专利名称：一种晶圆片背面磨薄方法
技术领域：
本发明涉及一种晶圆片背面磨薄方法，属于集成电路封装技术领域。
背景技术：
在半导体集成电路封装工艺中，为减少芯片的体积电阻，增加散热性能，需对从晶 圆厂出来的已经加工有电路层的晶圆片从无电路层的一面即晶圆片的背面进行磨薄处理。 如图1 图4所示，现有的晶圆片背面磨薄方法包括以下步骤图1所示的晶圆片1'未磨 薄前的原始厚度约为0. 6 0. 7毫米左右，经专用磨片机对晶圆片的背面2'磨薄后可达到 0.3毫米以下，如图2所示，晶圆片1'经磨薄处理后电性能方面得到改善，然后把已磨薄晶 圆片的背面2'粘贴于保护胶膜6'上，暴露出有电路层4'图案的正面3'，如图3所示，用专 用设备以晶圆片正面3'图案为基准进行划切分离，使整片的晶圆片1'实现划切分离成一 个一个的单元芯片5'。但因晶圆片被从背面磨薄后，使得整片的晶圆片在后续的贴膜划切 分离加工中变得易破裂，影响产品成品率。
发明内容
本发明的目的是提供一种新颖的晶圆片背面磨薄方法，以避免晶圆片磨薄后易破 裂的现象。 定义本发明中，晶圆片有电路层的一面称为晶圆片的正面，无电路层的一面称为 晶圆片的背面。 本发明采取的技术方案如下，1、一种晶圆片背面磨薄方法，其特征在于，包括以下 步骤 (1)、把未经磨薄的晶圆片以其晶圆片背面粘贴于胶膜上； (2)、把上述未经磨薄的晶圆片从晶圆片正面划切，划切槽为半封闭槽； (3)、把上述正面具有划切槽的晶圆片以晶圆片正面贴贴于胶膜上，并将晶圆片背
面的胶膜揭掉； (4)、把步骤3处理后的晶圆片从晶圆片背面磨薄直至露出划切槽，使划切后的晶
圆片形成芯片单元。
本发明的进一步设置如下 将步骤4已实现磨薄分离的晶圆片以晶圆片背面贴于胶膜上，并揭去晶圆片正面 的胶膜。划切槽深为0. 25 0. 35mm。 本发明的原理及有益效果如下本发明的一种新颖的晶圆片背面磨薄方法，通过 把划切分离工作提前到背面磨薄工作之前，即把已加工有电路功能的晶圆片在磨薄之前先 对有电路图案的一面(即正面)进行约0.3毫米深度的划切，使晶圆片的正面在背面胶膜 保护下被按图面分布划切成沟槽状，划切完成后再把背面带有胶膜的晶圆片以正面粘贴于 另一张胶膜上，并揭去覆盖于晶圆片背面的胶膜，使晶圆片背面暴露，以进行磨薄加工，当晶圆片被从背面磨薄到厚度小于0. 3毫米时，即达到划切形成的沟槽时，即实现了晶圆片 上每个单元芯片的分离目的，然后再通过把保护胶膜贴于已经实现分离的晶圆片背面，并 揭去晶圆片正面的保护胶膜，以利于生产的后续加工。本发明步骤简单，且可以有效避免晶 圆片磨薄后易破裂的现象，实用性极佳。 以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步解释说明。
图1为现有以正面粘贴于胶膜上的未经磨薄的晶圆片；
图2为现有以正面粘贴于胶膜上的已经磨薄加工的晶圆片；
图3为现有以背面粘贴于胶膜上的已经磨薄加工的晶圆片；
图4为现有磨薄后的晶圆片被从正面划切分离；
图5为本发明以背面粘贴于胶膜上的未经磨薄的晶圆片； 图6为本发明未经磨薄的晶圆片被从正面划切，划切槽深约为0. 3毫米左右；
图7为本发明正面已被划切有0. 3毫米槽深的晶圆片被以正面贴于胶膜上；
图8为本发明正面已被划切有0. 3毫米槽深的晶圆片被从背面磨薄到小于0. 3毫 米，使划切的晶圆片形成一个个芯片单元； 图9为本发明已实现磨薄分离的晶圆片被以背面贴于胶膜上，并揭去正面的胶膜。
附图标记说明 1晶圆片2晶圆片背面3晶圆片正面4晶圆片电路层5芯片单元6胶膜7划切槽
具体实施例方式
结合图5 图9所示，本发明的一种晶圆片背面磨薄方法，包括以下步骤
1、如图5所示，把未经磨薄的晶圆片1以其晶圆片背面2粘贴于胶膜6上；
2、如图6所示，把上述未经磨薄的晶圆片l用专用划切设备从晶圆片正面3划切， 划切槽7为半封闭槽，槽深为0. 25 0. 35mm ; 3、如图7所示，把上述正面已被划切有0.3毫米槽深的晶圆片1以晶圆片正面3 贴贴于胶膜6上，并将晶圆片背面2的胶膜6揭掉； 4、如图8所示，把步骤3处理后的晶圆片1从晶圆片背面2磨薄直至露出划切槽 7，磨薄后的晶圆片1厚度为0. 25 0. 35mm，最好是小于0. 3毫米；使划切后的晶圆片1形 成一个个芯片单元5; 5、如图9所示，把已实现磨薄分离的晶圆片1以晶圆片背面2贴于胶膜6上，并揭 去晶圆片正面3的胶膜。 本发明的原理及有益效果如下本发明的一种新颖的晶圆片背面磨薄方法，通过 把划切分离工作提前到背面磨薄工作之前，即把已加工有电路功能的晶圆片在磨薄之前先 对有电路图案的一面(即正面)进行约0.3毫米深度的划切，使晶圆片的正面在背面胶膜 保护下被按图面分布划切成沟槽状，划切完成后再把背面带有胶膜的晶圆片以正面粘贴于 另一张胶膜上，并揭去覆盖于晶圆片背面的胶膜，使晶圆片背面暴露，以进行磨薄加工，当 晶圆片被从背面磨薄到厚度小于0. 3毫米时，即达到划切形成的沟槽时，即实现了晶圆片上每个单元芯片的分离目的，然后再通过把保护胶膜贴于已经实现分离的晶圆片背面，并 揭去晶圆片正面的保护胶膜，以利于生产的后续加工。本发明步骤简单，且可以有效避免晶 圆片磨薄后易破裂的现象，实用性极佳。 因此，由上述本发明较佳实施例可知，本发明是一种新颖的晶圆片背面磨薄方法， 该晶圆片背面磨薄方法是把划切分离工作提前到背面磨薄工作之前，可以有效避免晶圆片 磨薄后易破裂的现象。 虽然本发明已以一较佳实施例披露如上，然其并非用以限制本发明，任何所属技 术领域的技术人员，在不脱离本发明之精神和范围内，但可作各种之更动与改进，因此本发 明之保护范围当视权利要求所界定者为准。
权利要求
一种晶圆片背面磨薄方法，其特征在于，包括以下步骤(1)、把未经磨薄的晶圆片以其晶圆片背面粘贴于胶膜上；(2)、把上述未经磨薄的晶圆片从晶圆片正面划切，划切槽为半封闭槽；(3)、把上述正面具有划切槽的晶圆片以晶圆片正面贴贴于胶膜上，并将晶圆片背面的胶膜揭掉；(4)、把步骤3处理后的晶圆片从晶圆片背面磨薄直至露出划切槽，使划切后的晶圆片形成芯片单元。
2. 根据权利要求1所述的一种晶圆片背面磨薄方法，其特征在于将步骤4已实现磨 薄分离的晶圆片以晶圆片背面贴于胶膜上，并揭去晶圆片正面的胶膜。
3. 根据权利要求1所述的一种晶圆片背面磨薄方法，其特征在于划切槽深为0. 25 0. 35mm。
全文摘要
本发明公开了一种晶圆片背面磨薄方法，属于集成电路封装技术领域。包括以下步骤(1)、把未经磨薄的晶圆片以其晶圆片背面粘贴于胶膜上；(2)、把上述未经磨薄的晶圆片从晶圆片正面划切，划切槽为半封闭槽；(3)、把上述正面具有划切槽的晶圆片以晶圆片正面贴贴于胶膜上，并将晶圆片背面的胶膜揭掉；(4)、把步骤3处理后的晶圆片从晶圆片背面磨薄直至露出划切槽，使划切后的晶圆片形成芯片单元。本发明步骤简单，且可以有效避免晶圆片磨薄后易破裂的现象，实用性极佳。
文档编号H01L21/78GK101710578SQ20091015423
公开日2010年5月19日 申请日期2009年11月19日 优先权日2009年11月19日
发明者张永夫, 林刚强 申请人:浙江华越芯装电子股份有限公司