专利名称：：闪存器件及其制造方法
技术领域：
：本申请涉及一种闪存器件及其制造方法。
背景技术：
：闪存器件是一种非易失性存储器件，即使电源被切断，存储于其中的数据也不会丢失。此外，闪存器件可以以相对高的速度记录、读取以及删除数据。闪存器件可以用作个人电脑(PC)、机顶盒、打印机、以及网络服务器的基本输入输出系统(Bios)以存储数据。目前，闪存器件已经用在数码相机、移动电话和其他便携式电子产品中。在闪存器件中，通常使用具有硅_氧化物_氮化物_氧化物_硅(S0N0S)结构的半导体器件。与具有包括多晶硅的浮置栅极的闪存器件不同的是，S0N0S存储器件是一种电荷陷阱型的器件，其中栅极电压被施加于电荷以使电荷穿过形成在硅上的薄氧化物层。电荷被注入到或者从形成在硅氮化物层中的陷阱中被释放出来。根据现有技术，用于具有SONOS结构的存储单元的电子注入机制可以被分为福勒-诺德海姆(FN)隧穿机制和沟道热电子注入机制。这两种机制既有优点也有缺点。FN隧穿机制的优点是低编程电流，但是这种机制却需要几毫秒量级的编程时间。此外，隧道氧化物层的厚度必须只能是在20!A到30A之间，所以，FN隧穿机制就保持性(retention)而言有缺点。此外，需要高栅极偏压，所以，高压器件、驱动电路和泵(pump)电路是必需的。沟道热电子注入机制的优点是几微秒量级的高速编程，但是存储单元编程需要数百个微安的高电流，所以，沟道热电子注入机制不适合用于具有高电量消耗的移动产品。此外，如果使用具有l-Tr结构的存储单元，过度擦除有可能在擦除操作过程中产生，所以可能需要恢复操作。为了避免过度擦除，所有的存储单元必须被控制为具有一致的擦除速度。在根据相关技术的存储阵列中，高压被施加于位线，所以，用于选择性地施加偏压到特定位线的x-解码器必须包括占据大面积的高压晶体管。图1A和图1B是根据相关技术的闪存器件的制造步骤的剖视图。参阅图1A，当分裂选择栅极(splitselectgate)被光照(photo)和蚀刻工艺限定，存储单元的选择栅极的长度可能会因为光照工艺中的覆盖位移(overlaymisalign)而彼此不同(LI^L2)，因此，左存储单元(A-Cell)的特性可能与右存储单元(B-Cell)的特性不同。参阅图IB，在局部氮化物层被用作存储地点(site)的情况下，当分裂选择栅极被光照和蚀刻工艺限定，存储单元可能会有不同的氮化物长度(L3#L4)和选择栅极长度(LI#L2)，这是由于光照工艺中的CD变化和覆盖位移。所以，左存储单元(A-Cell)和右存储单元(B-Cell)的特性变化会增加。
发明内容本发明的实施例提供一种闪存器件及其制造方法。闪存器件可以使用沟道热电子机制来获得快的编程时间，还可以有2-Tr结构使得编程电流通过使用选择栅极而减小。所以，可以阻止可能由选择栅极引起的过度擦除问题。此外，可以避免不必要的电路和不必要的操作，比如用于阻止过度擦除的恢复操作或者迭代(iteration)操作。此外，闪存器件能够通过在操作期间调整选择栅极和漏极的偏压而容易地控制编程电流，同时实现低电量操作。本发明提供一种闪存器件，所述闪存器件能够使用沟道热电子注入机制作为编程机制，并且使用能带到能带隧穿(BTBT)热空穴机制作为擦除机制。因此，编程/擦除操作可以在相对低的电压下进行，从而可以减少高压器件、高压驱动电路和高压泵电路的数量。由此，周围区域的面积会显著的减小。并且，实施例提供了一种具有自对准S0N0S结构的闪存器件及其制造方法，其中可以使用自对准双间隔工艺取代光照和蚀刻工艺以形成存储单元。本发明可以解决关于CD和覆盖变化的问题，从而在阻止特性降低的同时获得存储单元的一致性。此外，实施例提供了一种闪存器件及其制造方法，其中可以形成自对准源极多层接触以减少源极多层回蚀刻工艺，从而简化制造工艺。在本发明的一个实施例中，闪存器件可以包括第一存储栅极和第二存储栅极，位于衬底上；氧化物层，沿着所述第一存储栅极的侧面，沿着所述第二存储栅极的侧面，在所述第一存储栅极外侧的所述衬底上，以及在所述第二存储栅极外侧的所述衬底上；源极多层接触(sourcepolycontact)，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间；第一选择栅极，在所述第一存储栅极外侧；第二选择栅极，在所述第二存储栅极外侧；多个漏极区域，在所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧；以及多个金属接触，位于所述多个漏极区域和所述源极多层接触上。在另一个实施例中，制造闪存器件的方法可以包括如下步骤在衬底上形成第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成氮化物层；在所述氮化物层上形成第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成第一多晶硅层；通过图案化所述氮化物层、所述第二氧化物层以及所述第一多晶硅层形成第一存储栅极和第二存储栅极；在所述衬底上形成第三氧化物层，包括在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极上；在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间形成源极多层接触；在所述第一存储栅极外侧形成第一选择栅极，以及在所述第二存储栅极外侧形成第二选择栅极；通过离子注入工艺，在所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧形成多个漏极区域；以及在所述多个漏极区域和所述源极多层接触上形成多个金属接触。图1A和图IB是示出根据相关技术的闪存器件的制造方法的剖视图；图2A是根据本发明实施例的闪存器件的剖视图；图2B是根据本发明实施例的闪存器件的存储单元阵列的示意图；以及图3至图14是示出根据本发明实施例的闪存器件的制造方法的剖视图。具体实施例方式以下，将参考附图描述一种闪存器件及其制造方法。当这里使用术语"上"或者"之上"指称层、区域、图案或者结构时，应当理解的是，层、区域、图案或者结构可以直接位于另一层或者结构上，或者也可存在中间层、区域、图案或者结构。当这里使用术语"下"或者"之下"指称层、区域、图案或者结构时，应当理解的是，层、区域、图案或者结构可以直接位于另一层或者结构下，或者也可存在中间层、区域、图案或者结构。图2A是根据本发明实施例的闪存器件的剖视图，是沿着图2B的线A-A'所截取的。图2B是根据本发明实施例的闪存器件的存储单元阵列的示意图。图14也是根据本发明实施例的闪存器件的剖视图。参阅图14，闪存器件可以包括第一存储栅极20a和第二存储栅极20b，位于衬底10上；第三氧化物层25，在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b的内侧和外侧；源极多层接触29，在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b之间；第一选择栅极30a，在所述第一存储栅极20a外侧，以及第二选择栅极30b，在所述第二存储栅极20b外侧；漏极区域34，在所述第一选择栅极30a和所述第二选择栅极30b外侧；以及金属接触36，位于所述漏极区域和所述源极多层接触29上。以下，将参考图2A及图2B和表1描述根据实施例的闪存器件的操作。表1示出根据实施例的闪存器件中的编程、擦除和读出操作的条件。表1编程擦除读出方法沟道热电子BTBT感应热空穴反转最小操作单位位扇区位被[ci]W/L0VtOVVcc选公共的MGVPP-VPPVcc择公共的S/L0VPPVPPOV的B/L0ov0Vor浮置公共的体积(Bulk)ovOVOV<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>闪存器件的编程操作可以通过施加偏压以生成热载流子电子而实现。擦除操作可以通过在施加能够形成BTBT的偏压时形成多个电子_空穴对(EHP)而实现。因为擦除操作可以以W/L(字线)为单位进行，所以，在被选择的存储单元的同一字线中排列(align)的存储单元可以被完全擦除。也就是说，即使存储单元是未被选择的存储单元，在被选择的存储单元的同一字线中排列的存储单元也会被擦除。在读出操作中，可以根据施加到漏极区域的偏压来施加电流。由于在编程操作期间施加的电流可以与在擦除操作期间施加的电流不同，所以可以基于电流来区分编程操作和擦除操作。(1)编程操作参阅图2A及图2B和表1，编程操作可以通过沟道热电子机制实现。关于偏压条件，足够在选择栅极之下形成沟道的偏压Vt通过W/LWLO被施加到选择栅极，并且偏压被分别施加到公共的源极侧Com-S/L和公共的存储栅极Com-MG，施加的方式使得热电子可以被注入到存储栅极之下的陷阱氮化物层。对于未被选择的存储单元C2和C4，如表1所示，OV可以被施加到C2的W/LWL1，并且浮置或者反偏压可以被施加到C4的B/LBL1以阻止编程操作。所以，最小的编程单位可以是l位。在这种情况下，通过调整源极偏压和栅极偏压，经由源极侧注入机制可以实现编程操作。VPP指的是泵偏压(pumpingbias)。[OO39](2)擦除操作擦除操作可以通过BTBT感应热空穴注入机制实现。关于偏压条件，反偏压可以被施加到源极和阱，从而通过BTBT生成EHP。此时，通过横向场，可以对空穴进行加速，从而通过捕陷在存储栅极中的负偏压将空穴注入到陷阱氮化物层中。(3)读出操作读出操作可以在与编程/擦除方向相反的方向上实现。因为根据实施例的闪存器件具有存储单元，所述存储单元具有2-Tr结构，所以，过度擦除可以被阻止，从而可以省略用于NOR闪存器件中以解决过度擦除问题的复杂电路。此外，相对于具有2-TrEEPR0M结构的存储单元，存储单元的尺寸可以很小。此外，由于实施例可以在编程操作中使用热载流子注入机制，所以通过使用选择栅极和反偏压，可以实现快的编程速度，并且可以解决电流消耗的问题。并且，由于实施例可以使用BTBT热空穴注入机制，所以擦除速度可以比根据相关技术的NOR闪存的擦除速度快。由于编程/擦除操作可以在相对低的偏压下进行，所以，可以减少电压泵电路、高压器件和解码器的数量，从而减小芯片的尺寸。此外，实施例可以使用自对准源极多层接触，所以，可以节省用于无损去除源极区域的多层所需的时间和劳动力。当在用于源极区域的离子注入工艺中进行掩模和光照步骤时，可以只包括对氧化物层的蚀刻工艺，从而可以简化工艺并且縮短工艺时间，进而减少制造成本。根据实施例，无需使用光致抗蚀剂图案化存储单元的漏极，用于存储单元漏极的离子注入工艺可以与用于在周围区域中设置的晶体管的LDD离子注入工艺同时进行。这种工艺可以用在其它的非易失性存储器件中，并且可以取代凹陷(recessed)公共源极(RCS)工艺和有源公共源极(ACS)工艺。此外，源极侧的面积可以显著的减小，使得实施例的优势在于存储单元的縮小。存储单元表现出对氮化物层和选择栅极的长度敏感的特性。根据相关的技术，进行光照和蚀刻工艺以控制氮化物层和选择栅极的长度。然而，通过使用自对准机制，本发明的实施例可以解决关于CD和覆盖变化的问题，所以，本发明可以在存储单元特性的一致性方面获得优越的特性。以下，将参考图3至图14描述根据本发明实施例的闪存器件的制造方法。参阅图3，隔离层12可以形成在衬底10上以限定有源区11。焊盘(pad)氧化物层15可以形成在所述有源区上。参阅图4，在所述衬底10上可以进行第一离子注入工艺以形成阱区13。例如，如果所述衬底10是P型衬底，可以注入N型离子以形成N型阱。如果所述衬底是N型衬底，可以注入P型离子以形成P型阱。在一个实施例中，可以在具有所述阱区13的所述衬底10上进行第二离子注入工艺以调整阈值电压。参阅图5，所述焊盘氧化物层15可以被去除，并且第一氧化物层21、第一氮化物层22、第二氧化物层23以及第一多晶硅层24可以顺序地形成在所述衬底10上。例如，所述第一氧化物层21可以作为隧道氧化物层。所述第一氧化物层21可以是比如Si(^，尽管实施例并不限于此。在一个实施例中，通过进行对于所述衬底10的热处理工艺，所述第一氧化物层可以形成在所述衬底10上以具有大约20A到约80A的厚度。在另一个实施例中，所述第一氧化物层21可以包括高K材料，例如A1203。所述第一氧化物层21通过例如化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)工艺，可以沉积在所述衬底10上。所述第一氮化物层22可以作为例如电荷陷阱层。所述第一氮化物层22可以是例如Si，y(其中x和y是正数)层。在一个实施例中，所述第一氮化物层22可以通过CVD工艺沉积在所述第一氧化物层21上以具有大约70A到约iooA的厚度。所述第二氧化物层23可以作为顶部氧化物层。所述第二氧化物层23可以是例如通过CVD工艺沉积在所述第一氮化物层22上的Si(^，尽管实施例并不限于此。所述第一多晶硅层24可以沉积在所述第二氧化物层23上。参阅图6，所述第一氮化物层22、所述第二氧化物层23以及所述第一多晶硅层24可以被图案化以形成包括第一存储栅极20a和第二存储栅极20b的存储栅极20。所以，所述存储栅极20可以有S0N0S结构。在一个实施例中，在所述第一多晶硅层24上形成第一光致抗蚀剂图案(未示出)，使得所述第一多晶硅层24的对于所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b的一部分被暴露之后，所述第一多晶硅层24可以被蚀刻以限定所述存储栅极20(也就是说，所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b)。蚀刻工艺可以在所述第一多晶硅层24、所述第二氧化物层23以及所述第一氮化物层22上进行。或者，蚀刻工艺可以分两个步骤进行，其中，所述第一多晶硅层24可以在第一个步骤中被蚀刻，所述第二氧化物层23以及所述第一氮化物层22可以在第二个步骤中被蚀刻。在两步蚀刻的工艺中，所述第二氧化物层23在第一个步骤中可以作为蚀刻停止层，并且所述第二氧化物层23以及所述第一氮化物层22可以在第二个步骤中被蚀刻。第二个步骤可以通过例如干蚀刻或者湿蚀刻工艺进行。然后，参阅图7，第三氧化物层25可以形成在所述衬底10的整个表面之上，包括在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b上。在一个实施例中，所述衬底10上的所述第一氧化物层21的一部分(所述部分不与所述存储栅极20相对应)可以被去除。也就是说，所述第一氧化物层21，不在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b内的剩余第一氮化物层22下，可以被去除，从而只保留在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b内的剩余第一氮化物层22下的第一氧化物层21的部分。之后，可以进行热氧化工艺，比如双栅极氧化工艺，以形成所述第三氧化物层25。所述第三氧化物层25可以是包括厚栅极氧化物层和薄栅极氧化物层的氧化物层，或者可以只是薄栅极氧化物层自身。将在后面形成的选择栅极30a和选择栅极30b可以把所述第三氧化物层25共享作为选择栅极氧化物。参阅图8，第一晕环离子(haloion)注入区域27和第一轻掺杂漏极(LDD)离子注入区域26可以形成在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b之间的所述衬底10中。所述第一晕环离子注入区域27和所述第一轻掺杂漏极离子注入区域26可以改善热载流子注入(HCI)的效率。在一个实施例中，在所述第一和第二存储栅极20a之间的所述衬底10中形成源极区域(未示出)之后，在所述源极区域之上的所述第三氧化物层25的一部分可以被去除(可以被去除的所述第三氧化物层25的所述部分可以相当于在所述第一LDD离子注入区域26之上的所述第三氧化物层25的一部分)。例如，可以形成第二光致抗蚀剂图案41，所述第二光致抗蚀剂图案41只暴露出所述存储单元的源极侧，可以进行离子注入工艺以形成所述源极区域，并且之后，在源极区域之上的所述氧化物层25可以被完全地蚀刻。参阅图9，第二多晶硅层28可以形成在具有所述源极区域的所述衬底10的整个表面之上，包括在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b上。在一个实施例中，在去除所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b之间的所述氧化物层25之后，可以去除所述第二光致抗蚀剂图案41，并且之后，可以沉积所述第二多晶硅层28。此时，所述源极区域和所述第二多晶硅层28的结区可以互相接触。参阅图10，可以蚀刻所述第二多晶硅层28以在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b之间形成源极多层接触29，并且在所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b外侧形成第一选择栅极30a和第二选择栅极30b。也就是说，所述第一选择栅极30a可以形成在所述第一存储栅极20a外侧(与所述源极多晶接触29相对的所述第一存储栅极20a的一侧)，并且所述第二选择栅极30b可以形成在所述第二存储栅极20b外侧(与所述源极多层接触29相对的所述第二存储栅极20b的一侧)。例如，可以通过用于所述第二多晶硅层28的蚀刻工艺蚀刻存储单元区域的整个表面。在一个实施例中，所述第一选择栅极30a和所述第二选择栅极30b的长度可以根据所述第二多晶硅层28的厚度而决定。本发明可以通过使用自对准机制形成选择栅极以解决存储单元的未对准问题。此外，实施例可以在所述源极区域中使用自对准源极多层接触，所以，可以节省用于无损去除所述源极区域的多层(poly)所需的时间和人力。而且，实施例可以使用用于所述源极区域的离子注入工艺中使用的掩模和光照步骤。根据本发明的实施例，当所述选择栅极多层被限定，可以通过使用光致抗蚀剂(未示出)进行图案化和蚀刻工艺，从而限定周围的栅极多层。此外，如果所述有源区在蚀刻工艺中被损坏，用于限定所述存储单元的所述选择栅极多层的光照和蚀刻工艺可以与限定所述周围的栅极多层的光照和蚀刻工艺分别进行。之后，参阅图11，第二晕环离子注入区域32和第二LDD离子注入区域31可以形成在所述第一选择栅极30a和所述第二选择栅极30b外侧。也就是说，所述第二晕环离子注入区域32和所述第二LDD离子注入区域31可以形成在与所述第一存储栅极20a相对的所述第一选择栅极30a的一侧。而且，所述第二晕环离子注入区域32和所述第二LDD离子注入区域31可以形成在与所述第二存储栅极20b相对的所述第二选择栅极30b的一侧。在一个实施例中，当对设置在周围区域的晶体管进行所述LDD离子注入工艺，可以形成所述第二LDD离子注入区域31。在另一个实施例中，所述源极区域可以被所述多层填充，所以，可以不需要另一个用于阻挡所述存储单元的所述源极区域的图案化工艺。之后，参阅图12，通过离子注入工艺，漏极区域34可以形成在所述第一选择栅极30a和所述第二选择栅极30b外侧。也就是说，所述漏极区域34可以形成在所述衬底10中与所述第一存储栅极20a相对的所述第一选择栅极30a的一侧。并且，所述漏极区域34可以形成在所述衬底10中与所述第二存储栅极20b相对的所述第二选择栅极30b的一侧。间隔33可以形成在所述第一选择栅极30a和/或所述第二选择栅极30b外侧。也就是说，所述间隔33可以形成在与所述第一存储栅极20a相对的所述第一选择栅极30a的一侧。并且，所述间隔33可以形成在与所述第二存储栅极20b相对的所述第二选择栅极30b的一侧。可以对所述存储单元的所述漏极进行离子注入工艺，从而形成所述漏极区域34。在一个实施例中，对所述存储器件的所述漏极的离子注入工艺可以与对设置在周围区域的晶体管的源极和漏极的离子注入工艺同时进行。所述间隔33可以有例如氧化物_氮化物_氧化物(0N0)结构或者氧化物_氮化物(ON)结构，尽管实施例并不限于此。参阅图13，所述第三氧化物层25可以从所述漏极区域34和所述存储栅极20中去除。也就是说，在所述漏极区域34和所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b上的所述第三氧化物层25的部分可以被去除。金属层可以形成在所述衬底10上。所述金属层可以形成在所述衬底10的整个表面上，包括在所述源极多层接触29、所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b、和所述第一选择栅极30a和所述第二选择栅极30b上。所述金属层可以是例如钴(Co)层，尽管实施例并不限于此。在所述漏极区域34、所述选择栅极30a和30b、以及所述第一存储栅极20a和所述第二存储栅极20b上，可以进行硅化物(salicide)工艺以形成多个硅化物层35。所述硅化物工艺可以是例如热处理工艺。参阅图14，在所述一个或多个漏极区域34和所述源极多层接触29上，可以进行反端工艺(backendprocess)以形成金属接触36，并且在所述漏极区域34和所述源极多层接触29之上的所述一个或多个金属接触36上形成金属线(或者多个金属线)37。根据本发明的实施例，源极接触可以包括自对准多层接触，并且偏压可以被施加到所述自对准多层接触，从而通过所述源极多层接触将所述偏压传送到所述源极区域。根据本发明的闪存器件及其制造方法，可以使用自对准源极多层接触，所以，可以节省用于无损去除源极区域的多层所需的时间和人力。而且，当在用于源极区域的离子注入工艺中进行掩模和光照步骤时，可以只包括对氧化物层的蚀刻工艺，从而可以简化工艺并且縮短工艺时间，进而减少制造成本。此外，无需使用光致抗蚀剂图案化所述存储单元的所述漏极，对存储单元的漏极的离子注入工艺可以与对在周围区域中设置的晶体管的LDD离子注入工艺同时进行。这种工艺可以用于其它的非易失性的存储器件中，并且可以取代RCS工艺和ACS工艺。此外，源极侧的面积可以显著的减小，所以本发明的优势在于存储单元的縮小。而且，存储单元表现出对氮化物层和选择栅极的长度敏感的特性。根据相关的技术，进行光照和蚀刻工艺是为了控制氮化物层和选择栅极的长度。然而，通过使用自对准机制，本发明的实施例可以解决关于CD和覆盖变化的问题，所以，本发明可以在存储单元特性的一致性方面获得优越的特性。根据实施例的所述闪存器件的编程操作可以通过施加偏压而生成热载流子电子实现，尽管实施例并不限于此。此外，擦除操作可以通过在施加能够形成BTBT的偏压时形成EHP而实现。由于擦除操作可以以W/L(字线)为单位进行，所以，在被选择的存储单元的同一字线中排列的存储单元可以被完全擦除。也就是说，即使存储单元是未被选择的存储单元，在被选择的存储单元的同一字线中排列的存储单元也会被擦除。在读出操作中，可以根据施加到漏极区域的偏压来施加电流。由于在编程操作期间施加的电流可以与在擦除操作期间施加的电流不同，所以可以基于电流来区分编程操作和擦除操作。本说明书中所涉及的"一个实施例"、"实施例"、"示例性实施例"等，其含义是结合该实施例描述的特定特征、结构或特性均包括在本发明的至少一个实施例中。说明书中出现于各处的这些术语不一定都涉及同一个实施例。此外，当结合任一实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为其落入本领域普通技术人员结合其他实施例可以实现这些特征、结构或特性的范围内。尽管对实施例的描述中参照了其多个示例性实施例，但可以理解的是，在本公开内容的原理的精神和范围之内，本领域普通技术人员完全可以设计出许多其它改进和实施例。尤其是，可以在该公开说明书、附图和所附权利要求的范围内对组件和/或附件组合设置中的排列进行多种变化和改进。除组件和/或排列的变化和改进之外，其他可选择的应用对于本领域普通技术人员而言也是显而易见的。权利要求一种闪存器件，包括第一存储栅极和第二存储栅极，位于衬底上；氧化物层，沿着所述第一存储栅极的侧面，沿着所述第二存储栅极的侧面，位于所述第一存储栅极外侧的所述衬底上，以及位于所述第二存储栅极外侧的所述衬底上；源极多层接触，位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间；第一选择栅极，位于所述第一存储栅极外侧；第二选择栅极，位于所述第二存储栅极外侧；多个漏极区域，位于所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧；以及多个金属接触，位于所述多个漏极区域和所述源极多层接触上。2.如权利要求1所述的闪存器件，还包括源极区域，在所述源极多层接触下并与所述源极多层接触相接触；其中，所述源极多层接触用作源极接触；以及其中，在所述闪存器件的操作期间，偏压被施加到所述源极多层接触，以使所述偏压通过所述源极多层接触被传送到所述源极区域。3.如权利要求1所述的闪存器件，还包括晕环离子注入区域和LDD离子注入区域，位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间的所述衬底上。4.如权利要求1所述的闪存器件，还包括所述氧化物层，位于所述第一选择栅极下的所述衬底上，以及位于所述第二选择栅极下的所述衬底上。5.如权利要求1所述的闪存器件，还包括源极区域，位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间的所述衬底中。6.—种制造闪存器件的方法，包括以下步骤在衬底上形成第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成氮化物层；在所述氮化物层上形成第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成第一多晶硅层；通过图案化所述氮化物层、所述第二氧化物层以及所述第一多晶硅层，形成第一存储栅极和第二存储栅极；在所述衬底上、包括在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极上形成第三氧化物层；在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间形成源极多层接触；在所述第一存储栅极外侧形成第一选择栅极，以及在所述第二存储栅极外侧形成第二选择栅极；通过离子注入工艺，在所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧形成多个漏极区域；以及在所述多个漏极区域和所述源极多层接触上形成多个金属接触。7.如权利要求6所述的方法，还包括通过离子注入工艺，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间的所述衬底中形成源极区域。8.如权利要求6所述的方法，其中形成所述源极多层接触、所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的步骤包括去除所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间的所述第三氧化物层的一部分；在所述衬底上形成第二多晶硅层；蚀刻所述第二多晶硅层以在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间形成所述源极多层接触；以及在所述第一存储栅极外侧形成所述第一选择栅极，以及在所述第二存储栅极外侧形成所述第二选择栅极。9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述源极多层接触、所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的步骤还包括蚀刻所述第二多晶硅层以同时在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间形成所述源极多层接触，在所述第一存储栅极外侧形成所述第一选择栅极，以及在10.如权利要求6所述的方法，其中形成所述源极多层接触的步骤包括去除所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间的所述第三氧化物层的一部分；在所述衬底上形成第二多晶硅层；通过蚀刻所述第二多晶硅层，形成用于所述源极多层接触的自对准多层接触。全文摘要本发明提供一种闪存器件及其制造方法。闪存器件可以包括第一存储栅极和第二存储栅极，位于衬底上；氧化物层，位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极的侧面，并且位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极外侧的所述衬底上；源极多层接触，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间；第一选择栅极和第二选择栅极，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极外侧；漏极区域，在所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧；以及金属接触，位于所述漏极区域和所述源极多层接触上。文档编号H01L27/115GK101783351SQ200910266068公开日2010年7月21日申请日期2009年12月31日优先权日2008年12月31日发明者权永俊申请人:东部高科股份有限公司