专利名称：贯通电容器以及贯通电容器的安装构造的制作方法
技术领域：
本发明涉及贯通电容器以及该贯通电容器的安装构造。
背景技术：
作为贯通电容器，己知有一种具备电介质层和内部电极交替地层 叠的电容器素体、以及形成于该电容器素体表面的端子电极的贯通电
容器(例如，参照日本专利公开平第01-206615号公报)。
发明内容
为了谋求这样的贯通电容器的低阻抗化，有必要降低等效串联电 感(ESL)。尤其是为了完成高频工作，有必要将ESL保持得充分低。 然而，日本专利公开平第01-206615号公报所述的贯通电容器并没有被 进行为了降低ESL的探讨。
可是，近年来随着产品的小型化不断进行，期望提高电路基板上 的配线密度。然而，如果将日本专利公开平第01-206615号公报所述的 贯通电容器搭载于电路基板，则该部分的配线空间减小。因此，配线 密度有可能降低。
因此，本发明的课题在于，提供一种能够抑制在搭载于电路基板 的情况下的配线密度的降低且能够谋求ESL的降低的贯通电容器及其 安装构造。
本发明为贯通电容器，具备由多个绝缘体层层叠而成的大致长 方体状的电容器素体、配置在电容器素体内且相互相对的信号用内部 电极和接地用内部电极、分别设在电容器素体的长边方向上的第1和 第2端面上且连接于信号用内部电极的信号用端子电极、以及设在沿 着电容器素体的长边方向延伸的第1~第4侧面的至少任1个侧面上且 连接于接地用内部电极的接地用端子电极，其中，接地用端子电极设 在靠近第1端面和第2端面的至少任一个端面的位置。在本发明涉及的贯通电容器中，在电容器素体的第1和第2端面
上设有信号用端子电极，在电容器素体的第1 第4侧面中至少任一个 侧面上设有接地用端子电极。由于接地用端子电极设在靠近第1和第2
端面的至少任一个端面的位置，因而接地用端子电极和信号用端子电
极的位置接近。由此，能够降低贯通电容器的ESL。
第1 第4侧面的中央部成为未形成有端子电极的区域。于是，在 将贯通电容器搭载于电路基板上的情况下，能够将贯通电容器的中央 部的下面作为配线空间而利用。结果，能够抑制在搭载贯通电容器C1 时所产生的配线密度的下降。
优选在第1~第4侧面中的至少1个侧面上，接地用端子电极分别 设在靠近第1端面的位置和靠近第2端面的位置，从垂直于设有接地 用端子电极的侧面的方向看时，分别设在该侧面的接地用端子电极之 间的距离，比设在靠近第1端面的位置的接地用端子电极和第1端面 之间的距离、以及设在靠近第2端面的位置的接地用端子电极和第2 端面之间的距离长。
在此情况下，由于接地用端子电极和信号用端子电极的位置进一 步接近，因而能够更加降低贯通电容器的ESL。接地用端子电极间的 距离也较长，贯通电容器的中央部上的未形成有端子电极的区域进一 步扩大。于是，在将贯通电容器搭载于电路基板上的情况下，能够在 贯通电容器之下确保更加宽广的配线空间，能够在贯通电容器之下使 更多的配线通过。
优选在第1侧面上，在靠近第1端面的位置设有接地用端子电极， 在与第1侧面相对的第2侧面上，在靠近第2端面的位置设有接地用 端子电极，从第1和第2侧面的相对方向看时，设在第1侧面上的接 地用端子电极和设在第2侧面上的接地用端子电极之间的距离，比设 在第1侧面的靠近第1端面的位置的接地用端子电极和第1端面之间 的距离、以及设在第2侧面的靠近第2端面的位置的接地用端子电极 和第2端面之间的距离长。
在此情况下，由于接地用端子电极和信号用端子电极的位置进一 步接近，因而能够更加降低贯通电容器的ESL。接地用端子电极间的 距离也较长，贯通电容器的中央部上的未形成有端子电极的区域进一步扩大。于是，在将贯通电容器搭载于电路基板上的情况下，能够在 贯通电容器之下确保更加宽广的配线空间，能够更加切实地抑制配线 密度的下降。
优选具备多个接地用内部电极和接地用端子电极，多个接地用端 子电极中的、多个接地用内部电极中的至少2个接地用内部电极所连 接的接地用端子电极不同。
在此情况下，贯通电容器至少具有2个并联连接的静电电容成分
的形成区域。这些形成区域并联连接。如果以这些形成区域的静电电 容值不同的方式进行设计，那么，能够得到阻抗在整个宽频带上被设 定得较低的贯通电容器。
优选具备多个信号用内部电极，多个信号用内部电极中的至少一 个信号用内部电极和多个接地用内部电极中的至少一个接地用内部电 极配置在同一层上。
在此情况下，由于信号用内部电极和接地用内部电极配置在同一 层上，因而能够减少该部分的内部电极的层叠数。结果，能够将贯通 电容器薄型化。
本发明具备上述贯通电容器、以及在表面上形成有导体配线的 电路基板，贯通电容器以该贯通电容器的长边方向和导体配线的延伸 方向相交叉的方式配置在导体配线上。
在本发明涉及的贯通电容器的安装构造中，在以长边方向和导体 配线的延伸方向相交叉的方式将上述贯通电容器安装于电路基板上的 情况下，在贯通电容器的信号用端子电极以及接地用端子电极和导体 配线之间不产生短路，能够在贯通电容器之下敷设导体配线。所以， 能够将贯通电容器的设置空间作为配线空间而利用，能够抑制因贯通 电容器的搭载而引起的配线密度的下降。
优选，在上述贯通电容器中，在第1 第4侧面中的至少1个侧面
上，接地用端子电极分别设在靠近第1端面的位置和靠近第2端面的
位置，从绝缘体层的层叠方向看时，贯通电容器上的位于设在靠近第1
端面的位置的接地用端子电极和设在靠近第2端面的位置的接地用端
子电极之间的区域，配置在导体配线上。在此情况下，能够进一步降低在贯通电容器的信号用端子电极以及接地用端子电极和导体配线之间产生短路的几率。
本发明通过以下给出的详细说明和参照附图将会变得更加清楚，但是，这些说明和附图仅仅是为了说明本发明而举出的例子，不能被认为是对本发明的限定。
以下给出的详细说明将会更加清楚地表述本发明的应用范围。但是，这些详细说明和特殊实例、以及优选实施方案，只是为了举例说明而举出的，本领域的技术人员显然能够理解本发明的各种变化和修改都在本发明的宗旨和范围内。
图1是第1实施方式涉及的贯通电容器的立体图。
图2是第1实施方式涉及的贯通电容器所具备的电容器素体的分解立体图。
图3是第1实施方式涉及的贯通电容器的截面图。
图4是第1实施方式涉及的贯通电容器以及安装有该贯通电容器
的电路基板的俯视图。
图5是第2实施方式涉及的贯通电容器所具备的电容器素体的分
解立体图。
图6是第3实施方式涉及的贯通电容器所具备的电容器素体的分解立体图。
具体实施例方式
以下，参照附图，详细地说明本发明的优选实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同的符号，并省略重复的说明。
(第1实施方式)
图1是第1实施方式涉及的贯通电容器的立体图。图2是第1实施方式涉及的贯通电容器所具备的电容器素体的分解立体图。图3是第1实施方式涉及的贯通电容器的截面图。图4是第1实施方式涉及的贯通电容器以及安装有该贯通电容器的电路基板的俯视图。在图4中，为了容易查阅附图，省略了贯通电容器和电路基板的焊接部分的记载。
如图1所示，本实施方式涉及的贯通电容器C1具备电容器素体1，
第1和第2信号用端子电极11、 12，以及第1 第4接地用端子电极13 16。
电容器素体1为大致长方体状，具有第1和第2端面2、 3，第1和第2侧面4、 5，以及第3和第4侧面6、 7。第1和第2端面2、 3垂直于长边方向且相互相对。第1和第2侧面4、 5沿长边方向延伸，并且，连接在第1和第2端面2、 3之间且相互相对。第3和第4侧面6、 7沿长边方向延伸，并且，连接在第1和第2端面2、 3之间且相互相对。第3侧面6或第4侧面7是电容器素体1的主面，为相对于其他部件(例如，电路基板或电子部件等)的安装面。
如图2所示，电容器素体1具有多个绝缘体层9。电容器素体l，由多个绝缘体层9沿第3和第4侧面6、7相对的方向进行层叠而构成，并具有介电特性。各绝缘体层9，例如由含有电介质陶瓷(BaTK)3类、Ba(Ti， Zr)03类、或者(Ba， Ca)Ti03类等的电介质陶瓷)的陶瓷坯料薄片的烧结体构成。在实际的贯通电容器中C1中，各绝缘体层9一体化至相互之间的边界不能辨认的程度。
第1信号用端子电极11配置在电容器素体1的第1端面2上。第1信号用端子电极11，以覆盖第1端面2的整个面的方式到达第1~第4侧面4 7的端部(第1端面2侧的端部)而形成。第2信号用端子电极12，配置在电容器素体1的第2端面3上。第2信号用端子电极12，以覆盖第2端面3的整个面的方式到达第1~第4侧面4~7的端部(第2端面3侧的端部)而形成。第1信号用端子电极11和第2信号用端子电极12在第1和第2端面2、 3的相对方向(长边方向)上相对。
第1接地用端子电极13配置在电容器素体1的第1侧面4上。第l接地用端子电极13，以沿着第3和第4侧面6、 7的相对方向覆盖第1侧面4的一部分的方式到达第3和第4侧面6、 7而形成。第1接地用端子电极13，在第1侧面4上位于靠近第1端面2的位置。
第2接地用端子电极14配置在电容器素体1的第1侧面4上。第2接地用端子电极14，以沿着第3和第4侧面6、 7的相对方向覆盖第l侧面4的一部分的方式到达第3和第4侧面6、 7而形成。第2接地用端子电极14，在第1侧面4上位于靠近第2端面3的位置。
第3接地用端子电极15配置在电容器素体1的第2侧面5上。第3接地用端子电极15，以沿着第3和第4侧面6、 7的相对方向覆盖第2侧面5的一部分的方式到达第3和第4侧面6、 7而形成。第3接地用端子电极15，在第2侧面5上位于靠近第1端面2的位置。第3接地用端子电极15，在第1和第2侧面4、 5的相对方向上与第1接地用端子电极13相对。
第4接地用端子电极16配置在电容器素体1的第2侧面5上。第4接地用端子电极16，以沿着第3和第4侧面6、 7的相对方向覆盖第2侧面5的一部分的方式到达第3和第4侧面6、 7而形成。第4接地用端子电极16，在第2侧面5上位于靠近第2端面3的位置。第4接地用端子电极16，在第1和第2侧面4、 5的相对方向上与第2接地用端子电极14相对。
由图4可知，第1接地用端子电极13和第2接地用端子电极14之间的距离，比第1接地用端子电极13和第1端面2之间的距离长。第1接地用端子电极13和第2接地用端子电极14之间的距离，比第2接地用端子电极14和第2端面3之间的距离长。第3接地用端子电极15和第4接地用端子电极16之间的距离，比第3接地用端子电极15和第1端面2之间的距离长。第3接地用端子电极15和第4接地用端子电极16之间的距离，比第4接地用端子电极16和第2端面3之间的距离长。
第1和第2信号用端子电极11、 12以及第1 第4接地用端子电极13 16，例如通过将含有导电性金属粉末和玻璃料(glass frit)的导电性膏体涂在电容器素体1的外表面上，并进行烧结而形成。必要时，有时在烧结后的第1和第2信号用端子电极11、 12以及第1 第4接地用端子电极13~16之上形成有电镀层。
如图2和图3所示，贯通电容器Cl具备多个(在本实施方式中为2个)信号用内部电极20和多个(在本实施方式中为2个)接地用内部电极24。信号用内部电极20和接地用内部电极24，在第3和第4侧面6、 7的相对方向上配置在不同的位置(层)。S口，信号用内部电极20和接地用内部电极24，在电容器素体1内按照信号用内部电极20、接地用内部电极24、信号用内部电极20、接地用内部电极24的顺序，沿第3和第4侧面6、 7的相对方向有间隔地配置。信号用内部电极20和接地用内部电极24配置在电容器素体1内。
信号用内部电极20和接地用内部电极24，由通常作为层叠型的电子元件的内部电极而使用的导电性材料(例如，贱金属Ni等)构成。信号用内部电极20和接地用内部电极24作为含有上述导电性材料的导电性膏体的烧结体而构成。
信号用内部电极20呈大致矩形状，具有主电极部21和引出部22、23。主电极部21和引出部22、 23—体地形成。引出部22，从主电极部21的第1端面2侧的边缘以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部23，从主电极部21的第2端面3侧的边缘以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
上述的第1信号用端子电极11，以完全覆盖引出部22的在第1端面2上露出的部分的方式形成，引出部22物理连接且电连接于第1信号用端子电极11。第2信号用端子电极12，以完全覆盖引出部23的在第2端面3上露出的部分的方式形成，引出部23物理连接且电连接于第2信号用端子电极12。由此，信号用内部电极20连接于第l和第2信号用端子电极11、 12。
接地用内部电极24具有大致矩形状的主电极部25和引出部26 29。主电极部25和引出部26 29—体地形成。引出部26、 27，从主电极部25的第1侧面4侧的边缘以端部在第1侧面4上露出的方式延伸。引出部26位于靠近第1端面2的位置，引出部27位于靠近第2端面3的位置。引出部28、 29，从主电极部25的第2侧面5侧的边缘以端部在第2侧面5上露出的方式延伸。引出部28位于靠近第1端面2的位置，引出部29位于靠近第2端面3的位置。
上述的第1接地用端子电极13，以完全覆盖引出部26的在第1侧面4上露出的部分的方式形成，引出部26物理连接且电连接于第1接地用端子电极13。第2接地用端子电极14，以完全覆盖引出部27的在第l侧面4上露出的部分的方式形成，引出部27物理连接且电连接于第2接地用端子电极14。第3接地用端子电极15，以完全覆盖引出部28的在第2侧面5上露出的部分的方式形成，引出部28物理连接且电连接于第3接地用端子电极15。第4接地用端子电极16，以完全覆盖引出部29的在第2侧面5上露出的部分的方式形成，引出部29物理连接且电连接于第4接地用端子电极16。由此，接地用内部电极24连接于第1~第4接地用端子电极13~16。
信号用内部电极20的主电极部21和接地用内部电极24的主电极部25包括夹着作为电容器素体1的一部分的至少1个绝缘体层9并沿绝缘体层9的层叠方向相互相对的区域。g卩，从第3和第4侧面6、 7的相对方向看时，信号用内部电极20和接地用内部电极24具有相互重叠的区域。所以，绝缘体层9中的与信号用内部电极20的主电极部21和接地用内部电极24的主电极部25相重叠的部分，成为实质上产生静电电容成分的区域。
具有上述构成的贯通电容器Cl搭载于图4所示的电路基板Bl。电路基板B1是在表面上形成有导体配线30 37的电路基板，除了贯通电容器C1之外，还搭载有半导体元件E1 E3。半导体元件E1、 E2由导体配线30连接，半导体元件E2、 E3由导体配线31 33连接。半导体元件El和贯通电容器Cl的第1信号用端子电极11由导体配线34连接，半导体元件E3和贯通电容器Cl的第2信号用端子电极12由导体配线35连接。贯通电容器C1的第1和第3接地用端子电极D、 15连接于导体配线36，贯通电容器Cl的第2和第4接地用端子电极14、16连接于导体配线37。导体配线30、 34、 35为电源线，导体配线36、37为接地线。导体配线31 33为半导体元件E2、 E3间的信号传送线，相互邻接且一部分沿相同方向延伸。
贯通电容器C1，以第1和第2端面2、 3的相对方向(长边方向)与导体配线31~33所延伸的方向相交叉的方式配置在导体配线31 33上。从第3和第4侧面6、 7的相对方向看时，导体配线31 33通过贯通电容器C1的第1和第2接地用端子电极13、 14之间，并且，通过贯通电容器C1的第3和第4接地用端子电极15、 16之间。
如上所述，依照本实施方式，在电容器素体1的第1和第2端面2、3上设有第1和第2信号用端子电极11、 12，在电容器素体1的第1~第4侧面4~7上设有第1 第4接地用端子电极13~16。由于第1和第3接地用端子电极13、 15设在靠近第1端面2的位置，第2和第4接地用端子电极14、 16设在靠近第2端面3的位置，因而第1 第4接地用端子电极13 16与第1和第2信号用端子电极11、 12的位置接近。所以，能够降低贯通电容器C1的ESL。
第1 第4侧面4~7的中央部为未形成有接地用端子电极的区域。所以，在将贯通电容器C1搭载于电路基板B1上的情况下，能够将贯通电容器C1的中央部的下面作为配线空间而利用，能够抑制搭载贯通电容器C1时所产生的配线密度的降低。
依照本实施方式，第1接地用端子电极13和第2接地用端子电极14之间的距离，比第1接地用端子电极13和第1端面2之间的距离以及第2接地用端子电极14和第2端面3之间的距离长。第3接地用端子电极15和第4接地用端子电极16之间的距离，比第3接地用端子电极15和第1端面2之间的距离以及第4接地用端子电极16和第2端面3之间的距离长。由此，第1 第4接地用端子电极13~16与第1和第2信号用端子电极11、 12的位置进一步接近，因而，能够更加降低贯通电容器C1的ESL。
由于第1接地用端子电极13和第2接地用端子电极14的间隔、以及第3接地用端子电极15和第4接地用端子电极16的间隔进一步扩大，因而比贯通电容器C1的中央部上的未形成有接地用端子电极的区域也更加宽广。所以，在将该贯通电容器C1搭载于电路基板B1上的情况下，能够在贯通电容器C1之下确保更宽广的配线空间，能够在贯通电容器C1之下敷设更多的配线。(第2实施方式)
接着，对第2实施方式涉及的贯通电容器进行说明。第2实施方式涉及的贯通电容器的信号用内部电极和接地用内部电极的形状和配置与第1实施方式涉及的贯通电容器Cl不同。图5是第2实施方式涉及的贯通电容器所具备的电容器素体的分解立体图。
虽然省略了图示，但第2实施方式涉及的贯通电容器与第1实施方式涉及的贯通电容器C1相同，具备电容器素体l、第1和第2信号用端子电极ll、 12，以及第1 第4接地用端子电极13 16。第2实施方式涉及的贯通电容器也与第1实施方式涉及的贯通电容器C1相同，能够安装于图4所示的电路基板Bl上。
如图5所示，第2实施方式涉及的贯通电容器具备多个(在本实施方式中为2个)第1信号用内部电极50、多个(在本实施方式中为2个)第2信号用内部电极60、多个(在本实施方式中为2个)第1接地用内部电极54、多个(在本实施方式中为2个)第2接地用内部电极57、多个(在本实施方式中为2个)第3接地用内部电极64、以及多个(在本实施方式中为2个)第4接地用内部电极67。第1和第2信号用内部电极50、 60以及第1 第4接地用内部电极54、 57、 64、67配置在电容器素体1内。
第1信号用内部电极50和第2信号用内部电极60，在第3和第4侧面6、 7的相对方向上配置在不同的位置(层)。第1信号用内部电极50以及第1和第2接地用内部电极54、 57，在第3和第4侧面6、7的相对方向上分别配置在相同的位置(层)。第2信号用内部电极60以及第3和第4接地用内部电极64、 67，在第3和第4侧面6、 7的相对方向上分别配置在相同的位置(层)。
第1和第2信号用内部电极50、60以及第1 第4接地用内部电极54、 57、 64、 67由通常作为层叠型的电子元件的内部电极而使用的导电性材料(例如，贱金属Ni等)构成。第1和第2信号用内部电极50、60以及第1~第4接地用内部电极54、 57、 64、 67作为含有上述导电性材料的导电性膏体的烧结体而构成。
第1信号用内部电极50呈曲柄状，具有主电极部51和引出部52、53。主电极部51和引出部52、 53—体地形成。引出部52，从主电极部51的第1端面2侧的边缘以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部53，从主电极部51的第2端面3侧的边缘以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第2信号用内部电极60呈曲柄状，具有主电极部61和引出部62、63。主电极部61和引出部62、 63—体地形成。引出部62，从主电极部61的第1端面2侧的边缘以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部63，从主电极部61的第2端面3侧的边缘以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第l信号用端子电极ll，以完全覆盖引出部52、 62的在第1端面2上露出的部分的方式形成，引出部52、 62物理连接且电连接于第1信号用端子电极ll。第2信号用端子电极12，以完全覆盖引出部53、63的在第2端面3上露出的部分的方式形成，引出部53、 63物理连接且电连接于第2信号用端子电极12。由此，第1和第2信号用内部电极50、 60连接于第1和第2信号用端子电极11、 12。
第1接地用内部电极54位于第1信号用内部电极50和第1侧面4之间。第1接地用内部电极54具有大致矩形状的主电极部55和引出部56。主电极部55和引出部56—体地形成。引出部56，从主电极部55的第1侧面4侧的边缘以端部在第1侧面4上露出的方式延伸。引出部56位于靠近第1端面2的位置。
第2接地用内部电极57位于第1信号用内部电极50和第2侧面5之间。第2接地用内部电极57具有大致矩形状的主电极部58和引出部59。主电极部58和引出部59—体地形成。引出部59，从主电极部58的第2侧面5侧的边缘以端部在第2侧面5上露出的方式延伸。引出部59位于靠近第2端面3的位置。
第3接地用内部电极64位于第2信号用内部电极60和第2侧面5之间。第3接地用内部电极64具有大致矩形状的主电极部65和引出部66。主电极部65和引出部66—体地形成。引出部66，从主电极部65的第2侧面5侧的边缘以端部在第2侧面5上露出的方式延伸。引出部66位于靠近第1端面2的位置。
第4接地用内部电极67位于第2信号用内部电极60和第1侧面4之间。第4接地用内部电极67具有大致矩形状的主电极部68和引出部69。主电极部68和引出部69—体地形成。引出部69，从主电极部68的第1侧面4侧的边缘以端部在第1侧面4上露出的方式延伸。引出部69位于靠近第2端面3的位置。
第1接地用端子电极13，以完全覆盖引出部56的在第1侧面4上露出的部分的方式形成，引出部56物理连接且电连接于第1接地用端子电极13。第2接地用端子电极14，以完全覆盖引出部69的在第1侧面4上露出的部分的方式形成，引出部69物理连接且电连接于第2接地用端子电极14。第3接地用端子电极15，以完全覆盖引出部66的在第2侧面5上露出的部分的方式形成，引出部66物理连接且电连接于第3接地用端子电极15。第4接地用端子电极16，以完全覆盖引出部59的在第2侧面5上露出的部分的方式形成，引出部59物理连接且电连接于第4接地用端子电极16。由此，第1接地用内部电极54连接于第1接地用端子电极13，第2接地用内部电极57连接于第4接地用端子电极16，第3接地用内部电极64连接于第3接地用端子电极15，第4接地用内部电极67连接于第2接地用端子电极14。
第1信号用内部电极50的主电极部51以及第3和第4接地用内部电极64、 67的主电极部65、 68包括夹着作为电容器素体1的一部分的至少1个绝缘体层9并沿绝缘体层9的层叠方向相互相对的区域。即，从第3和第4侧面6、 7的相对方向看时，第1信号用内部电极50以及第3和第4接地用内部电极64、 67分别具有相互重叠的区域。所以，绝缘体层9中的、与第1信号用内部电极50的主电极部51和第3接地用内部电极64的主电极部65相重叠的部分、以及与第1信号用内部电极50的主电极部51和第4接地用内部电极67的主电极部68相重叠的部分，分别成为实质上产生静电电容成分的区域。
第2信号用内部电极60的主电极部61以及第1和第2接地用内部电极54、 57的主电极部55、 58包括夹着作为电容器素体1的一部分的至少1个绝缘体层9并沿绝缘体层9的层叠方向相互相对的区域。即，从第3和第4侧面6、 7的相对方向看时，第2信号用内部电极60以及第1和第2接地用内部电极54、 57具有相互重叠的区域。所以，绝缘体层9的、与第2信号用内部电极60的主电极部61和第1接地用内部电极54的主电极部55相重叠的部分、以及与第2信号用内部电极60的主电极部61和第2接地用内部电极57的主电极部58相重叠的部分，分别成为实质上产生静电电容成分的区域。
在第2实施方式涉及的贯通电容器中，绝缘体层9中的、与主电极部51和主电极部65相重叠的部分、与主电极部51和主电极部68相重叠的部分、与主电极部61和主电极部55相重叠的部分、以及与主电极部61和主电极部58相重叠的部分，成为实质上产生静电电容成分的区域。所以，第2实施方式涉及的贯通电容器具有4种实质上产生静电电容成分的区域。
依照具有以上构成的第2实施方式涉及的贯通电容器，根据与第1实施方式的贯通电容器C1相同的理由，能够降低贯通电容器的ESL。另外，能够抑制将第2实施方式涉及的贯通电容器搭载于电路基板Bl时所产生的配线密度的降低。
第2实施方式涉及的贯通电容器具有4种实质上产生静电电容成分的区域，这4种区域并联连接。所以，如果调整这4种区域的尺寸和形状并以静电电容值不同的方式进行设计，那么，能够得到阻抗在整个宽频带上均较低的贯通电容器。(第3实施方式)
接着，对第3实施方式涉及的贯通电容器进行说明。第3实施方式涉及的贯通电容器的信号用内部电极和接地用内部电极的形状和配置与第1和第2实施方式涉及的贯通电容器不同。图6是第3实施方式涉及的贯通电容器所具备的电容器素体的分解立体图。
虽然省略了图示，但第3实施方式涉及的贯通电容器与第1实施方式涉及的贯通电容器C1相同，具备电容器素体l、第1和第2信号用端子电极ll、 12，以及第l-第4接地用端子电极13~16。第3实施方式涉及的贯通电容器也与第1实施方式涉及的贯通电容器C1相同，能够安装于图4所示的电路基板Bl上。
如图6所示，第3实施方式涉及的贯通电容器具备多个(在本实施方式中为2个)第1信号用内部电极70、多个(在本实施方式中为2个)第2信号用内部电极80、多个(在本实施方式中为2个)第1接地用内部电极74、多个(在本实施方式中为2个)第2接地用内部电极84。第1和第2信号用内部电极70、 80以及第1和第2接地用内部电极74、 84配置在电容器素体1内。
第1信号用内部电极70和第2信号用内部电极80，在第3和第4侧面6、 7的相对方向上配置在不同的位置(层)。第1信号用内部电极70和第1接地用内部电极74，在第3和第4侧面6、 7的相对方向上分别配置在相同的位置(层)。第2信号用内部电极80和第2接地用内部电极84，在第3和第4侧面6、 7的相对方向上分别配置在相同的位置(层)。
第l和第2信号用内部电极70、 80以及第l和第2接地用内部电极74、 84由通常作为层叠型的电子元件的内部电极而使用的导电性材料(例如，贱金属Ni等)构成。第1和第2信号用内部电极70、 80以及第1和第2接地用内部电极74、 84作为含有上述导电性材料的导电性膏体的烧结体而构成。
第1信号用内部电极70呈大致矩形状，具有主电极部71和引出部72、 73。主电极部71和引出部72、 73—体地形成。引出部72，从主电极部71的第1端面2侧的边缘以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部73，从主电极部71的第2端面3侧的边缘以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第2信号用内部电极80呈大致矩形状，具有主电极部81和引出部82、 83。主电极部81和引出部82、 83—体地形成。引出部82，从主电极部81的第1端面2侧的边缘以端部在第1端面2上露出的方式延伸。引出部83，从主电极部81的第2端面3侧的边缘以端部在第2端面3上露出的方式延伸。
第l信号用端子电极ll，以完全覆盖引出部72、 82的在第1端面2上露出的部分的方式形成，引出部72、 82物理连接且电连接于第1信号用端子电极ll。第2信号用端子电极12，以完全覆盖引出部73、83的在第2端面3上露出的部分的方式形成，引出部73、 83物理连接且电连接于第2信号用端子电极12。由此，第1和第2信号用内部电极70、 80连接于第1和第2信号用端子电极11、 12。
第1接地用内部电极74位于第1信号用内部电极70和第1侧面4之间。第1接地用内部电极74具有大致矩形状的主电极部75和引出部76、 77。主电极部75和引出部76， 77—体地形成。引出部76、 77，从主电极部75的第1侧面4侧的边缘以端部在第1侧面4上露出的方式延伸。引出部76位于靠近第1端面2的位置，引出部77位于靠近第2端面3的位置。
第2接地用内部电极84位于第2信号用内部电极80和第2侧面5之间。第2接地用内部电极84具有大致矩形状的主电极部85和引出部86、 87。主电极部85和引出部86、 87—体地形成。引出部86、 87，从主电极部85的第2侧面5侧的边缘以端部在第2侧面5上露出的方式延伸。引出部86位于靠近第1端面2的位置，引出部87位于靠近第2端面3的位置。第1接地用端子电极13，以完全覆盖引出部76的在第1侧面4 上露出的部分的方式形成，引出部76物理连接且电连接于第1接地用 端子电极13。第2接地用端子电极14，以完全覆盖引出部77的在第1 侧面4上露出的部分的方式形成，引出部77物理连接且电连接于第2 接地用端子电极14。第3接地用端子电极15，以完全覆盖引出部86 的在第2侧面5上露出的部分的方式形成，引出部86物理连接且电连 接于第3接地用端子电极15。第4接地用端子电极16，以完全覆盖引 出部87的在第2侧面5上露出的部分的方式形成，引出部87物理连 接且电连接于第4接地用端子电极16。由此，第1接地用内部电极74 连接于第1和第2接地用端子电极13、 14，第2接地用内部电极84 连接于第3和第4接地用端子电极15、 16。
第1信号用内部电极70的主电极部71和第2接地用内部电极84 的主电极部85包括夹着作为电容器素体1的一部分的至少1个绝缘体 层9并沿绝缘体层9的层叠方向相互相对的区域。即，从第3和第4 侧面6、 7的相对方向看时，第1信号用内部电极70和第2接地用内 部电极84具有相互重叠的区域。所以，绝缘体层9中的与第1信号用 内部电极70的主电极部71和第2接地用内部电极84的主电极部85 相重叠的部分，分别成为实质上产生静电电容成分的区域。
第2信号用内部电极80的主电极部81和第1接地用内部电极74 的主电极部75包括夹着作为电容器素体1的一部分的至少1个绝缘体 层9并沿绝缘体层9的层叠方向相互相对的区域。即，从第3和第4 侧面6、 7的相对方向看时，第2信号用内部电极80和第1接地用内 部电极74具有相互重叠的区域。所以，绝缘体层9中的与第2信号用 内部电极80的主电极部81和第1接地用内部电极74的主电极部75 相重叠的部分，分别成为实质上产生静电电容成分的区域。
在第3实施方式涉及的贯通电容器中，绝缘体层9中的、与主电 极部71和主电极部85相重叠的部分、以及与主电极部81和主电极部 75相重叠的部分，成为实质上产生静电电容成分的区域。所以，第3 实施方式涉及的贯通电容器具有2种实质上产生静电电容成分的区域。
依照第3实施方式涉及的贯通电容器，根据与第1实施方式涉及 的贯通电容器C1相同的理由，能够降低贯通电容器的ESL。另外，能够抑制搭载第3实施方式涉及的贯通电容器时所产生的配线密度的降 低。
第3实施方式涉及的贯通电容器具有2种实质上产生静电电容成
分的区域，这2种区域并联连接。所以，如果调整这2种区域的尺寸 和形状并以静电电容值不同的方式进行设计，那么，能够得到阻抗在 整个宽频带上均较低的贯通电容器。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不一 定限于上述的实施方式，能够在不脱离本发明的要旨的范围内进行各 种变更。
例如，各种的信号用内部电极和接地用内部电极的形状和数量、 以及引出部的形成位置等不限于上述实施方式的情况。在上述实施方 式中，虽然具备4个接地用端子电极13 16，但接地用端子电极的数量 并不限于此，也可以具备4个接地用端子电极13 16中的至少任1个。 例如，可以只具备第1和第2接地用端子电极13、 14，也可以只具备 第1和第4接地用端子电极13、 16。
从本发明的详细说明可知，本发明可作多种方式的变化。这些变 化不能被视为超出了本发明的宗旨和范围，并且，这些对于本领域的 技术人员来说很显然的修改都被包含在本发明权利要求的范围内。
权利要求
1. 一种贯通电容器，其特征在于，具备由多个绝缘体层层叠而成的大致长方体状的电容器素体、配置在所述电容器素体内且相互相对的信号用内部电极和接地用内部电极、分别设在所述电容器素体的长边方向上的第1和第2端面上且连接于所述信号用内部电极的信号用端子电极、以及设在沿着所述电容器素体的长边方向延伸的第1～第4侧面的至少任1个侧面上且连接于所述接地用内部电极的接地用端子电极，其中，所述接地用端子电极设在靠近所述第1端面和第2端面的至少任一个端面的位置。
2. 如权利要求1所述的贯通电容器，其特征在于，在所述第1~第4侧面中的至少1个侧面上，所述接地用端子电极 分别设在靠近所述第1端面的位置和靠近所述第2端面的位置，从垂直于设有所述接地用端子电极的侧面看时，分别设在该侧面 上的所述接地用端子电极之间的距离，比设在靠近所述第1端面的位 置的所述接地用端子电极和所述第1端面之间的距离、以及设在靠近 所述第2端面的位置的所述接地用端子电极和所述第2端面之间的距 离长。
3. 如权利要求1或2所述的贯通电容器，其特征在于， 在所述第1侧面上，在靠近所述第1端面的位置设有所述接地用端子电极，在与所述第1侧面相对的所述第2侧面上，在靠近所述第2端面 的位置设有所述接地用端子电极，从所述第1和第2侧面的相对方向看时，设在所述第1侧面上的 所述接地用端子电极和设在所述第2侧面上的所述接地用端子电极之间的距离，比设在所述第1侧面的靠近所述第1端面的位置的所述接 地用端子电极和所述第1端面之间的距离、以及设在所述第2侧面的靠近所述第2端面的位置的所述接地用端子电极和所述第2端面之间 的距离长。
4. 如权利要求1~3中任一项所述的贯通电容器，其特征在于， 具备多个所述接地用内部电极和所述接地用端子电极，多个所述接地用端子电极中的、多个所述接地用内部电极中的至 少2个接地用内部电极所连接的接地用端子电极不同。
5. 如权利要求4所述的贯通电容器，其特征在于， 具备多个所述信号用内部电极，多个所述信号用内部电极中的至少一个信号用内部电极和多个所 述接地用内部电极中的至少一个接地用内部电极配置在同一层上。
6. —种贯通电容器的安装构造，其特征在于， 具备如权利要求1 5中任一项所述的贯通电容器、以及 在表面上形成有导体配线的电路基板，所述贯通电容器以该贯通电容器的长边方向和所述导体配线的延 伸方向相交叉的方式配置在所述导体配线上。
7. 如权利要求6所述的贯通电容器的安装构造，其特征在于， 在所述贯通电容器中，在所述第1~第4侧面中的至少1个侧面上，所述接地用端子电极分别设在靠近所述第1端面的位置和靠近所述第 2端面的位置，从所述绝缘体层的层叠方向看时，所述贯通电容器上的位于设在 靠近所述第1端面的位置的所述接地用端子电极和设在靠近所述第2 端面的位置的所述接地用端子电极之间的区域，配置在所述导体配线 上。
全文摘要
本发明的贯通电容器，具备由多个绝缘体层层叠而成的大致长方体状的电容器素体、配置在电容器素体内的信号用内部电极、配置在电容器素体内且与信号用内部电极相对的接地用内部电极、连接于信号用内部电极的信号用端子电极、以及连接于接地用内部电极的接地用端子电极。信号用端子电极分别设在电容器素体的长边方向上的第1和第2端面上。接地用端子电极设在沿着电容器素体的长边方向延伸的第1～第4侧面的至少任1个侧面上。而且，接地用端子电极设在靠近第1端面和第2端面的至少任一个端面的位置。
文档编号H01G4/228GK101533713SQ20091012704
公开日2009年9月16日 申请日期2009年3月13日 优先权日2008年3月14日
发明者富樫正明 申请人:Tdk株式会社