等离子体处理装置的制作方法

专利名称：等离子体处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及对被处理基板实施等离子体处理的技术，特别涉及电 容耦合型的等离子体处理装置。
背景技术：
在半导体器件、FPD (Flat Panel Display:平板显示器)的制造工 艺中的蚀刻、堆积、氧化、溅射等处理中，为了能够以较低的温度使 处理气体进行良好的反应，所以常利用等离子体。 一直以来，在单片 式的等离子体处理装置中，能够容易地实现大口径等离子体的电容耦 合型的等离子体处理装置成为主流。
一般地，电容耦合型的等离子体处理装置在构成为真空腔室的处 理容器内平行地配置上部电极和下部电极，在下部电极之上载置被处 理基板(半导体晶片，玻璃基板等)，在两电极间施加高频。这样，在 两电极间通过高频电场被加速的电子、从电极放出的电子、或被加热 的电子与处理气体的分子产生电离碰撞，产生处理气体的等离子体， 利用等离子体中的自由基、离子对基板表面进行期望的精细加工，例 如实施蚀刻加工。
此处，被施加高频的一侧的电极通过匹配器内的极间耦合电容器 与高频电源连接，因此，作为阴极(cathode)工作。在载置基板的下 部电极上施加高频并以其作为阴极的阴极耦合方式，通过利用在下部 电极产生的自偏电压将等离子体中的离子大致垂直地引入到基板，能 够进行方向性优越的各向异性蚀刻。
但是，近年来，半导体器件等的制造工艺中的设计规则越发微细 化，特别是在等离子体蚀刻中，要求更高的尺寸精度，蚀刻中相对于 掩模、基底的选择比、面内均匀性的要求更高。因此，指向腔室内的 处理区域的低压力化、低离子能量化，于是，开始使用40MHz以上的 相比于现有技术频率高出很多的高频。在此出现的问题是，在腔室的处理空间内(特别是半径方向)难 以使等离子体密度均匀。即，如果等离子体生成用高频的频率变高， 由于在腔室内驻波所形成的波长效果和在电极表面上高频集中在中心 部的表皮效应等，等离子体的密度不均，大致为在基板上中心部极大 边缘部最小的山形的分布图。如果在基板上等离子体密度不均匀，则 等离子体处理也不均，器件的制造成品率下降。
对于该问题， 一直以来对电极结构尝试了各种研究。例如，在专 利文献1中公开的等离子体处理装置，在与处理空间相对的电极的主 面上埋入电介质，使相对于从电极主面发射至处理空间的高频的阻抗 在电极中心部相对较人，在电极边缘部相对较小，从而提高等离子体 密度分布的均匀性。
上述的在电极的主面上埋入电介质的方法，对于使被处理基板上 的等离子体密度分布在基板中心部最高、随着朝向基板边缘部逐渐变
低的山形的分布图平坦(均匀)化是有效的。但是，如果使用的RF频 率逐渐变高，与此成比例地等离子体密度分布的变动幅度(山形分布 的高低差)也变大，难以进行平坦化。进一步，在阴极耦合方式的等 离子体处理装置中，更加成为问题的是，如果RF频率超过大概80MHz， 则在某一RF功率区域中，等离子体密度分布表示出基板上的中心部与 边缘部高而中间部低的W形的分布图。使山形分布图平坦化的方法无 法应对这样的W形的分布图。
专利文献l:日本特开2004—36355
发明内容
本发明鉴于上述现有技术的问题提出，因此，本发明的目的是提 供能够在广RF频率区域且在广RF功率区域中改善等离子体处理的面 内均匀性的等离子体处理装置。
为了达成上述目的，本发明的第一观点的等离子体处理装置包括-能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置被处理基板的下部 电极；在上述处理容器内与上述下部电极平行相对的上部电极；向上 述上部电极与上述下部电极之间的处理空间供给期望的处理气体的处 理气体供给部；将用于通过高频放电生成上述处理气体的等离子体的第一高频施加在上述下部电极上的第一高频供电部；和用于接受从上 述下部电极的上表面的周边部向半径方向外侧放出的高频并将其导向 接地线而覆盖上述下部电极的上表面周边部的导电性的高频接地部 件。
在上述装置结构中，在来自第一高频供电部的第一高频在下部电 极的表层传播并到达电极主面(上表面)时，即使其一部分从电极上 表面的周边部向外放射，高频接地部件也能够接受该放射的高频并导 向接地线，因此，不会影响处理气体的放电即等离子体生成。由此， 处理空间内的等离子体生成区域被限定于被处理基板的正上方和其附 近，能够使基板上的等离子体密度分布的分布图稳定。
本发明的第二观点的等离子体处理装置包括能够真空排气的处 理容器；在上述处理容器内载置被处理基板的下部电极；在上述处理 容器内与上述下部电极平行相向的上部电极；向上述上部电极与上述 下部电极之间的处理空间供给期望的处理气体的处理气体供给部；将 用于通过高频放电生成上述处理气体的等离子体的第一高频施加在上 述下部电极上的第一高频供电部；和覆盖上述下部电极的侧面和上表 面的周边部分并接地的导电性的高频接地部件。
在上述装置结构中，在来自第一高频供电部的第一高频在下部电 极的表层传递并到达电极主面(上表面)时，即使其一部分从电极侧 面、上表面周边部向外放射，高频接地部件也能够接受该放射的高频 并导向接地线，因此，不会影响处理气体的放电，即等离子体生成。 由此，处理空间内的等离子体生成区域被限定于被处理基板的正上方 和其附近，能够使基板上的等离子体密度分布的分布图稳定。另外， 优选的是，高频接地部件覆盖下部电极的上表面中向基板的半径方向 外侧伸出的部分的大致整个区域。
在本发明的优选的一个方式中，在下部电极与高频接地部件之间 夹着电介质。此外，高频接地部件的表面被绝缘膜覆盖。
此外，作为优选的一个方式，用于在高频接地部件与处理容器的 内壁之间将处理空间连接至设置在处理容器的底部的排气口的排气通 路形成为环状，在该排气通路的上部设置有用于促进从处理空间扩散 的等离子体的消灭的沿铅直方向延伸的接地的导电性的翼部件。利用该翼部件的等离子体消灭促进功能，能够使存在于排气通路的入口附 近到其上方的等离子体变少，相对地使晶片正上方区域的等离子体密 度变高，并且使等离子体密度分布的高低差变小。
优选的是，翼部件可以一体地形成或安装在环状设置在排气通路 的上部的导电性的排气环上，其表面可以被绝缘膜覆盖。此外，翼部 件可以在排气通路的周围方向上隔着一定间隔放射状地配置有多个。
此外，因为利用上述高频接地部件能够在广RF功率区域中使基板 上的等离子体密度分布大致为山形的分布图，因此，为了进一步修正 成平坦的分布图，作为优选的一个方式，在下部电极的上表面上，或 者上部电极的下表面上，可以以在电极中心部最厚在电极周边部最薄 的厚度分布设置有电介质。
根据本发明，即使将第一高频的频率设定为80MHz以上，也能够 在广RF功率区域中提高等离子体密度或等离子体处理的面内均匀性。 此外，也可以通过第二高频供电部向下部电极施加主要用于将等离子 体中的离子引入下部电极上的基板的第二高频。
根据本发明的等离子体处理装置，通过上述结构和作用，能够在 广RF频率区域中且在广RF功率区域中提高等离子体处理的面内均匀 性。


图1是表示本发明的一个实施方式的电容耦合型等离子体蚀刻装
置的结构的纵截面图。
图2是放大表示实施方式的电容耦合型等离子体蚀刻装置的主要
部分的结构的部分放大截面图。
图3是用于说明实施方式中的RF接地部件的作用的图。
图4是表示实施方式中的翼部件的结构例的立体图。
图5是作为比较例表示在图1的等离子体蚀刻装置中不具有RF接
地部件和翼部件的结构的主要部分的部分放大截面图。
图6是表示由实施方式的装置结构得到的一实施例的蚀刻率分布
特性的图。
图7是表示由图5的装置结构得到的比较例的蚀刻率分布特性的图。
图8是表示实施方式的等离子体蚀刻装置的一变形例的主要部分 的结构的部分放大截面图。
图9是表示实施方式的等离子体蚀刻装置的另一变形例的主要部 分的结构的部分放大截面图。
图IO是表示实施方式的等离子体蚀刻装置的又一变形例的主要部
分的结构的部分放大截面图。 符号说明
10腔室(处理容器)
12基座(下部电极)
16电介质
18 RF接地部件
20排气通路
22挡板
25翼部件
28排气装置
32第一高频电源
38上部电极(喷淋头)
62处理气体供给部
70第二高频电源
88、 90盖部件
具体实施例方式
以下参照

本发明的优选的实施方式。
图1表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的结构。该等 离子体处理装置构成为在下部电极上施加两个高频的阴极耦合方式 (下部双频施加方式)的电容耦合型等离子体蚀刻装置，例如具有铝 或不锈钢等金属制的圆筒型腔室(处理容器)10。腔室10被安全接地。
在腔室10内，设置有载置作为被处理基板的例如半导体晶片w的
圆板状的下部电极或基座12。该基座12由导体例如铝构成，通过由绝 缘体例如氧化铝构成的圆筒状保持部14被支承在腔室10的底壁上。基座12的侧面和上表面的周边部(边缘部)夹着电介质16被从 腔室10的底壁向垂直上方延伸的RF接地部件18覆盖。电介质16例 如由石英构成，其下端与绝缘性圆筒状保持部14的上端部连接，其上 端部朝向基座中心大致成直角地弯曲，覆盖基座12的上表面边缘部。 RF接地部件18由表面例如被阳极氧化膜或￥203等绝缘覆膜19(参照 图2，在其它的附图中省略图示)覆盖的铝构成，其下端与腔室10的 底壁连接，其上端部朝向基座中心大致成直角地弯曲，隔着电介质16 覆盖基座12的上表面边缘部。
在RF接地部件18与腔室10的内壁之间环状地设置有排气通路 20。在该排气通路20的入口附近或上部环状地安装有圆锥形的排气环 (挡板)22，并且在排气通路20的底部设置有排气口 24。排气装置 28通过排气管26连接于该排气口24。排气装置28具有真空泵，能够 将腔室10内的处理空间减压至规定的真空度。腔室10的外壁上安装 有开关半导体晶片W的搬入搬出口的闸阀30。
在基座12上通过第一匹配器34和供电棒36电连接有高频放电用 的第一高频电源32。该第一高频电源32将适于等离子体生成的频率较 高的例如100MHz的第一高频施加在下部电极即基座12上。在腔室10 的顶部，后述的喷淋头38作为接地电位的上部电极被设置。由此，来 自第一高频电源32的第一高频被电容性地施加在基座12与喷淋头38 之间。
此外，在基座12上，通过第二匹配器72和供电棒36电连接有第 二高频电源70。该第二高频电源70输出适于离子的引入的频率较低例 如3.2MHz的第二高频。
在基座12的上表面设置有用于以静电吸附力保持半导体晶片W 的静电卡盘40。该静电卡盘40是将由片状或网状的导电体构成的电极 夹在绝缘膜中而成的，在该电极上通过开关43和电线电连接有直流电 源42。利用来自直流电源42的直流电压，能够以库仑力将半导体晶片 W吸附保持在卡盘上。
在基座12的内部设置有例如沿圆周方向延伸的冷介质室44。规定 温度的冷介质例如冷却水从致冷单元46通过配管48、 50被循环供给 至该冷介质室44。能够利用冷介质的温度控制静电卡盘40上的半导体晶片W的处理温度。进一步，来自传热气体供给部52的传热气体例 如He气体通过气体供给管54被供给至静电卡盘40的上表面与半导体 晶片W的背面之间。
顶部的喷淋头38具备具有多个气体通气孔56a的下表面的电极 板56;和能够装卸地支承该电极板56的电极支承体58。在电极支承 体58的内部设置有缓冲室60，在该缓冲室60的气体导入口 60a上连 接有来自处理气体供给部62的气体供给配管64。
在腔室10的周围配置有环状或同心状地延伸的两个环磁石66a、 66b，使得在基座12与上部电极38之间的处理空间PS的周围形成磁 场。该环磁石66a、 66b设置为通过未图示的旋转机构能够旋转。
控制部68控制该等离子体蚀刻装置内的各部例如排气装置28、第 一高频电源32、第一匹配器34、静电卡盘用的开关43、致冷单元46、 传热气体供给部52、处理气体供给部62、第二高频电源70和第二匹 配器72等的动作，因此也与主机(未图示)等连接。
在该等离子体蚀刻装置中，为了进行蚀刻，首先使闸阀30为开状 态将加工对象的半导体晶片W搬入腔室10内，并载置在静电卡盘40 上。然后，通过处理气体供给部62以规定的流量将蚀刻气体(一般是 混合气体)导入腔室10内，通过排气装置28使腔室10内的压力成为 设定值。进一步，从第一高频电源32以规定的功率将第一高频供给基 座12，同时也从第二高频电源70以规定的功率将第二高频供给基座 12。此外，从直流电源42向静电卡盘40的电极施加直流电压，将半 导体晶片w固定在静电卡盘40上。从喷淋头38喷出的蚀刻气体在两 电极12、 38间通过第一高频的放电而等离子体化，半导体晶片W的 主面通过由该等离子体生成的自由基、离子被蚀刻成期望的图案。
在该等离子体蚀刻装置中，从第一高频电源32对基座(下部电极) 12施加相比于现有技术高很多的频率区域(优选是80MHz以上)的第 一高频，由此，能够以优选的离解状态使等离子体高密度化，在更低 压的条件下也能够形成高密度等离子体。与此同时，在基座12上施加 3.2MHz这样的适于离子引入的频率较低的第二高频，由此能够对半导 体晶片W的被加工膜进行选择性高的各向异性的蚀刻。从根本上说， 等离子体生成用的第一高频是无论如何在等离子体处理中都必须使用的，但是离子引入用的第二高频根据处理的不同也可以不使用。
该电容耦合型等离子体蚀刻装置的主要的特征，如图2放大表示 的，构成为具有隔着电介质16覆盖基座12的侧面和上表面周边部的 导电性的RF接地部件18。
此处，接着以图3说明RF接地部件18的作用。另外，由于基于 第二高频的离子的引入与RF接地部件18的作用没有很大的关系，所 以未图示第二高频电源70。
在图3中，从第一高频电源32输出的第一高频RF在供电棒36的 外周面表面传播并进入基座12的下表面中心部，由此在基座下表面表 层传播放辐射状地向半径方向外侧传播，围绕基座外周面(侧面)到 达基座上表面。然后，在基座12的上表面，第一高频RF从周边部朝 向中心部，向半径方向内侧逆放射状地传播，并且穿过半导体晶片W 向处理空间PS放射，与处理气体的分子碰撞，使气体分子电离或离解。 此处，如果第一高频RF的频率超过大致80MHz，则在第一高频RF中， 在到达半导体晶片W下之前从基座12的外周面(侧面)、上表面周边 部向外飞出的比例增大到不能够忽略的程度。
在该实施方式中，如图3所示，从基座12的外周面(侧面)、上 表面周边部飞出的第一高频RF，在穿过电介质16之后立即进入RF接 地部件18，在RF接地部件18的内侧面表层传播，被传导至腔室10 的底壁，从此处开始向接地线流动。这样，在向基座12供给的第一高 频RF中，仅是从基座12的上表面通过半导体晶片W向处理空间PS 放射的第一高频对处理气体的电离或离解即等离子体生成有效，处理 空间PS内的等离子体生成区域理想地被设定在半导体晶片W的正上 方。B卩，在处理空间PS中比半导体晶片W的正上方区域还靠半径方 向外侧的区域中的等离子体生成被极度限制，关于等离子体密度分布 从周边区域向晶片正上方区域的影响被限制。由此，在载置在基座12 上的半导体晶片W上，等离子体密度分布不仅在中心部较高而且在边 缘部也较高而在中间部较低的W形的分布图难以产生。
进一步，该电容耦合型等离子体蚀刻装置，在改善等离子体密度 分布特性之外，还具有以下特征采用在配置在排气通路20的入口附 近的挡板22上一体形成或安装有具有铅直方向的板面的板状的翼部件25的结构。如图4所示，翼部件25在挡板222的周围方向上隔着一定 间隔放射状地配置有多个。另外，在挡板22的底壁上形成有多个通气 孔22a。翼部件25和挡板22中的任一个都由导体例如铝构成，其表面 被阳极氧化膜或￥203等绝缘膜23 (参照图2，在其它的附图中省略图 示)覆盖，通过腔室10或RF接地部件18被电接地。
翼部件25具有不影响挡板22的本来的功能(使真空排气稳定化 功能和处理空间压力控制功能)地促进从处理空间PS侧向排气通路20 侧扩散的等离子体的消灭的功能。利用该翼部件25的等离子体消灭促 进功能，能够使存在于排气通路20的入口附近到其上方的等离子体变 少，相对地提高晶片正上方区域的等离子体密度，从而使山形分布图 的高低差变小。
在图6中，作为一个实施例，表示在利用实施方式的等离子体蚀 刻装置(图1)的蚀刻处理中得到的蚀刻率的面内分布特性。主要的蚀 刻条件如下所述。
晶片口径300mm
被蚀刻膜光致抗蚀剂(覆盖膜)
处理气体O2100sccm 腔室内的压力5mTorr 高频电力100MHz/3.2MHz=500 2000/0W 温度上部电极/腔室侧壁/下部电极=60/60/20°。 传热气体(He气体)供给压力中心部/边缘部二10/50Torr 在图7中，作为比较例，表示在图1的等离子体蚀刻装置中不具 有RF接地部件18和翼部件25的结构，即在以图5所示的方式构成基 座12的周围的情况下，在与上述相同的蚀刻条件下得到的蚀刻率的面 内分布特性。
在图5中，电介质16，覆盖基座12的上表面周边部，并且面向上 部电极38、腔室10的顶部或内壁露出。在基座12的上表面，在晶片 载置区域的周围，以载置在电介质16'之上的方式安装有由例如Si、SiC 等构成的聚焦环80。覆盖电介质16'的侧面的被接地的圆筒状的导体 82形成排气通路20的壁，并不覆盖基座12和电介质16，的上表面。
如图7所示，在不具有RF接地部件18和翼部件25的情况下，如果将等离子体生成用的第一高频(100MHz)的功率从500W提升至 IOOOW、 2000W，则蚀刻率的面内均匀性从±28.8%显著变低，成为± 39.6%、 ±46.5%。另一方面，在500W的低功率区域中，蚀刻率分布 成为不仅在基板上的中心部较高在边缘部也较高而中间部较低的W形 的分布图。
与此相对，如图6所示，在实施例中，即使将第一高频(100MHz) 的功率从500W提升至1000W、2000W，蚀刻率的面内均匀性从士15.80/。 到±20.7%、 ±20.1%并没有明显变化，是稳定的。此外，在任一功率 区域中，即使存在高低差的不同，也集中为山形的分布图，不会产生 W形的分布图。
一般光致刻蚀剂的蚀刻率依赖于电子密度，因此，图6和图7的 蚀刻率分布特性能够置换为电子密度分布特性进行评价。
如上所述，根据本发明，即使在等离子体生成用的高频中使用相 当高的频率(大致80MHz以上)，也能够在广RF功率区域中使电子密 度分布的面内均匀性稳定，而且，能够防止电子密度分布图的不规则 的变化(特别是W形的产生)。从而，能够提高等离子体蚀刻的面内 均匀性。
此外，在上述实施方式的等离子体蚀刻装置中，如上所述在任一 个RF功率区域中电子密度分布均为山形的分布图，因此，为了修正为 平坦的分布图，能够优选应用图8所示的在基座12的上表面上埋入电 介质84的结构。在此情况下，电介质84的厚度可以设定为在基座12 的中心部最大，随着朝向基座12的边缘部逐渐地(或者从中途开始) 变小。
基于同样的目的，如图9所示，能够采用在上部电极38的下表面 上埋入电介质86的结构。在此情况下，电介质86的厚度也可以设定 为在基座12的中心部最大，随着朝向基座12的边缘部逐渐地(或者 从中途开始)变小。
以上说明了本发明的优选的一个实施方式，但本发明并非限定于 上述实施方式，能够进行各种变形。特别是，关于RF接地部件18和 翼部件25的结构，能够以与装置内的其他机构最佳地组合的方式进行 各种选择、变形。例如，如图9所示，也能够采用在基座12的上表面，在半导体晶 片W的边缘与RF接地部件18之间设定适当的间隙，在此以电浮动状 态载置由适当的材质(例如Si、 SiC等)构成的盖88的结构。在此情 况下，高频从基座12的上表面通过电介质16和盖88向处理空间PS 放射，在盖88的上方也生成等离子体。此外，也能够将挡板22形成 为圆锥形以外的形状，例如水平形状，也能够采用使翼部件25的上表 面倾斜的结构等。虽然省略了图示，但也能够采用将翼部件25从挡板 22分离而独立设置的结构。
进一步，如图IO所示，也能够采用在RF接地部件18的上表面上 覆盖盖90的结构。
此外，本发明并不限定于对上述实施方式这样的下部双频施加方 式的应用，例如也能够应用于在基座(下部电极)上施加单一高频的 下部单频施加方式、和在上部电极上施加等离子体生成用的高频的类 型。
进而，虽然省略了图示，但在上部电极施加等离子体生成用的高 频的类型的装置中，也可以在上部电极周边部设置具有与在上述实施 方式中说明的RF接地部件18同样的结构和功能的RF接地部件。通 过设置覆盖上部电极的侧面和下表面的周边部分的RF接地部件，即使 施加在上部电极上的高频的一部分从上部电极侧面、上部电极下面周 边部向半径方向外侧放射，由于RF接地部件也能够接受该高频并导向 接地线，因此，能够将处理空间内的等离子体生成区域限定于被处理 基板的正上方和其附近。
本发明并不限定于等离子体蚀刻装置，也能够应用于等离子体 CVD、等离子体氧化、等离子体氮化、溅射等其他等离子体处理装置。 此外，本发明中的被处理基板并不限于半导体晶片，也能够是平板显 示器用的各种基板、光掩模、CD基板、印刷基板等。
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板的下部电极；在所述处理容器内与所述下部电极平行相对的上部电极；向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给期望的处理气体的处理气体供给部；将用于通过高频放电生成所述处理气体的等离子体的第一高频施加在所述下部电极上的第一高频供电部；和用于接受从所述下部电极的周边部向半径方向外侧放出的高频并将其导向接地线而覆盖所述下部电极的周边部的导电性的高频接地部件。
2. —种等离子体处理装置，其特征在于，包括 能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板的下部电极；在所述处理容器内与所述上部电极平行相对的上部电极；向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给期望的处理气体的处理气体供给部；将用于通过高频放电生成所述处理气体的等离子体的第一高频施加在所述下部电极上的第一高频供电部；和覆盖所述下部电极的侧面和上表面的周边部分并接地的导电性的高频接地部件。
3. 如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述高频接地部件覆盖所述下部电极的上表面中向所述基板的半径方向外侧伸出的部分的大致整个区域。
4. 如权利要求1 3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述下部电极与所述高频接地部件之间夹持有电介质。
5. 如权利要求1 3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述高频接地部件的表面被绝缘膜覆盖。
6. 如权利要求1 3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于用于在所述高频接地部件与所述处理容器的内壁之间将所述处理 空间连接至设置在所述处理容器的底部的排气口的排气通路形成为环 状，用于促进在所述排气通路的上部从所述处理空间扩散来的等离子 体的消灭的沿铅直方向延伸的被接地的导电性的翼部件。
7. 如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于-所述翼部件一体地形成或安装在环状地设置在所述排气通路的上部的导电性的排气环上。
8. 如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述翼部件的表面被绝缘膜覆盖。
9. 如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于-所述翼部件在所述排气通路的周围方向上隔着一定间隔放射状地配置有多个。
10. 如权利要求1 3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征 在于在所述下部电极的上表面上，以在电极中心部最厚在电极周边部 最薄的厚度分布设置有电介质。
11. 如权利要求1 3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征 在于在所述上部电极的下表面上，以在电极中心部最厚在电极周边部 最薄的厚度分布设置有电介质。
全文摘要
本发明提供等离子体处理装置，其能够在广RF频率区域中且在广RF功率区域中提高等离子体处理的面内均匀性。在腔室(10)内，载置半导体晶片(W)的基座(下部电极)(12)和上部电极(38)平行相向地配置。在基座(12)上，从第一高频电源(32)施加等离子体生成用的第一高频。基座(12)的侧面和上表面周边部(边缘部)夹着电介质(16)被从腔室(10)的底壁向垂直上方延伸的RF接地部件(18)覆盖。在安装在排气通路(20)的上部的排气环(22)之上设置有翼部件(25)。
文档编号H01L21/3213GK101540277SQ200910129459
公开日2009年9月23日 申请日期2009年3月20日 优先权日2008年3月21日
发明者松土龙夫, 桧森慎司 申请人:东京毅力科创株式会社