专利名称：全范围快速熔断器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及熔断器技术，更具体地说，涉及一种觀定电压为交流
250V,直流170V,额定电流范围为50 160A的全范围快速熔断器。
背景技术：
熔断器是一种用于电缆、电线以及设备电路的过载与短路保护装置。 熔断器的种类有很多，目前，较为常见的有用于电缆电线保护的全范围
普通熔断器(gG)、用于半导体保护的部分范围快速熔断器(aR)等，这
些熔断器结构基本相同， 一般均包括熔管、触刀、熔体和石英砂，触刀设 于熔管两端，熔体和石英砂设于熔管内。不同的是，请参阅图l所示，全
范围普通熔断器的熔体包括数个铜片10，每个铜片IO设有数列断口 11， 每列断口内通孔为六边形孔12。请再参阅图2所示，而局部范围快速熔断 器的熔体则包括数个银片20，每个银片20设有数列断口 21,每列断口 21 内通孔为为圆孔22。但是，目前巿场上用于半导体保护的全范围快速熔断 器(gR)较少，特别是额定电压为交流250V，直流170V，最大额定电流 能够到达160A的全范围快速熔断器到目前为止还没有。随着半导体技术 的迅速发展，半导体设备逐渐趋于小型化，并且对额定电流范围以及低倍 过载电流保护的要求也越来越高，目前市场上的全范围快速熔断器因体积 较大、且可到达的最大额定电流较小而导致额定电流范围较小，显然已无 法较好的满足相应半导体电路保护的需求，因此，迫切需要一种新的全范 围快速熔断器来满足上述需求。
实用新型内容
针对现有技术存在的上述缺点，本实用新型的目的是提供一种全范围 快速熔断器，该熔断器的体积小、额定电流范围可达5Q 160A，有利于为
3半导体电路提供更加全面的保护。
为实现上述目的，本实用新型釆用如下技术方案
该全范围快速熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于 熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银片，每个银片上设有数列断口， 每列断口内纵向开有相等数量的通孔，所述的每列断口的两边部分别呈半 矩形结构，所述的通孔为矩形孔。
所述的银片一端断口的内侧还纵向焊接有一锡桥。
所述的银片的数量为一个或对称设置的两个，银片两端分别与铜帽内 壁相连接。
所述的银片的厚度范围为0.1~0.18mm。
所述的断口数为平行设置的三列，每列断口的纵向开有一个矩形孔。 所述的断口边部与矩形孔之间的距离为0.5mm。 所述的矩形孔的长为2.2mm,宽为0.7mm。 所述的两触刀之间的总长度为50~52mm,所述的熔管的直径为 18mm。
在上述技术方案中，本实用新型的全范围快速熔断器包括熔管、设于 熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银 片，每个银片上设有数列断口，每列断口内纵向开有相等数量的通孔，每 列断口的两边部分别呈半矩形结构，通孔为矩形孔。两触刀之间的总长度 为50 52mm,熔管的直径为18mm。采用该结构的全范围快速熔断器具 有体积小、额定电流范围大的特点，并且通过设置锡桥能够产生冶金效应， 从而降低银片的熔点，提高其低倍过载的保护性能，为半导体电路提供更 加全面的保护。
图l是现有技术的一种熔断器铜片的结构示意图； 图2是现有技术的另一种熔断器铜片的结构示意图； 图3是本实用新型的全范围快速熔断器的结构示意图； 图4是本实用新型的熔断器的银片的结构示意图；图5是釆用一个银片的本实用新型的熔断器的剖视图； 图6是采用两个银片的本实用新型的熔断器的剖视图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例进一步说明本实用新型的技术方案。
请参阅图3、图4所示，本实用新型的全范围快速熔断器30包括熔管 31、设于熔管31两端的铜帽311和触刀32以及设于熔管31内的熔体、 石英砂等，铜帽311分别罩设于熔管31的两端，触刀32分别与两铜帽311 的外侧面相连接。熔体包括数个银片33,每个银片33上平行设有数列断 口 331,每列断口 331内的纵向开有相等数量的通孔。上述每列断口 331 的两边部分别呈半矩形结构，通孔为矩形孔332。银片33的数量为一个或 对称设置的两个，并且银片33两端分别与铜帽311内壁相连接。每个银 片33的具体尺寸如下，银片33长度为28mm，厚度范围取值为 0.1~0.18mm，并且其断口 331数量为三个，每个断口 331内纵向开有一 个矩形孔332，每个断口 331的矩形孔332的长为2.2mm,宽为0.7mm。 并且银片33的"颈"的宽度，即断口 331边部与矩形孔332之间的距离 为0.5mm。该熔断器30的体积较小，其总长度即两触刀之间的长度为 50 52mm，而熔管31的直径只有18mm。
在此需要说明的是，传统的快速熔断器的熔体一般仅采用银质材料制 作，并取变截面状，使其狭颈部分取较高的电流密度，以达到快速分断的 效果。而本实用新型的全范围快速熔断器30为了更好的降低该银片33的 熔化温度，提高其低倍过载的保护性能，因此还在每个银片33 —端断口 331的内恻纵向焊接有一锡桥34，用以产生冶金效应，当银片33的温度 上升到锡桥34的熔点时，锡桥34立即发生熔化，从而可促进银片33的 熔断，这样有利于熔体在较低过载时的快速熔断，可使电路较低的过载也 能得到保护。
另外，由于银片33的通孔采用了矩形孔332,便于银片冲孔模的制作， 可降低加工难度以及成本。而且在触刀32上分别还设有一用于螺栓连接的 U型开口，可通过螺栓方便连接在相应的电路里。釆用该结构制作的熔断器30,其额定电流范围较大，最小额定电流可
达到50A,而最大额定电流可达到160A，下面进行具体举例说明 实施例1
请结合图4、图5所示，该熔断器30熔体采用的银片33为一个，而 银片的厚度为0.1mm，其它尺寸参数不变。经过多次反复测试得出，该熔 断器30的额定电压为直流250V，交流170V，额定电流为50A，可适用于 额定电压为直流250V,交流170V,额定电流为50A的半导体电路保护。
实施例2
请结合图4、图5所示，该熔断器30熔体采用的银片33为一个，而 银片的厚度为0.18mm,其它尺寸参数不变。经过多次反复测试得出，该 熔断器30的额定电压为直流250V,交流170V，交流170V，额定电流为 80A,从而适用于额定电压为直流250V，交流170V，额定电流为80A的 半导体电路保护。
实施例3
请再结合图4、图6所示，该熔断器30熔体采用的银片33为两个， 而银片的厚度为0.18mm，其它尺寸参数不变。经过多次反复测试得出， 该熔断器30的额定电压为直流250V,交流170V,额定电流达到160A, 从而适用于额定电压为直流250V，交流170V，额定电流可高达160A的 半导体电路保护。
综上所述，本实用新型的全范围快速熔断器30的体积较小而可达到的 额定电流范围较大，并且还具有熔断速度快、低倍过载保护性能佳以及结 构简单、制作方便等优点，能够较好的适用于额定电压为交流250V，直流 170V,额定电流为50~160A的半导体电路，从而为设备提供更加全面、 有效的保护。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说 明本实用新型，而并非用作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的 实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的 权利要求书范围内。
权利要求1.一种全范围快速熔断器，该熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银片，每个银片上设有数列断口，每列断口内纵向开有相等数量的通孔，其特征在于所述的每列断口的两边部分别呈半矩形结构，所述的通孔为矩形孔。
2. 如权利要求l所述的全范围快速熔断器，其特征在于 所述的银片一端断口的内侧还纵向焊接有一锡桥。
3. 如权利要求l所述的全范围快速熔断器，其特征在于 所述的银片的数量为一个或对称设置的两个，银片两端分别与铜帽内壁相连接。
4. 如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于 所述的银片的厚度范围为0.1~0.18mm。
5. 如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于 所述的断口数为平行设置的三列，每列断口的纵向开有一个矩形孔。
6. 如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于 所述的断口边部与矩形孔之间的距离为0.5mm。
7. 如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于 所述的矩形孔的长为2.2mm，宽为0.7mm。
8. 如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于 所述的两触刀之间的总长度为50~52mm,所述的熔管的直径为18mm。
专利摘要本实用新型公开了一种全范围快速熔断器，该熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银片，每个银片上设有数列断口，每列断口内纵向开有相等数量的通孔，每列断口的两边部分别呈半矩形结构，通孔为矩形孔。两触刀之间的总长度为50～52mm，熔管的直径为18mm。采用该结构的全范围快速熔断器具有体积小、额定电流范围大的特点，并且通过设置锡桥能够产生冶金效应，从而降低银片的熔点，提高其低倍过载的保护性能，为半导体电路提供更加全面的保护。
文档编号H01H85/05GK201332079SQ200920066648
公开日2009年10月21日 申请日期2009年1月8日 优先权日2009年1月8日
发明者倪溢雯, 鹤 徐, 林海鸥, 沈一鸣 申请人:上海电器陶瓷厂有限公司