专利名称：多层源极/漏极应力源的制作方法
技术领域：
本公开一般涉及集成电路，并且更具体地，涉及具有多层源极/
漏极应力源(stressor)的集成电路。
背景技术：
一种用于提高N沟道和P沟道晶体管性能的技术是将应变引入 沟道。 一种引入应变的技术是从源极/漏极的位置去除半导体材料并重 新外延生长具有不同成分的半导体材料。例如，用于提高初始半导体 材料是硅并因此沟道就是硅的P沟道性能的一个途径是在源极/漏极 区中重新生长对沟道施加压应力的硅和锗的组合(SiGe)。困难之一 是所施加的应力的量取决于锗的浓度，而增加锗的浓度可导致缺陷的 形成，该缺陷又导致所施加的应力减小。另外，随着在技术发展过程 中器件尺寸的缩小， 一个关键的挑战是保持短沟道晶体管的良好的性 能特性。
因此，需要改进用于重新生长源极/漏极以向沟道提供应力的技术。
通过示例的方式说明本发明，并且本发明不受附图的限制，附图 中相同的附图标记表示类似的元件。图中的元件是为了简洁和清晰而 示出的，并不一定按比例绘出。
图l是根据本发明的实施例的半导体器件在一处理阶段的截面； 图2是图1的半导体器件在后一处理阶段的截面； 图3是图2的半导体器件在后一处理阶段的截面； 图4是图3的半导体器件在后一处理阶段的截面；
6图5是图4的半导体器件在后一处理阶段的截面； 图6是示出图5的半导体器件的包括外延生长区的半导体区中的 相对硼浓度的曲线图；以及
图7是示出图5的半导体器件的半导体区中的相对锗浓度的曲线图。
具体实施例方式
在一个方面，与栅极相邻的源极/漏极区被去除，并使用多层不 同半导体组合重新生长。在一个实施例中，该半导体组合是硅和锗的 合金(SiGe)。第一层具有第一锗浓度并以第一硼浓度掺杂。在缺陷 开始出现之前停止第一层的生长。以减小的不会有缺陷的锗浓度生长 第一后续层，直到达到比第一厚度大的第二厚度。无缺陷地生长第一 后续层并且以大于第一硼浓度的第二硼浓度对其进行硼掺杂。然后以 与第一后续层相比增加的锗浓度生长第二后续层，其生长到充分低的 厚度，使得基本上不存在缺陷。在第二后续层中进一步增加硼掺杂。 这样，第一后续层相对于作为高锗浓度层的第一层和第二后续层减轻 了缺陷。硼随着距沟道的距离的增加而增加，以避免不利的短沟道效 应。在以下说明和附图中对此作进一步解释。
图1中示出了半导体器件IO，其包括半导体村底12、衬底12上 的绝缘层14、绝缘层14上的半导体区16、围绕半导体区16的沟槽隔 离区18、位于半导体区16的中央部分上的栅极22、围绕栅极22的侧 壁隔离物(spacer) 24、栅极22上的绝缘盖30、 4册极22和半导体区 16之间的栅极电介质、在半导体区16的顶部表面中与栅极22的一侧 相邻的源极/漏极延伸25、以及在半导体区16的顶部表面上在栅极22 的另一侧上的源极/漏极延伸27。在源极/漏极延伸25和27之间的沿 着半导体区16的顶部表面并且在栅极22下面的区域起到沟道的作用。 图1的结构是这样产生的形成栅极22，进行注入以形成源极/漏极延 伸25和27，形成侧壁隔离物24，并使用沟槽隔离区18、栅极22、盖 30和侧壁隔离物24作为掩模去除部分半导体16以得到与栅极22的一侧相邻的开口 26和与栅极22的另一侧相邻的开口 28。该蚀刻可以 是各向同性的，优选是干法各向同性蚀刻，从而使得开口26和28的 一部分在侧壁隔离物24的下面。在该蚀刻进行时，N沟道晶体管被掩 盖并因此不被蚀刻。侧壁隔离物被示出为通过共形沉积(conformal exposition)，然后进行各向异性蚀刻形成的一个材料，但是它也可以 在多个层中形成，并且可以包括衬里。作为选择，它可以简单地形成 为衬里，而不是一个或多个侧壁隔离物。 一个例子是氮化物隔离物， 并且在所述氮化物隔离物和栅极22之间以及在所述氮化物隔离物和 半导体区16之间具有氧化物村里。在所描述的例子中，半导体区16 就是硅，作为半导体材料，它可以具有背景掺杂和其它掺杂，如晕状 (halo)注入。所描述的原理也可适用于其它半导体材料。从绝缘层 14到栅极电介质20的半导体区16的示例性厚度是大约500埃。开口 26和28的示例性深度是350埃。衬底12、绝缘层14和半导体区的组 合构成了通常所说的SOI(绝缘体上半导体)衬底。绝缘层14通常称 为BOX (buried oxide,掩埋氧化物)。该处理对于其中不存在绝缘 层的体硅衬底也可以是有效的。沟槽隔离18为它围绕的一个或多个晶 体管提供电隔离。
图2中所示的是在开口 26中的半导体区16上外延生长半导体层 32并且在开口 28中的半导体区16上外延生长半导体层34之后的半 导体器件10。在本例子中半导体层32和34厚度大约50埃并且是掺 杂硼的SiGe。 Ge的浓度是大约30at.。/。。也就是说，Si和Ge的比率 为2.3比1。在本例子中硼掺杂是从大约5el9 (5xl019)原子每立方 厘米(原子/cc)到大约2e20 (2xl02。)原子/cc。在30%的锗时，可 以只在硅上直接生长50埃的半导体层32和34，而不形成缺陷。因为 缺陷往往使它们所在的层松弛，因此避免缺陷是重要的。如果出现这 种情况，那将使生长在沟道上产生应力的层的基本目的无法达到。在 抑制掺杂物在沟道区中的扩散以提高对短沟道器件的控制时，在第一 生长层(层32和34)中相对高的Ge。/。是重要的。理由是掺杂物(例 如，硼)的扩散性在高Ge。/。的SiGe中比在Si中更显著减小。大约5el9原子/cc到2e20原子/cc的硼浓度是相对低的浓度，其进一步减小 了硼在沟道中的扩散，以减小短沟道影响。还可通过在外延生长中包 括硼，避免对注入的需要。注入也往往产生引起松弛的类型的缺陷， 因此也最好避免。层32的厚度在横向和纵向上可能是不均匀的，这是 因为向上生长往往比横向生长更快。
图3中所示的是在半导体层32上外延生长半导体层36并且在半 导体层34上外延生长半导体层38之后的半导体器件10。在本例子中， 半导体层36和38大约是250埃，并且也是掺杂硼的SiGe。在该层中， 锗的含量大约是25% (Si和Ge的比率是3比1)，并且硼的浓度是 大约从2e20/cc到5e20/cc。锗浓度的减小支持在不产生缺陷的情况下 应力源膜厚度的增加。增加硼的浓度是为了增加传导性，而产生短沟 道问题的风险通过进一步远离沟道被减小。随着生长的继续，横向生 长降低，所以半导体层36和38在横向上的厚度比向上方向上的250 埃的生长小很多。
图4中所示的是在半导体层36上外延生长半导体层40并且在半 导体层38上外延生长半导体层42之后的半导体器件10。在本例子中， 半导体层40和42大约是300埃，并且也是掺杂硼的SiGe。在该层中， 锗的含量大约是30%，并且硼的浓度是大约从5e20/cc到le21/cc。锗 浓度的这种增加，增加了所产生的应力，并且可以比半导体层32和 34更厚，这是因为它们是在SiGe上生长而不是仅在Si上生长，此外， 因为在随后的步骤中半导体层40和42的上部被转化为金属合金，因 此半导体层40和42的上部可以具有缺陷而不会引起不利影响。在顶 层40和42的增加的锗和硼的浓度减小了接触电阻。
图5中所示的是在半导体层40和42的上部转化为金属硅化锗层 44和46之后的半导体器件10。源极/漏极区的顶部转化为硅化物是用 于形成接触的常例。在顶层40和42增加的锗和硼的浓度减小了硅化 物—半导体界面处的接触电阻。由于该半导体中存在锗，所以得到的金
属硅化物合金包括硅和锗。在用于形成金属硅化锗层44和46的金属 化处理中被最终用掉的半导体层40和42中的任何缺陷都不会产生不利影响。
图6中所示的是示出从绝缘层14的顶部到半导体层40和42的 顶部表面的硼浓度增加的曲线图。在与半导体层16的界面处硼浓度的 陡峭变化是有利的，这是因为它导致陡峭的PN结，这可更好地用于 减小跨该PN结的泄漏并减小结电容。
图7中所示的是示出从绝缘层14的顶部到半导体层40和42的 顶部表面的锗浓度变化的曲线图。该刻度不是从零开始的，而示出了 最初的高浓度、减小的中间浓度和最后的高浓度。这是在具有低缺陷 的应力源中实现希望的高应力结果的有效方式。
由此看到，通过改变多层中锗的浓度，可以使应力源提供更大的 应力，同时减小产生缺陷的风险。该有效性依赖于所选择的锗浓度和 厚度二者。当锗的浓度上升时，需要减小厚度，特别是在浓度在30% 以上时更是如此。如果使用较高的浓度，则提供交替的锗浓度的附加 层可能是有利的。此外，通过随着层的附加而增加硼浓度，短沟道效 应的风险被减小，同时获得好的传导性。
由此描述了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括形成 半导体器件的源极区中的凹槽和漏极区中的凹槽；形成源极区中的第 一半导体材料层以及漏极区的凹槽中的第二半导体材料层，第三半导
体材料和第五半导体材料；形成位于第一半导体材料层上的第三半导 体材料层和位于第二半导体材料层上的第四半导体材料层，以及形成 位于第三半导体材料层上的第五半导体材料层和位于第四半导体材料 层上的第六半导体材料层。形成第一和第二半导体材料层的步骤的特 征还在于使用笫一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的 应力源材料以及第一浓度水平的掺杂材料形成第一半导体材料层和第 二半导体材料层中的每一个，其中第一元素是硅。形成第三和第四半 导体层的步骤的特征还在于第三半导体材料层和第四半导体材料层中 的每一个的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第二比率，其 中第二比率高于第一比率，并且其中第三半导体材料层和第四半导体 材料层中的每一个具有第二浓度水平的掺杂材料，其中掺杂材料的第形成第五和第六半导体材 料层的步骤的特征还在于第五半导体材料层和第六半导体材料层中的 每一个的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第三比率，其中
第三比率低于第二比率，并且其中第五半导体材料层和第六半导体材 料层中的每一个具有第三浓度水平的掺杂材料，其中掺杂材料的第三 浓度水平高于掺杂材料的第二浓度水平。该方法的特征还可以在于应 力源材料是硅和锗的合金，从而第二元素是锗。该方法的特征还可以
在于掺杂材料是周期表中第v族元素中的一种或多种。该方法的特征
还可以在于第一元素原子浓度和第二元素原子浓度的第一比率为大约
2.3比1。该方法的特征还可以在于掺杂材料是硼并且掺杂材料的第一 浓度水平是从每立方厘米大约5el9个原子到每立方厘米大约2e20个 原子。该方法的特征还可以在于第一元素原子浓度和第二元素原子浓 度的第二比率是大约3.0比1。该方法的特征还可以在于掺杂材料是硼 并且掺杂材料的第二浓度水平是从每立方厘米大约2e20个原子到每 立方厘米5e20个原子。该方法的特征还可以在于第一元素原子浓度和 第二元素原子浓度的第三比率是大约2.3比1。该方法的特征还可以在 于掺杂材料是硼并且掺杂材料的第三浓度水平在从每立方厘米大约 5e20个原子到每立方厘米le21个原子的范围内。
还描述了一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括形成半 导体器件的源极区中的凹槽和漏极区中的凹槽；形成源极区的凹槽中
的第一半导体材料层以及漏极区的凹槽中的第二半导体材料层；形成 位于第一半导体材料层上的第三半导体材料层以及位于第二半导体材 料层上的第四半导体材料层；以及形成位于第三半导体材料层上的第 五半导体材料层和位于第四半导体材料层上的第六半导体材料层。形 成第一和第二半导体材料层的步骤的特征还在于使用第一元素原子浓
度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料形成第一半导体材 料层和第二半导体材料层的每一个，其中第一元素是硅，并且其中第 一半导体材料层和第二半导体材料层中的每一个具有第一浓度水平的
掺杂材料。形成第三和第四半导体材料层的步骤的特征还在于第三半导体材料层和第四半导体材料层中的每一个具有第二浓度水平的掺杂 材料，其中掺杂材料的第二浓度水平高于掺杂材料的第一浓度水平。 形成第五和第六半导体材料层的步骤的特征还在于第五半导体材料层
和第六半导体材料层中的每一个具有第三浓度水平的掺杂材料，其中 掺杂材料的第三浓度水平高于掺杂材料的第二浓度水平。该方法的特
征还可以在于掺杂材料是周期表中第v族元素中的一种或多种。该方
法的特征还可以在于掺杂材料是硼并且掺杂材料的第一浓度水平是从
每立方厘米大约5el9个原子到每立方厘米大约2e20个原子。该方法 的特征还可以在于掺杂材料的第二浓度水平是从每立方厘米大约 2e20个原子到每立方厘米5e20个原子。该方法的特征还可以在于掺 杂材料的第三浓度水平在从每立方厘米大约5e20个原子到每立方厘 米le21个原子的范围内。
还描述了一种半导体，其包括在源极区的凹槽中的第一半导体 材料层和在漏极区的凹槽中的第二半导体材料层；位于第一半导体材 料层上的第三半导体材料层和位于第二半导体材料层上的第四半导体 材料层；以及位于第三半导体材料层上的第五半导体材料层和位于第 四半导体材料层上的第六半导体材料层。第一和第二半导体材料层的
特征还在于第一半导体材料层和第二半导体材料层中的每一个使用第 一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料以及 第一浓度水平的掺杂材料，其中第一元素是硅。第三和笫四半导体材 料层的特征还在于第三半导体材料层和第四半导体材料层中的每一个 的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第二比率，其中第二比 率高于第一比率，并且其中第三半导体材料层和第四半导体材料层中 每一个具有第二浓度水平的掺杂材料，其中掺杂材料的第二浓度水平 高于掺杂材料的第一浓度水平。第五和第六半导体材料层的特征还在 于第五半导体材料层和第六半导体材料层中的每一个的第一元素原子
浓度和第二元素原子浓度具有第三比率，其中第三比率低于第二比率， 并且其中第五半导体材料层和第六半导体材料层中的每一个具有第三 浓度水平的掺杂材料，其中掺杂材料的第三浓度水平高于掺杂材料的第二浓度水平。该半导体器件的特征还可以在于应力源材料是硅和锗 的合金，从而第二元素是锗。该半导体器件的特征还可以在于掺杂材
料是周期表中第v族元素中的一种或多种。该半导体器件的特征还可
以在于第一元素原子浓度和第二元素原子浓度的第一比率为大约2.3 比1。该半导体器件的特征还可以在于掺杂材料是硼并且掺杂材料的 第一浓度水平是从每立方厘米大约5el9个原子到每立方厘米大约 2e20个原子，掺杂材料的第二浓度水平是从每立方厘米大约2e20个 原子到每立方厘米5e20个原子，并且掺杂材料的第三浓度水平是从每 立方厘米大约5e20个原子到每立方厘米le21个原子。该半导体器件 的特征还可以在于第一元素原子浓度和第二元素原子浓度的第二比率 为大约3.0比1。
尽管在本文中参照特定实施例描述了本发明，但是在不背离所附 权利要求中给出的本发明范围的情况下可以进行各种修改和变化。例 如，代替对P沟道晶体管附加应力，可以通过以与提供源极/漏极应力 源类似的方式在N沟道晶体管的沟道上施加张应力来对N沟道晶体管 附加应力。这可以通过以下方式实现，即重新生长硅碳并改变不同层 中碳的浓度，从而提供希望的应力并同时避免产生缺陷。此外，在各 层中增加N沟道掺杂物，以及类似地增加P沟道晶体管的硼掺杂物也 可能是有利的。尽管对于掺杂物是砷的情况来说，由于其低的扩散率， 可能较不需要本发明，但是仍可以有一些好处。因此，说明书和附图 应该看作是说明性的而不是限制性，并且所有这类修改都意图包括在 本发明的范围内。本文中关于特定实施例描述的任何好处、优点或对 问题的解决方案都不意图被解释为任何一项权利要求或全部权利要求 的关键的、必需的、实质的特征或要素。
此外，在本文中所使用的词语"一"被定义为一个或一个以上。 另外，即使当同一权利要求中包括引导语"一个或多个"或者"至少 一个"以及不定冠词"一，，时，权利要求中使用的引导语如"至少一 个"和"一个或多个，，不应该被解释为意指由不定冠词"一"对另一求限制到只包含一个该要素的发明。
除非另外说明，否则诸如"第一"和"第二"等术语被用于任意 区分该术语所描述的元件。因此，这些术语不一定意图表示这些要素 的时间或其它优先顺序。
权利要求
1.一种形成半导体器件的方法，其包括形成所述半导体器件的源极区中的凹槽和漏极区中的凹槽；形成所述源极区的凹槽中的第一半导体材料层和所述漏极区的凹槽中的第二半导体材料层，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料以及具有第一浓度水平的掺杂材料形成所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层中的每一个，其中所述第一元素是硅；形成位于所述第一半导体材料层上的第三半导体材料层以及位于所述第二半导体材料层上的第四半导体材料层，其中所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层中的每一个的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第二比率，其中所述第二比率高于所述第一比率，并且其中所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层中的每一个具有第二浓度水平的所述掺杂材料，其中所述掺杂材料的第二浓度水平高于所述掺杂材料的第一浓度水平；以及形成位于所述第三半导体材料层上的第五半导体材料层以及位于所述第四半导体材料层上的第六半导体材料层，其中所述第五半导体材料层和所述第六半导体材料层中的每一个的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第三比率，其中所述第三比率低于所述第二比率，并且其中所述第五半导体材料层和所述第六半导体材料层中的每一个具有第三浓度水平的所述掺杂材料，其中所述掺杂材料的第三浓度水平高于所述掺杂材料的第二浓度水平。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力源材料是 硅和锗的合金，从而所述第二元素是锗。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料是笫 V族元素中的一种或多种。
4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一元素原子浓度 和第二元素原子浓度的所述第一比率是大约2.3比1。
5. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料是硼， 并且所述掺杂材料的第一浓度水平从每立方厘米大约5el9个原子到 每立方厘米大约2e20个原子。
6. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一元素原子浓度 和第二元素原子浓度的所述第二比率是大约3.0比1。
7. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料是硼， 并且所述掺杂材料的第二浓度水平从每立方厘米大约2e20个原子到 每立方厘米5e20个原子。
8. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一元素原子浓度 与第二元素原子浓度的所述第三比率是大约2.3比1。
9. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料是硼， 并且所述掺杂材料的第三浓度水平是在从每立方厘米大约5e20个原 子到每立方厘米le21个原子的范围内。
10. —种用于形成半导体器件的方法，其包括 形成所述半导体器件的源极区中的凹槽和漏极区中的凹槽； 形成所述源极区的凹槽中的第一半导体材料层以及所述漏极区的凹槽中的第二半导体材料层，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料形成所述第一半导体材料层和所 述第二半导体材料层中的每一个，其中所述第一元素是硅，并且其中所述第 一半导体材料层和所述第二半导体材料层中的每一个具有第一浓度水平的掺杂材料；形成位于所述第一半导体材料层上的第三半导体材料层以及位于 所述第二半导体材料层上的第四半导体材料层，其中所述第三半导体 材料层和所述第四半导体材料层中的每一个具有第二浓度水平的所述 掺杂材料，其中所述掺杂材料的第二浓度水平高于所述掺杂材料的第一浓度水平；以及形成位于所述第三半导体材料层上的第五半导体材料层以及位于 所述第四半导体材料层上的第六半导体材料层，其中所述第五半导体 材料层和所述第六半导体材料层中的每一个具有第三浓度水平的所述掺杂材料，其中所述掺杂材料的第三浓度水平高于所述掺杂材料的第 二浓度水平。
11. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料是第v族元素中的一种或多种。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料是 硼，并且所述掺杂材料的第一浓度水平从每立方厘米大约5el9个原子 到每立方厘米大约2e20个原子。
13. 根据权利要求ll所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料的 第二浓度水平从每立方厘米大约2e20个原子到每立方厘米5e20个原 子。
14. 根据权利要求ll所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料的 第三浓度水平在从每立方厘米大约5e20个原子到每立方厘米le21个 原子的范围内。
15. —种半导体器件，包括在源极区的凹槽中的第一半导体材料层和在漏极区的凹槽中的笫 二半导体材料层，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具 有第一比率的应力源材料和第一浓度水平的掺杂材料形成所述第一半 导体材料层和所述第二半导体材料层中的每一个，其中所述第一元素是硅；位于所述第一半导体材料层上的第三半导体材料层和位于所述第 二半导体材料层上的第四半导体材料层，其中所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层中的每一个的第一元素原子浓度和第二元素 原子浓度具有第二比率，其中所述第二比率高于所述第一比率，并且 其中所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层中的每一个具有 第二浓度水平的所述掺杂材料，其中所述掺杂材料的第二浓度水平高 于所述掺杂材料的第一浓度水平；以及位于所述第三半导体材料层上的第五半导体材料层和位于所述第 四半导体材料层上的第六半导体材料层，其中所述第五半导体材料层和所述第六半导体材料层中的每一个的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第三比率，其中所述第三比率低于所述第二比率，并且 其中所述第五半导体材料层和所述第六半导体材料层中的每一个具有 第三浓度水平的所述掺杂材料，其中所述掺杂材料的第三浓度水平高 于所述掺杂材料的第二浓度水平。
16. 根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述应力 源材料是硅和锗的合金，从而所述第二元素是锗。
17. 根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂 材料是第V族元素中的一种或多种。
18. 根据权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，第一元素 原子浓度和第二元素原子浓度的所述第一比率是大约2.3比1。
19. 根据权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂 材料是硼，并且所述掺杂材料的第一浓度水平从每立方厘米大约5el9 个原子到每立方厘米大约2e20个原子，所述掺杂材料的第二浓度水平 从每立方厘米大约2e20个原子到每立方厘米5e20个原子，并且所述 掺杂材料的第三浓度水平在从每立方厘米大约5e20个原子到每立方 厘米le21个原子的范围内。
20. 根据权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，第一元素 原子浓度和第二元素原子浓度的所述第二比率是大约3.0比1。
全文摘要
一种用于形成半导体器件(10)的方法，其包括形成在该半导体器件的源极区中的凹槽(26)和漏极区中的凹槽(28)。该方法还包括形成源极区的凹槽(26)中的第一半导体材料层(32)以及漏极区的凹槽(28)中的第二半导体材料层(34)，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料以及具有第一浓度水平的掺杂材料形成第一半导体材料层(32)和第二半导体材料层(38)中的每一个，其中第一元素是硅。该方法还包括形成位于第一半导体材料层(32)上和第二半导体材料层(34)上的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有不同比率的附加半导体材料层(36、38、40、42)。
文档编号H01L21/336GK101578692SQ200880001436
公开日2009年11月11日 申请日期2008年1月24日 优先权日2007年2月16日
发明者D·V·戈德克, J·C·希尔德莱斯, V·德安达帕尼, 达 张 申请人:飞思卡尔半导体公司