专利名称：顶层铜互连层的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种顶层铜互连层的制作方法。
背景技术：
目前，在半导体器件的后段(back-end-of-line，BE0L)工艺中，制作半导体集成 电路时，半导体器件层形成之后，需要在半导体器件层之上形成金属互连层，每层金属互连 层包括金属互连线和绝缘材料层，这就需要对上述绝缘材料层制造沟槽(trench)和连接 孔，然后在上述沟槽和连接孔内沉积金属，沉积的金属即为金属互连线，一般选用铜作为金 属互连线材料。绝缘材料层包括刻蚀终止层，例如氮化硅层，还包括形成在刻蚀终止层上 的低介电常数(Low-K)材料层，例如含有硅、氧、碳、氢元素的类似氧化物(Oxide)的黑钻石 (black diamond, BD)或者掺有氟离子的硅玻璃(FSG)。现有技术中，铜互连层可以为三层，包括顶层、中间层及底层铜互连层，在实际工 艺制程中，可根据不同需要设置多层铜互连层。如果是在多层铜互连层的情况下，可以按要 求复制多层中间层铜互连层，有时也会按需要复制两层顶层铜互连层。具有三层铜互连层 的半导体器件结构示意图如图1所示。图中绝缘材料层下是半导体器件层，图中未显示。图 中每层铜互连层包括刻蚀终止层101，以及沉积于其上的低介电常数材料层102 ；由沟槽和 连接孔形成的铜互连线103掩埋在绝缘材料层中，用于连接各个铜互连层。在这种铜互连工艺中，刻蚀终止层氮化硅膜具有约7的相对介电常数，增加了整 个互连层的相对介电常数，从而使铜互连线间的寄生电容增加，因此会导致信号延迟或功 耗增加的缺陷。所以通常在刻蚀终止层上淀积低K电介质材料来降低铜互连层的铜互连 线间的寄生电容。在具体工艺制程中，在多层内部互连中，顶层铜互连层的铜布线相对于其 他互连层铜布线比较疏，相对其他互连层来说电容的干扰不是非常敏感，所以通常采用FSG 作为顶层铜互连层的Low-K材料层，其介电常数值为3. 8 3. 9，其成本价格比较低，而采用 价格较高的BD作为其他互连层的Low-K材料层，介电常数为2. 7 3，进一步降低底层铜互 连层的铜互连线间的寄生电容。一般采用先形成连接孔再形成沟槽(via first)的双大马士革(dualdamascene) 技术形成连接孔和沟槽，还可以有先形成沟槽再形成连接孔(trench first)的技术，以及 自对准(Self-Aligned)的技术。本申请文件以via first技术为例进行说明。现有技术形成顶层铜互连层的方法包括以下步骤步骤11、在刻蚀终止层的表面沉积FSG层；步骤12、在FSG层的表面沉积氮氧化硅(SiON)层；其中，SiON层用于作为刻蚀沟 槽和连接孔时的反射层，降低FSG层的反射率；步骤13、刻蚀所述SiON层和FSG层，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成双大马士革结 构，所述双大马士革结构包括沟槽和连接孔；具体地，首先在SiON层表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定 义出连接孔的位置；然后以图案化的光阻胶层为掩膜，干法刻蚀SiON层和FSG层，在刻蚀终
3止层停止刻蚀，形成连接孔；灰化去除光阻胶层，并采用湿法去除刻蚀连接孔时形成的聚合 物(polymer)；接着，在SiON层表面及连接孔内涂布底部抗反射层(BARC)，BARC充满整个连接 孔；继续在BARC表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义出沟槽的位置； 然后以图案化的光阻胶层为掩膜，干法刻蚀形成沟槽；灰化去除光阻胶层，并采用湿法去除 刻蚀沟槽时形成的聚合物；步骤14、利用物理气相沉积(PVD)的方法，在双大马士革结构的沟槽和连接孔内 形成铜互连线，并对其进行化学机械抛光(CMP)。现有技术形成顶层铜互连层的过程中，干法刻蚀形成沟槽和连接孔时，或者湿法 去除刻蚀沟槽和连接孔时形成的聚合物时，FSG都会吸收水气，发生的化学反应式为H2CHSi-F — Si-OH+HF在形成顶层铜互连层之后，即CMP铜互连线之后，作为反射层的SiON层已经被消 耗，通常在FSG的表面沉积一层氮化物钝化层，为氮化硅层104，用于后续的封装制程，如图 1所示。氮化硅层104的沉积是在高温反应腔中，吸收了水气的FSG，被高温氮化硅层104 所覆盖，在完成氮化硅层104的沉积之后，器件从高温反应腔取出，仍然处于高温状态，FSG 吸收水气形成的Si-OH在高温状态下，发生脱水过程，化学反应式为Si-OH+Si-OH+HF — Si-0+H20 | +HF |气体H2O和HF在蒸发时，被氮化硅层104阻挡，无法释放，而在氮化硅层的表面出 现气泡缺陷(bubbles defect) 0扫描电子显微镜(SEM)捕获的在氮化硅层104表面形成 bubbles defect的俯视图如图2所示，这种气泡状缺陷严重影响器件的性能。
发明内容
有鉴于此，本发明解决的技术问题是形成顶层铜互连层之后，在作为钝化层的氮 化硅层的表面出现bubbles defect。为解决上述技术问题，本发明的技术方案具体是这样实现的本发明公开了一种顶层铜互连层的制作方法，所述顶层铜互连层在其他铜互连层 表面形成，该方法包括在刻蚀终止层的表面沉积掺有氟离子的硅玻璃FSG层；在FSG层的表面沉积SiON层；刻蚀所述SiON层和FSG层，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成双大马士革结构；将上述形成的器件置入反应腔内进行高温灰化处理，将形成双大马士革结构时， FSG层吸收的水气挥发出去；利用物理气相沉积的方法，在所述双大马士革结构内形成铜互连线，并对其进行 化学机械抛光处理。在刻蚀终止层与FSG层之间，进一步包括沉积氧化层。所述反应腔内的压力为650 700毫托mtorr。所述反应腔内射频功率为1000 1200瓦。所述反应腔内通入氧气的流量为8500 9500标准立方厘米每分钟seem。所述高温灰化处理的时间为75 85秒。
所述高温灰化处理的反应腔温度为245 255摄氏度。由上述的技术方案可见，本发明在制作顶层铜互连层时，在去除定义沟槽和连接 孔的光阻胶层之后，采用高温灰化的方法，将FSG层中的水气挥发出去，其中FSG层作为顶 层铜互连层的Low-K材料层。这样形成顶层铜互连层之后，沉积在FSG层上的钝化层(氮 化硅层)表面就不会有bubblesdefect出现。
图1为具有三层铜互连层的半导体器件结构示意图。图2为扫描电子显微镜捕获的在氮化硅层表面形成bubbles defect的俯视图。图3为本发明形成顶层铜互连层的方法的流程示意图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例， 对本发明进一步详细说明。本发明制作顶层铜互连层时，在去除定义沟槽和连接孔的光阻胶层之后，采用高 温灰化的方法，将FSG层中的水气挥发出去，其中FSG层作为顶层铜互连层的Low-K材料 层。这样形成顶层铜互连层之后，在氮化硅层表面就不会有bubbles defect出现。本发明根据via first技术形成顶层铜互连层的方法的流程示意图如图3所示， 其包括以下步骤步骤31、在刻蚀终止层的表面沉积FSG层；一般FSG层的厚度为11 13千埃；进一步地，为了防止FSG层中氟离子的扩散，扩散至半导体器件层，优选为在刻蚀 终止层的表面先沉积一层氧化层，然后在氧化层的表面沉积FSG层。此时氧化层的厚度为 2 3千埃，FSG层的厚度为9 10千埃；步骤32、在FSG层的表面沉积SiON层；其中，SiON层用于作为刻蚀沟槽和连接孔 时的反射层，降低FSG层的反射率；步骤33、刻蚀所述SiON层和FSG层，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成双大马士革结 构，所述双大马士革结构包括沟槽和连接孔；具体地，首先在SiON层表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定 义出连接孔的位置；然后以图案化的光阻胶层为掩膜，干法刻蚀SiON层和FSG层，在刻蚀终 止层停止刻蚀，形成连接孔；灰化去除光阻胶层，并采用湿法去除刻蚀连接孔时形成的聚合 物；接着，在SiON层表面及连接孔内涂布BARC，BARC充满整个连接孔；继续在BARC表 面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义出沟槽的位置；然后以图案化的光 阻胶层为掩膜，干法刻蚀形成沟槽；灰化去除光阻胶层，并采用湿法去除刻蚀沟槽时形成的 聚合物；经过上述步骤，干法刻蚀形成沟槽和连接孔时，或者湿法去除刻蚀沟槽和连接孔 时形成的聚合物时，FSG层都会吸收水气，发生的化学反应式为H2CHSi-F — Si-OH+HF一般水气都吸附在FSG层表面，所以上述化学反应发生在FSG层表面。为了防止后续在FSG层表面沉积氮化硅层后，氮化硅层表面出现bubblesdefect，接着执行步骤34 步骤34、上述形成的器件置入反应腔内进行高温灰化处理，将FSG层吸收的水气 挥发出去；反应腔内的压力为650 700毫托(mtorr)；射频功率为1000 1200瓦；氧气流 量为8500 9500标准立方厘米每分钟(sccm)；时间为75 85秒；温度在245 255摄 氏度的高温范围；高温反应腔内发生的化学反应式为Si-OH+Si-OH+HF — Si-0+H20 +HF 反应腔内通入的氧气作为载体，将水蒸汽通过管路排出反应腔，同时氟化氢和氧 气发生反应生成含氟、氢和氧的气体，被氧气带出反应腔。这样FSG层构成干燥的表面，后 续就不会出现bubbles defect。步骤35、利用物理气相沉积的方法，在双大马士革结构的沟槽和连接孔内形成铜 互连线并对其进行化学机械抛光处理。由于步骤34的高温灰化处理已经将FSG层中的水气挥发出去，这样形成顶层铜互 连层之后，沉积在FSG层上的钝化层(氮化硅层)表面就不会有bubbles defect出现。以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在 本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护 范围之内。
权利要求
一种顶层铜互连层的制作方法，所述顶层铜互连层在其他铜互连层表面形成，该方法包括在刻蚀终止层的表面沉积掺有氟离子的硅玻璃FSG层；在FSG层的表面沉积SiON层；刻蚀所述SiON层和FSG层，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成双大马士革结构；将上述形成的器件置入反应腔内进行高温灰化处理，将形成双大马士革结构时，FSG层吸收的水气挥发出去；利用物理气相沉积的方法，在所述双大马士革结构内形成铜互连线，并对其进行化学机械抛光处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀终止层与FSG层之间，进一步包括沉积氧化层。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述反应腔内的压力为650 700毫托 mtorr0
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述反应腔内射频功率为1000 1200瓦。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反应腔内通入氧气的流量为8500 9500标准立方厘米每分钟seem。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述高温灰化处理的时间为75 85秒。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述高温灰化处理的反应腔温度为245 255摄氏度。
全文摘要
本发明公开了一种顶层铜互连层的制作方法，所述顶层铜互连层在其他铜互连层表面形成，该方法包括在刻蚀终止层的表面沉积掺有氟离子的硅玻璃FSG层；在FSG层的表面沉积SiON层；刻蚀所述SiON层和FSG层，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成双大马士革结构；将上述形成的器件置入反应腔内进行高温灰化处理，将形成双大马士革结构时，FSG层吸收的水气挥发出去；利用物理气相沉积的方法，在所述双大马士革结构内形成铜互连线，并对其进行化学机械抛光处理。采用该方法能够有效防止形成顶层铜互连层之后，沉积在FSG层上的钝化层(氮化硅层)表面出现气泡缺陷(bubbles defect)。
文档编号H01L21/3105GK101996933SQ200910056768
公开日2011年3月30日 申请日期2009年8月20日 优先权日2009年8月20日
发明者周鸣 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司