专利名称：发光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管封装结构，尤指一种可过锡炉且增加散热效果的
发光二极管封装结构。
背景技术：
按，电灯的发明可以说是彻底地改变了全人类的生活方式，倘若我们的生活没有 电灯，夜晚或天气状况不佳的时候， 一切的工作都将要停摆；倘若受限于照明，极有可能使 房屋建筑方式或人类生活方式都彻底改变，全人类都将因此而无法进步，继续停留在较落 后的年代。 是以，今日市面上所使用的照明设备，例如日光灯、钨丝灯、甚至到现在较广为大 众所接受的省电灯泡，皆已普遍应用于日常生活当中。然而，此类电灯大多具有光衰减快、 高耗电量、容易产生高热、寿命短、易碎或不易回收等缺点。因此，为了解决上述的问题，发 光二极管灯泡或发光二极管灯管因应而生。
实用新型内容本实用新型的主要目的在于提供一种发光二极管封装结构。通过镍钯金层的使 用，以形成一作为至少一发光二极管晶粒及一已固化的锡球或锡膏之间的防护层，进而确 保该发光二极管晶粒过锡炉时，上述已固化的锡球或锡膏不会对该发光二极管晶粒造成影 响(例如降低发光质量)。 为了解决上述技术问题，根据本实用新型的其中一种方案，提供一种可过锡炉且
增加散热效果的发光二极管封装结构，其包括一基板单元、一发光单元、一导电单元及一 封装单元。其中，该基板单元具有一基板本体及一设置于该基板本体上表面的置晶区域，其
中该基板本体的上表面具有一正极导电焊垫及一负极导电焊垫。该发光单元具有至少一透 过已固化的锡球或锡膏而定位在该基板单元的置晶区域上的发光二极管晶粒，其中上述至 少一发光二极管晶粒的底部具有一镍钯金(Ni/Pd/Au)层，并且上述至少一发光二极管晶 粒具有一正极端及一负极端。该导电单元具有至少两个导线，其中上述两个导线分别电性 连接于该发光二极管晶粒的正极端与该正极导电焊垫之间及电性连接于该发光二极管晶 粒的负极端与该负极导电焊垫之间。该封装单元具有一成形于该基板本体上表面以覆盖该 发光单元及该导电单元的透光封装胶体。 因此，本实用新型的有益效果在于由于发光二极管晶粒的底部具有一镍钯金 (Ni/Pd/Au)层，因此镍钯金层成形于上述已固化的锡球或锡膏及上述至少一发光二极管晶 粒之间。通过该镍钯金层的使用，以形成一作为该发光二极管晶粒及上述已固化的锡球或 锡膏之间的防护层。 为了能更进一步了解本实用新型为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请 参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，相信本实用新型的目的、特征与特点，当可由 此得一深入且具体的了解，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制者。
图1为本实用新型第-一实施例的前视剖面示意[0009]图2为本实用新型第—二实施例的前视剖面示意[0010]符号说明基板单元 1基板本体10电路基板100散热层101反光绝缘层102置晶区域11正极导电焊垫lla负极导电焊垫lib导热垫lie发光单元 2发光二极管晶賴〖20正极端P负极端N反光单元 3环绕式反光胶体30[0023]胶体限位空间300圆弧切线T角度9高度H封装单元4透光封装胶体40导电单元W导线Wa镍钯金层M镍钯金层Ml已固化的锡球B已固化的锡膏B
具体实施方式请参阅图1所示，本实用新型第一实施例提供一种可过锡炉且增加散热效果的发 光二极管封装结构，其包括一基板单元1、一发光单元2、一导电单元W及一封装单元4。 其中，该基板单元1具有一基板本体10及一设置于该基板本体10上表面的置晶 区域ll，并且该基板本体10的上表面具有一正极导电焊垫lla及一负极导电焊垫llb。此 外，该基板本体10的上表面具有一设置于该正极导电焊垫lla及该负极导电焊垫llb之间 的导热垫llc，并且该正极导电焊垫11a、该负极导电焊垫lib及该导热垫lie皆可为铜箔 或任何的导电材料。另外，该基板本体10具有一电路基板100、一设置于该电路基板100底 部的散热层101、及一设置于该电路基板100上表面并用于露出该正极导电焊垫11a、该负 极导电焊垫lib及该导热垫lie的反光绝缘层102。 再者，该发光单元2具有至少一透过已固化的锡球或锡膏B而定位在该基板单元1的置晶区域11上的发光二极管晶粒20(本实用新型亦可使用多数个发光二极管晶粒20)， 其中上述至少一发光二极管晶粒20的底部具有一镍钯金(Ni/Pd/Au)层M，并且上述至少一 发光二极管晶粒20具有一正极端P及一负极端N。由于发光二极管晶粒20的底部具有一 镍钯金(Ni/Pd/Au)层M，因此镍钯金层M成形于上述已固化的锡球或锡膏B及上述至少一 发光二极管晶粒20之间。通过该镍钯金层M的使用，以形成一作为该发光二极管晶粒20 及上述已固化的锡球或锡膏B之间的防护层，进而确保过锡炉时该发光二极管晶粒20的发 光品质。另外，该正极导电焊垫lla及该负极导电焊垫lib的上表面分别具有另外一镍钯 金层Ml，以利进行后续的打线制程。 另外，该导电单元W具有至少两个导线Wa，其中上述两个导线Wa分别电性连接于 该发光二极管晶粒20的正极端P与该正极导电焊垫lla之间及电性连接于该发光二极管 晶粒20的负极端N与该负极导电焊垫llb之间。 此外，该封装单元4具有一成形于该基板本体10上表面以覆盖该发光单元2及该 导电单元W的透光封装胶体40。 以本发明第一实施例所举的例子而言，每一个发光二极管晶粒20可为一蓝色发
光二极管晶粒，并且该透光封装胶体40可为一荧光胶体，因此该些发光二极管晶粒20 (该
些蓝色发光二极管晶粒)所投射出来的蓝色光束(图未示)可直接穿过该透光封装胶体
40(该荧光胶体)而投射出去，以产生类似日光灯源的白色光束(图未示)。 请参阅图2所示，本实用新型第二实施例提供一种可过锡炉且增加散热效果的发
光二极管封装结构，其包括一基板单元1、一发光单元2、一导电单元W、一反光单元3、一封
装单元4。 第二实施例与第一实施例最大的差别在于在第二实施例中，发光二极管封装结 构更进一步包括一反光单元3，其具有一透过涂布的方式而环绕地成形于该基板本体10 上表面的环绕式反光胶体30，其中该环绕式反光胶体30围绕上述至少一发光二极管晶粒 20，以形成一位于该基板本体10上方的胶体限位空间300，并且该透光封装胶体40被局限 在该胶体限位空间300内。 再者，该环绕式反光胶体30的上表面为一圆弧形，该环绕式反光胶体30相对于该 基板本体10上表面的圆弧切线T的角度e介于40 50度之间，该环绕式反光胶体30的 顶面相对于该基板本体10上表面的高度H介于0. 3 0. 7mm之间，该环绕式反光胶体30 底部的宽度介于1. 5 3mm之间，该环绕式反光胶体30的触变指数(thixotropic index) 介于4-6之间，并且该环绕式反光胶体30为一混有无机添加物的白色热硬化反光胶体。 综上所述，本实用新型由于发光二极管晶粒的底部具有一镍钯金(Ni/Pd/Au)层， 因此该镍钯金层成形于上述已固化的锡球或锡膏及上述至少一发光二极管晶粒之间。通过 该镍钯金层的使用，以形成一作为该发光二极管晶粒及上述已固化的锡球或锡膏之间的防 护层，进而确保该发光二极管晶粒过锡炉时，上述已固化的锡球或锡膏不会对该发光二极 管晶粒造成影响(例如降低发光质量)。另外，该正极导电焊垫及该负极导电焊垫的上表面 分别具有另外一镍钯金层，以利进行后续的打线制程。 但是，凡合于本实用新型保护范围的精神与其类似变化的实施例，皆应包含于本 实用新型的范畴中，任何熟悉该项技术人员在本实用新型的领域内，可轻易思及的变化或 修饰皆可涵盖在本实用新型权利要求的范围之内。
权利要求一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括一基板单元，其具有一基板本体及一设置于该基板本体上表面的置晶区域，其中该基板本体的上表面具有一正极导电焊垫及一负极导电焊垫；一发光单元，其具有至少一透过已固化的锡球或锡膏而定位在该基板单元的置晶区域上的发光二极管晶粒，其中上述至少一发光二极管晶粒的底部具有一镍钯金层，并且上述至少一发光二极管晶粒具有一正极端及一负极端；一导电单元，其具有至少两个导线，其中上述两个导线分别电性连接于该发光二极管晶粒的正极端与该正极导电焊垫之间及电性连接于该发光二极管晶粒的负极端与该负极导电焊垫之间；以及一封装单元，其具有一成形于该基板本体上表面以覆盖该发光单元及该导电单元的透光封装胶体。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，还进一步包括一反光单 元，其具有一透过涂布的方式而环绕地成形于该基板本体上表面的环绕式反光胶体，其中 该环绕式反光胶体围绕上述至少一发光二极管晶粒，以形成一位于该基板本体上方的胶体 限位空间，并且该透光封装胶体被局限在该胶体限位空间内。
3. 根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于该环绕式反光胶体的 上表面为一圆弧形，该环绕式反光胶体相对于该基板本体上表面的圆弧切线的角度介于 40 50度之间，该环绕式反光胶体的顶面相对于该基板本体上表面的高度介于0. 3 0. 7mm之间，该环绕式反光胶体底部的宽度介于1. 5 3mm之间，该环绕式反光胶体的触变 指数介于4-6之间，并且该环绕式反光胶体为一混有无机添加物的白色热硬化反光胶体。
4. 根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于该基板本体的上表面具 有一设置于该正极导电焊垫及该负极导电焊垫之间的导热垫，并且该正极导电焊垫及该负 极导电焊垫的上表面分别具有另外一镍钯金层。
5. 根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于该正极导电焊垫、该负极 导电焊垫及该导热垫都为铜箔。
6. 根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于该基板本体具有一电路 基板、一设置于该电路基板底部的散热层、及一设置于该电路基板上表面并用于露出该正 极导电焊垫、该负极导电焊垫及该导热垫的反光绝缘层。
7. 根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于上述至少一发光二极管晶粒为一蓝色发光二极管晶粒，并且该透光封装胶体为一荧光胶体。
8. —种发光二极管封装结构，其特征在于，包括一基板单元，其具有一基板本体，其中该基板本体的上表面具有一正极导电焊垫及一负极导电焊垫；一发光单元，其具有至少一透过已固化的锡球或锡膏而定位在该基板单元上的发光二 极管晶粒，其中上述至少一发光二极管晶粒的底部具有一镍钯金层；一导电单元，其具有至少两个导线，其中上述至少一发光二极管晶粒透过上述至少两 个导线而电性连接于该正极导电焊垫与该负极导电焊垫之间；以及一封装单元，其具有一成形于该基板本体上表面以覆盖该发光单元及该导电单元的透 光封装胶体。
9. 根据权利要求8所述的可过锡炉且增加散热效果的发光二极管封装结构，其特征在于，还进一步包括一反光单元，其具有一透过涂布的方式而环绕地成形于该基板本体上表 面的环绕式反光胶体，其中该环绕式反光胶体围绕上述至少一发光二极管晶粒，以形成一 位于该基板本体上方的胶体限位空间，并且该透光封装胶体被局限在该胶体限位空间内， 另外该正极导电焊垫及该负极导电焊垫的上表面分别具有另外一镍钯金层。
10. 根据权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于该环绕式反光胶体的 上表面为一圆弧形，该环绕式反光胶体相对于该基板本体上表面的圆弧切线的角度介于40 50度之间，该环绕式反光胶体的顶面相对于该基板本体上表面的高度介于0. 3 0. 7mm之间，该环绕式反光胶体底部的宽度介于1. 5 3mm之间，该环绕式反光胶体的触变 指数介于4-6之间，并且该环绕式反光胶体为一混有无机添加物的白色热硬化反光胶体。
专利摘要一种发光二极管封装结构，其包括一基板单元、一发光单元、一导电单元及一封装单元。该基板单元具有一基板本体，该基板本体的上表面具有一正极导电焊垫及一负极导电焊垫。该发光单元具有至少一透过已固化的锡球或锡膏而定位在该基板单元上的发光二极管晶粒，其中上述至少一发光二极管晶粒的底部具有一镍钯金层。该导电单元具有至少两个导线，其中上述两个导线分别电性连接该发光二极管晶粒于该正极导电焊垫与该负极导电焊垫之间。该封装单元具有一成形于该基板本体上表面以覆盖该发光单元及该导电单元的透光封装胶体。进而确保该发光二极管晶粒过锡炉时，上述已固化的锡球或锡膏不会对该发光二极管晶粒造成影响。
文档编号H01L23/12GK201490226SQ200920165419
公开日2010年5月26日 申请日期2009年8月17日 优先权日2009年8月17日
发明者吴朝钦, 彭信元, 锺嘉珽 申请人:柏友照明科技股份有限公司