一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法

文档序号:6931358阅读:175来源:国知局
专利名称:一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法
技术领域
本发明涉及一种无磁性(或低磁性)立方织构4臬鴒(Ni-W)合金基带 的制备方法,属于高温超导涂层导体织构金属基带技术领域。
背景技术
第二代高温超导涂层导体自发现以来,由于其优良的性能受到了人们 广泛的关注。在实用化的研究中,将其外延生长在多晶的韧性金属基带上 是一种行之有效的思路。而制备织构的金属基带则是获得高性能涂层导体 的关键之一。
目前,应用于涂层导体织构金属基带的材料主要为纯Ni及Ni合金, 世界范围内,百米级的Ni-5at. W(Ni5W)合金金属基带已被数家公司商业化 生产。但由于Ni5W合金居里转变温度较高,在77K (涂层导体工作温区) 下应用时仍然具有铁^^性,在输送交流电的过程中会增加交流损耗,降低 了涂层导体的性能,并且Ni5W金属基带的机械强度有待进一步提高。这都 大大限制了涂层导体的实际应用。而W含量的增加会大大提高NiW合金基 带的机械强度以及降低基带的居里转变温度,当W含量为9. 3。/。at.y。时,其 居里温度降低到77K以下,使得涂层导体在其应用的温度下(77K)使用时 消除了交流损耗。但是,随着W含量的增加,合金的层错能逐渐P争低,使 立方织构的形成变得十分困难
发明内容
本发明的目的是提供一种制备高强度,无磁性(低磁性),表面具有高
的{001}<100>立方织构,可用于后续外延生长氧化物过程层及超导层的NiW 合金基带的方法。
本发明通过采用粉末冶金法获得W元素不均匀分布的初始坯锭,经冷轧 及优化高温热处理,通过W元素由芯层向外层扩散获得表面W含量为7 ~ 9. 3at.y。的高强度,无(低)磁性和高立方织构含量的金属基带,具体包括 以下步骤
1) 在保护性气氛中,将纯度为99. 9°/ 的Ni粉和纯度为99. 9%的W粉按 照W原子占Ni原子和W原子总数的9°/ ~12%混合后,球磨2 4h,得到高W 合金粉末;在保护性气氛中,将纯度为99. 9的Ni粉和纯度为99. 9的W粉 按照W原子占Ni原子和W原子总数的5°/。~7%混合后,球磨2 4h,得到低 W合金粉末;将高W合金粉末和低W合金粉末按照低W合金粉末-高W合金 粉末-低W合金粉末的顺序装入模具中压制,低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末的体积比为1: 1~3: 1,而后经放电等离子烧结制备初始坯 锭,烧结温度为800-1000°C,烧结时间3-8 min;
2) 将初始坯锭进行冷轧,道次变形量小于5%,总变形量大于99°/。,最 终获得50um~ 100um厚的冷轧基带;
3) 将冷轧基带在保护性气氛中进行分级热处理,首先在650°C~750 "C之间进行30min的低温形核热处理使立方晶核优先形成,然后升至1100 t: 120(TC之间进行30 min 60min的立方晶粒长大热处理后将温度升至 1300°C 1450"C之间进行60min 240min的溶质扩散处理,使W原子充分 扩散,得到外层W原子百分含量为7 ~ 9. 3at. °/。的Ni-W合金、高强度、无(低)磁性以及锐利立方织构的N-W i合金基带。
其中,所述的保护性气氛为Ar与H2的混合气体,混合气体中H2的体积 分数为4%。
本发明的核心技术是首先利用外层低W含量的NiW合金容易形成立方 织构的特点在热处理过程中首先形成锐利的立方织构,然后经较高温度或 较长时间的高温热处理通过溶质扩散的方法将内层高W层中的W原子扩散 至外层低W层从而使外层W含量增加,降低基带整体的磁性能,并保证外 层的立方织构含量。本发明的另一个核心技术为控制内外层合金粉末的体 积比,外层合金的厚度直接影响内层W元素的扩散效率以及后续溶质扩散 热处理的工艺。外层太厚,溶质扩散至外层需要热处理温度较高或时间较 长,对基带表面形成热腐蚀,不利于后续外延过渡层的生长;外层太薄, 在外层立方织构形核长大时期内层W原子的扩散会影响外层立方织构的形 成。因此应同时兼顾初始坯锭内外层比例以及溶质扩散热处理工艺。
本发明具有以下有益效果
与现有的采用温轧工艺制备高W含量(> 7a t. % ) Ni-W合金基带技术相 比,本发明方法制备的Ni-W合金基带具有良好的表面质量和锐利的立方织 构,可以直接外延生长过渡层和超导层。同时由于此种Ni-W合金基带具有 在液氮温区没有(低)磁性并具有很高的机械强度,可以满足进一步提高 YBCO涂层导体性能的要求;同时与温轧相比采用冷轧的轧制方式,可筒化 轧制工艺容易实现工业化。


图1、实施例1中的冷轧基带截面背散射图。图2 、实施例1中基带的(111)极图。
图3、实施例2、 3中的冷轧基带截面背散射图。 图4 、实施例2中基带的(111)极图。 图5 、实施例3中基带的(111)极图。 下面结合附图及具体实施方式
对本发明做进一步说明。
具体实施方式
实施例1
1 )在保护性气氛(Ar-4%H2)中,将纯度为99. 9的Ni粉和纯度为99. 9 的W粉按照Ni原子和W原子比为95: 5和91: 9分别3求磨3h,得到高W合 金粉末和低W合金粉末;将高W合金粉末和低W合金粉末按照低W -高W -低W的顺序装入模具中压制,低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末 的体积比为1: 3: 1,而后采用放电等离子烧结技术在800。C烧结5min,得 到制备初始坯锭;
2) 将初始坯锭进行冷轧,道次变形量为5%,总变形量为99%,最终获 得75um厚的冷轧基带(见图1);
3) 将冷轧基带在保护性气氛(Ar-4 /。H2)中进行分级热处理,首先在 650。C保温30min,然后升温至IIO(TC保温30 min后将温度升至1450。C保 温60min,得到无/低磁性立方织构Ni-W合金基带。
在基带的外层W原子百分含量为7%,其(111)面极图见图2,立方织 构含量为99%,由于基带经过扩散处理使表层W含量从5y。提高到7%,大大 降低了基带整体的磁性能,同时保证了较高的立方织构含量。实施例2
1) 在保护性气氛(Ar-4%H2)中,将纯度为99. 9的Ni粉和纯度为99. 9 的W粉按照Ni原子和W原子比为93: 7和89: 11分别3求磨2h,得到高W 合金粉末和低W合金粉末;将高W合金粉末和低W合金粉末按照低W -高W -低W的顺序装入模具中压制,低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末 的体积比为1: 1: 1,而后采用放电等离子烧结技术在80(TC烧结5min,得 到制备初始坯4走;
2) 将初始坯锭进行冷轧,道次变形量为5%,总变形量为99%,最终获 得75um厚的冷轧基带(见图3);
3) 将冷轧基带在保护性气氛(Ar-4%H2)中进行分级热处理,首先在 700。C保温3Gmin,然后升温至12Q(TC保温60 min后将温度升至14G(TC保 温180min,得到无/低i兹性立方织构Ni-W合金基带。
该基带的外层W原子百分含量为8%,其(111)面极图见图4,立方织 构含量为99%,由于基带经过扩散处理使表层W含量从7n/。提高到8. 7%,大 大降低了基带整体的磁性能,同时保证了较高的立方织构含量。
实施例3
1 )在保护性气氛(Ar-4%H2)中,将纯度为99. 9的Ni粉和纯度为99. 9 的W粉按照Ni原子和W原子比为93: 7和88: 12分别J求磨4h,得到高W 合金粉末和低W合金粉末;将高W合金粉末和低W合金粉末按照低W -高W -低W的顺序装入模具中压制,低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末 的体积比为1: 1: 1,而后采用放电等离子烧结技术在80(TC烧结5min,得 到制备初始坯4走;2) 将初始坯锭进行冷轧,道次变形量为5%,总变形量为99%,最终获 得"um厚的冷轧基带(见图3);
3) 将冷轧基带在保护性气氛(Ar-4%H2)中进行分级热处理,首先在 700。C保温3Qmin,然后升温至12G(TC保温60 min后将温度升至14G(TC保 温180min,得到无/低磁性立方织构Ni-W合金基带。
该基带的外层W原子百分含量为9%,其(111)面极图见图5,可见在 其表面形成了锐利的立方织构,由于基带经过扩散处理使表层W含量从7% 提高到9%,使基带的居里转变温度降到了 77K以下,消除了涂层导体在输 电过程中的交流损耗,同时保证了较高的立方织构含量,有利于后续的外 延薄膜的生长。
权利要求
1、一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法,其特征在于,包括以下步骤1)在保护性气氛中,将纯度为99.9%的Ni粉和纯度为99.9%的W粉按照W原子占Ni原子和W原子总数的9%~12%混合后,球磨2~4h,得到高W合金粉末;在保护性气氛中,将纯度为99.9的Ni粉和纯度为99.9的W粉按照W原子占Ni原子和W原子总数的5%~7%混合后,球磨2~4h,得到低W合金粉末;将高W合金粉末和低W合金粉末按照低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末的顺序装入模具中压制,低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末的体积比为1∶1~3∶1,而后经放电等离子烧结制备初始坯锭,烧结温度为800-1000℃,烧结时间3-8min;2)将初始坯锭进行冷轧,道次变形量小于5%,总变形量大于99%,最终获得50um~100um厚的冷轧基带;3)将冷轧基带在保护性气氛中进行分级热处理,首先在650℃~750℃保温30min,然后升温至1100℃~1200℃保温30min~60min后将温度升至1300℃~1450℃保温60min~240min,得到无/低磁性立方织构Ni-W合金基带。
2、 根据 利要求1所述的方法,其特征在于,所述的保护性气氛为Ar与 H2的混合气体,混合气体中,&的体积百分比为4%。
全文摘要
本发明属于高温超导涂层导体织构金属基带领域。本发明采用粉末冶金法获得W元素不均匀分布的初始坯锭,经冷轧及优化的高温热处理,通过W元素由芯层向外层扩散获得表面W含量为7~9.3at.%的高强度,无(低)磁性和高立方织构含量的金属基带。本发明方法简单易行,所制备的Ni-W合金基带具有良好的表面质量和锐利的立方织构,可以直接外延生长过渡层和超导层;同时在液氮温区无(低)磁性,并具有很高的机械强度,可以满足进一步提高YBCO涂层导体性能的要求。
文档编号H01B13/00GK101635185SQ20091009189
公开日2010年1月27日 申请日期2009年8月28日 优先权日2009年8月28日
发明者敏 刘, 王建宏, 索红莉, 跃 赵, 邱火勤, 麟 马, 高培阔, 高忙忙 申请人:北京工业大学
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