专利名称：一种大功率led封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种照明灯的封装方式，特别是一种大功率LED封装结构。
背景技术：
传统的大功率LED封装是整个灯体均在一块铝基板上制造，在工作中芯片产生的 热量不宜发散，而且由于长时间使用，导致温度升高而死灯的故障一直是大功率LED的一 个问题。并且由于传统封装中散热块一般都采用胶体等一些粘结材料进行绝缘处理，导致 散热块的热量不宜快速散发导出，致使热量集聚，影响发光效率。 关于该类大功率的LED封装结构在现有的技术中，采用将LED晶片焊接在导热柱
上，LED晶片通过内引线连接外引线，在LED晶片上点上荧光粉，并用透镜灌封，成型并烘干
脱模。主要使用了单一的将LED晶片与导热柱进行金属焊接以获得导热效果。 上述结构的不足在于其采用了芯片正装结构，基板与导热柱为分体结构，导致其
散热效果不好，且其热量也未过导热性好的基座将热量很好的散出，并且其采取的绝缘成
型材料也影响其散热效果。
发明内容为了解决上述所存在的问题，本实用新型提供一种大功率LED封装结构，该结构 能够有效地提高芯片的散热效果，并延长LED使用寿命。 本实用新型所提供的一种大功率LED封装结构是通过下述技术方案来实现的，包 括基板及连接在基板上的倒梯形散热块，该散热块上设有放置芯片的凹槽，荧光粉填装于 放置芯片的凹槽中，其特征在于芯片倒装在该凹槽中，且芯片通过硅片与散热块隔离，芯 片的连接端通过内引线与设置在倒梯形散热块两端的外引线支架相连，所述外引线支架插 接在倒梯形散热块外侧的绝缘成型材料上；透镜封装在包括放置芯片的散热块凹槽在内的 绝缘成型材料上。 所述芯片倒装结构为芯片连接内引线的端面设在散热块凹槽底面上的硅片与芯 片相接端面上。 所述的散热块外围的绝缘成型材料为一种多孔绝缘成型材料或高导热陶瓷器件。 所述多孔绝缘成型材料为高分子复合多孔树脂材料或由树脂、氮化铝、氮化硼或碳化硅合 成的导热性能好的多孔绝缘材料；所述高导热陶瓷器件为氮化铝陶瓷。 所述基板与散热块为一体结构或分体结构，分体结构的基板与散热块通过金属焊 接固定。 所述基板与散热块采取铜质材料或银质材料。 所述内引线为金线或银线。 本实用新型的优点由于采用芯片倒装，工作过程中产生的热量将更直接的向下 传递至散热块；由于铜及银的导热系数较铝和硅等大很多，基板与散热块采用铜或银来取 代传统的铝和硅作为基质材料，并且基板与散热块采用一体结构或金属焊接方式，所以热量能够更多更快的散出；在芯片与散热块的连接方式上，取代了以往用胶将散热块与基板 粘接代之以金属焊接，降低了热阻，使得热量更直接有效的散发，大大增加了散热效果。同 时散热块周围采用多孔绝缘成型材料或高导热陶瓷器件，进一步增加了散热效果，提高发 光效率，有效解决高温死灯的问题，延长LED使用寿命。
图1是本实用新型结构的剖视示意图。 图中1-内引线(金线)，2-散热±央，3-透镜，4-芯片，5-硅片，6-荧光粉，7_绝缘 成型材料，s-外引线支架，9-基板。
具体实施方式下面结合实施例对本实用新型做进一步详细说明。 参见附图1，该大功率LED封装结构，包括基板9及连接在基板9上的倒梯形散热 块2，该散热块2上设有放置芯片4的凹槽，荧光粉6填装于放置芯片4的凹槽中，其中芯 片4倒装在该凹槽中，芯片4倒装结构为芯片4连接内引线1的端面设在散热块2凹槽底 面上的硅片5与芯片4相接端面上，所述内引线1为金线或银线；且芯片4通过硅片5与 散热块2隔离，芯片4的连接端通过内引线1与设置在倒梯形散热块2两端的外引线支架 8相连，所述外引线支架8插接在倒梯形散热块2外侧的绝缘成型材料7上，该绝缘成型材 料7为多孔绝缘成型材料；多孔绝缘成型材料为高分子复合多孔树脂材料或者在硅树脂中 加入一定量氮化铝、氮化硼或碳化硅形成导热性能好的多孔绝缘材料。 上述多孔绝缘成型材料还可以用高导热陶瓷材料替代，该高导热陶瓷材料为氮化 铝陶瓷，其导热性能同多孔绝缘成型材料。 透镜3封装在包括放置芯片4的散热块凹槽在内的多孔绝缘成型材料7上。 基板9与散热块2通过金属焊接固定或基板9与散热块2为一体结构。基板9与
散热块2采用一体结构或金属焊接方式，所以热量能够更多更快的散出。 基板9与散热块2采取铜质材料或银质材料，取代传统的铝和硅作为基质材料，由
于铜质材料或银质材料的导热系数较大，有利于热量很好的散出，增加了散热效果。 在本实用新型的封装方式中，先在散热块2的凹槽内用银浆粘接硅片5，再将芯片
4倒置封装在硅片5上；将芯片4正负极通过内引线1与外引线8连接之后，在放置芯片4
的凹槽内点上荧光粉6 ;用多孔绝缘成型材料7固定支架8，采用该材料可以使得热量更直
接有效的散发，大大增加了散热效果。待凝固后，将基板9用金属焊接的方式与散热块2焊
接固定。或者将基板9和散热块2设计为一体。该基板9与散热块2的材料采用导热系数
较大的铜质材料或银质材料，这样可以使得热量能够更快地散出，同时也有助于提高发光效率。 本实用新型的芯片4在凹槽内是倒装结构。上述的内引线1为金线，外引线8采 用支架。 在本实用新型中由于采用芯片倒装，工作过程中产生的热量将更直接的向下传递 至散热块，并且由于铜及银的导热系数较铝和硅等大很多，基板及散热块采用一体结构或 焊接结构，用铜或银材质来取代铝和硅材料，所以热量能够更多更快的散出；并且取代了以往用胶将散热块与基板粘接代之以金属焊接，降低了热阻，使得热量更直接有效的散发，大 大增加了散热效果。同时散热块周围采用多孔绝缘成型材料进一步增加了散热效果。本实 用新型采取多种增加散热效果的方式来完成的其散热的目的。
权利要求一种大功率LED封装结构，包括基板(9)及连接在基板(9)上的倒梯形散热块(2)，该散热块(2)上设有放置芯片(4)的凹槽，荧光粉(6)填装于放置芯片(4)的凹槽中，其特征在于芯片(4)倒装在该凹槽中，且芯片(4)焊接在散热块(2)上并通过硅片(5)与散热块(2)隔离，芯片(4)的连接端通过内引线(1)与设置在倒梯形散热块(2)两端的外引线支架(8)相连，所述外引线支架(8)插接在倒梯形散热块(2)外侧的绝缘成型材料(7)上；透镜(3)封装在包括放置芯片(4)的散热块凹槽在内的绝缘成型材料(7)上。
2. 根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述芯片(4)倒装结构为芯片(4)连接内引线(1)的端面设在散热块(2)凹槽底面上的硅片(5)与芯片(4)相接端面上。
3. 根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述的散热块(2)外围的绝缘成型材料(7)为多孔绝缘成型材料或高导热陶瓷器件。
4. 根据权利要求3所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述多孔绝缘成型材料为高分子复合多孔树脂材料或由树脂与氮化铝、氮化硼或碳化硅合成的多孔绝缘材料。
5. 根据权利要求3所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述高导热陶瓷器件为氮化铝陶瓷。
6. 根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述基板(9)与散热块(2)为一体结构或分体结构，分体结构的基板(9)与散热块(2)通过金属焊接固定。
7. 根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述基板(9)与散热块(2)采取铜质材料或银质材料。
8. 根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述内引线(1)为金线或银线。
专利摘要本实用新型涉及一种大功率LED封装结构，包括基板(9)及连接在基板(9)上的倒梯形散热块(2)，该散热块(2)上设有放置芯片(4)的凹槽，荧光粉(6)填装于放置芯片(4)的凹槽中，其特征在于芯片(4)倒装在该凹槽中，且芯片(4)焊接在散热块(2)上并通过硅片(5)与散热块(2)隔离，芯片(4)的连接端通过内引线(1)与设置在倒梯形散热块(2)两端的外引线支架(8)相连，所述外引线支架(8)插接在倒梯形散热块(2)外侧的绝缘成型材料(7)上；透镜(3)封装在包括放置芯片(4)的散热块凹槽在内的绝缘成型材料(7)上。该能够有效地提高芯片的散热效果，并延长LED使用寿命。
文档编号H01L33/48GK201549531SQ20092024501
公开日2010年8月11日 申请日期2009年10月30日 优先权日2009年10月30日
发明者王少卿 申请人:彩虹集团公司