半导体装置以及显示装置的制作方法

专利名称：半导体装置以及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种作为C0F(Chip On Film)的半导体装置以及具备该半导体装置的 显示装置，尤其涉及能够防止配线发生变形或者断线的半导体装置以及具备该半导体装置 的显示装置。
背景技术：
近年来，作为针对COF的半导体元件释放出的热量的散热对策，开发出了在COF的 绝缘膜的搭载有半导体元件的面的相反面上的与搭载半导体元件的位置相对应的部分或 者整个面上设置金属性散热材的技术(参照专利文献1)。以下，参照图8(a)，简单地说明 采用了该技术的C0F。作为采用上述技术的COF的C0F110，如图所示，包括绝缘膜101、设在绝缘膜101 的一个面上的配线102、覆盖绝缘膜101以及配线102的一部分的阻焊层103，设在半导体 元件104上的突块电极104a与配线102相接合。另外，C0F110包括密封树脂106和散热 材107 (具体地，形成为板状，由铜构成)。其中，该密封树脂106充填在半导体元件104的 周围，将半导体元件104固定在绝缘膜101上，并且防止外部的水分等侵入，上述散热材107 被设在绝缘膜101的上述一个面的相反面上。在C0F110中，由于具备散热材107，因此能够 提高针对半导体元件104释放出的热量的散热性。专利文献1 日本国专利申请特开2006-108356号公报(
公开日2006年4月20
曰)

发明内容
在C0F110中，对半导体元件104的突块电极104a和配线102进行接合时，如图所 示，通过在加热到120°C左右的载置台115上设置C0F110并且在半导体104上设置加热到 400°C左右的加热装置117，按压并维持这种加压状态1秒左右，进行热压接合。此时，图中的“A”区域的散热材107是使用载置台115和加热装置117来固定的。 但是，对于“B”区域的散热材107，由于不是使用这些工具固定的，因此，载置台115和加热 装置117的热量导致其发生热膨胀，致使其在长边方向(图中的虚线箭头方向)伸展。其 结果，随着散热材107的伸展，绝缘膜101也会伸展，从而导致设在绝缘膜101上的配线102 发生变形或者断线的问题。图8(b)是表示半导体104的设有突块电极104a的面的平面图。 如上所述，散热材107以及绝缘膜101向其长边方向伸展，因此，半导体元件104的短边侧 (图中的“C”区域)的配线102发生变形或者断线的情况较显著。发生上述问题的原因是，由于载置台115以及加热装置117以及散热材107的形 状以及大小不同，因此存在无法进行固定的部分。当然，上述问题并非只发生在说明中使用 的长方形的散热材107上，另外，散热材107的上述伸展方向也只是其中一例。另外，在树 脂密封之后进行树脂硬化等的加热过程中，也同样会发生散热材107伸展的现象。本发明是鉴于上述问题而进行开发的，其目的在于提供能够防止配线发生变形或者断线的半导体装置以及具备该半导体装置的显示装置。在本说明书中，本发明的半导体装置的部件为长方形的情况下，以长边方向作为 “横”，以短边方向作为“纵”。为了达成上述目的，本发明的半导体装置的特征在于包括绝缘膜、设在上述绝缘 膜的一个面上的配线、设在上述配线上的半导体元件、设在上述绝缘膜的一个面的相反面 上的散热部件，以上述散热部件作为第1散热部件，并在上述第1散热部件上形成有狭缝。根据上述结构，本发明的半导体装置在其第1散热材上形成有狭缝。通过该狭缝， 能够缓和上述第1散热部件的热膨胀，从而能够防止历来的散热材的热膨胀导致配线变形 或者断线的问题。根据上述，能够提供可防止配线发生变形或者断线的半导体装置。具体 而言，例如上述第1散热材是上述长方形散热材107等散热材的情况下，根据狭缝的上述功 能，优选将该狭缝设在散热材的长边方向上。本发明的显示装置的特征在于以上述半导体装置作为用于驱动显示装置的显示 装置驱动模块。根据上述结构，本发明的显示装置作为用于驱动显示装置的显示装置驱动模块， 具备能够防止配线发生变形或者断线的上述半导体装置，因此，能够确保其动作的高度信 赖性。


图1表示的是本发明的一个实施方式所涉及的C0F，图1(a)以及图1(c)是表示背 面的平面图，图1(b)是图1(a)以及图1(c)中的“C”区域的扩大图。图2是表示采用了图1所示的COF的显示装置的一部分结构的图。图3是表示散热材的厚度和在具备此散热材的图1所示的COF上所安装的半导体 元件的温度之间关系的图。图4是表示设在上述COF上的狭缝的其他形成例的图。图5是表示设在上述COF上的狭缝的其他形成例的图。图6表示的是本发明的其他实施方式所涉及的C0F，图6 (a)是其背面的平面图，图 6(b)是图6(a)中的“e”区域的扩大图。图7表示的是本发明的又一其他实施方式所涉及的C0F，图7(a)以及图7(c)是其 背面的平面图，图7(b)是图7(a)以及图7(c)中的“f”区域的扩大图。图8表示的是现有技术所涉及的C0F，图8(a)是其剖面图，图8 (b)是半导体元件 的设有突块电极的面的平面图。<附图标记说明>1 绝缘膜Ic 冲压部分2 配线3、3a 阻焊层4 半导体元件7 散热材(第1散热部件)8 狭缝
8a狭缝(第2狭缝)8b狭缝(第3狭缝)8c狭缝(第1狭缝)Se狭缝(第4狭缝)8f狭缝(第5狭缝)8ga,8gaa 狭缝(第 6 狭缝)9、9a、9b散热材(第2散热部件)IOUOa COF(半导体装置)(显示装置驱动模块)30显示装置L1、L2 中心线
具体实施例方式(实施方式1)以下，根据图1 图5，说明本发明的一个实施方式。图1所表示的是本发明的COF(半导体装置)10，在图1(a)以及图1(c)表示其背 面，图1(b)扩大显示了图1(a)以及图1(c)中的“C”区域。C0F10具有与图8 (a)所示的C0F110相同的结构，包括对半导体元件等进行安装时 使用的具有扣链齿孔Ia的绝缘膜1、设在绝缘膜1的一个面上的配线2 (未图示)、覆盖绝 缘膜1以及配线2的一部分的阻焊层3 (未图示)，具有突块电极4a的半导体元件4通过 该突块电极4a与配线2相合。另外，C0F10包括密封树脂6 (未图示)和散热材(第1散 热部件)7，其中，密封树脂6填充在半导体元件4的周围，将半导体元件4固定在绝缘膜1 上，从而保护该半导体元件4不受外部的影响，上述散热材7被设在上述绝缘膜1的上述一 个面的相反面(背面)上。在C0F10中，由于具备散热材7，因此能够提高半导体元件4散 热性。图2表示了搭载有C0F10的显示装置30的一部分结构。显示装置30是一般使用 的液晶显示装置，在此省略其详细说明。显示装置30包括显示面板15、背光灯装置20以及作为显示装置驱动模块的 C0F10，该C0F10用于使显示面板15上进行显示。如图所示，C0F10以折曲状态被搭载。在 C0F10中，能够防止配线发生变形或者断线，详细内容将在后文中叙述。在显示装置30中， 使用具有上述效果的C0F10来构成显示装置驱动模块，因此能确保其动作的高可靠性。另 外，尤其在显示面板15是高功能化、多输出化的大型面板的情况下，上述可确保高信赖性 的效果表现得更为显著。显示装置30并不限于液晶显示装置，例如还可以是使用有机EL 的显示装置。以下，对C0F10进行详细说明。其中，使用过去通常采用的材料以及形成方法来形 成绝缘膜1、配线2、阻焊层3以及密封树脂6，因此省略这些的详细说明，主要对散热材7进 行说明。散热材7优选为板状。并且，为了实现良好的散热性，使用热传导率大的材料形成 散热材7。具体而言，优选使用热传导率为IOW/(m· K)以上的材料。换言之，优选使用铜、 铝或者SUS来形成散热材7。形成方法例如采用一般的溅射法等。在本实施方式中使用的
7是铜。另外，优选使用与形成散热材7的材料不同的材料来对该散热材7的表面进行电镀 或者涂覆。如上所述，散热材7完全由金属构成，因此会发生氧化，但是根据上述结构，能够 防止散热材7的氧化。具体而言，进行镀锡或者涂覆阻焊层。散热材7的厚度优选为5 μ m以上30 μ m以下，更优选为8 μ m以上15 μ m以下。图 3是表示散热材7的厚度(横坐标)和半导体元件4的温度(纵坐标)的关系的曲线图。 该曲线图表明，在厚度为8μπι以上15 μ m以下的情况下温度的下降最显著，即使再增加厚 度，温度下降的效果也并无明显的提高。另外，为了维持C0F10的薄型化，也优选采用薄的 散热材7。因此，散热材7的厚度更优选为8 μ m以上15 μ m以下，根据上述结构，能够保持 C0F10的薄型结构，并能够提高散热性。在本实施方式中，采用8μπι或者15 μ m的厚度。另外，为了实现C0F10的薄型化以及高散热性，半导体元件4和散热材7在垂直方 向上的距离(图5(a)所示的“b”的距离)优选为0. Imm以下。优选在C0F10的整个背面上形成散热材7。根据该结构，能够实现高散热性。但 是，如上所述安装C0F10时对其进行折曲，因此，考虑到折曲性，优选在C0F10的背面的一部 分，具体而言在C0F10的背面上的与半导体元件4及其周边相对应的位置上形成散热材7。具体是，为了安全地使用产品，在COF的半导体元件4的周边设有禁止折曲的区 域。对此，在C0F10中，散热材7的纵向宽度7A设定为上述禁止折曲区域的纵向宽度-0. 5mm 以上，上述禁止折曲区域的纵向宽度+0.5mm以下。在本实施方式中，散热材的纵向宽度与 上述禁止折曲区域的纵向宽度相同。根据上述结构，能够在不损害折曲性的情况下提高散 热性。另外，对COF的冲压部分进行冲压之后安装在显示面板上，因此，在C0F10上，设定 散热材7的横向宽度7B时，使其两侧都与冲压部分Ic保持0. 5mm以上的距离(图1 (a)中 的“dl”的区域)。在本实施方式中，dl = 1mm。根据上述结构，能够在不影响安装时的冲 压加工的情况下提高散热性。在本实施方式中，采用了长方形的半导体元件4，因此，配合半导体元件4的形状 散热材7也采用长方形。但是，散热材7的形状并不限定于此，例如还可以是正方形。然后，在本实施方式中最值得注目的是散热材7具有如图1所示的狭缝8。通过该 狭缝8，在不损害散热材7作为散热部件发挥作用的情况下，能够缓和对半导体元件4的突 块电极4a和配线2进行接合时的热压合以及进行树脂密封之后的树脂硬化等加热工序导 致的热膨胀，从而防止散热材7发生伸展，其结果，可防止配线2发生变形或者断线。由于狭缝8的这种功能，基本上优选在散热材7上的与半导体元件4相对应的位 置上或者与半导体元件4的周边相对应的位置上或者与上述两者相对应的位置上形成狭 缝8。并且，优选的，在半导体元件4的中心线L1、L2(—例)的两侧以线对称方式形成狭 缝8。根据上述结构，由于在半导体元件4的附近均等地设置狭缝8，因此能够缓和热膨胀， 其结果能够可靠地防止配线2发生变形或者断线。另外，优选的，狭缝8包括与半导体元件4的一个边相平行的第1狭缝。根据上述 结构，由于上述第1狭缝横穿散热材7的膨胀经路而设置，从而对于缓和热膨胀非常有效， 因此能够更可靠地缓和热膨胀，其结果能够更可靠地防止配线2发生变形或者断线。另外， 上述第1狭缝和最接近该第1狭缝的半导体元件4的一个边上的突块端面的在水平方向上 的优选距离为0. Imm以上2. Omm以下。
图示的狭缝8是为了对应散热材7在上述热压合和上述树脂硬化等加热工序中特 别是向长边方向发生伸展的例子而形成的，即，在具有从散热材7上的与半导体元件4的中 央部分相对应的位置开始向着与半导体元件4的长边平行延伸而设置的狭缝的基础上，还 具有特别是在与半导体元件4的短边侧的端部附近相对应的位置上以放射线状而设置的 狭缝8a (第2狭缝)(参照图1 (b))。换言之，该狭缝8a是朝着散热材7的端部展开的扇形 的狭缝。也就是说，如图1 (b)所示，通过设置狭缝8的各狭缝，使得在散热材7上形成“7a”、 “7b”、“7c”、“7d”(未图示，相对中心线Ll与7a形成线对称的区域)等区域，并且，使得各 区域包含半导体元件4的一个边上的突块电极4a(例如，区域“7a”包含半导体元件4的短 边侧的突块电极4a)。另外，狭缝8a可以是，构成该狭缝8a的2个狭缝例如成直角关系，并且通过在该2 个狭缝上分别增设狭缝而形成的，朝着散热材7的端部开口的正方形狭缝8b (第3狭缝)。此外，图示的狭缝8包括作为上述第1狭缝的狭缝8c (参照图1 (b))。狭缝8c和 位于最接近狭缝8c的半导体元件4的短边上的突块端面的水平方向上的距离(图1 (b)中 的“d2”)为0. 5mm。另外，如图1(a)所示，在考虑到散热性而不分割散热材7的情况下，可 使形成的狭缝8具有缺口，或者不将狭缝形成到散热材7的端部。或者，如图1 (c)所示，可 以以分割散热材7的形式形成狭缝。另外，狭缝8的优选宽度为0. 02mm以上1. Omm以下。根据上述结构，形成小的狭 缝8，不影响散热材7的散热性，并能够防止配线发生变形或者断线。作为狭缝8的形成方 法采用一般的蚀刻方法。此外，根据散热材7的伸展量的大小，可适当地变更狭缝8的宽度。即，在散热材7 伸展较显著的部分，通过增大狭缝8的宽度，能够提高缓和伸展的效果。另外，根据上述结 构，在散热材7伸展较显著的部分，通过增大狭缝8的宽度，确保散热性的同时将重点放在 热膨胀缓和上，而在散热材7伸展并不显著的部分，通过减小狭缝8的宽度，确保热膨胀缓 和的同时将重点放在散热性上。即，根据情况，可适当地设定热膨胀缓和和散热性的平衡关 系。以上说明的狭缝8的位置以及形状只是实施方式中的一例。散热材的伸展是，因 用于进行上述热压合的装置(图5(a)中表示的载置台115以及加热装置117)和散热板的 形状以及大小不同而存在无法进行固定的部分(另外，在进行树脂密封之后的树脂硬化等 加热过程中也可能发生同样的现象)所引起的，其具有多种多样的形态。因此，为了避免散 热板发生伸展，狭缝的形成位置以及形状也是多种多样的。接下来，根据图4说明形成狭缝8的其他例子。在此，设定散热材7的纵向宽度 7A，使散热材7的两侧与绝缘膜1的相反面上的与阻焊层3的端部相对应的位置分别保持 0.5mm以上的距离(图中的“d3”区域)。在本实施方式中，散热材7的两侧与绝缘膜1的 相反面上的与阻焊层3的端部(图中的“3a”)相对应的位置均保持0. 5mm的距离(图中的 “d3a”、“d3b”)。狭缝8还可以是，例如至少有1个与半导体元件4的短边相平行且各端部分别延 伸到散热材7的长边侧的各端部上的狭缝8d(参照图4(a))。另外，狭缝8还可以是，组合 与半导体元件4的短边相平行的至少2个相隔一定距离而设的狭缝(第1狭缝部)8ea，以 及与半导体元件4的长边相平行的狭缝(第2狭缝部)Seb而成的，并且该狭缝8ea和该狭缝8eb相结合构成的狭缝(第4狭缝)8e (参照图4 (b))，其中，狭缝Sea的一侧端部延伸 到散热材7的长边侧的一个端部上，狭缝8eb的各端部分别延伸到散热材7的短边侧的各 端部上。另外，狭缝8还可以是，对狭缝8e进行变形而成的，即，相结合的狭缝8ea和狭缝 Seb以包围半导体元件4的形态形成的狭缝(第5狭缝)8f (参照图4(c))。另外，狭缝8还可是对狭缝8e进行其他变形而成的狭缝8g(参照图4(d))。狭缝 8g具有如下结构。即，首先，通过折曲狭缝8ea的上述一侧端部形成L形结构的短部，使得 狭缝8ea呈由短部和长部构成L形，从而形成狭缝(第6狭缝)8ga (狭缝Sga并未延伸到 散热材7的端部)。然后，相隔一定距离形成多个狭缝8ga(在本实施方式中，形成用符号 Sgaa标记的另一个狭缝)，并且，将这些狭缝作为1组，相隔一定距离形成多组此类狭缝。设置上述1组的狭缝Sga ( 一侧的第6狭缝)和狭缝Sgaa (另一侧的第6狭缝)的 各端部，使得狭缝8ga的端部的L形结构的短部和狭缝Sgaa的端部的L形结构的短部相平 行，并且狭缝8ga的端部的L形结构的长部和狭缝Sgaa的端部的L形结构的长部相平行。 另外，还设置了狭缝8eb上形成有缺口的狭缝8gb，并且再设置被称为狭缝Sgbb的另一个狭 缝8gb，狭缝Sgbb与上述狭缝8gb相平行且相隔一定距离而互不接触(即，也不接触8ga)。 在如上所述的狭缝8g中，因加热导致散热材7发生伸缩的情况下，狭缝8ga、8gaa的L形部 分起到弹簧的作用，能够抑制散热材7的伸缩。狭缝8g中的狭缝8ga、8gaa的L形部分的 结构并不限定于上述，例如，狭缝8ga、8gaa可具有L形部分上下颠倒的结构。在狭缝8d 狭缝8f中，根据上述散热材7在其长边方向上发生显著伸展的例子， 设定了狭缝宽度。在散热材7的长边方向，即，半导体元件4的短边侧的狭缝宽度较大，而 在散热材7的伸展并不显著的短边方向，即，半导体元件4的长边侧的狭缝宽度较小。根据 上述结构，如上所述，能够适当设定热膨胀缓和和散热性的平衡关系。另外，狭缝8d 狭缝 8f被设在半导体元件4的周围，g卩，与半导体元件4的外侧相对应的位置上。根据上述结 构，能够有效发挥散热材7的阻止热膨胀的功能，提高热膨胀缓和的效果。另外，如图5(a) 图5(d)所示，狭缝8可包括适当组合上述说明的各狭缝而成狭 缝。该图中表示了狭缝8d 狭缝8f分别与图1所示的狭缝8组合的情况。(实施方式2)以下，参照图6说明本发明的其他实施方式。 图6所表示的是本实施方式的COF (半导体装置)IOa,图6 (a)表示其背面，图6 (b) 扩大表示了图6(a)中的“e”区域。在此，为了简单起见，对于与C0F10的部件具有相同功能 的部件付与相同的部件号，并省略说明。另外，基本上只对不同于C0F10的部分进行说明。相比于C0F10的结构，在COFlOa的散热材7的各长边侧上设有由散热材9a、9b构 成的散热材(第2散热部件)9，该散热材9与散热材7相接触。散热材9可具有与散热材 7相同的结构要素(材料、厚度、范围等)，但是形状不同。如图6 (b)所示，散热材9包括多个正方形的开口部f，这些开口部f具有相邻的开 口部f之间保持一定的距离并且纵横排列的结构。开口部f是贯通到绝缘膜1上的孔。优 选的，开口部f其一个边的边长为50 μ m以上200 μ m以下，并且进行排列时使相邻接的开 口部f之间保持50 μ m以上200 μ m以下的距离。另外，排列开口部f时，优选使开口部f 的一个边平行于与散热材9的长边方向的构成35°以上55°以下角度的线段。在本实施 方式中，开口部f的一个边的长度以及相邻接的开口部f之间的距离分别为100 μ m，并且上
10述角度为45°。另外，优选将散热材9的横向宽度设定成与散热材7相同的横向宽度，并且将散热 材9的纵方向上的各端部的位置设定在从绝缘膜1的相反面上的与阻焊层3的端部相对应 的位置向内侧距离0. 5mm以上的位置上。在本实施方式中，散热材9其横向宽度与散热材7 的横向宽度相同，其纵方向上的各端部的位置(9aA、9bA)分别与绝缘膜1的相反面上(图 6(a)中“3a”)的与阻焊层的端部相对应的位置相离0. 5mm(图(a)中的“da3”、“db3”)。 在此，在形成散热材7的同时，采用一般的溅射法、照相平板印刷法、蚀刻法等方法形成如 上述的散热材9。根据上述结构，相比于C0F10，COFlOa能够增加散热材的区域。并且，散热材9具 有开口部f，相比于整体上设有散热材的散热材7，更容易折曲。S卩，COFlOa比C0F10更具 折曲性、更能提高散热性。另外，通过以上述角度排列散热材9的开口部f，能够抑制热膨胀 所致的伸展。另外，散热材9的结构并不局限于上述结构，开口部f为圆形时，也能获得相同的 效果。在此种情况下，圆形开口部的直径优选为50 μ m以上200 μ m以下，并且排列开口部 时优选使相邻接的开口部之间的距离为50 μ m以上200 μ m以下。(实施方式3)以下，参照图7说明本发明的其他实施方式。图7表示的是本实施方式的COF (半导体装置)10b，图7 (a)以及图7(c)表示其背 面，图7(b)扩大显示了图7(a)以及图7(c)中的“f”区域。在此，为了简单起见，对于具有 与C0F10的部件相同的功能的部件付与相同的部件号，并省略其说明。在此，基本上只对不 同于C0F10的部分进行说明。在COF中，为了品质管理以及制造工程管理，制造之后，从透明的绝缘膜的背面确 认如下状况，例如(1)半导体元件的突块电极和配线之间的接合有无错位，以及接合品质 如何；(2)密封树脂的填充是否适当。但是，在现有的COF或者如C0F10中，由于在绝缘膜 上设有散热材，因此无法对上述状况进行确认。本实施方式的方案其目的在于解决该问题。本实施方式的COFlOb其结构基本上与C0F10相同，不同的是，在散热材7上的与 半导体元件4的中央部分相对应的位置上形成了开口部ol，并且在与半导体元件4的定位 用标记部分相对应的位置上形成了开口部02。开口部ol、o2是贯通到绝缘膜1的孔。通 过该开口部ol，能够隔着透明的绝缘膜1，确认密封树脂6填充的是否适当。另外，通过开 口部ο 1可以连接热电偶，从而能够测定半导体元件4的温度。此外，通过开口部o2可以观 察半导体元件4的定位用标记部分，从而能够确认半导体元件4的设置是否适当。如上所 述，通过在散热材7上形成开口部ol、02，可进行品质管理、制造工程管理。在本实施方式 中，在散热材7上形成了开口部ol和02，但是，这种结构只是其中一例，也可以只形成开口 部ol和o2中的一个。开口部ol其纵向宽度OlA优选为半导体元件4的纵向宽度-0. Imm以下，其横向 宽度OlB优选为半导体元件4的横向宽度-0. Imm以下。而且，开口部o2其纵向宽度优选 为0.05mm以上0. 15mm以下，其横向宽度优选为0.05mm以上0. 15mm以下。在本实施方式 中，开口部ol的纵向宽度OlA为0.8mm，横向宽度OlB为2.0mm。另外，开口部o2为正方 形，其边长为116 μ m。在此，开口部o2的尺寸是依据半导体元件4的定位用标记的尺寸而定的，即半导体元件4的定位用标记的尺寸为96 μ m,基于该尺寸，在其上下左右方向上各 取ΙΟμπι的裕量而成。采用一般的蚀刻等方法，形成开口部ol、o2。在本实施方式中，开口部ol为长方形，但是并不限定于此，例如还可采用正方形。 另外，开口部ο2的形状也同样，虽然不限定于上述，但是考虑到定位的精度，优选采用本实 施方式所提及的正方形。本发明并不局限于上述实施方式，在权利要求的范围内可进行种种变更。S卩，对于 在权利要求的范围内适宜进行变更的技术进行组合而获得的实施方式也属于本发明的技 术范畴内。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，可在上述第1散热部件上的与上述半 导体元件相对应的位置上或者与上述半导体元件的周边相对应的位置上或者与上述两者 相对应的位置上，形成上述狭缝。根据上述结构，可以将上述狭缝形成于靠近上述半导体元件的位置上，因此能够 可靠地缓和热膨胀，从而能够可靠地防止配线发生配线或者断线。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述狭缝可至少包括1个与上述半导 体元件的一个边相平行的第1狭缝。根据上述结构，由于上述第1狭缝可横穿上述第1散热部件的热膨胀路经，对于缓 和热膨胀非常有效，从而能够可靠地缓和热膨胀，其结果能够可靠地防止配线发生变形或 者断线。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述狭缝可至少包括1个第2狭缝，该 第2狭缝位于上述第1散热部件上的与上述光导体元件的端部附近相对应的位置上，并且 呈朝向上述第1散热部件的端部展开的扇形。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述第2狭缝可由相互成直角关系的 2个狭缝构成，并在该2个狭缝上分别增设狭缝，形成朝向上述第1散热部件的端部开口的 正方形的第3狭缝。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述狭缝可以具有，由至少1个第1狭 缝部和至少1个第2狭缝部组合而成，并且相结合这些狭缝部的第4狭缝，其中，上述第1 狭缝部是与上述半导体元件的一个边相平行的第1狭缝，上述第2狭缝部是上述半导体元 件的另一个边相平行的第1狭缝。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述狭缝可以具有设在上述半导体元 件的周围的第5狭缝。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述狭缝可以包括至少2个互相隔开 距离而设的具有由短部和长部所构成的L形结构的第6狭缝，该第6狭缝是通过折曲上述 第1狭缝的一端部构成该L形结构的短部而形成，将上述互相隔开距离而设的2个第6狭 缝作为1组的情况下，形成该1组中的第6狭缝的各端部时，使一个第6狭缝的端部的L形 结构的短部与另一个第6狭缝的端部的L形结构的短部相平行，并且，使上述一个第6狭缝 的端部的L形结构的长部与上述另一个第6狭缝的端部的L形结构的长部相平行。根据上述结构，因加热上述第1散热部件发生伸缩时，L形部分起到弹簧的作用， 能够抑制第1散热部件的伸缩。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，以不分割上述第1散热部件的方式，上述狭缝上形成有缺口，或者，上述狭缝未形成到第1散热部件的端部位置上。根据上述结构，由于上述第1散热部件不会被分割，因此能够确保散热性。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，以上述半导体元件的中心线为轴，线 对称地形成了上述狭缝，在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述第1狭缝和最接近上述第1狭缝 的上述半导体元件的一个边上的突块端面在水平方向上的距离可为0. Imm以上2. Omm以 下。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，可在上述第1散热部件的热膨胀大的 部分增大上述狭缝的宽度，而在上述第1散热部件的热膨胀小的部分缩小上述狭缝的宽度。根据上述结构，在上述第1散热部件的热膨胀大的部分，通过增大的上述狭缝宽 度，能够提高热膨胀缓和的效果，其结果能够更可靠地防止配线发生变形或者断线。另外， 根据上述结构，在上述第1散热部件的热膨胀大的部分，通过增大上述狭缝的宽度，确保散 热性并将重点放在热膨胀缓和上。而在上述第1散热部件的热膨胀小的部分，通过缩小上 述狭缝的宽度，确保热膨胀缓和并将重点放在散热性上。如上所述，根据情况，能够适当地 设定热膨胀缓和和散热性之间平衡关系。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，可从上述半导体装置的冲压部分的纵 方向上的两端向其内侧，分别隔开0. 5mm以上的距离设定上述第1散热部件的纵向宽度。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，可以只在上述绝缘膜的相反的面上的 与上述半导体元件及其周边相对应的位置上，形成上述第1散热部件。根据上述结构，可维持上述半导体装置的散热性并能够确保对上述半导体装置进 行折曲安装时的折曲性。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，还可在上述第1散热部件的周围设置 与上述第1散热部件相接触的第2散热部件，上述第2散热部件具有多个正方形或者圆形 的贯通到上述绝缘膜的孔状的开口部，纵横排列上述开口部，并使相邻接的开口部之间保
持一定距离。具体而言，优选的，上述第2散热部件中的正方形的开口部的边长为50 μ m以上 200 μ m以下，并且相邻接的开口部之间保持50 μ m以上200 μ m以下的距离，上述第2散热 部件中的圆形的开口部的直径为50 μ m以上200 μ m以下，并且相邻接的开口部之间保持 50 μ m以上200 μ m以下的距离。另外，可排列上述第2散热部件中的正方形的开口部，使其一个边和与上述第2散 热部件的横方向的边构成35°以上55°以下的角度的线段相平行，上述第2散热部件中的 圆形的开口部被排列在形成上述正方形的开口部的位置上。根据上述结构，相比于只设有上述第1散热部件的情况，可增大散热部件的区域， 因此更能够提高上述半导体装置的散热性。另外，第2散热部件具有开口部，由于并非是在 整体上设置散热部件，因此易于进行折曲。即，根据上述结构，可确保折曲性的同时，更能够 提高上述半导体的散热性。另外，按照上述角度排列上述第2散热部件的开口部，能够抑制热膨胀所致的伸展。
在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，还可包括阻焊层，该阻焊层覆盖上述 绝缘膜以及上述配线的一部分，上述第2散热部件其横向宽度与上述第1散热部件的横向 宽度相同，其纵方向上的各端部的位置设定在从上述绝缘膜的相反面上的与上述阻焊层的 端部相对应的位置向其内侧缩进0. 5mm以上的位置。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，可将上述第1散热部件的纵向宽度设 定在折曲使用上述半导体装置时的禁止折曲范围的纵向宽度-0. 5mm以上，且上述禁止折 曲范围的纵向宽度+0. 5mm以下的范围内。根据上述结构，由于上述第1散热部件的纵向宽度大致成禁止折曲范围，因此，能 够维持上述半导体装置的散热性并最大限度确保折曲性。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，可从上述半导体装置的冲压部分的横 方向上的两端向其内侧，分别隔开0. 5mm以上距离设定上述第1散热部件的横向宽度。根据上述结构，能够提高上述半导体装置的散热性，而并不妨碍安装中进行冲压。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述狭缝可包括与上述半导体元件的 一个边相平行的第1狭缝，并且上述第1狭缝和最接近上述第1狭缝的上述半导体元件的 一个边上的突块端面在水平方向上的距离为0. Imm以上2. Omm以下。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述第1散热部件或者上述各散热部 件可由热传导率为IOW/(m · K)的材料形成。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述第1散热部件或者上述各散热部 件可由铜、铝或者SUS形成。根据上述结构，由于采用热传导性高的材料形成上述第1散热部件和上述第2散 热部件，因此能够获得优越的散热性。在本实施方式的半导体装置中，上述第1散热部件或者上述各散热部件的厚度可 为5μ 以上30μ 以下。根据上述结构，可维持薄型的上述半导体装置的同时，能够提高散热性。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，优选在上述第1散热部件或者上述各 散热部件的表面上，使用不同于形成散热部件形成材料的材料进行电镀或者涂覆。因完全使用金属形成上述散热部件，可能会发生氧化现象。但是根据上述结构，能 够防止上述散热部件的氧化。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，设在上述第1散热部件上的狭缝的宽 度可以在0. 02謹以上1. 0謹以下。根据上述结构，形成小的上述狭缝，能够防止配线方向变形或者断线，并且不影响 上述半导体装置的散热性。在本发明的实施方式涉及的半导体装置中，上述半导体元件与上述第1散热部件 或者上述各散热部件之间的垂直方向上的距离可以在0. Imm以下。根据上述结构，可实现上述半导体装置的薄型化，并能在热源附近设置上述个散 热部件，因此能够提高上述半导体装置的散热性。(工业上的可利用性)本发明适用于在背面具备散热材的C0F，能够缓和散热材的热膨胀，并防止配线发 生变形或者断线。
权利要求
一种半导体装置，其特征在于包括绝缘膜、设在上述绝缘膜的一个面上的配线、设在上述配线上的半导体元件、设在上述绝缘膜的上述一个面的相反面上的散热部件，将上述散热部件作为第1散热部件，该第1散热部件上形成有狭缝。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于在上述第1散热部件上的与上述半导体元件相对应的位置或者与上述半导体元件的 周边相对应的位置或者与上述两者相对应的位置上形成上述狭缝。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于上述狭缝至少包括1个与上述半导体元件的一个边相平行的第1狭缝。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于上述狭缝至少包括1个第2狭缝，该第2狭缝位于上述第1散热部件上的与上述光导 体元件的端部附近相对应的位置上，并且呈朝向上述第1散热部件的端部展开的扇形。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于上述第2狭缝由相互成直角关系的2个狭缝构成，并在该2个狭缝上分别加设狭缝，形 成朝向上述第1散热部件的端部开口的正方形的第3狭缝。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于上述狭缝具有由至少1个第1狭缝部和至少1个第2狭缝部组合而成的，并且相结合 上述狭缝部而成的第4狭缝，其中，上述第1狭缝部是与上述半导体元件的一个边相平行的 第1狭缝，上述第2狭缝部是与上述半导体元件的另一个边相平行的第1狭缝。
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于上述狭缝包括设在上述半导体元件的周围的第5狭缝。
8.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于上述狭缝包括至少2个互相隔开距离而设的具有由短部和长部构成的L形结构的第6 狭缝，该第6狭缝是通过折曲上述第1狭缝的一端部构成该L形结构的短部而形成，将上述 互相隔开距离而设的2个第6狭缝作为一组的情况下，形成该一组中的第6狭缝的各端部 时，使一个第6狭缝的端部的L形结构的短部与另一个第6狭缝的端部的L形结构的短部 相平行，并且，使上述一个第6狭缝的端部的L形结构的长部与上述另一个第6狭缝的端部 的L形结构的长部相平行。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于以不分割上述第1散热部件的形式，上述狭缝上形成有缺口，或者，上述狭缝未形成到 第1散热部件的端部位置上。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于以上述半导体元件的中心线为轴，线对称地形成上述狭缝。
11.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于上述第1狭缝和最接近上述第1狭缝的上述半导体元件的一个边上的突块端面在水平 方向上的距离为0. Imm以上2. Omm以下。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于在上述第1散热部件的热膨胀大的部分加大上述狭缝的宽度，而在上述第1散热部件 的热膨胀小的部分缩小上述狭缝的宽度。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于从上述半导体装置的冲压部分的纵方向上的两端向其内侧，分别隔开0. 5mm以上距离 设定上述第1散热部件的纵向宽度。
14.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于上述第1散热部件只设置在上述绝缘膜的一个面的相反面上的与上述半导体元件及 其周边相对应的位置上。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于在上述第1散热部件的周围还设置有与上述第1散热部件相接触的第2散热部件，上述第2散热部件具有多个正方形或者圆形的，贯通到上述绝缘膜的孔状的开口部，纵横排列上述开口部，并使相邻接的开口部之间保持一定距离。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于上述第2散热部件中的正方形的开口部，其一个边的边长为50 μ m以上200 μ m以下， 并且相邻接的开口部之间保持50 μ m以上200 μ m以下的距离，上述第2散热部件中的圆形的开口部，其直径为50 μ m以上200 μ m以下，并且相邻接 的开口部之间保持50 μ m以上200 μ m以下的距离。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于上述第2散热部件中的正方形的开口部具有其一个边和与上述第2散热部件的横方向 的边构成35°以上55°以下的角度的线段相平行的排列，上述第2散热部件中的圆形的开口部被排列在形成上述正方形的开口部的位置上。
18.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于上述半导体装置还包括阻焊层，该阻焊层覆盖上述绝缘膜以及上述配线的一部分，上述第2散热部件其横向宽度与上述第1散热部件的横向宽度相同，其纵方向上的 各端部位于从上述绝缘膜的相反面上的与上述阻焊剂的端部相对应的位置向其内侧距离 0. 5mm以上的位置上。
19.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于上述第1散热部件的纵向宽度设定为折曲使用上述半导体装置时的禁止折曲范围的 纵向宽度-0. 5mm以上，上述禁止折曲范围的纵向宽度+0. 5mm以下的范围内。
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其特征在于从上述半导体装置的冲压部分的横方向上的两端向其内侧，分别隔开0. 5mm以上距离 设定上述第1散热部件的横向宽度。
21.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述第1散热部件或者上述各散热部件由热传导率为10W/m · K的材料形成。
22.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述第1散热部件或者上述各散热部件由铜、铝或者SUS形成。
23.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述第1散热部件或者上述各散热部件的厚度为5 μ m以上30 μ m以下。
24.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述第1散热部件或者上述各散热部件的表面上，电镀或者涂覆有不同于散热部件形 成材料的材料。
25.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于形成在上述第1散热部件上的狭缝的宽度为0. 02mm以上1. Omm以下。
26.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述半导体元件与上述第1散热部件或者上述各散热部件之间的垂直方向上的距离 为0. Imm以下。
27.—种显示装置，其特征在于作为用于驱动显示装置的显示装置驱动模块，具备权利要求1 26中的任何一项所述 的半导体装置。
全文摘要
本发明的COF(10)其绝缘膜(1)的背面上设有散热材(7)，并且该散热材(7)上形成有用于缓和热膨胀的狭缝(8)。根据上述，能够提供可防止配线发生变形或者断线的COF。
文档编号H01L23/36GK101911290SQ20098010245
公开日2010年12月8日 申请日期2009年1月13日 优先权日2008年1月17日
发明者加藤达也, 千川保宪, 杉山拓也 申请人:夏普株式会社