专利名称：一种半导体分立器件的引线框架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子零件，特别涉及一种用于驻极体传声器的半导体分立器
件的引线框架。
背景技术：
在半导体分立器件后部封装的制造过程中，利用粘接材料或共晶焊接技术将半导 体芯片固定到引线框架的载片台上，半导体芯片的各电极通过键合线连接到引线框架的引 出极上，密封树脂封装半导体芯片、内引线载片台和键合引线，引线框架的引出极从密封树 脂中伸出。通常这种引线框架都是标准的例如T0-92、 S0T-23等。 驻极体传声器是由场效应半导体分立器件、驻极体电容和圆筒形壳体组装而成。 现有技术的驻极体传声器组装工艺一般分为二种，一是采用T0-92SP引线框架封装的场效 应器件，由于场效应器件需要安装在驻极体传声器的壳体内，其壳体内部空间十分窄小，因 此平行引出的三条引出极中的一条引出极需要拆弯180°与驻极体传声器的驻极板点焊或 弹性联接，另二条引出极焊接在驻极体传声器的电路底板上并作为其输出，这种方法常用 于较大体积的驻极体传声器上，它可用于例如录音机、电话机等上。随着手机、小型耳机等 的发展，需要一种更小型的驻极体传声器，因此另一种采用S0T-23引线框架封装的场效应 器件应用于小型驻极体传声器的方法得到了发展，其工艺是在一特殊的双面电路底板上贴 装S0T-23场效应器件，再用一铜环与驻极板联接，但这种工艺方法的成本更高。另一方面 S0T-23弓I线框架封装的场效应器件虽然一条弓I出极是反方向的，但由于引线框架较薄而无 法采用点焊或弹性联接。
发明内容为克服现有技术的上述缺点，本实用新型提供一种半导体分立器件的引线框架， 利用这种引线框架所生产的场效应器件具有双向引出极，适用于驻极体传声器以替代 T0-92SP和S0T-23引线框架封装的场效应器件。 本实用新型实现上述目的的技术方案为一种半导体分立器件的引线框架，用于 驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成，其特征在 是所述引线框架包含上引导排和下引导排并由中筋支撑联接；所述上引导排联接第一引 出极以及载片台，下引导排联接第二引出极和第三引出极；第二引出极和第三引出极与第 一引出极反方向引出，载片台在第二引出极和第三引出极的上部；所述引线框架的厚度是 0.15-0. 37mm。 所述弓I线框架是重复联接排列。 所述下引导排重复等距排列引导孔。所述引导孔的形状一边半圆、一边是矩形。 与现有技术相比，本实用新型的优点在于一是由于其具有反方向引出极，使其结 构更有利于驻极体传声器的组装，提高了产品的质量和成本；二是其厚度比S0T-23引线框 架提高，使其能够采用点焊或弹性联接；三是其载片台在第二引出极和第三引出极的上部，载片台面积变大，减低了在载片台上安装半导体芯片的精度要求。
图1为本实用新型一种半导体分立器件的引线框架结构示意图； 图2为本实用新型引线框架的重复联接排列示意图。
具体实施方案
以下结合附图1、附图2实施例对本实用新型作进一步详细描述。 如图1所示，是本实用新型一种场效应器件的引线框架，用于驻极体传声器的半
导体分立器件组装，其通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成。所述引线框架包含上引导
排1和下引导排7并由中筋8支撑联接；常规的T0-92SP三引出极平行引出在同一方向，因
此其仅有下引导排7。 所述上引导排1联接第一引出极2以及载片台3，下引导排7联接第二引出极4和 第三引出极5 ;为了使其中一个引出极与其它二个反方向引出，因此本实用新型设计了上 下两个引导排。 第二引出极4和第三引出极5与第一引出极2反方向引出，载片台3在第二引出 极4和第三引出极5的上部；S0T-23引线框架的载片台在第二、三引出极的中间，这种结构 的引线框架虽可以縮小封装体积，但不利的是其在载片台上安装半导体芯片的精度要求较高。 所述引线框架的厚度是O. 15-0. 37mm。可适用于驻极体传声器的点焊或弹性联接。 如图2所示，所述引线框架2是重复联接排列， 一般是五十位。所述下引导排7重 复等距排列引导孔6。所述引导孔6的形状一边半圆、一边是矩形，这种结构的引导孔有利 于自动机器装片。 本实用新型的引线框架与T0-92SP相比具有双向引出极；与S0T-23相比有较厚 的引出极并且降底了载片台3上安装半导体芯片的精度要求。同时在其封装体积可以比 T0-92SP做得更小。因此本实用新型可以把上述两种工艺方法统一为一种，有利于驻极体传 声器的产业化生产和降低其生产成本。 有益的是本实用新型有利于但并不仅局限于驻极体传声器的工艺改善，也可应用 于其它有特殊需要的半导体分立器件的制造。
权利要求一种半导体分立器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成，其特征在于所述引线框架包含上引导排(1)和下引导排(7)并由中筋(8)支撑联接；所述上引导排(1)联接第一引出极(2)以及载片台(3)，下引导排(7)联接第二引出极(4)和第三引出极(5)；第二引出极(4)和第三引出极(5)与第一引出极(2)反方向引出，载片台(3)在第二引出极(4)和第三引出极(5)的上部；所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。
2. 根据权利要求1所述的一种半导体分立器件的引线框架，其特征在于所述引线框 架(2)是重复联接排列。
3. 根据权利要求1所述的一种半导体分立器件的引线框架，其特征在于所述下引导 排(7)重复等距排列引导孔(6)。
4. 根据权利要求3所述的一种半导体分立器件的引线框架，其特征在于所述引导孔 (6)的形状一边半圆、一边是矩形。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体分立器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成。所述引线框架包含上引导排和下引导排并由中筋支撑联接；所述上引导排联接第一引出极以及载片台，下引导排联接第二引出极和第三引出极；第二引出极和第三引出极与第一引出极反方向引出，载片台在第二引出极和第三引出极的上部；所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。利用这种引线框架所生产的场效应器件具有双向引出极，适用于驻极体传声器以替代TO-92SP和SOT-23引线框架封装的场效应器件。
文档编号H01L23/495GK201518317SQ20092012396
公开日2010年6月30日 申请日期2009年7月2日 优先权日2009年7月2日
发明者徐祖江 申请人:徐祖江