专利名称：一种透明导电膜玻璃的制作方法
技术领域：
本发明属于导电玻璃工艺技术领域，特别涉及一种透明导电膜玻璃的改进。
二背景技术：
透明导电膜玻璃是一种透光导电膜玻璃，主要包括金属氧化物及其复合多元 氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特 性，广泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领 域，但是一般氧化物薄膜平均方阻较大，在大面积的导电玻璃应用器件中，随着 电子传输距离的增加，电阻越大，损耗越严重，大大降低了器件的工作效率，
三
发明内容技术问题
本发明的目的在于针对现有透明导电膜玻璃的不足，提供一种既可以降低电 阻、减少电子损耗、使电子定向移动，同时又具有可靠行、稳定性的导电玻璃。
技术方案本发明的技术解决方案为
一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，所述底板玻璃和透明导 电膜之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝。 其中，上迷低电阻栅为网状、线状或回旋状形貌。
有益效果
本发明公开了 一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，在底板玻 璃和透明导电膜之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝。在 本发明中，低电阻栅的加入，在大面积器件中可降低两点间的电阻由于作为透 明导电膜的氧化膜大部分是半导体，其一般电阻较高，所以导电玻璃方阻较大， 随着玻璃面积的加大，大面积器件两点间的电阻随着距离的加大而加大，但如果 在两点间预埋低电阻栅以后，这一现象立即消失，两点间的阻值一般只略大于同 等长度低电阻栅的阻值，而远小于未布低电阻栅两点间的电阻。低电阻栅的引入 虽然大大降低了电阻，收集了电子，并实现了电子的定向运动，但是低电阻电阻 栅本身受外界环境影响较大，易腐蚀，易氧化，影响了器件的可靠性、稳定性，而本发明在低电阻栅上覆盖一层致密的透明导电膜恰好克服了这一缺陷透明导 电膜将与低电阻电栅环境隔绝，从而保护了低电阻电栅不受环境影响，保证了器 件的稳定性和可靠性。
在本发明中，低电阻栅印刷成网状、线状或回旋状形貌。网状形貌的低电阻
栅满足串并联要求，可组成任意串并联复杂电路；线状形貌的低电阻栅满足不同 器件连接要求、使电阻显著下降；回旋状形貌的低电阻栅满足多器件连接要求、 达到组合器件的效果。
四
图1是本发明透明导电膜玻璃的结构示意图2是未刷低电阻栅的透明导电膜玻璃与实施例1中的已刷低电阻栅的透明 导电膜玻璃的电阻效果比较图3是未刷低电阻栅的透明导电膜玻璃与实施例2中的已刷低电阻栅的透明 导电膜玻璃的电阻效果比较图4是未刷低电阻栅的透明导电膜玻璃与实施例3中的已刷低电阻栅的透明 导电膜玻璃的电阻效果比较图5是未刷低电阻栅的透明导电膜玻璃与实施例4中的已刷低电阻栅的透明 导电膜玻璃的电阻效果比较图6是未刷低电阻栅的透明导电膜玻璃与实施例5中的已刷低电阻栅的透明 导电膜玻璃的电阻效果比较五具体实施方式
以下实施例为本发明的 一些举例，不应被看做是对本发明的限定。 实施例1:
一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，底板玻璃和透明导电膜 之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝。 其中，底板玻璃采用普通光学玻璃。
低电阻栅以中温铝浆为材料，采用丝网印刷法， 一次印刷于底板玻璃的上 表面，低电阻栅印刷成网状形貌。印刷方法为采用JG6080丝网印刷机，300 目丝网，印刷后在45(TC下烧结半小时，制成低电阻栅，所制得的低电阻栅线宽 为0.5mm。
透明导电膜为111203和Sn02复合材料，InA和Sn02质量配比为1: 1,采用 磁控溅射法铺设于低电阻栅上表面。制备方法采用将高纯度的氧化铟和氧化锡
4粉末，按质量比1: 1混合好，再采用粉末工艺烧结成固体粑材(抽测乾体密度 99.5%),采用国产JGC-40SY型500W磁控溅射镀膜机。射频賊射镀膜工艺参 数如下本底真空度小于IX l(T3Pa，溅射功率为100W,基片温度为300°C ,靶 材到已布低电阻电栅底板玻璃的距离是8cm，溅射，再用高浓度KOH异丙醇溶
液清洗。
图2为用四摇针法测的同为磁控溅射法制作的已布低电阻栅和未布低电阻 栅导电玻璃电阻与距离的关系比较。从图中可知未布低电阻栅的导电玻璃的表 面电阻要远大于已布低电阻栅的电阻，已布低电阻栅的电阻始终保持在未布低电 阻栅电阻的1/3到1/4之间，可见低电阻栅的引入大大降低了电阻，同时玻璃的 耐腐蚀性，表面硬度，抗高温性能都无明显下降。
实施例2:
一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，底板玻璃和透明导电膜 之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝。 其中，底板玻璃采用普通光学玻璃。
低电阻栅选用低温银浆为材料，采用丝网印刷法， 一次印刷于底板玻璃的 上表面，低电阻栅印刷成线状形貌。印刷方法为采用JG6080丝网印刷机，300 目丝网，印刷后在150。C下烧结半小时，制成低电阻栅，所制得的低电阻栅线宽 为0.5mm。
透明导电膜为Sn02 : F复合薄膜，Sn02与F的质量配比为5: 1，采用超 声喷雾热解淀积法铺设于低电阻栅上表面。制备方法取SnCl4'5H20,用H20 和CH3OH配制成质量百分含量为5%曱醇溶剂，再加入NH4F, NH4F占 SnCl4'5H20的比例为2% (质量百分数)。实验制备时，压电陶瓷换能器(超声振 动频率为1.7 MHz，直径25 mm,雾化量400 - 500 dm3『1的超声振动将所配制 好的溶液雾化，由载气携带至加热的已布低电阻电栅玻璃衬底。调节衬底温度、 喷嘴与衬底间的距离、衬底旋转速度、雾化量的大小及载气气压等实验参数，即 可在衬底上淀积出均匀的Sn02 : F薄膜，再用高浓度KOH异丙醇溶液清洗即可。
图3为用四摇针法测的同为超声喷雾热解淀积法制作的未布低电阻栅与已 布低电阻栅导电玻璃电阻与距离的关系比较。从图中可知未布低电阻栅的导电 玻璃的表面电阻要远大于已布低电阻栅的电阻，已布低电阻栅的电阻始最高是未 布低电阻栅电阻的1/10，最低仅为l/20之间。可见低电阻栅的引入大大降低了 电阻，同时玻璃的耐腐蚀性，表面硬度，抗高温性能都无明显下降。
实施例3:
一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，底板玻璃和透明导电膜之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝。 其中，底板玻璃采用普通光学玻璃。
低电阻栅选用低温铜浆为材料，采用丝网印刷法， 一次印刷于底板玻璃的 上表面，低电阻栅印刷成回旋状形貌。印刷方法采用JG6080丝网印刷机采用， 300目丝网，印刷后在230。C下烧结半小时，制成低电阻栅，所制得的低电阻栅线 宽为0.5mm。
透明导电膜为InA: Sn02的复合材料薄膜，InA与Sn02的质量比为1: 0.8， 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法铺设于低电阻栅上表面。制备方法以InCl3, SnCl4 为前体(质量比l: 0. 8),乙醇为溶剂配制溶液，在温度为2(TC静置形成溶胶，旋 涂法在已布低电阻电栅玻璃抛膜后，在马弗炉中进行热处理，热处理的温度在450 。C左右，时间为20min，得到透明导电膜，再用高浓度KOH异丙醇溶液清洗即可。
图4为用四摇针法测的同为溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制作的未布低电阻4册与 已布低电阻栅导电玻璃电阻与距离的关系比较。从图中可知未布低电阻栅的导 电玻璃的表面电阻要远大于已布低电阻栅的电阻，已布低电阻栅的电阻始终保持 在未布低电阻栅电阻的1/5到1/6。所以低电阻栅的引入大大降低了电阻，同时玻 璃的耐腐蚀性，表面硬度，抗高温性能都无明显下降。
实施例4:
一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，底板玻璃和透明导电膜 之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝。 其中，底板玻璃采用普通光学玻璃。
低电阻栅选用低温银浆为前体材料，采用丝网印刷法， 一次印刷于底板玻 璃的上表面，低电阻栅印刷成线状形貌。印刷方法采用JG6080丝网印刷机， 300目丝网，印刷后在15(TC下烧结半小时，制成低电阻栅，所制得的低电阻栅 线宽为0.5mm。
透明导电膜为ZnO薄膜，釆用磁控溅射法铺设于低电阻栅上表面。制备 方法所用靶材为ZnO (99.99%)陶乾靶，采用国产JGC-40SY型500W磁控 溅射镀膜机，射频溅射镀膜工艺参数如下本底真空度小于IX 10-3Pa，賊射功 率为100W,基片温度为200°C，靶材到已布低电阻电栅底板玻璃的距离是7cm。 溅射，再用高浓度KOH异丙醇溶液清洗。
图5为用四摇针法测的同为溅射法制作的已布低电阻栅和未布低电阻栅导 电玻璃电阻与距离的关系比较。从图中可知未布低电阻栅的导电玻璃的表面电 阻要远大于已布低电阻栅的电阻，已布低电阻栅的电阻始最高是未布低电阻栅电 阻的1/9，最低仅为1/14。所以低电阻栅的引入大大降低了电阻，同时玻璃的耐
6腐蚀性，表面硬度，抗高温性能都无明显下降。 实施例5:
一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，底板玻璃和透明导电膜 之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝。 其中，底板玻璃采用普通光学玻璃。
低电阻栅选用低温银浆为前体材料，采用丝网印刷法， 一次印刷于底板玻 璃的上表面，低电阻栅印刷成线状形貌。印刷方法为采用JG6080丝网印刷机， 300目丝网，印刷后在150'C下烧结半小时，制成低电阻栅，所制得的低电阻栅 线宽为0.5mm。
透明导电膜为质量配比为1: 0.6的Sn02和TK)2复合薄膜，采用采用磁控 溅射法铺设于低电阻栅上表面。制备方法将Sn02和Ti02粉末，按质量比为1: 0.6混合好，再采用粉末工艺烧结成固体靶材(抽测靶体密度99.5% ),采用国产 JGC-40SY型500W磁控賊射镀膜机，射频賊射镀膜工艺参数如下本底真空度 小于1X10-Spa,賊射功率为100W,基片温度为200'C,靶材到已布低电阻电栅 底板玻璃的距离是7cm,溅射，再用高浓度KOH异丙醇溶液清洗。
图6为用四摇针法测的同为溅射法制作的已布低电阻栅和未布低电阻栅导 电玻璃电阻与距离的关系比较。从图中可知从图中可知未布低电阻栅的导电 玻璃的表面电阻要远大于已布低电阻栅的电阻，已布低电阻栅的电阻始终保持在 未布低电阻栅电阻的1/5到1/6。所以低电阻栅的引入大大降低了电阻，同时玻 璃的耐腐蚀性，表面硬度，抗高温性能都无明显下降。
权利要求1.一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃(1)和透明导电膜(3)，其特征在于在所述底板玻璃(1)和透明导电膜(3)之间设有低电阻栅(2)，透明导电膜(3)将低电阻栅(2)与外界环境隔绝。
2. 根据权利要求1所述透明导电膜玻璃，其特征在于所述低电阻栅(2 )为网状、 线状或回旋状形貌。
专利摘要一种透明导电膜玻璃，包括底板玻璃和透明导电膜，所述底板玻璃和透明导电膜之间设有低电阻栅，透明导电膜将低电阻栅与外界环境隔绝低电阻栅的引入大大降低了电阻，收集了电子，并实现了电子的定向运动；同时在低电阻栅上覆盖一层致密的透明导电膜，将与低电阻电栅环境隔绝，从而保护了低电阻电栅不受环境影响，保证了器件的稳定性和可靠性。
文档编号H01L31/02GK201378594SQ20092004112
公开日2010年1月6日 申请日期2009年4月7日 优先权日2009年4月7日
发明者吴小娟, 奚俊婷, 孙岳明, 铂 宋, 王育乔, 蒋银花 申请人:东南大学