和显影(步骤S3)，由此形成带开口 25的第一树脂绝缘层15A。 通过蒸发方法或溅射方法形成基础(underlying)导电层，并且以该基础 导电层作为馈电电极进行电镀，由此在第一树脂绝缘层15A上形成第一 螺旋导体21 (步骤S4)。在这种情况下，可以在基础导电层的整个表面 上形成树脂，并且可以在通过光刻法对预定区域中的基础导电层进行曝 光之后进行电镀。另选的是，可以在根据光刻法对基础导电层进行构图 之后进行电镀。通过重复执行这些步骤S2到S4，形成了图2所示的层结 构12。在形成第二树脂绝缘层15B时，可以通过对感光性树脂进行曝光和
显影而同时形成开口 25和凹部53。如果凹部53的深度被设置成没有贯 穿树脂绝缘层15B的深度(参见图3)，则可以将在曝光时要使用的掩模 的开口宽度设置得充分窄。如果掩模的开口宽度被设窄，则该区域中的 感光性树脂的上部变成未固化状态而其下部变成固化状态。因此，可以 形成深度并未贯穿树脂绝缘层15B的凹部53。
而且，在形成第三树脂绝缘层15C时，因为将未固化感光性树脂嵌 入凹部53内，所以凹部53中很难存在任何空腔。
在第一磁性基板IIA上形成层结构12之后，将磁体26嵌入开口 25 中(歩骤S5)，并将第二磁性基板11B粘附于其上(步骤S6)。在通过切 割将该基板划分成单独芯片之后，形成端电极14a到14d (步骤S7)，由 此完成了根据本实施方式的共模扼流圈100。
为了在旋涂感光性树脂时获得高平坦度，需要将涂覆溶液的粘度调 节得足够低。结果，可以通过一次旋涂形成的树脂绝缘层的厚度被限制 成大约几微米。因此，为了将第一螺旋导体21与第二螺旋导体22之间 的距离设置成大于等于10 pm (例如，大约20(im)，需要在第一螺旋导 体21与第二螺旋导体22之间形成多个树脂绝缘层。即，需要多次进行 旋涂。在这种情况下，如图6到8所示，可以添加其它树脂绝缘层15E 和15F。
在本实施方式中，第一螺旋导体21和第二螺旋导体22为圆形；然 而，本发明不限于此。如图10所示，螺旋导体可以为方形。而且，如图 ll所示，可在树脂绝缘层15A上添加第三螺旋导体41，并且可以在树脂 绝缘层15C上添加第四螺旋导体42。
第三螺旋导体41没有与另一螺旋导体磁耦合，并且其内周端经由贯 穿第一树脂绝缘层15B的接触孔24c连接至第一引出导体31。 gp，第三 螺旋导体41经由第一引出导体31串联连接至第一螺旋导体21。第三螺 旋导体41的外周端连接至端电极14c。
第四螺旋导体42同样没有与另一螺旋导体磁耦合，并且其内周端经 由贯穿第三树脂绝缘层15C的接触孔24d连接至第二引出导体32。艮卩，第四螺旋导体42经由第二引出导体32串联连接至第二螺旋导体22。第 四螺旋导体42的外周端连接至端电极14d。
可以通过添加这种螺旋导体41和42来调节特性阻抗。gp，在诸如 HDMI (高清晰多媒体接口 )的高速接口中，因为IC本身的结构易受ESD (静电放电)影响，所以在对它进行测量时，通常将诸如变阻器或齐纳 二极管的电容性元件插入到传输线路中。然而，如果将电容性元件插入 到传输线路中，则存在的问题是，在传输线路上传输的信号，特别是高 频(200MH或更高)或高速脉冲信号被反射和衰减。这是因为当把电容 性元件插入到传输线路中时，传输线路中插入电容性元件的位置处的特 性阻抗因该电容性元件中包括的电容分量而下降，由此造成该位置处的 阻抗失配。
可以利用图ll所示的共模扼流圈来解决这种阻抗失配。而且，因为 第三螺旋导体41与第四螺旋导体42具有近似线对称关系，所以图11所 示共模扼流圈可以减小这些螺旋导体42之间的电感差，从而可靠地实现 对特性阻抗下降的抑制。
而且，第一螺旋导体21和第三螺旋导体41在其内周端处彼此连接， 同样，第二螺旋导体22与第四螺旋导体42在其内周端处彼此连接。因 此，为了彼此连接这些螺旋导体，这些螺旋导体需要经过形成在另一层 中的引出导体31或32，因此，用于连接这些螺旋导体的配线距离不可避 免地变长。因此，第一螺旋导体21与第二螺旋导体22之间的磁耦合在 这个部分中显著地降低。在图11所示示例中，因为第三螺旋导体41和 第四螺旋导体42被设置在磁耦合显著降低的部分中，所以能够可靠地抑 制第一和第二螺旋导体21和22与第三和第四螺旋导体41和42之间的 磁耦合。
本发明绝不限于前述实施方式，而是可以在如权利要求中陈述的本 发明的范围内进行各种修改，自然，这些修改例被包括在本发明的范围 内。
例如，在本实施方式中，旋涂感光性树脂，然后曝光和显影，由此 形成带开口和凹部的树脂绝缘层。然而，用于在树脂绝缘层中形成开口和凹部的方法不限于此。例如，可以在通过旋涂形成树脂绝缘层之后， 形成感光性树脂，并以此作为掩模来进行刻蚀，从而在树脂绝缘层中形 成开口和凹部。另选的是，可以在通过旋涂形成树脂绝缘层之后，照射 激光束从而在该树脂绝缘层中形成开口和凹部。而且，绝缘层的材料不 限于树脂材料，而是可以使用其它绝缘材料。
而且，在本实施方式中，引出导体31和32位于一对螺旋导体21和 22之间；然而，本发明不限于这种构造。因此，引出导体31和32可以 位于螺旋导体21下方，或螺旋导体22上方。然而，如果引出导体31和 32位于螺旋导体21与22之间，则可以增大螺旋导体21与22之间的距 离，同时减小整体厚度。
而且，在本实施方式中，开口25设置在树脂绝缘层15A到15D中， 并且磁体26插入在其中。然而，在本发明中，设置这些开口和磁体不是 必须的。
权利要求
1、一种共模扼流圈，该共模扼流圈包括第一端电极和第二端电极；包括至少第一绝缘层到第三绝缘层的多个层压绝缘层；形成在第一绝缘层上的第一螺旋导体；形成在第二绝缘层上的第二螺旋导体；第一引出导体，其形成在第三绝缘层上，用于将第一螺旋导体的内周端连接至第一端电极；以及第二引出导体，其形成在第三绝缘层上，用于将第二螺旋导体的内周端连接至第二端电极，其中，第三绝缘层在覆盖有第一引出导体的第一部分与覆盖有第二引出导体的第二部分之间设置有一凹部，并且该凹部嵌入有与第三绝缘层不同的另一绝缘层。
2、 根据权利要求l所述的共模扼流圈，其中，第三绝缘层被定位在 第一绝缘层与第二绝缘层之间。
3、 根据权利要求l所述的共模扼流圈，其中，该凹部被设置在第一 引出导体与第二引出导体之间的平面距离变为最短的至少一部分中。
4、 根据权利要求l所述的共模扼流圈，其中，第一螺旋导体和第二 螺旋导体是圆形的。
5、 根据权利要求l所述的共模扼流圈，其中，至少第三绝缘层由感 光性绝缘树脂制成。
6、 根据权利要求l所述的共模扼流圈，其中，这多个层压绝缘层具 有嵌入了磁性材料的开口。
7、 根据权利要求1到6中任意一项所述的共模扼流圈，该共模扼流 圈还包括-连接在第一端电极与第一引出导体之间的第三螺旋导体；以及 连接在第二端电极与第二引出导体之间的第四螺旋导体。
8、 一种共模扼流圈的制造方法，该共模扼流圈包括层压的第一螺旋导体和第二螺旋导体、第一端电极和第二端电极、用于将第一螺旋导 体的内周端连接至第一端电极的第一引出导体，以及用于将第二螺旋导 体的内周端连接至第二端电极的第二引出导体，该制造方法包括以下步 骤形成感光性绝缘树脂；通过对该感光性绝缘树脂进行曝光和显影来形成具有开口和凹部的绝缘层；将第一引出导体和第二引出导体形成在该绝缘层上，使它们经由该 凹部彼此相对；用另一绝缘层嵌入该凹部；以及 在该幵口中设置磁性材料。
全文摘要
本发明涉及共模扼流圈及其制造方法。该共模扼流圈包括形成在树脂绝缘层上的两个引出导体，并且在该树脂绝缘层中的覆盖有这两个引出导体中的一个引出导体的第一部分与覆盖有另一个引出导体的第二部分之间的区域中形成有一凹部。上树脂绝缘层嵌入该凹部内。因此，由于树脂绝缘层在形成有引出导体的部分中是不平坦的，所以这两个引出导体之间沿该树脂绝缘层的表面的距离增大。因此，很难形成因沿该绝缘层的表面的离子迁移而生成的电流路径，由此，即使这两个引出导体之间的距离变短，也能够获得高耐压。
文档编号H01F27/32GK101441922SQ20081021535
公开日2009年5月27日 申请日期2008年9月5日 优先权日2007年9月7日
发明者伊藤知一, 西川朋永 申请人:Tdk株式会社