专利名称：处理半导体晶片的方法
技术领域：
本发明涉及一种用含氟化氢的溶液处理半导体晶片、干燥并随后用含臭氧气体对
半导体晶片的表面进行氧化的方法。
背景技术：
已经有一系列用于清洁半导体晶片，如硅晶片的清洁方法被开发出来。所述清洁 方法之一是基于用氟化氢(HF)水溶液，随后用臭氧(03)处理晶片表面。在用HF处理期间， 从表面上去除原生氧化层。通过臭氧处理在其上形成新的氧化层。从而可以从晶片表面去 除牢固附着的颗粒和其他杂质。在HF中的酸性处理也可以非常有效地从晶片表面去除金 属离子。 US5714203说明了一种方法，其中将硅晶片从充满HF溶液的液体容器中直接移至 臭氧气体气氛中。在此情况下，硅晶片在HF溶液中完全不含表面氧化物，当将硅晶片移至 臭氧气氛中时，硅晶片同时被干燥和亲水化，也就是说在表面上产生新的氧化层。因此，在 液体容器外部的硅表面一直被氧化层保护。所述方法的缺点在于，当使用具有不同清洗液 的完全浴清洗装置时，其仅能使用一次或很少几次，因为不然的话，加工成本太高(额外的 罐和累积的加工时间的成本)。在硅晶片的直径大于300mm时，所述成本劣势甚至更加显 著。另一个劣势在于在所述方法中，发生不期望的氟与硅表面的结合。而且，所述方法导致 微粗糙度的上升，以及雾状缺陷和光散射缺陷(称为"局部光散射"，LLS)的产生。
发明内容
本发明基于如下目的，即提供一种改善的使用氟化氢溶液和臭氧的清洁方法，其
不会导致氟与半导体晶片的表面结合、微粗糙度的上升、以及雾状缺陷和光散射缺陷的产
生，而且其特征在于——甚至经过多次应用——短加工次数和装置的小空间需求。 所述目的通过一种处理半导体晶片的方法达到，其中半导体晶片 參在至少部分用含氟化氢的溶液填充的液体容器中处理，以使半导体晶片表面上
的氧化物溶解， 參沿输送方向从所述溶液中输出，并干燥，禾口 參干燥后，用含臭氧气体处理，使得半导体晶片的表面氧化， 其中，一部分半导体晶片的表面已经与含臭氧气体接触，而另一部分半导体晶片 的表面仍旧与溶液接触，并且溶液和含臭氧气体是空间分离的，凭借此方式，它们不会彼此 接触。 在依据本发明的方法中，用含有氟化氢并处于液体容器中的溶液处理半导体晶 片。在此情况下，半导体晶片或者可以完全浸入溶液中，或者可以通过溶液输送。在后一种 情况下，或者全部半导体晶片可以同时与溶液接触，或者在通过液体容器的输送过程中，半 导体晶片的不同区域接连与溶液接触，而在任何时候不存在半导体晶片与溶液完全接触。
液体容器可以配有改善清洁效力的辅助方式
液体容器可以含有用于引入兆声波(megaso皿d)的装置，即所谓的传感器。兆声 波支持清洁效力。在输送方向和兆声波传播方向间的夹角优选设置为90。 -170° ，以抵 消半导体晶片的传输方向上的颗粒的裹挟。兆声波以90。角垂直于输送方向传播，以及以 170°的角度很大程度对抗输送方向，尽管仍有少量组分垂直于输送方向，并因而垂直于半 导体晶片的表面。 还提供一种改变的方案，用于在液体容器中产生和引入不同尺寸和密度的气泡。 这可以借助于混合液体和气体的泵达到，或可以借助于微气泡发生装置(所谓微气泡器) 达到。与半导体晶片的输送方向相反的气泡的运动是有利的。 而且，设定溶解在液体容器中的液体的气体量是有利的，为此，可以使用用于引入 气体(例如氧气或氮气)或用于脱气的装置。 所有上述用于进一步改善清洗效力的方法可以在半导体的前侧或后侧实施，但是 特别优选在两侧实施。 溶液优选是氟化氢的水溶液(氢氟酸)。如果半导体晶片由硅构成，氟化氢的浓 度优选O. 1_1重量％ (重量百分比)。溶液还可以含有其他成分。特别优选添加氯化氢 (HC1)，优选浓度为0. 2-5重量％ ，特别优选1-2重量％ 。这是有效的，例如，铁能更好地从 表面除去，铜不会再被表面吸附。总之，氯化氢的添加可以达到更有效的金属清洁。溶液优 选不含表面活性剂。 在将半导体晶片从氟化氢溶液中移出后，直接将其干燥，这可以通过在倾斜状态 下输送达到。在此情况下，凭借重力，溶液从晶片表面流走。也可以从氟化氢溶液中垂直抽 出半导体晶片，以使在抽出半导体晶片期间，溶液从半导体晶片的表面完全流走，而无需实 施其他干燥方法。 然而，优选借助由一个或多个喷嘴在半导体晶片的表面的流动方向供给的气体来 干燥半导体晶片。为此优选使用惰性气体(例如氮气或，诸如氩气的惰性气体，或其混合 物)；特别优选氮气(N》，因为实用性和成本。气体例如借助垂直于输送方向安装的一系列 喷嘴供给，其具有足够的密度以完全干燥。例如，所谓的扁平射流喷嘴是适合的。也可以使 用垂直于输送方向排列的连续狭缝。如果必要，可以在输送方向上一个挨着一个安装多个 系列的喷嘴，或多个狭缝，以达到更好的干燥效力。气流方向和晶片输送方向间的角度优选 设置为90° (垂直)-180° (反平行)，特别优选112。 -135° ，以更有效地排除溶液。特 别高的气流速率是不必要的，因为液体可以容易地在疏水表面上移动。另外，也可以通过抽 气机提供气体的抽出。 也可以通过一个或多个喷嘴将含臭氧气体以朝向半导体晶片的表面的流动供给 至类似的方式。这同样是优选的。作为可选的，代替大量狭缝喷嘴或大量系列的喷嘴，还可 以使用在输送方向上可见的较长的开口，以增加臭氧对晶片表面的补给，从而达到更有效 的氧化。 含臭氧气体优选位于通过分隔物实现空间分离的区域。在此情况下，将干燥形态 的半导体晶片沿输送方向通过分隔物的开口输送进所述区域。开口优选仅仅略微大于在输 送方向上可见的半导体晶片的最大横截面，以使通过开口的臭氧的扩散或对流最小化。
优选实施额外的方法，以防止臭氧渗透进液体容器和氟化氢溶液仍旧处于晶片表 面的区域。例如，当用气体喷嘴干燥时，所述喷嘴安在液体容器和分隔物间。可以提供至少(和优选除了与晶片输送方向相反方向的喷嘴) 一系列产生开口方向的气体流动的喷 嘴或狭缝喷嘴，以使气体通过开口流入含臭氧空间区域，而反之不能如此。例如，通过所述 喷嘴产生的气流可以形成与晶片输送方向成O。(平行)-90° (垂直)的角度，其中优选 22° -67°的角度。如果一系列垂直于晶片输送方向安装的喷嘴或狭缝喷嘴同样用于供给
含臭氧气体，那么其安装在分隔物的另一侧，优选以不产生朝向开口方向的气体的方式定 位。例如，通过所述喷嘴产生的气流同样形成与晶片输送方向成O。(平行)-90° (垂直) 的角度，其中优选22。
-67°的角度。 另外，含臭氧气体和氟化氢溶液的分离可以借助抽气机对两种气体(例如用于干 燥的气体和用于亲水化的含臭氧气体)进行适合的提取。因此，例如通过抽气机提取含臭 氧气体，可以用更高的真空压力实施。 在依据本发明的方法中，在空间上分离的区域内进行用氟化氢溶液处理和用含臭 氧气体处理。当所述区域已被完全干燥并不再有任何氟化氢溶液在其上时，半导体晶片的 表面的每个区域仅与臭氧接触。已经发现，当氟化氢和臭氧同时作用在表面上时，氟与半导 体晶片的表面结合。因此，氟与晶片表面的结合可以通过依据本发明的氟化氢溶液和含臭 氧气体的空间分离而可靠地避免。 另外还发现，如果臭氧溶解在氟化氢溶液中，半导体晶片可以被局部蚀刻，因为臭
氧和氟化氢的同时作用导致不仅去除了氧化层，而且去除了半导体材料本身。当臭氧和氟
化氢混合在一起时，常常产生局部不同的氧化和氧化物去除率，因此增加了微粗糙度，并产
生雾化缺陷和光散射缺陷。所述问题也可以通过臭氧和氟化氢的空间分离解决。 如果存在高臭氧浓度，两种风险都会特别高，然而对于有效亲水化，这是期望的。
例如，借助臭氧发生器产生200升/小时的臭氧气流和80-100g/m3的臭氧气体浓度。如果
使用相当长时间的氟化氢溶液，所述问题会被额外强化，因为越来越多的臭氧随着时间溶
解在溶液中。然而，出于成本原因，相当长的使用是期望的。尽管有臭氧和氟化氢的空间隔
离，本发明允许高臭氧浓度的使用和氟化氢溶液的相当长使用，例如用溶液的过滤和再循环。 尽管有氟化氢溶液和含臭氧气体的空间隔离，所有的方法步骤在非常狭窄的区域 内发生，因此当半导体晶片从氟化氢溶液中输送出时，晶片表面的第一 (干燥)区域已经与 含臭氧气体接触，而晶片表面的其他区域仍旧与氟化氢溶液接触。用所述方式可以同时得 到多重效果 半导体晶片的干燥表面为疏水性并因而对用颗粒重新污染非常敏感的持续时间 非常短，优选l-5秒。疏水表面再被颗粒污染的风险因此很低。结果，颗粒清洁效率上升。 加工持续时间非常短，这改善了本方法的经济可行性。用于实施所用方法的装置可以以极 端节省空间的方式实现。这再次导致本方法的改善的经济可行性。甚至重复应用本方法， 加工持续时间和空间需求不会增加到如此大的程度，以至于本方法不再能经济地实施。
图1显示用于依据第二个优选实施方案的半导体晶片的处理的装置的水平截面。
图2显示图1的装置沿长轴方向的垂直截面。 图3显示用于依据第一个优选实施方案的半导体晶片的处理的装置的垂直截面。
具体实施例方式
本发明的优选实施方案描述如下 图3图解说明了本发明的第一实施方案。在此情况下，单个半导体晶片5，优选垂 直放置，浸入用含有氟化氢的溶液91填充的液体容器11中。而后从溶液91中抽出半导体 晶片5，优选垂直于输送方向81，以使在其抽出期间，溶液91完全从半导体晶片的表面去 除，无需实施其他干燥方式，这是优选的。所述程序与US5714203 —致。另一方面，优选实 施防止臭氧与氢氟酸溶液接触的额外方法。所述方法进一步说明如下。
如果必要，在此实施方案中，也可以通过一个或多个喷嘴35向半导体晶片5的表 面方向的流动中供给气体92，以有助于干燥半导体晶片5。例如借助于一个或多个系列的 垂直于输送方向81排列的喷嘴、或一个或多个连续狭缝喷嘴供给气体92。优选气流方向与 晶片输送方向81间的角度设置为90。(垂直)-180° (反平行)，特别优选112。 -135° ， 以更有效地排除溶液。另外，也可以通过抽气机抽取气体92。 优选通过一个或多个喷嘴36以导向半导体晶片5表面的流动方向供给含臭氧气 体93。为此，也可以使用一个或多个系列的垂直于输送方向81排列的喷嘴，或一个或多个 连续狭缝喷嘴。作为可选，用于代替多个狭缝或多个系列的喷嘴，也可以使用在输送方向81 上可见的更长的开口 ，以增加对晶片表面的臭氧供应，从而达到更有效的氧化。
优选将含臭氧气体93处于通过水平布置的隔离物33空间分离的区域内。在此情 况下，通过隔离物33中的开口 34，沿输送方向81，将干燥状态的半导体晶片5输送进所述 区域内。开口 34优选仅略微大于在输送方向81上可见的半导体晶片5的最大横截面，以 使穿过开口 34的臭氧的扩散或对流最小化。在此实施方案中，隔离物33可以或者同时构 成液体容器ll的上部边界(盖)，或者另外安装在液体容器ll的上部边界上。图3图解说 明了后一方案。用于供给含臭氧气体93的喷嘴36在任何情况下安装在隔离物33之上，优 选直接安装在其上。 优选的，如上所述通常用于本发明，实施另外的方法以防止臭氧穿过液体容器并 进入氟化氢溶液仍然处于晶片表面之上的区域。 在图1和2图解说明的第二、特别优选实施方案中，所用的液体容器11在两个相 对的侧壁上具有进口 31和出口 32，分别位于氟化氢溶液91的表面之下。在EP817246A2中 描述了所述类型的液体容器。液体容器11可以或者完全或者仅部分用氟化氢溶液91充填。 用输送装置21、22沿输送方向81将半导体晶片5输送通过液体容器11。特别的，通过第一 输送装置21沿输送方向81将半导体晶片5输送至液体容器11的进口 31，并通过所述开口 进入液体容器11。而后从进口 31穿过液体容器ll输送至出口 32，最后，通过第二输送装 置22沿输送方向81从液体容器11的进口 32输出。 为了确保含臭氧气体93和氟化氢溶液91的可靠分离，优选确保氟化氢溶液91不 会穿过出口 32排出。因此，出口 32优选仅略微大于在输送方向81上可见的半导体晶片5 的最大横截面。而且，优选以基本上水平位置输送半导体晶片5。在此情况下，进口31和出 口 32是基本上水平布置的狭缝，其高度优选略微大于半导体晶片5的厚度，其长度略微大 于半导体晶片5的宽度。在出口 32水平布置的情况下，可以更容易避免氟化氢溶液91的 排出。
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另外，可以实施EP817246A2中描述的方法，以防止氟化氢溶液91从出口 32排出， 并确保干燥状态的半导体晶片5从液体容器11中排出。 这优选通过用一个或多个喷嘴向半导体晶片5的表面方向的流动中供给气体92 完成，以有助于干燥半导体晶片5。例如借助于一个或多个系列的垂直于输送方向81排列 的喷嘴、或一个或多个连续狭缝喷嘴供给气体92 (如图1所示)。优选气流方向与晶片输送 方向81间的角度设置为90。(垂直)-180° (反平行)，特别优选112。 -135° ，以更有效 地排除溶液。喷嘴35优选安装在接近出口 32的方向。另外，也可以通过抽气机抽取气体 92。 还优选通过一个或多个喷嘴36以导向半导体晶片5表面的流动方向供给含臭氧 气体93。为此，也可以使用一个或多个系列的垂直于输送方向81排列的喷嘴，或一个或多 个连续狭缝喷嘴(如图1所示)。 优选将含臭氧气体93处于通过水平布置的隔离物33空间分离的区域内。在此情 况下，通过隔离物33中的开口 34，沿输送方向81，将干燥状态的半导体晶片5输送进所述 区域内。开口 34优选仅略微大于在输送方向81上可见的半导体晶片5的最大横截面，以 使穿过开口 34的臭氧的扩散或对流最小化。在所述实施方案中，隔离物33可以安装在除 了液体容器11的侧边以外的其他边界上。用于供给含臭氧气体93的喷嘴36在任何情况 下安装在隔离物33的远离液体容器11的一侧。如果适当的话，用于协助干燥半导体晶片 5的喷嘴35在任何情况下安装在液体容器11的侧边和隔离物33之间。
优选实施额外的方法，以防止臭氧穿进液体容器11和氟化氢溶液91仍旧处于半 导体晶片5表面的区域。例如，当用气体喷嘴干燥时，所述喷嘴安在液体容器和分隔物间。 可以提供至少，和优选除了与晶片输送方向相反方向的喷嘴35，一系列产生开口 34方向的 气体92流动的喷嘴或狭缝喷嘴(未图解说明)，以使气体92通过开口 34流入含臭氧空间 区域，而反之不能如此。例如，通过所述喷嘴产生的气流可以形成与输送方向81成0。(平 行)-90° (垂直)的角度，其中优选22。 -67°的角度。如果一系列垂直于输送方向81安 装的喷嘴36或连续狭缝喷嘴36同样用于供给含臭氧气体93，那么其安装在分隔物33的 另一侧，优选以不产生朝向开口 34方向的含臭氧气体93的方式定位。例如，通过所述喷 嘴36产生的气流同样形成与晶片输送方向成0。(平行)-90° (垂直)的角度，其中优选 22° -67°的角度。通过抽气机对含臭氧气体93的适当的提取同样可以避免含臭氧气体 93通过隔离物33中的开口 34扩散或对流。 优选在液体容器11中产生与输送方向81相反的氟化氢溶液流，以抵消将颗粒向 液体容器11的出口 32的裹挟。这可以通过相应的液体容器11中的定位喷嘴(未图解说 明)达到。 另外优选氟化氢溶液91通过进口 31流出或在进口 31附近流进液体容器11。在 此情况下，其可以收集、过滤并返回液体容器11。如果多重液体容器连成系列，优选每个液 体容器单独收集氟化氢溶液，过滤并返回至相应液体容器中。图2示意性地图解说明了一 种相关收集槽64，用于收集从液体容器11中排出的氟化氢溶液91。氟化氢溶液91可以从 收集槽64中引入到供给容器61中，并通过泵62和过滤器63返回至液体容器11中。通过 过滤和返回，颗粒浓度可以保持长时间的低水品。每个液体容器单独收集、过滤和返回是有 利的，因为这样的话，可以在半导体晶片穿过的最后液体容器中保持特别低的颗粒和金属浓度。从而可以延长填充的液体的使用寿命，直道氟化氢溶液91被再次完全交换，而不会 削弱清洁效果。相反，给定完全交换的相同的时间间隔，清洁效果可以改善。
垂直于半导体晶片5的输送方向测量的液体容器11的宽度优选大于沿输送方向 81测量的其长度。特别的，规定液体容器11的尺寸以使其宽度大于在此处理的半导体晶片 5的宽度，以使半导体晶片5按照液体容器11的宽度找到空间。相反，沿半导体晶片5的输 送方向81的液体容器11的长度优选小于半导体晶片5的长度，以使半导体晶片在其长度 方向上可以从不完全处于液体容器11之中。如果半导体晶片5基本上是圆的，半导体晶片 5的"长度"和"宽度"在各自情况下应该等于其直径。 所述优选的尺寸关系使得依据液体容器11中排列的引导元件分配成为可能，因 为穿过液体容器11输送的半导体晶片5可以在任何时间通过与液体容器11相邻的两个输 送装置21、22的至少一个进一步控制和输送。 在本方法的开始，从例如盒子中取出半导体晶片5，置于第一输送装置21上。优选 通过机器人自动操作。而后优选通过第一输送装置21垂直于输送方向81安装，并沿输送 方向81输送至第一液体容器11的进口 31，穿过所述进口进入第一液体容器11中。
当半导体晶片5从进口 31穿过液体容器11输送到出口 32时，其处于液体容器11 中的部分优选只与氟化氢溶液91接触，因为液体容器11优选不含支持半导体晶片的导元 素，从而在某处将其与氟化氢溶液91屏蔽。当如上所述，液体容器11比输送方向81上可 见的半导体晶片5小时，上述情况是可能的，因此半导体晶片5在输送过液体容器11期间， 可以在任何时间通过第一 21或第二输送装置22或通过两者垂直于输送方向81安装，并进 一步沿输送方向81同时输送。当半导体晶片5输送过液体容器11时，在其仍旧与第一输 送装置21接触的情况下，其可以被第二输送装置22接受。位于液体容器ll的另一侧的第 二输送装置22优选将半导体晶片5再次垂直于输送方向81安装，并沿输送方向81从液体 容器11的出口 32输出。如果存在第二液体容器，那么输送装置22将半导体晶片5输送至 第二液体容器的进口，并穿过所述进口进入第二液体容器。 依据需要的清洁性能，在本发明的第二实施方案中，任何期望数量的清洁单元 (具有相应干燥装置、含臭氧气体的供给装置和输送装置的液体容器)可以成系列连接，在 此，过大的数量对经济可行性是有害的，并不能产生对清洁性能的明显改善。清洁单元的数 量优选至少两个，最多十个，特别优选4-8个同样类型的清洁单元。如果使用多重清洁单 元，那么其沿半导体晶片通过其输送过装置的输送方向排列。输送路径不必是直线；其通常 或在特定位置上可以是弯曲的。通过液体容器和在第一液体容器之前、分别两个液体容器 之间和最后的液体容器之后的输送装置确定输送路径。表达"之前"和"之后"仅仅源自当 时的顺序，半导体晶片沿所述顺序输送过单个的液体容器，但是其用于说明空间排列。
第二液体容器中的液体常常比第一液体容器中的液体更低程度地被颗粒和金属 污染。在任何进一步的液体容器中，颗粒和金属浓度进一步下降。由于，多次，去除半导体 晶片表面上的氧化层并重新产生新氧化层，从而从半导体晶片的表面去除全部更厚的层， 因此同样改善了金属纯化。通过串联至少两个同样类型的在两个单独的液体容器中实施的 清洁步骤，从而相比于在先工艺，可以显著改善清洁效果，而方法持续时间完全没有改变。 多重液体容器的串联——不会明显有损方法的经济可行性——仅能通过本发明的所述实 施方案成为可能，因为，由于单个液体容器的小的长度，总共需要的空间不会增加或仅仅增加很小的程度。同时，单个液体容器的小的长度使在液体容器中无需导元素而输送半导体 晶片成为可能。由于单独处理半导体晶片，而且，不需要通过液体容器中的引导或控制装置 屏蔽，因此清洁效力在此上升——不会增加处理持续时间或需要的空间。依据本发明的方 法可以连续操作，这对产量起正影响。而且，半导体晶片的前侧和后侧可以用相同的方式处理。 本实施方案的另一个优势在于其也可以施加在具有300mm或更大的大直径的半 导体晶片上，例如450mm，而未明显增长加工持续时间。 所用的输送装置21、22优选是由适当的材料(例如聚乙烯醇，PVA)构成的输送滚 轮，其优选在潮湿状态下轻轻压在半导体晶片5的两侧，并进一步借助马达沿输送方向81 移动。在本实施方案中，液体容器11 (或多重液体容器)优选形成小于半导体晶片5长度 的一半的尺寸，以使在液体容器11前后或多重液体容器之间的单独的滚轮副(一个滚轮在 半导体晶片5之上，而另一个在其下)足够在任何时间充分支持半导体晶片5，从而在液体 容器11中非接触输送半导体晶片5。所述实施方案在图2中示例性图解说明。输送装置也 可以包含两个或多个滚轮副；然而，优选在每种情况下，在液体容器11前后或两个单独液 体容器之间，恰好使用一个滚轮副。每个输送装置的至少一个滚轮必须通过马达驱动，以便 能够输送半导体晶片。输送装置的其他滚轮可以或者同样通过马达驱动并主动输送半导体 晶片，或者可以不将其驱动，而仅仅垂直于输送方向安装半导体晶片。 可以使用其他输送机制作为滚轮的替换。因此，半导体晶片也可以通过液体容器 两侧的机械钳夹传递。也可以通过水垫输送，在此情况下半导体晶片位于液膜上，借助喷嘴 前进。 当半导体晶片的(最后)氧化后，优选非接触或至少以最小可能接触面积移出半 导体晶片。因此，半导体晶片可以例如借助于所谓超声钳夹、借助于半导体晶片非接触漂浮 的方式移出。 所有说明的输送装置类型可以以恒速或变速操作。半导体晶片优选以小间隔彼此 直接跟随输送。 本发明可以应用于所有半导体晶片的类型，用于多晶(multicrystalline)或聚 晶(polycrystalline)半导体晶片(例如用于光电用品)，同样用于单晶半导体晶片(例如 微电子)。半导体晶片可以由任何期望的半导体材料构成，其被臭氧氧化，其氧化层用氟化 氢溶解，例如硅。
权利要求
一种处理半导体晶片(5)的处理方法，其中半导体晶片(5)●在至少部分用含氟化氢的溶液(91)填充的液体容器(11)中处理，以使位于半导体晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿输送方向(81)从溶液(91)输出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧气体(93)处理，以使半导体晶片(5)的表面氧化，其中，半导体晶片(5)的一部分表面已经与含臭氧气体(93)接触，而半导体晶片(5)的另一部分表面仍旧与溶液(91)接触，并且溶液(91)和含臭氧气体(93)以不会彼此接触的方式空间分离。
2. 权利要求l的方法，其中含臭氧气体(93)位于通过分隔物(33)空间分离的区域内， 并且沿输送方向(83)，穿过分隔物(33)的开口 (34)将干燥状态的半导体晶片(5)输送进 所述区域内。
3. 权利要求1和2之一的方法，其中借助于通过一个或多个喷嘴(35)以导向半导体晶 片(5)表面的流动方向供给的惰性气体对半导体晶片(5)进行干燥。
4. 权利要求l-3之一的方法，其中通过一个或多个喷嘴(36)以导向半导体晶片(5)表 面的流动方向供给含臭氧气体(93)。
5. 权利要求l-4之一的方法，其中用输送装置(21、22)沿输送方向(81)将半导体晶 片(5)输送过液体容器(ll)，其中液体容器(11)在两个相对的侧壁上具有进口 (31)和出 口 (32)，各自位于溶液(91)的表面之下。
6. 权利要求5的方法，其中半导体晶片(5)以基本上水平位置输送，并且进口 (31)和 出口 (32)是基本上水平布置的狭缝，其高度略微大于半导体晶片(5)的厚度，长度略微大 于半导体晶片(5)的宽度。
7. 权利要求5-6之一的方法，其中溶液(91)參经由进口 (31)流出，或在进口 (31)附近于液体容器ll内排放，禾口 參随后收集、过滤和返回至液体容器(11)。
全文摘要
本发明涉及一种处理半导体晶片(5)的处理方法，其中半导体晶片(5)●在至少部分用含氟化氢的溶液(91)填充的液体容器(11)中处理，以使位于半导体晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿输送方向(81)从溶液(91)输出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧气体(93)处理，以使半导体晶片(5)的表面氧化，其中，半导体晶片(5)的一部分表面已经与含臭氧气体(93)接触，而半导体晶片(5)的另一部分表面仍旧与溶液(91)接触，并且溶液(91)和含臭氧气体(93)以不会彼此接触的方式空间分离。
文档编号H01L21/00GK101752215SQ20091022175
公开日2010年6月23日 申请日期2009年11月16日 优先权日2008年12月10日
发明者D·费霍, F·索林格, G·施瓦布, H-J·卢特, T·布施哈尔特 申请人:硅电子股份公司