专利名称：：布线电路基板及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及布线电路基板及其制造方法。
背景技术：
：布线电路基板包括基底绝缘层；在基底绝缘层上形成的导体图案；以及在基底绝缘层上覆盖导体图案而形成的覆盖绝缘层。另外，在这样的布线电路基板中，已知在导体图案的表面设置锡层。例如，提出了如下的技术方案在聚酰亚胺薄膜上的、由铜形成的布线图案的整个表面形成镀锡层，接下来，在其上涂布焊料抗蚀剂，曝光及显影后，在15(TC下加热60分钟，使焊料抗蚀剂固化，得到电子器件安装用薄膜载带(例如参照日本专利特开2001—144145号公报及日本专利特开2000—36521号公报)。而且，在日本专利特开2001—144145号公报及日本专利特开2000—36521号公报披露的电子器件安装用薄膜载带中，由于布线图案中的铜向镀锡层扩散，因而形成了铜扩散镀锡层。
发明内容但是，在日本专利特开2001—144145号公报及日本专利特开2000—36521号公报所披露的电子器件安装用薄膜载带中，被铜扩散镀锡层覆盖的布线图案与焊料抗蚀剂的紧贴性不够。因此，由于电子器件安装用薄膜载带的长期使用，会存在如下的不理想情况焊料抗蚀剂会从布线图案浮起，布线图案会被腐蚀。本发明的目的在于提供一种可以防止被锡合金层覆盖的导体图案与覆盖绝缘层的紧贴性下降的布线电路基板及其制造方法。为达到上述目的，本发明的布线电路基板的特征是包括基底绝缘层；在上述基底绝缘层上形成的导体图案；形成于上述导体图案的表面且至少包含氧化锡的锡类薄层；以及在上述基底绝缘层上覆盖上述锡类薄层而形成的覆盖绝缘层。另外，在本发明的布线电路基板中，较为理想的是上述锡类薄层包含由上述氧化锡形成的氧化锡层，上述氧化锡层的厚度是550nm。另外，本发明的布线电路基板的特征是由包括如下工序的布线电路基板的制造方法得到的，上述工序包括形成基底绝缘层的工序；在上述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在上述导体图案的表面形成锡层的工序；将上述锡层在真空下加热至35(TC以上的加热工序；在上述加热工序后通过将上述锡层在大气压下冷却而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的冷却工序；以及在上述基底绝缘层上形成覆盖上述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。另外，本发明的布线电路基板的特征是由包括如下工序的布线电路基板的制造方法得到的，上述工序包括形成基底绝缘层的工序；在上述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在上述导体图案的表面形成锡层的工序；将上述锡层在真空下加热至35(TC以上的加热工序；在上述加热工序后将上述锡层在真空下冷却的冷却工序；在上述冷却工序后通过将上述锡层在大气压下加热至150。C以上而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的再加热工序；以及在上述基底绝缘层上形成覆盖上述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。另外，在本发明的布线电路基板中，较为理想的是形成上述覆盖绝缘层的工序包括层叠未固化的树脂的工序；以及通过对层叠好的未固化的上述树脂加热而使其固化的固化工序，同时实施上述固化工序和上述加热工序。另外，本发明的布线电路基板的制造方法的特征是包括形成基底绝缘层的工序；在上述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在上述导体图案的表面形成锡层的工序；将上述锡层在真空下加热至350'C以上的加热工序；在上述加热工序后通过将上述锡层在大气压下冷却而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的冷却工序；以及在上述基底绝缘层上形成覆盖上述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。另外，本发明的布线电路基板的制造方法的特征是包括形成基底绝缘层的工序；在上述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在上述导体图案的表面形成锡层的工序；将上述锡层在真空下加热至35(TC以上的加热工序；在上述加热工序后将上述锡层在真空下冷却的冷却工序；在上述冷却工序后通过将上述锡层在大气压下加热至15(TC以上而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的再加热工序；以及在上述基底绝缘层上形成覆盖上述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。另外，在本发明的布线电路基板的制造方法中，较为理想的是形成上述覆盖绝缘层的工序包括层叠未固化的树脂的工序；以及通过对层叠好的未固化的上述树脂加热而使其固化的固化工序，同时实施上述固化工序和上述加热工序。根据本发明的布线电路基板及其制造方法，由于在导体图案与覆盖绝缘层之间存在至少包含氧化锡的锡类薄层，所以可以防止导体图案与覆盖绝缘层的紧贴性下降。其结果是，即使长期使用布线电路基板，也能防止覆盖绝缘层从导体图案剥离，可以防止导体图案产生变色。图1是表示作为本发明的布线电路基板的一实施方式的带电路的悬挂基板的主要部分俯视图。图2是沿着图1所示的带电路的悬挂基板的长度方向的主要部分剖视图。图3是图2所示的锡类薄层的放大剖视图。图4是表示作为本发明的布线电路基板的制造方法的一实施方式的、图2所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序图，(a)表示准备金属支承基板的工序，(b)表示在金属支承基板上形成基底绝缘层的工序，(c)表示在基底绝缘层上形成导体图案的工序，(d)表示在导体图案的表面形成锡层的工序，(e)表示形成覆盖皮膜的工序。图5接着图4，是表示作为本发明的布线电路基板的制造方法的一实施方式的、图2所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序图，(f)表示通过加热使覆盖皮膜固化并形成锡类薄层的工序，(g)表示在金属支承基板上形成金属开口部的工序，(h)表示在基底绝缘层上形成基底开口部的工序，(i)表示形成金属镀层的工序。图6是作为本发明的布线电路基板的其他实施方式(锡层残留的形态)的带电路的悬挂基板的锡类薄层的放大剖视图。图7表示实施例的锡类薄层的厚度与剥离强度的关系的曲线图。具体实施例方式图1是表示作为本发明的布线电路基板的一实施方式的带电路的悬挂基板的主要部分俯视图；图2是沿着图1所示的带电路的悬挂基板的长度方向(以下有时仅称作"长度方向")的主要部分剖视图；图3是图2所示的锡类薄层(后述)的放大剖视图。另外，在图1中，为明确导体图案的相对配置，省略后述的锡类薄层及金属镀层。该带电路的悬挂基板1安装在硬盘驱动器上，搭载未图示的磁头，使磁头与磁盘对置地支承该磁头。在带电路的悬挂基板1上形成有导体图案4，该导体图案4用于连接磁头和未图示的读写基板等的外部电路。另外，该带电路的悬挂基板1如图2所示，包括金属支承基板2;在金属支承基板2上形成的基底绝缘层3;在基底绝缘层3上形成的导体图案4;以及在基底绝缘层3上覆盖导体图案4而形成的覆盖绝缘层6。金属支承基板2如图1所示，为在长度方向上延伸的俯视矩形薄板形状，由金属箔或金属薄板形成。作为形成金属支承基板2的金属材料，例如可以使用不锈钢、42合金等，较为理想的是使用不锈钢。另外，金属支承基板2的厚度例如是1060um，较为理想的是1530"m。基底绝缘层3层叠在金属支承基板2的上表面。更具体而言，基底绝缘层3在金属支承基板2上形成为与形成导体图案4的布线12的部分对应的图案。作为形成基底绝缘层3的绝缘材料，例如可以使用聚酰亚胺、聚醚腈、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成树脂。这其中，较为理想的是使用感光性的合成树脂，更为理想的是使用感光性聚酰亚胺。另外，基底绝缘层3的厚度例如是l30um，较为理想的是220um。导体图案4一体地连续包括磁头侧连接端子部11A;外部侧连接端子部8IIB;用于连接这些磁头侧连接端子部IIA及外部侧连接端子部11B的布线12。布线12沿着长度方向设置，在宽度方向(与长度方向垂直的方向)上互相隔开间隔并列配置有多条(四条)。磁头侧连接端子部11A配置在金属支承基板2的前端部(长度方向一端部)，沿着宽度方向互相隔开间隔并列配置。另外，磁头侧连接端子部11A设置有多个(四个)，以分别连接各布线12的前端部。另外，磁头侧连接端子部11A如图2所示，如后文所述，被设置为其下表面从金属支承基板2和基底绝缘层3露出，其上表面从覆盖绝缘层6露出。在该磁头侧连接端子部IIA上连接磁头的端子部(未图示)。外部侧连接端子部11B如图1所示，配置在金属支承基板2的后端部(长度方向另一端部)，沿着宽度方向互相隔开间隔并列配置。另外，外部侧连接端子部11B设置有多个(四个)，以分别连接各布线12的后端部。另外，外部侧连接端子部11B如图2所示，如后文所述，被设置为其下表面从金属支承基板2和基底绝缘层3露出，其上表面从覆盖绝缘层6露出。在该外部侧连接端子部11B上连接读写基板的端子部(未图示)。作为形成导体图案4的导体材料，例如可以使用铜、镍、金、焊锡、或者它们的合金等导体材料，较为理想的是使用铜。导体图案4的厚度例如是115ym，较为理想的是312"m。另外，各布线12的宽度、各磁头侧连接端子部11A及各外部侧连接端子部11B的宽度例如可以相同或相异，例如是50500lim，较为理想的是80300um，各布线12间的间隔、各磁头侧连接端子部11A间的间隔、以及各外部侧连接端子部IIB间的间隔例如可以相同或相异，例如是5500um，较为理想的是15100um。另外，下面在没有必要特别区分磁头侧连接端子部IIA及外部侧连接端子部11B时，仅将其作为端子部ll说明。覆盖绝缘层6以覆盖导体图案4且覆盖从导体图案4露出的基底绝缘层3的上表面的形态形成。更具体而言，覆盖绝缘层6如图2所示，在俯视下形成为与基底绝缘层3相同的图案。另外，覆盖绝缘层6的厚度例如是l20um，较为理想的是210tim。另外，在该带电路的悬挂基板l中，金属支承基板2、基底绝缘层3及覆盖绝缘层6在与端子部11对应的部分分别开口。更具体而言，在金属支承基板2上，在形成端子部11的部分形成有贯穿厚度方向的金属开口部8。该金属开口部8如图l所示，在俯视下开口为俯视近似矩形，以包含所有(四个)端子部ll。另外，在基底绝缘层3上，在形成端子部11的部分形成有贯穿厚度方向的基底开口部9。该基底开口部9在俯视下开口为与金属开口部8相同的形状，以包含所有(四个)端子部ll。即，基底开口部9形成为在俯视下，其长度方向两端缘及宽度方向两端缘位于与金属开口部8的长度方向两端缘及宽度方向两端缘相同的位置。据此，端子部11的下表面从金属支承基板2的金属开口部8及基底绝缘层3的基底开口部9露出。另外，在覆盖绝缘层6上，在形成端子部11的部分形成有贯穿厚度方向的覆盖开口部10。该覆盖开口部10在俯视下开口为与基底开口部9相同的形状，以包含所有(四个)端子部ll。即，覆盖开口部10形成为在俯视下，其长度方向两端缘及宽度方向两端缘位于与基底开口部9的长度方向两端缘及宽度方向两端缘相同的位置。据此，端子部11的上表面及两个侧面从覆盖绝缘层6的覆盖开口部10露出。艮口，该端子部11以其表面(上表面、两个侧面及下表面)从金属开口部8、基底开口部9及覆盖开口部IO露出的形态形成，该端子部ll形成为飞线。另外，在该带电路的悬挂基板1中，锡类薄层5在导体图案4的表面形成。锡类薄层5如图2所示，在形成布线12的部分被覆盖绝缘层6覆盖，存在于布线12和覆盖绝缘层6之间。另外，锡类薄层5在形成端子11的部分从金属开口部8、基底开口部9及覆盖开口部IO露出。另外，锡类薄层5连续设置在导体图案4(布线12及端子部11)的上表面及各个侧面(即宽度方向两个侧面及长度方向两个侧面)。更具体而言，锡类薄层5侵蚀导体图案4的上表面、宽度方向两个侧面及长度方向两个侧面而形成。10而且，锡类薄层5至少包含氧化锡，具体而言，形成锡类薄层5的锡类材料用下述组成式(compositinoalformula)(1)表示。MtaSnb0(1)(式中，Mt表示从由铜、镍及金组成的组中选择的至少一种金属原子。另外，a和b满足(X(a/b)<1)组成式(1)中，Mt较为理想的是铜。另外，锡类薄层5也可以由多种不同的金属的层形成，在这种情况下，锡类薄层5如图3所示，包括由锡合金形成的锡合金层33;在锡合金层33的表面形成的由氧化锡形成的氧化锡层31。锡合金层33覆盖导体图案4的表面(上表面、宽度方向两个侧面及长度方向两个侧面)，形成为锡类薄层5中与导体图案4接触的最内侧面。另外，锡合金层33例如由锡和形成导体图案4的导体材料的合金(锡合金)形成，具体而言，在导体图案4由铜形成时，由锡与铜的锡铜合金形成。形成锡合金层33的锡合金(具体而言为锡铜合金)例如可以用Cu4,Snn、Cui。Sn:,、CuuSns、Cu3Sn、Cu6Sn5、CL^Snn、Cu81Sn22等组成式来表示。另外，锡铜合金也可以使用上述组成式(分子式)的总称而仅用CuxSn,(x和y满足(x/y)》1.11)来表示。作为形成锡合金层33的锡合金，可以单独使用一种或者并用两种以上，较为理想的是并用CueSns和Cu3Sn。具体而言，锡合金层33包括由Cii3Sn形成的第一锡合金层37;在第一锡合金层37的表面形成的由Cu6Sns形成的第二锡合金层36。关于锡合金层33的厚度，第一锡合金层37例如是l1500nm，较为理想的是200800nm，第二锡合金层36例如是11500nm，较为理想的是200800nm。氧化锡层31形成于锡合金层33的表面，形成为锡类薄层5中与覆盖绝缘层6接触的最外侧面。形成氧化锡层31的氧化锡例如可以用SnO(氧化锡(II))、Sn02(氧化锡(IV))、Sn203(三氧化二锡)、Sn304、Sn7013、Sn04等组成式来表示。另夕卜，氧化锡也可以使用上述分子式的总称而仅用SnOz(z满足0<z<5)来表示。可以单独使用这些中的一种或者并用两种以上。较为理想的是并用Sn0和Sn02。具体而言，氧化锡层31包括由Sn02形成的第一氧化锡层35;在第一氧化锡层35的表面形成的由SnO形成的第二氧化锡层34。氧化锡层31的厚度例如是550nm，较为理想的是520nrn，关于各层的厚度，第一氧化锡层35例如是0.150nm，较为理想的是0.110nm，第二氧化锡层34例如是150nm，较为理想的是330nm。在氧化锡层31的厚度不满足上述范围时，有时不能防止布线12与覆盖绝缘层6的紧贴性下降，而且有时无法提高端子部11的强度。另外，在锡类薄层5的厚度超过上述范围时，端子部11的表面电阻率有时会过高。锡类薄层5的厚度是上述各层的厚度的总和，例如是5001500nm，较为理想的是7001100nm。另外，上述锡类薄层5(即第一锡合金层37、第二锡合金层36、第一氧化锡层35及第二氧化锡层34)的组成及厚度可以分别利用电场发射式扫描电子显微镜分析(FE—SEM)、透射式电子显微镜分析(TEM)、能量扩散式X射线能谱分析(EDS)、俄歇电子能谱分析(AES)、电子探针微量分析仪分析(EPMA)等测定。另外，也可以利用SERA法(IPC—4554)测定锡类薄层5的组成及厚度。作为形成覆盖绝缘层6的绝缘材料，可以使用与形成上述基底绝缘层3的绝缘材料同样的绝缘材料。覆盖绝缘层6的厚度例如是210um，较为理想的是36pm。另外，在该带电路的悬挂基板1中，如图2所示，在端子部ll，在锡类薄层5的表面形成有金属镀层7。更具体而言，金属镀层7在形成于端子部11的上表面及两个侧面的锡类薄层5(第二氧化锡层34)的表面、以及端子部11的下表面上与这些表面连续形成。作为形成金属镀层7的金属材料，例如可以使用金或镍等，较为理想的是使用金。另外，金属镀层7的厚度例如是0.25um，较为理想的是0.53Pm。接下来，参照图4及图5说明作为本发明的布线电路基板的制造方法的一实施方式的带电路的悬挂基板的制造方法。首先，在本方法中，如图4(a)所示，准备金属支承基板2。接下来，在本方法中，如图4(b)所示，在金属支承基板2上形成基底绝缘层3。为了形成基底绝缘层3，例如，首先，将感光性聚酰亚胺树脂前体的清漆(感光性聚酰胺酸树脂溶液)均匀涂布在金属支承基板2的整个表面，例如在7012(TC下加热、干燥，形成基底皮膜。接下来，在将该基底皮膜通过光掩模曝光后，显影，接着，例如将其在35040(TC下加热固化(酰亚胺化)，据此，在金属支承基板2上将基底绝缘层3形成为上述图案。接下来，在本方法中，如图4(c)所示，在基底绝缘层3上将导体图案4形成为上述图案。导体图案4例如可以通过加成法、减成法等已知的图案形成法形成。较为理想的是通过加成法形成。艮口，在加成法中，首先，在基底绝缘层3的整个表面形成未图示的种膜。作为形成种膜的材料，例如可以使用铜、铬或者它们的合金等金属材料。种膜可以通过溅射法、电解镀覆或者非电解镀覆等形成。接下来，在种膜的表面设置干膜抗蚀膜，将其曝光及显影，形成图案与导体图案4相反的未图示的抗镀膜。接下来，在从抗镀膜露出的种膜的表面，通过镀覆形成导体图案4，接下来，通过蚀刻等去除抗镀膜及形成有抗镀膜部分的种膜。另外，镀覆较为理想的是使用电解镀铜。接下来，在本方法中，如图4(d)所示，在导体图案4的表面形成锡层32。锡层32例如是通过非电解镀锡而在导体图案4的表面形成的。另外，在该非电解镀锡中，在导体图案4由铜形成时，通过铜与锡的置换，导体图案4的表面被蚀刻，更具体而言，形成侵蚀导体图案4的上表面、宽度方向两个侧面及长度方向两个侧面的锡层32。锡层32(加热工序前的锡层32)的厚度例如是12000mn，较为理想的是200500nm。在加热工序前的锡层32的厚度不处在上述范围内时，由之后的工序形成的锡类薄层5有时不能形成为上述范围内的厚度。接下来，在本方法中，如图4(e)所示，将覆盖皮膜23形成为上述的图13案。覆盖皮膜23是形成覆盖绝缘层6之前的未固化的树脂。例如，在使用感光性聚酰亚胺形成覆盖皮膜23时，首先，将感光性聚酰胺酸树脂溶液涂布在包含导体图案4及锡层32的基底绝缘层3的整个表面，例如，在7012(TC下加热、干燥。接下来，在将其通过光掩模曝光后，进行显影，据此，形成将在布线12的表面形成的锡层32覆盖并使在端子部11的表面形成的锡层32露出的图案。接下来，在本方法中，如图5(f)所示，通过加热使未固化的覆盖皮膜23固化，并对锡层32加热及冷却，据此，形成锡类薄层5。为了使覆盖皮膜23固化并形成锡类薄层5，首先，将形成有锡层32及覆盖皮膜23的制造中的带电路的悬挂基板1在真空下加热至35(TC以上(加热工序)。在加热工序中，例如将带电路的悬挂基板l投入减压干燥机等，边利用真空泵(减压泵)使减压干燥机内处于真空，边利用加热器对带电路的悬挂基板1加热。具体而言，作为加热工序的真空压力例如是3Pa以下，较为理想的是lPa以下，通常是O.1Pa以上。另外，真空(减压)下的气氛例如为大气等含氧气氛、或者为氮气等惰性气体气氛，较为理想的是惰性气体气氛。另外，加热温度是可以使覆盖皮膜23固化且不使基底绝缘层3及覆盖皮膜23分解的温度，较为理想的是36(TC以上，更为理想的是38(TC以上，通常例如是45(TC以下，较为理想的是41(TC以下。另夕卜，加热时间例如是60300分钟，较为理想的是80240分钟。另外，从常温到加热温度的加热速度例如是l6'C/分钟，较为理想的是46i:/分钟。利用该加热工序，在未固化的覆盖皮膜23固化而形成覆盖绝缘层6的同时，锡会向导体图案4的导体材料扩散，且导体图案4的导体材料向锡扩散，形成锡合金层33(参照图3)。在该锡的扩散中，形成于导体图案4的表面的锡层32的锡向内侧扩散，据此，锡合金层33形成为比加热前的锡层32厚的厚度。由于该锡的扩散，锡层32被置换为锡合金层33，锡层32实际上消失。接下来，在加热工序后，将包含锡合金层33的制造中的带电路的悬挂基板1在真空下从加热温度冷却至达到常温的中途(冷却到达温度)(第一冷却工序)。在第一冷却工序中，例如可以原样使用在上述加热工序中使用的减压干燥机等，具体而言，使减压干燥机的加热器停止运转，并使真空泵继续运转。第一冷却工序的冷却到达温度例如是IO(TC以上、小于35(TC，较为理想的是150300°C，更为理想的是从200250。C的范围中选择的任意温度。另外，冷却速度(从加热温度冷却至冷却到达温度时的冷却速度)例如是O.15r/分钟，较为理想的是0.54。C/分钟。另外，第一冷却工序的真空压力与上述加热工序的真空压力相同。然后，在第一冷却工序后，将包含锡合金层33的制造中的带电路的悬挂基板l在大气压下冷却(作为冷却工序的第二冷却工序)。在第二冷却工序中，可以原样使用在第一冷却工序中使用的减压干燥机等，具体而言，在停止加热器的运转的状态下，使真空泵停止运转，将减压干燥机内与大气连通。另外，在第二冷却工序中，将带电路的悬挂基板l例如从第一冷却工序的冷却温度冷却至常温(室温，具体而言为104(TC，更具体而言为2^C左右)。冷却速度(从冷却到达温度冷却至常温的冷却速度)例如是15°C/分钟，较为理想的是24'C/分钟。利用该第二冷却工序，锡合金层33的表面(实际上只有锡原子)被氧化，形成氧化锡层31。即，微量混入锡合金层33的外侧面与覆盖皮膜23的内侧面之间的氧成为用于将锡合金层33(锡原子)氧化的供氧源，使锡合金层33的表面氧化。另外，由于锡合金层33的表面的氧化，锡合金层33形成得比第二冷却工序前薄。据此，形成由锡合金层33及氧化锡层31形成的锡类薄层5(参照图3)。接下来，在本方法中，如图5(g)所示，在金属支承基板2上形成金属开口部8。在形成金属开口部8时，例如可以使用干法蚀刻(例如等离子蚀刻)或湿法蚀刻(例如化学蚀刻)等已知的蚀刻法、钻头穿孔、激光加工，较为理想的是使用化学蚀刻。接下来，在本方法中，如图5(h)所示，在基底绝缘层3上形成基底开口部9。在形成基底开口部9时，例如可以使用干法蚀刻(例如等离子蚀刻)或湿法蚀刻(例如化学蚀刻)等已知的蚀刻法、钻头穿孔、激光加工，较为理想的是使用等离子蚀刻。接下来，在本方法中，如图5(i)所示，将镀金层7在形成于端子部11的上表面及两个侧面的锡类薄层5的表面、以及端子部11的下表面上连续形成。镀金层7例如通过电解镀覆或者非电解镀覆形成，较为理想的是通过电解镀覆形成。另外，在该带电路的悬挂基板1及其制造方法中，由于在包含端子部11的导体图案4的表面形成锡类薄层5，所以可以充分实现端子部11的强度提高。其结果是，可以得到连接可靠性较高的带电路的悬挂基板l。而且，由于在导体图案4与覆盖绝缘层6之间存在包含氧化锡层31的锡类薄层5，所以尽管用锡合金层33覆盖导体图案4，也可以防止导体图案4与覆盖绝缘层6的紧贴性下降。其结果是，即使长期使用带电路的悬挂基板l，也能防止覆盖绝缘层6从导体图案4剥离(浮动)，可以防止布线12产生变色。另外，在上述说明中，例举了锡类薄层5是由锡合金层33及氧化锡层31形成的，但锡类薄层5的层结构不限于此，至少形成锡合金层33即可，例如，在加热工序后也可以保留锡层32，例如，如图6所示，也可以由锡合金层33、锡层32及氧化锡层31形成。图6中，锡层32实际上只由锡(Sn)形成，存在于锡合金层33和氧化锡层31之间，具体而言为第二锡合金层36和第一氧化锡层35之间。锡层32的厚度例如是11500nm，较为理想的是1500nm。另外，在上述说明中，实施第一冷却工序，但例如也可以不实施第一冷却工序，在加热工序之后紧接着在大气压下实施第二冷却工序。在这种情况下，第二冷却工序的冷却速度(从加热温度冷却至常温的速度)例如是15°C/分钟，较为理想的是24'C/分钟。另外，在上述说明中，依次实施在真空下的第一冷却工序及在大气压下的第二冷却工序，但作为代替，例如也可以依次实施作为在真空下的冷却工序的第三冷却工序及在大气压下的再加热工序。艮口，在上述的加热工序之后实施第三冷却工序，代替第一冷却工序及第二冷却工序，将包含锡合金层33的制造中的带电路的悬挂基板1在真空下冷却。艮口，在第三冷却工序中，可以原样使用在上述加热工序中使用的减压干燥机等，具体而言，使真空泵继续运转，并使加热器停止运转，冷却至常温(室温，具体而言为1040°C，更具体而言为25°0左右)。另外，第三冷却工序的冷却速度(从加热温度冷却至常温时的冷却速度)例如是110°C/分钟，较为理想的是23°C/分钟。另外，作为第三冷却工序的真空压力例如是3Pa以下，较为理想的是lPa以下，通常是O.1Pa以上。另外，真空下的气氛例如为大气等含氧气氛、或者为氮气等惰性气体气氛，较为理想的是惰性气体气氛。在再加热工序中，在第三冷却工序后，将带电路的悬挂基板l在大气压下加热至15(TC以上。在再加热工序中，例如可以使用上述减压干燥机(不使用真空泵)、或与其不同的干燥机。另外，加热温度较为理想的是150220°C，更为理想的是16020(TC。加热时间例如是10120分钟，较为理想的是2060分钟。另外，从常温到加热温度的加热速度例如是1~20°C/分钟，较为理想的是510°C/分钟。在再加热工序后，将带电路的悬挂基板l例如在大气压下或者真空下，较为理想的是在大气压下冷却(逐渐冷却)至常温。为了将带电路的悬挂基板1在大气压下冷却，可以使干燥机的加热器停止，或者从干燥机取出带电路的悬挂基板1，放置在大气气氛下。另外，冷却(逐渐冷却)速度例如是15(TC/分钟。利用这些第三冷却工序及再加热工序，锡合金层33的表面被氧化，形成氧化锡层31。据此，形成由锡合金层33及氧化锡层31形成的锡类薄层5。17另外，在上述说明中，将带电路的悬挂基板1的端子部11形成为飞线，但例如也可以在与端子部11对应的位置上不形成基底开口部9及金属开口部8，而将端子部ll形成为使其下表面(背面)从下侧被基底绝缘层3及金属支承基板2支承。另外，在上述说明中，说明了例举包括金属支承基板2的带电路的悬挂基板l作为本发明的布线电路基板，但本发明的布线电路基板不限于此，例如也可以广泛应用于包括金属支承基板2作为增强层的柔性的布线电路基板、不包括金属支承基板2的柔性的布线电路基板等其他布线电路基板。实施例下面通过实施例及比较例进一步具体说明本发明，但本发明不限于任何实施例及比较例。实施例1准备厚度20"m的由不锈钢(SUS304)箔形成的金属支承基板(参照图4(a))。接下来，将感光性聚酰胺酸树脂溶液均匀涂布在金属支承基板的整个表面，在90。C下加热、干燥，形成基底皮膜。接下来，在将该基底皮膜通过光掩模曝光后，显影，之后，将其在370。C下加热固化(酰亚胺化)，据此，在金属支承基板上形成厚度10um的由聚酰亚胺形成的基底绝缘层(参照图4(b))。接下来，在该基底绝缘层的整个表面利用溅射蒸镀法依次形成厚度50nm的络薄膜及厚度100nm的铜薄膜，据此形成种膜。接下来，在该种膜的上表面形成图案与导体图案的图案相反的抗镀膜，之后，利用电解镀铜，形成厚度10Pm的由铜形成的导体图案(参照图4(c))。各布线的宽度及各端子部的宽度是100um，各布线间的间隔及各端子部间的间隔是20um。接下来，在导体图案的表面利用非电解镀锡形成厚度485nm的锡层(参照图4(d))。接下来，将感光性聚酰胺酸树脂溶液涂布在包含锡层的基底绝缘层的整个表面，在9(TC下加热干燥。接下来，在将其通过光掩模曝光后，进行显影，据此形成覆盖开口部，将覆盖皮膜形成为露出锡层的图案(参照图4(e))。接下来，将形成有锡层及覆盖皮膜的制造中的带电路的悬挂基板投入减压干燥机，通过使加热器及真空泵运转，在真空下(1Pa)以6X:/分钟的加热速度从25t:加热至40(rC，接下来，在真空下(1Pa)下在40(TC下继续加热120分钟(加热工序)。通过该加热使覆盖皮膜固化(酰亚胺化)，并形成由锡扩散至铜的锡铜合金形成的锡合金层(参照图5(f))。接下来，使减压干燥机的加热器停止运转，将带电路的悬挂基板在真空下(1Pa)冷却至25(TC(第一冷却工序)。第一冷却工序的冷却速度是0.6'C/分钟。接下来，使真空泵停止运转，将减压干燥机内与大气连通，据此，将带电路的悬挂基板在大气压下从25(TC冷却至25t:(第二冷却工序)。第二冷却工序的冷却速度是3'C/分钟。接下来，通过化学蚀刻金属支承基板，形成金属开口部(参照图5(g))，接下来，通过等离子蚀刻基底绝缘层，形成基底开口部(参照图5(h))。之后，通过电解镀金，在形成于端子部的上表面及两个侧面的锡合金层的表面、端子部的下表面上连续地形成厚度2ym的镀金层(参照图5(i))。实施例25除了在形成锡层时根据表1的括号内的数值来变更锡层的厚度(加热工序前的锡层的厚度)之外，以与实施例l一样的方法得到带电路的悬挂基板。实施例610除了实施在真空下的第三冷却工序及在大气压下的再加热工序来代替在真空下的第一冷却工序及在大气压下的第二冷却工序之外，与实施例1一样，通过形成锡类薄层，得到带电路的悬挂基板。艮卩，在加热工序后，在第三冷却工序中，通过使在加热工序中使用的减压干燥机的真空泵继续运转并使加热器停止运转，将包含锡合金层的制造中的带电路的悬挂基板在真空下(1Pa)从400。C冷却至25。C。第三冷却工序的冷却速度是3r/分钟。在第三冷却工序后，在再加热工序中，将带电路的悬挂基板投入其他干燥机，在大气压下以1(TC/分钟的加热速度加热至20(TC，加热30分钟。之后，在大气压下逐渐冷却。逐渐冷却速度是5°C/分钟。比较例1除了在加热工序中将加热温度变更为150'C，将加热时间变更为60分钟，并在加热工序后将带电路的悬挂基板在大气压下从150'C逐渐冷却至25X:来代替实施第一冷却工序及第二冷却工序之外，以与实施例l一样的方法得到带电路的悬挂基板。比较例2除了在加热工序中将真空下变更为大气压下，并且，代替第一冷却工序及第二冷却工序，在加热工序后，使用减压干燥机，使加热器停止运转，使真空泵运转，将带电路的悬挂基板在真空下(1Pa)下从40(TC逐渐冷却至25'C之外，以与实施例l一样的方法得到带电路的悬挂基板。(评价)1)以SERA法(IPC—4554)为基准，分别测定各实施例及各比较例的带电路的悬挂基板的锡类薄层的各层的组成及厚度。结果确认了在实施例110的锡类薄层中只存在由Cu3Sn形成的第一锡合金层、由Cu6Sru形成的第二锡合金层、由Sn02形成的第一氧化锡层及由SnO形成的第二氧化锡层。另外，确认了由Sn形成的锡层的消失。另一方面，确认了在比较例1和2的锡类薄层中存在由Cu3Sn形成的第一锡合金层、由Cu6Sns形成的第二锡合金层。另外，确认了由Sn形成的锡层的消失。锡类薄层的厚度如表l所示。2)端子部的连接强度通过施加超声波振荡，使用键合工具将各实施例及各比较例的带电路的悬挂基板的外部侧连接端子与由读写基板的金垫形成的端子部连接。之后，利用万能试验机(腾喜龙(tensilon)、A&D公司制造)，实施在180度方向剥离的剥离试验，评价端子部的连接强度。其结果如表l所示。3)覆盖绝缘层的剥离强度在各实施例及各比较例的带电路的悬挂基板中，在前端部将覆盖绝缘层从基底绝缘层及金属支承基板剥下，使用万能试验机(腾喜龙(tensilon)、A&D公司制造)，用一个夹盘(chuck)抓住覆盖绝缘层的前端部，用另一个夹盘20抓住基底绝缘层及金属支承基板的前端部，实施将其在180度方向剥离的剥离试验，测定布线与覆盖绝缘层的紧贴性作为覆盖绝缘层的剥离强度。其结果如表l所示。L表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>另外，上述说明提供了作为本发明例举的实施方式，但这只是单纯的例举，并非限定性的解释。对于该
技术领域：
的从业人员明显是本发明的变形例包含在权利要求范围内。权利要求1.一种布线电路基板，其特征在于，包括基底绝缘层；在所述基底绝缘层上形成的导体图案；形成于所述导体图案的表面且至少包含氧化锡的锡类薄层；以及在所述基底绝缘层上覆盖所述锡类薄层而形成的覆盖绝缘层。2.如权利要求l所述的布线电路基板，其特征在于，所述锡类薄层包含由所述氧化锡形成的氧化锡层，所述氧化锡层的厚度是5至50nni。3.—种布线电路基板，其特征在于，由包括如下工序的布线电路基板的制造方法得到，所述工序包括形成基底绝缘层的工序；在所述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在所述导体图案的表面形成锡层的工序；将所述锡层在真空下加热至350°C以上的加热工序；在所述加热工序后通过将所述锡层在大气压下冷却而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的冷却工序；以及在所述基底绝缘层上形成覆盖所述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。4.一种布线电路基板，其特征在于，由包括如下工序的布线电路基板的制造方法得到，所述工序包括形成基底绝缘层的工序；在所述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在所述导体图案的表面形成锡层的工序；将所述锡层在真空下加热至35(TC以上的加热工序；在所述加热工序后将所述锡层在真空下冷却的冷却工序；在所述冷却工序后通过将所述锡层在大气压下加热至150°C以上而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的再加热工序；以及在所述基底绝缘层上形成覆盖所述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。5.如权利要求3所述的布线电路基板，其特征在于，形成所述覆盖绝缘层的工序包括层叠未固化的树脂的工序；以及通过对层叠好的未固化的所述树脂加热而使其固化的固化工序，同时实施所述固化工序和所述加热工序。6.如权利要求4所述的布线电路基板，其特征在于，形成所述覆盖绝缘层的工序包括层叠未固化的树脂的工序；以及通过对层叠好的未固化的所述树脂加热而使其固化的固化工序，同时实施所述固化工序和所述加热工序。7.—种布线电路基板的制造方法，其特征在于，包括形成基底绝缘层的工序；在所述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在所述导体图案的表面形成锡层的工序；将所述锡层在真空下加热至350°C以上的加热工序；在所述加热工序后通过将所述锡层在大气压下冷却而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的冷却工序；以及在所述基底绝缘层上形成覆盖所述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。8.—种布线电路基板的制造方法，其特征在于，包括形成基底绝缘层的工序；在所述基底绝缘层上形成导体图案的工序；在所述导体图案的表面形成锡层的工序；将所述锡层在真空下加热至35(TC以上的加热工序；在所述加热工序后将所述锡层在真空下冷却的冷却工序；在所述冷却工序后通过将所述锡层在大气压下加热至150°C以上而形成至少包含氧化锡的锡类薄层的再加热工序；以及在所述基底绝缘层上形成覆盖所述锡类薄层的覆盖绝缘层的工序。9.如权利要求7所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于，形成所述覆盖绝缘层的工序包括层叠未固化的树脂的工序；以及通过对层叠好的未固化的所述树脂加热而使其固化的固化工序，同时实施所述固化工序和所述加热工序。10.如权利要求8所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于，形成所述覆盖绝缘层的工序包括层叠未固化的树脂的工序；以及通过对层叠好的未固化的所述树脂加热而使其固化的固化工序，同时实施所述固化工序和所述加热工序。全文摘要一种布线电路基板及其制造方法。本发明提供的布线电路基板包括基底绝缘层；在基底绝缘层上形成的导体图案；形成于导体图案的表面且至少包含氧化锡的锡类薄层；以及在基底绝缘层上覆盖锡类薄层而形成的覆盖绝缘层。文档编号H01L21/48GK101587880SQ20091014541公开日2009年11月25日申请日期2009年5月19日优先权日2008年5月20日发明者安部勇人,河岛克彦,田村康申请人:日东电工株式会社