专利名称:磁场旋转增强器结构的制作方法
技术领域:
本实用新型磁场旋转增强器结构,主要是应用于处理流体的磁场的旋转 与增强技术上。
背景技术:
现有技术中的中空管体外部设有磁力装置,以磁化流过中空管体的流
体;但是,由于中空管体整枝都是呈圆形,所以磁力作用的距离较长,无法 增强磁场,磁化效果并不理想。
发明内容
本实用新型是针对现有技术的磁场增强技术所既存的问题与缺失,积极 地投入创新与改良的精神,所完成的一磁场旋转增强器结构。
本实用新型所采用的技术方案为在中空管体上设有一个或一个以上的 扁平部,相邻的扁平部彼此相差一旋转角度,中空管体在扁平部的外围设有 磁力装置。
本实用新型的有益技术效果在于在中空管体对应于磁力装置处设有扁 平部,可以缩短磁力作用的距离,增强磁场,并变化磁场角度。
本实用新型所提供的磁场增强器结构,也可以在中空管体设置多个变化 不同角度的扁平部,同时在多个扁平部外围设置多个磁力装置,可以让磁场 的分布更平均,提升其磁化效果。
掛l为本实用新型的立体组合示意图; 图2为本实用新型的断面组合示意图3为图2的E—E断面示意图; 图4为图2的S—S断面示意图。其中,附图标记说明如下: 10磁力装置 12磁性组件 14固定组件
20 中空管体
22水平状的扁平部
11 导磁座体 13阻磁组件
21垂直状扁平部
具体实施方式
为使本领域技术人员容易于深入了解本实用新型的装置内容以及所能
达成的功能效益,此列举一具体实施例,并配合附图详细介绍说明如下
一种磁场旋转增强器结构,图l所示为本实用新型的立体组合示意图。 图2所示为本实用新型的断面组合示意图。主要包括多个结构组成完全相同 的磁力装置10及一贯穿磁力装置10的中空管体20;其中
磁力装置10由两片导磁座体11、两块磁性组件12、四个阻磁组件13
与六个固定组件14所组合而成,两导磁座体11内面设有两块磁性组件12, 两导磁座体11四个角落设有四个阻磁组件13,并由四个固定元件14锁固成 一体,利用四个阻磁组件13夹持固定住两块磁性组件12,两块磁性组件12 之间形成一长方形空间,多个磁力装置10呈一垂直、 一水平配置,以供中 空管体20贯穿;
中空管体20对应于多个磁力装置10处设有一呈垂直、 一呈水平状的扁 平部21、 22。
该两块磁性组件12为两个彼此对称的N、 S磁极,其安置在中空管体 扁平部的两侧。该两个彼此对称的N、 S磁极可为永磁单一磁组或复合磁组, 也可为电磁磁组,如为永磁磁组,则安装导磁座体11将两个磁极的背面相 连接,形成封闭磁路,使穿透中空管体扁平部的磁通密度更加增强。
通过上述各装置组合而成本实用新型的磁场旋转增强器结构,实际操作 应用如下
图3、图4为图2的E — E与S — S断面示意图。如图3、图4所示 中空管体20对应于多个磁力装置10设有一呈垂直、 一呈水平配置的扁平部 21、 22,所以可以缩短磁力作用的距离,达到增强磁场的目的,同时让磁场的分布更平均,提高其磁化效果。
综上所述,本实用新型提供的磁场旋转增强器结构,经过实际制作完成 以及反复操作测试之后,证实的确可以达到本实用新型所预期的功能效益, 同时又没有被现有技术公开,具有产业上的利用价值,所以,已经符合实用 新型专利的申请条件,向专利局提出实用新型专利申请。
权利要求1、一种磁场旋转增强器结构,其特征在于,在中空管体上设有一个或一个以上的扁平部,相邻的扁平部彼此相差一旋转角度,中空管体的扁平部的外围设有磁力装置。
2、 如权利要求1所述的磁场旋转增强器结构,其特征在于磁力装置由两个彼此对称的N、 S磁极安置在中空管体扁平部的两侧,所述两个彼此 对称的N、 S磁极为永磁单一磁组、永磁复合磁组或为电磁磁组,如果为永 磁单一磁组或永磁复合磁组,则安装导磁座体将两个磁极的背面相连接,形 成封闭磁路,以使穿透中空管体扁平部的磁通密度更加增强。
专利摘要一种磁场旋转增强器结构,其在中空管体设有一个或一个以上的扁平部,相邻的扁平部彼此相差一旋转角度,该旋转角度可为0度至180度中任一角度,如为90度则彼此垂直,中空管体在扁平部的外围设有磁力装置,以利用扁平部的设计,缩短磁力作用的距离,达到磁场增强的目的;旋转磁场角度,可对流经管内流体中的离子或极性分子产生扰动效果,增加离子或极性分子碰撞几率。
文档编号H01F7/02GK201387781SQ200920152419
公开日2010年1月20日 申请日期2009年4月23日 优先权日2009年4月23日
发明者陈铭波 申请人:陈铭波